專利名稱：一種電容式內嵌觸摸屏及顯示裝置的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及顯示技術領域，尤其涉及一種電容式內嵌觸摸屏及顯示裝置
背景技術：
隨著顯示技術的飛速發展，觸摸屏(Touch Screen Panel)已經逐漸遍及人們的生活中。目前，觸摸屏按照組成結構可以分為外掛式觸摸屏(Add on Mode Touch Panel)、覆蓋表面式觸摸屏(On Cell Touch Panel)、以及內嵌式觸摸屏(In Cell Touch Panel)。其中，外掛式觸摸屏是將觸摸屏與液晶顯示屏(Liquid Crystal Display, LCD)分開生產,然后貼合到一起成為具有觸摸功能的液晶顯示屏，外掛式觸摸屏存在制作成本較高、光透過率較低、模組較厚等缺點。而內嵌式觸摸屏將觸摸屏的觸控電極內嵌在液晶顯示屏內部，可以減薄模組整體的厚度，又可以大大降低觸摸屏的制作成本，受到各大面板廠家青睞。目前，現有的電容式內嵌(in cell)觸摸屏是在現有的TFT (Thin FilmTransistor,薄膜場效應晶體管)陣列基板上直接另外增加觸控掃描線和觸控感應線實現的，即在TFT陣列基板的表面制作兩層相互異面相交的條狀ITO電極，這兩層ITO (IndiumTin Oxides，銦錫金屬氧化物)電極分別作為觸摸屏的觸控驅動線和觸控感應線，在兩條ITO電極的異面相交處形成感應電容。其工作過程為在對作為觸控驅動線的ITO電極加載觸控驅動信號時，檢測觸控感應線通過感應電容耦合出的電壓信號；在此過程中，有人體接觸觸摸屏時，人體電場就會作用在感應電容上，使感應電容的電容值發生變化，進而改變觸控感應線耦合出的電壓信號，根據電壓信號的變化，就可以確定觸點位置。上述電容式內嵌觸摸屏的結構設計，需要在現有的TFT陣列基板上增加新的膜層，使得TFT陣列基板的結構相對復雜，在制作TFT陣列基板時也需要增加新的工藝，使生產成本增加；并且上述電容式內嵌觸摸屏的結構設計，需要同時利用兩個驅動芯片(IC)分別實現觸控驅動和顯示驅動，成本也較高。
實用新型內容本實用新型實施例提供了一種電容式內嵌觸摸屏及顯示裝置，用以實現成本較低的電容式內嵌觸摸屏。一種電容式內嵌觸摸屏，包括彩膜基板，具有公共電極層的薄膜晶體管TFT陣列基板，以及位于所述彩膜基板和所述TFT陣列基板之間的液晶層，在所述TFT陣列基板上設有呈矩陣排列的多個像素單元；所述彩膜基板具有沿像素單元的列方向延伸的多條觸控感應電極；所述TFT陣列基板的公共電極層中具有多條沿像素單元的行方向延伸的觸控驅動電極；在一幀畫面的顯示時間內，所述觸控驅動電極用于分時地傳遞公共電極信號和觸控掃描信號；所述TFT陣列基板具有沿像素單元的行方向延伸的多條金屬驅動電極；所述金屬驅動電極位于相鄰像素單元之間的間隙處，且與對應的所述觸控驅動電極直接電性相連。[0010]本實用新型實施例提供的一種顯示裝置，包括本實用新型實施例提供的電容式內嵌觸摸屏。本實用新型實施例的有益效果包括本實用新型實施例提供的一種電容式內嵌觸摸屏及顯示裝置，在彩膜基板上設置觸控感應電極，將TFT陣列基板中整面連接的公共電極層分割成條狀作為觸控驅動電極，并在TFT陣列基板上設置與對應的各觸控驅動電極直接電性相連的金屬驅動電極，以降低觸控驅動電極的阻值，并對觸控驅動電極采取分時驅動，以實現觸控功能和顯示功能。由于本實用新型實施例提供的觸摸屏是將TFT陣列基板的公共電極層結構進行變更形成觸控驅動電極，因此，在現有的TFT陣列基板制備工藝的基礎上，不需要增加額外的工藝，節省了生產成本，提高了生產效率。并且，由于采用分時驅動觸控和顯示功能，一方面可以將顯示驅動和觸控驅動的芯片整合為一體，進一步降低生產成本；另一方面分時驅動也能夠降低顯示和觸控的相互干擾，提高畫面品質和觸控準確性。此外，由于觸控驅動電極在顯示階段具有公共電極層的作用，因此，各觸控驅動電極通常由電阻較高的諸如ITO或IZO材料制備，而本實用新型實施例提供的觸摸屏中，為了降低各觸控驅動電極的阻值，在TFT陣列基板中設置了與各觸控驅動電極直接電性相連的多條金屬驅動電極，極大的減小了觸控驅動電極的阻值，并且這些金屬驅動電極位于相鄰像素單元之間，也不會占用觸摸屏的開口區域，從而保證了觸摸屏所需的開口率。
圖1為本實用新型實施例提供的電容式內嵌觸摸屏的結構示意圖；圖2為本實用新型實施例提供的觸控驅動電極的圖形示意圖；圖3為本實用新型實施例提供的觸摸屏的驅動時序示意圖；圖4為本實用新型實施例提供的金屬驅動電極的圖形示意圖；圖5為現有技術中顯示面板的雙柵結構的結構示意圖；圖6為本實用新型實施例提供的采用雙柵結構的TFT陣列基板的結構示意圖之圖7為本實用新型實施例提供的采用雙柵結構的TFT陣列基板的結構示意圖之-* ;圖8為本實用新型實施例提供的觸控感應電極的圖形示意圖；圖9為本實用新型實施例提供的彩膜基板和TFT陣列基板對盒后的結構示意圖；圖10為本實用新型實施例提供的觸摸屏的走線示意圖。
具體實施方式
目前，能夠實現寬視角的液晶顯示技術主要有平面內開關(IPS，In-PlaneSwitch)技術和高級超維場開關(ADS, Advanced Super Dimension Switch)技術；其中，ADS技術通過同一平面內狹縫電極邊緣所產生的電場以及狹縫電極層與板狀電極層間產生的電場形成多維電場，使液晶盒內狹縫電極間、電極正上方所有取向液晶分子都能夠產生旋轉，從而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高級超維場轉換技術可以提高TFT-LCD產品的畫面品質，具有高分辨率、高透過率、低功耗、寬視角、高開口率、低色差、無擠壓水波紋(push Mura)等優點。本實用新型實施例基于傳統的ADS技術以及ADS技術的一種重要改進方式H-ADS(高開口率-高級超維場開關)，提出了新的電容式內嵌觸摸屏結構。
以下結合附圖，對本實用新型實施例提供的電容式內嵌觸摸屏及顯示裝置的具體實施方式
進行詳細地說明。附圖中各層薄膜厚度和形狀不反映TFT陣列基板或彩膜基板的真實比例，目的只是示意說明本實用新型內容。圖1所示為本實用新型實施例提供的一種電容式內嵌觸摸屏的縱向剖面示意圖。如圖1所示，本實用新型實施例提供的電容式內嵌觸摸屏具體包括彩膜基板1，具有公共電極層的TFT陣列基板2，以及位于彩膜基板I和TFT陣列基板2之間的液晶層3，在TFT陣列基板2上設有呈矩陣排列的多個像素單元4 ；彩膜基板I具有沿像素單元4的列方向延伸的多條觸控感應電極5 ；TFT陣列基板2的公共電極層中具有多條沿著像素單元4的行方向延伸的觸控驅動電極6 ;在一巾貞畫面的顯不時間內，該觸控驅動電極6用于分時地傳遞公共電極信號和觸控掃描信號；所述TFT陣列基板2具有沿像素單元4的行方向延伸的多條金屬驅動電極7 ;金屬驅動電極7位于相鄰像素單元4之間的間隙處，與對應的觸控驅動電極6直接電性相連。本實用新型實施例提供上述電容式內嵌觸摸屏，將TFT陣列基板中整面連接的公共電極層分割成條狀作為觸控驅動電極，對觸控驅動電極采取分時驅動，以實現觸控功能和顯示功能。由于是將TFT陣列基板的公共電極層結構進行變更，因此，可以在現有的TFT陣列基板制備工藝的基礎上，不需要增加額外的工藝，節省了生產成本，提高了生產效率。并且，由于采用分時驅動觸控和顯示功能，一方面可以將顯示驅動和觸控驅動的芯片整合為一體，進一步降低生產成本；另一方面分時驅動也能夠降低顯示和觸控的相互干擾，提高畫面品質和觸控準確性。此外，由于觸控驅動電極在顯示階段具有公共電極層的作用，因此，各觸控驅動電極通常由電阻較高的諸如ITO或IZO材料制備，而本實用新型實施例提供的觸摸屏中，為了降低各觸控驅動電極的阻值，在TFT陣列基板中設置了與各觸控驅動電極直接電性相連的多條金屬驅動電極，極大的減小了觸控驅動電極的阻值，并且這些金屬驅動電極位于相鄰像素單元之間，也不會占用觸摸屏的開口區域，從而保證了觸摸屏所需的開口率。下面對上述觸摸屏的TFT陣列基板上的具體結構進行詳細的說明。在具體實施時，可以根據所需的觸控精度，將公共電極層分割成合適寬度的觸控驅動電極6，一般情況下，每條觸控驅動電極6的寬度在2飛_為佳。并且，觸摸屏的精度通常在毫米級，而液晶顯示屏的精度通常在微米級，可以看出顯示所需的精度遠遠大于觸控所需的精度，因此，一般每條觸控驅動電極6都會覆蓋多行像素單元4，例如圖1所示的一條觸控驅動電極6可以覆蓋三行像素單元4，在此不做具體限定。此外，在具體實施時，由于顯示所需的精度遠遠大于觸控所需的精度，因此，公共電極層分割成的條狀電極可以不都作為觸控驅動電極，還可以有部分僅作為公共電極，即所述公共電極層除了具有觸控驅動電極之外，還可以具有與觸控驅動電極相互絕緣的公共電極，且相鄰的觸控驅動電極之間設置至少一個公共電極。[0037]—般地，傳統ADS型液晶面板的陣列基板上，公共電極作為板狀電極位于下層(更靠近襯底基板)，像素電極作為狹縫電極位于上層(更靠近液晶層)，在像素電極和公共電極之間設有絕緣層。而HADS型液晶面板的陣列基板上，像素電極作為板狀電極位于下層(更靠近襯底基板)，公共電極作為狹縫電極位于上層(更靠近液晶層)，在像素電極和公共電極之間設有絕緣層。具體地，根據上述觸摸屏具體應用的液晶顯示面板的模式，組成公共電極層的各條觸控驅動電極6和公共電極在與像素單元4的開口區域對應的位置可以具有狹縫狀ITO電極結構或板狀ITO電極結構，即如圖2所示在HADS模式時各條觸控驅動電極6由狹縫狀ITO電極組成；具體地，所述狹縫狀ITO電極結構為在像素的開口區域具有狹縫的ITO電極。在ADS模式時各條觸控驅動電極6由板狀ITO電極組成以滿足液晶顯示的需求,此時觸控驅動電極6可以透過像素電極的狹縫區域與彩膜基板上的觸控感應電極5形成感應電容。由于ADS模式和HADS模式的液晶面板的具體結構屬于現有技術，在此不再贅述。并且，為了降低TFT陣列基板中其他信號，諸如柵極信號線、數據信號線或像素電極上的電信號對觸控驅動電極上傳遞的電信號的干擾，一般將由各條觸控驅動電極6和公共電極組成的公共電極層設置在TFT陣列基板中的像素電極的上方，即采用HADS模式，以盡量減少其他信號對觸控驅動電極6引起的信號干擾問題。進一步地， 為了減少公共電極層中的觸控驅動電極與位于其下方的柵極信號線和數據信號線之間的正對電容，如圖1所示，可以在公共電極層與TFT陣列基板中的數據信號線之間設置樹脂材料絕緣層8代替現有的SiNx材料的絕緣層，由于樹脂材料相對小于SiNx材料的介電常數，并且還可以通過增加樹脂材料絕緣層8的厚度來減少觸控驅動電極與數據信號線和柵極信號線之間的正對電容，以減少觸控驅動電極上施加的電信號對顯示的干擾。具體地，本實用新型實施例提供的上述觸摸屏中的觸控驅動電極6既要承擔觸控功能也要承擔顯示功能，因此，在觸控驅動電極6上需要采用分時驅動的設計方案，例如如圖3所示的驅動時序圖中，一幀(V-sync)中的前11. 7ms可以用于液晶顯示，在此期間Gatel，Gaten進行逐行掃描，相應地此時觸控驅動電極作為公共電極，與觸控驅動電極連接的IC芯片向其提供恒定的公共電極信號，實現液晶顯示功能；一幀中的后5ms可以用于觸控的偵測，在此期間與觸控驅動電極連接的IC芯片向各觸控驅動電極分別提供觸控掃描信號T1、T2……Τη，同時各觸控感應電極分別進行偵測觸控感應信號R1、R2……Rn，實現觸控功能。上述例子只是舉例說明具體一幀中用于顯示驅動和觸控驅動的時間比例，可以根據IC芯片提供信號頻率的能力而定，在此不做具體限定。在圖3所示的驅動時序圖中展示的僅是分時驅動的一種情況，此外也可以將液晶顯示的時間定為12. 7ms，而觸控驅動的時間為4ms。具體地，本實用新型實施例提供的上述觸摸屏中，為了降低各觸控驅動電極的阻值，在TFT陣列基板中設置與各觸控驅動電極直接電性相連的多條金屬驅動電極，在具體實施時，金屬驅動電極可以位于觸控驅動電極的上層，也可以如圖1所示位于觸控驅動電極的下層，還可以在觸控驅動電極的上層和下層同時設置金屬驅動電極，在此不限定金屬驅動電極的具體位置。與觸控驅動電極直接電性相連的金屬驅動電極需要通過單獨的構圖工藝制備，因此，雖然分別在觸控驅動電極的上下兩層都設置直接電性相連的金屬驅動電極能夠最大程度的降低其阻值，但是也會帶來制備工藝的增加，因此，可以根據實際需要選擇制備的金屬驅動電極的層數和層級關系。具體地，由于金屬驅動電極的材料為不透明的金屬，因此，金屬驅動電極需要設置在黑矩陣對應的區域，即設置在相鄰像素單元之間的間隙處，具體地，各金屬驅動電極7包含至少一條橫向金屬子電極71和/或至少一條縱向金屬子電極72，以圖4為例各金屬驅動電極7包含一條橫向金屬子電極71和多條縱向金屬子電極72 ;在與金屬驅動電極7對應的觸控驅動電極6所覆蓋區域內，橫向金屬子電極71具體位于相鄰行像素單元之間的間隙處；縱向金屬子電極72具體位于相鄰列像素單元之間的間隙處。在具體實施時，可以根據實際所需的阻值來設置金屬驅動電極中的橫向金屬子電極71和縱向金屬子電極72的個數，在此不做限定。進一步地，由于公共電極層被分割成多條觸控驅動電極，因此在顯示階段對各條觸控驅動電極施加公共電極信號時，公共電極層被分割的縫隙處相對于未分割處其電壓相對不穩定，會影響液晶的正常偏轉，因此，為了解決此問題，如圖4所示，還會與金屬驅動電極同層設置金屬浮空(Dmnmy)電極9,該金屬浮空電極9位于相鄰的觸控驅動電極6之間的間隙處，且與金屬驅動電極之間相互絕緣，金屬浮空電極9用于傳遞公共電極信號，以補償分割的縫隙處的公共電極信號，與相鄰的像素電極4產生電場進而保證液晶的正常偏轉。下面對上述觸摸屏的公共電極層中的各觸控驅動電極6的信號接入方式進行詳細的說明。在具體實施時，由于公共電極層被分割成多條沿像素單元4的行方向延伸的觸控驅動電極6，因此可以在TFT陣列基板的周邊布置與各條觸控驅動電極6對應的信號線，在分別實現觸控功能和顯示功能時對其輸入相應的電信號，上述這種信號接入方式由于是在周邊對觸控驅動電極6輸入電信號，在應用到大尺寸的觸控屏時，很容易引起在觸控驅動電極6上傳輸的信號不穩定的問題。為了保證在大尺寸的觸控屏中信號傳輸的穩定性，可以在TFT陣列基板上單獨布置與各條觸控驅動電極6對應的金屬信號線，實現對其輸入信號的功能，但是，這種單獨布置金屬信號線的方式會占用部分液晶顯示屏顯示區域，導致開口率降低。較佳地，為了能夠在最大限度的保證大尺寸的觸摸顯示屏的開口率的同時，盡量穩定觸控驅動電極6上的電信號，本實用新型實施例提供的觸摸屏的TFT陣列基板中的像素結構在具體實施時可以采用雙柵(Dual Gate)結構，如圖5所示，在雙柵結構中，TFT陣列基板上的相鄰行的像素單元之間具有兩個柵極信號線Gatel和Gate2、Gate3和Gate4、Gate5和Gate6，且每相鄰的兩列像素單元為一組，共用一個位于該兩列像素單元之間的數據信號線Datel、Date2、Date3和Data4。雙柵結構通過增加一倍數量的柵極信號線,節省出一部分數據信號線的位置。進一步地，上述雙柵結構通過增加一倍數量的柵極信號線，節省出一部分數據信號線的位置。這樣，如圖6所示，可以將公共電極信號線設置在節省出的數據信號線的位置，即在相鄰的像素單元組之間的間隙處部分設置與數據信號線Datal、Data2、Date3和Data4同層設置的公共電極信號線V_coml、V_com2、V_com3、Vcom4和Vcom5,利用這些公共信號線與對應的觸控驅動電極6通過過孔電連接，向其輸入電信號，能夠在最大限度的保證觸摸顯示屏的開口率的同時，盡量穩定觸控驅動電極6上的電信號。[0050]進一步地，當本實用新型實施例提供的上述觸摸屏應用雙柵結構時，如圖7所示，相鄰行像素單兀之間的兩條柵極信號線Gatel和Gate2、Gate3和Gate4、Gate5和Gate6為了防止短路，會留有一定間距(space)，這樣，在設計金屬驅動電極時，可以將金屬驅動電極7的橫向金屬子電極71設置為正對該space區域，這樣設計的好處是當觸控驅動電極6傳遞觸控信號時，與觸控驅動電極6連接的橫向金屬子電極71由于沒有正對兩條柵極信號線Gatel和Gate2、Gate3和Gate4、Gate5和Gate6，因此不會對觸摸屏的顯示產生干擾。同理，可以將金屬驅動電極7的縱向金屬子電極72僅設置在無數據信號線Datal、Data2、Data3和Data4的相鄰列像素單元之間，即對應于設置公共電極線Vcoml、Vcom2、Vcom3、Vcom4和Vcom5的區域,這樣也能減少縱向金屬子電極72與數據信號線Datal、Data2、Data3和Data4之間的干擾。下面對上述觸摸屏中彩膜基板具有的觸控感應電極的具體結構進行詳細的說明。在具體實施時，位于彩膜基板I上的觸控感應電極5具體可以位于彩膜基板I的襯底與彩色樹脂之間，也可以位于彩膜基板I的彩色樹脂面向液晶層3的一面。具體地,每條觸控感應電極5由至少一條縱向感應子電極組成,如圖8所示,一條觸控感應電極5由兩條縱向感應子電極組成，為了不影響觸控屏的開口率，觸控感應電極5一般設置在彩膜基板I的黑矩陣覆蓋區域，因此，每條縱向感應子電極在TFT陣列基板2上的投影會位于相鄰列像素單元4之間，即與TFT陣列基板I上的數據信號線相對應。進一步地,每條觸控感應電極5還可以包括至少一條橫向感應子電極,該橫向感應子電極連接了同一觸控感應電極5中的各條縱向感應子電極，即同一觸控感應電極5中的各條縱向感應子電極通過橫向感應子電極導通，同樣為了不影響觸控屏的開口率，每條橫向感應子電極在TFT陣列基板2上的投影會位于相鄰行像素單元4之間具有柵線的區域，即與TFT陣列基板2上的兩條相鄰的柵極信號線相對應。在每條觸控感應電極5中設置的橫向感應子電極可以增加觸控驅動電極6與觸控感應電極5的互感電容,有利于觸控感應電極5對觸控信號的偵測。在具體實施時，可以根據所需的觸控精度設置每條觸控感應電極5的寬度，以及每條觸控感應電極5包含的橫向感應子電極和縱向感應子電極的數量以及密度，在此不做贅述。如圖9所示的彩膜基板I和TFT陣列基板2的組合示意圖，由于在彩膜基板I上設置的觸控感應電極5不會遮擋像素單元4，因此，觸控感應電極5可以具體為ITO電極，也可以具體為金屬電極，當采用金屬電極制作觸控感應電極5時可以有效的降低其電阻。圖10為本實用新型實施例提供的觸摸屏在對盒后的走線示意圖，其中為了視圖清晰，將各條觸控感應電極5直接畫成條狀電極結構，其實際結構應類似于圖6所示的網格狀的結構；從圖10中可以看出觸控感應電極5和觸控驅動電極6之間形成互感電容Cm，該互感電容Cm的大小可以調整觸控感應電極5和觸控驅動電極6的密度來調節。基于同一實用新型構思，本實用新型實施例還提供了一種顯示裝置，包括本實用新型實施例提供的上述電容式內嵌觸摸屏，該顯示裝置的實施可以參見上述電容式內嵌觸摸屏的實施例，重復之處不再贅述。本實用新型實施例提供的一種電容式內嵌觸摸屏及顯示裝置，在彩膜基板上設置觸控感應電極，將TFT陣列基板中整面連接的公共電極層分割成條狀作為觸控驅動電極，并在TFT陣列基板上設置與對應的各觸控驅動電極直接電性相連的金屬驅動電極，以降低觸控驅動電極的阻值，并對觸控驅動電極采取分時驅動，以實現觸控功能和顯示功能。由于本實用新型實施例提供的觸摸屏是將TFT陣列基板的公共電極層結構進行變更形成觸控驅動電極，因此，在現有的TFT陣列基板制備工藝的基礎上，不需要增加額外的工藝，節省了生產成本，提高了生產效率。并且，由于采用分時驅動觸控和顯示功能，一方面可以將顯示驅動和觸控驅動的芯片整合為一體，進一步降低生產成本；另一方面分時驅動也能夠降低顯示和觸控的相互干擾，提高畫面品質和觸控準確性。顯然，本領域的技術人員可以對本實用新型進行各種改動和變型而不脫離本實用新型的精神和范圍。這樣，倘若本實用新型的這些修改和變型屬于本實用新型權利要求及其等同技術的范圍之內，則本實用新型也意圖包含這些改動和變型在內。
權利要求1.一種電容式內嵌觸摸屏，包括彩膜基板，具有公共電極層的薄膜晶體管TFT陣列基板，以及位于所述彩膜基板和所述TFT陣列基板之間的液晶層，在所述TFT陣列基板上設有呈矩陣排列的多個像素單元；其特征在于，所述彩膜基板具有沿像素單元的列方向延伸的多條觸控感應電極；所述TFT陣列基板的公共電極層中具有多條沿像素單元的行方向延伸的觸控驅動電極；在一幀畫面的顯示時間內，所述觸控驅動電極用于分時地傳遞公共電極信號和觸控掃描信號;所述TFT陣列基板具有沿像素單元的行方向延伸的多條金屬驅動電極；所述金屬驅動電極位于相鄰像素單元之間的間隙處，且與對應的所述觸控驅動電極直接電性相連。
2.如權利要求1所述的觸摸屏，其特征在于，每條所述觸控驅動電極覆蓋多行像素單元
3.如權利要求2所述的觸摸屏，其特征在于，所述金屬驅動電極位于所述觸控驅動電極的上層和/或下層。
4.如權利要求3所述的觸摸屏，其特征在于，各所述金屬驅動電極包含至少一條橫向金屬子電極和/或至少一條縱向金屬子電極；在與所述金屬驅動電極對應的觸控驅動電極所覆蓋區域內，所述橫向金屬子電極位于相鄰行像素單元之間的間隙處，所述縱向金屬子電極位于相鄰列像素單元之間的間隙處。
5.如權利要求4所述的觸摸屏，其特征在于，還包括與所述金屬驅動電極同層設置的金屬浮空電極，所述金屬浮空電極位于相鄰的觸控驅動電極之間的間隙處，用于傳遞公共電極信號。
6.如權利要求1-5任一項所述的觸摸屏，其特征在于，在所述TFT陣列基板相鄰行的像素單元之間具有兩條柵極信號線，且每相鄰的兩列像素單元為一個像素單元組，共用一條位于該兩列像素單元之間的數據信號線。
7.如權利要求6所述的觸摸屏，其特征在于，在相鄰的像素單元組之間的間隙處具有與所述數據信號線同層設置的公共電極信號線；所述公共電極信號線與對應的觸控驅動電極通過過孔電性相連。
8.如權利要求1-5任一項所述的觸摸屏，其特征在于，所述公共電極層還具有與所述觸控驅動電極相互絕緣的公共電極，且相鄰的所述觸控驅動電極之間設置至少一個所述公共電極。
9.如權利要求8所述的觸摸屏，其特征在于，每條所述觸控驅動電極或所述公共電極在與所述像素單元的開口區域對應的位置具有狹縫狀ITO電極結構，且所述觸控驅動電極和所述公共電極位于所述TFT陣列基板中的像素電極的上方。
10.如權利要求9所述的觸摸屏，其特征在于，所述公共電極層與所述TFT陣列基板中的數據信號線之間具有樹脂材料絕緣層。
11.如權利要求1所述的觸摸屏，其特征在于，所述觸控感應電極位于所述彩膜基板的襯底與彩色樹脂層之間，或位于所述彩膜基板的彩色樹脂層面向所述液晶層的一面。
12.如權利要求11所述的觸摸屏，其特征在于，所述觸控感應電極包括至少一條縱向感應子電極，所述縱向感應子電極在所述TFT陣列基板上的投影位于相鄰列像素單元之間。
13.如權利要求12所述的觸摸屏，其特征在于，所述觸控感應電極還包括至少一條橫向感應子電極，所述橫向感應子電極在所述TFT陣列基板上的投影位于相鄰行像素單元之間，同一觸控感應電極中的各條縱向感應子電極通過橫向感應子電極導通。
14.如權利要求12或13所述的觸摸屏，其特征在于，所述觸控感應電極為透明導電氧化物電極或金屬電極。
15.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權利要求1-14任一項所述的電容式內嵌觸摸屏。
專利摘要本實用新型公開了一種電容式內嵌觸摸屏及顯示裝置，在彩膜基板上設置觸控感應電極，將TFT陣列基板中整面連接的公共電極層分割成條狀作為觸控驅動電極，并設置與對應的各觸控驅動電極直接電性相連的金屬驅動電極，以降低觸控驅動電極的阻值。由于本實用新型實施例提供的觸摸屏是將TFT陣列基板的公共電極層結構進行變更形成觸控驅動電極，因此，在現有的TFT陣列基板制備工藝的基礎上，不需要增加額外的工藝，節省了生產成本，提高了生產效率。并且，由于采用分時驅動觸控和顯示功能，一方面可以將顯示驅動和觸控驅動的芯片整合為一體，進一步降低生產成本；另一方面分時驅動也能夠降低顯示和觸控的相互干擾，提高畫面品質和觸控準確性。
文檔編號G02F1/1343GK202887152SQ20122055796
公開日2013年4月17日 申請日期2012年10月26日 優先權日2012年10月26日
發明者王海生, 董學, 丁小梁, 劉紅娟, 楊盛際, 趙衛杰, 劉英明, 任濤 申請人:北京京東方光電科技有限公司