傳感器、光刻設備以及器件制造方法與流程

傳感器、光刻設備以及器件制造方法相關申請的交叉引用本申請要求于2012年5月22日遞交的美國臨時申請61/650,260以及2012年12月12日遞交的美國臨時申請61/736,264的權益，其在此通過引用全文并入。技術領域本發明涉及傳感器、具有所述傳感器的光刻設備以及使用這種設備的器件制造方法。

背景技術：
光刻設備是一種將所需圖案應用到襯底上，通常是襯底的目標部分上的機器。例如，可以將光刻設備用在例如集成電路(IC)的制造中。在這種情況下，可以將可選地稱為掩模或掩模版的圖案形成裝置用于生成在所述IC的單層上待形成的電路圖案。可以將該圖案轉移到襯底(例如，硅晶片)上的目標部分(例如，包括一部分管芯、一個或多個管芯)上。通常，圖案的轉移是通過把圖案成像到設置在襯底上的輻射敏感材料(抗蝕劑)層上進行的。通常，單獨的襯底將包含被連續形成圖案的相鄰目標部分的網絡。公知的光刻設備包括：所謂的步進機，在所述步進機中，通過將整個圖案一次曝光到所述目標部分上來輻射每一個目標部分；以及所謂的掃描器，在所述掃描器中，通過輻射束沿給定方向(“掃描”方向)掃描所述圖案、同時沿與該方向平行或反向平行的方向掃描所述圖案來輻射每一個目標部分。也可以通過將圖案壓印(imprinting)到襯底上的方式從圖案形成裝置將圖案轉移到襯底上。已經提出將光刻投影設備中的襯底浸入到具有相對高折射率的液體(例如水)中，以便充滿投影系統的最終元件和襯底之間的空間。在一實 施例中，液體是蒸餾水，但是可以使用其他液體。本發明的實施例將參考液體進行描述。然而，其它流體也可能是適合的，尤其是潤濕性流體、不能壓縮的流體和/或具有比空氣高的折射率的流體，期望地，其為具有比水高的折射率的流體。除氣體之外的流體尤其是希望的。這樣的想法是為了實現更小特征的成像，因為在液體中曝光輻射將會具有更短的波長。(液體的影響也可以被看成提高系統的有效數值孔徑(NA)，并且也增加焦深)。還提出了其他浸沒液體，包括其中懸浮有固體顆粒(例如石英)的水，或具有納米懸浮顆粒(例如具有最大尺寸達10nm的顆粒)的液體。這種懸浮的顆粒可以具有或不具有與它們懸浮所在的液體相似或相同的折射率。其他可能合適的液體包括烴(諸如芳香烴、氟化烴和/或水溶液)。

技術實現要素：
在光刻設備中，設置一個或多個傳感器以測量在襯底水平面處的投影束的性能。例如，透射圖像傳感器可以用于相對于來自圖案形成裝置的標記的投影圖像確定襯底臺的位置并因此確定襯底的位置。這種傳感器通常包括光電二極管或照相裝置以及電路，例如以便處理或放大光電二極管或照相裝置輸出的信號。光電二極管或照相裝置和電路在使用時產生熱量。傳感器產生的熱量可以形成對用于形成精密器件的精確成像的不想要的干擾。期望地，例如提供一種改進的用于光刻設備中的傳感器，其減小、期望最小化成像過程的干擾。根據本發明的一方面，提供一種用于浸沒類型的光刻設備中的傳感器，傳感器包括：構件，在傳感器的使用過程中所述構件接觸供給至鄰近投影系統的元件的空間的浸沒液體；變換器，配置成將刺激轉換為電信號；和溫度調節裝置，其中變換器和溫度調節裝置之間的第一熱流路徑比變換器和浸沒液體之間的第二熱流路徑具有較低熱阻。根據本發明一方面，提供一種用于浸沒光刻設備中的傳感器，所述傳感器包括：構件的表面，在傳感器的使用過程中所述構件接觸供給至鄰近投影系統的元件的空間的浸沒液體；變換器，配置成將刺激轉換為電信號；和溫度調節裝置，其中變換器與溫度調節裝置熱耦合并且變換器與構件的 表面熱隔離。根據本發明一方面，提供一種用于浸沒光刻設備中的傳感器，所述傳感器包括：構件的表面，在傳感器的使用過程中所述構件接觸供給至鄰近投影系統的元件的空間的浸沒液體；變換器，配置成將刺激轉換為電信號；和溫度調節裝置，其中變換器與溫度調節裝置的熱耦合比變換器與構件的表面的熱耦合大。根據本發明的一方面，提供一種用于浸沒光刻設備中的傳感器，所述傳感器包括：構件的表面，在傳感器的使用過程中所述構件接觸供給至鄰近投影系統的元件的空間的浸沒液體；變換器，配置成將刺激轉換為電信號；和溫度調節裝置，其中變換器與構件的表面的熱隔離比變換器與溫度調節裝置的熱隔離大。根據本發明的一方面，提供一種光刻設備，包括：支撐結構，配置成支撐圖案形成裝置；投影系統，配置成將通過圖案形成裝置圖案化的束投影到襯底上；襯底臺，配置成支撐襯底；液體供給系統，配置成將液體供給至投影系統和襯底之間的空間；和如此處所述的傳感器。附圖說明現在參照隨附的示意性附圖，僅以舉例的方式，描述本發明的實施例，其中，在附圖中相應的附圖標記表示相應的部件，且其中。圖1示出根據本發明實施例的光刻設備。圖2和3示出用于光刻投影設備中的液體供給系統；圖4示出用于光刻投影設備中的另一液體供給系統；圖5示出在本發明的一個實施例中作為浸沒液體供給系統使用的阻擋構件的橫截面視圖；圖6示出根據本發明一個實施例的傳感器；圖7示出在使用中的圖6的傳感器；圖8示出在裝置的使用過程中發生的溫度差；圖9示出根據本發明實施例的傳感器；圖10示出根據本發明實施例的傳感器；和圖11示出根據本發明實施例的傳感器。具體實施方式圖1示意地示出了根據本發明的一個實施例的光刻設備。所述光刻設備包括：-照射系統(照射器)IL，其配置用于調節輻射束B(例如，紫外(UV)輻射、深紫外(DUV)輻射或極紫外(EUV)輻射)；-支撐結構(例如掩模臺)MT，其構造用于支撐圖案形成裝置(例如掩模)MA，并與用于根據確定的參數精確地定位圖案形成裝置MA的第一定位裝置PM相連；-襯底臺(例如，晶片臺)WT，構造用以保持襯底(例如涂覆有抗蝕劑的晶片)W并且與配置用于根據確定的參數精確地定位襯底的第二定位裝置PW相連；和-投影系統(例如折射式投影透鏡系統)PS，其配置用于將由圖案形成裝置MA賦予輻射束B的圖案投影到襯底W的目標部分C(例如包括一根或多根管芯)上。照射系統IL可以包括各種類型的光學部件，例如折射型、反射型、磁性型、電磁型、靜電型或其它類型的光學部件、或其任意組合，以引導、成形、或控制輻射。所述支撐結構MT保持圖案形成裝置MA。支撐結構MT以依賴于圖案形成裝置MA的方向、光刻設備的設計以及諸如圖案形成裝置MA是否保持在真空環境中等其他條件的方式保持圖案形成裝置MA。所述支撐結構MT可以采用機械的、真空的、靜電的或其它夾持技術保持圖案形成裝置MA。所述支撐結構MT可以是框架或臺，例如，其可以根據需要成為固定的或可移動的。所述支撐結構MT可以確保圖案形成裝置MA位于所需的位置上(例如相對于投影系統)。在這里任何使用的術語“掩模版”或“掩模”都可以認為與更上位的術語“圖案形成裝置”同義。這里所使用的術語“圖案形成裝置”應該被廣義地理解為表示能夠用于將圖案在輻射束的橫截面上賦予輻射束、以便在襯底的目標部分上形成圖案的任何裝置。應當注意，被賦予輻射束的圖案可能不與在襯底的目標部分上的所需圖案完全相符(例如如果該圖案包括相移特征或所謂的輔助 特征)。通常，被賦予輻射束的圖案將與在目標部分上形成的器件中的特定的功能層相對應，例如集成電路。圖案形成裝置MA可以是透射式的或反射式的。圖案形成裝置的示例包括掩模、可編程反射鏡陣列以及可編程液晶顯示(LCD)面板。掩模在光刻術中是公知的，并且包括諸如二元掩模類型、交替型相移掩模類型、衰減型相移掩模類型和各種混合掩模類型之類的掩模類型。可編程反射鏡陣列的示例采用小反射鏡的矩陣布置，每一個小反射鏡可以獨立地傾斜，以便沿不同方向反射入射的輻射束。所述已傾斜的反射鏡將圖案賦予由所述反射鏡矩陣反射的輻射束。這里使用的術語“投影系統”應該廣義地解釋為包括任意類型的系統，包括折射型、反射型、反射折射型、磁性型、電磁型和靜電型光學系統、或其任意組合，如對于所使用的曝光輻射所適合的、或對于諸如使用浸沒液或使用真空之類的其他因素所適合的。這里使用的術語“投影透鏡”可以認為是與更上位的術語“投影系統”同義。如這里所示的，所述設備是透射型的(例如，采用透射式掩模)。替代地，所述設備可以是反射型的(例如，采用如上所述類型的可編程反射鏡陣列，或采用反射式掩模)。光刻設備可以是具有兩個或更多襯底支撐結構的類型，例如襯底平臺或襯底臺，和/或用于圖案形成裝置的兩個或多個支撐結構。在這種具有多個襯底臺的設備中，所有的襯底臺都是等同的并且是可互換的。在一個實施例中，多個襯底臺中的至少一個尤其適于曝光步驟，并且多個襯底臺中的至少一個尤其適于測量或準備步驟。在本發明的一個實施例中，多個襯底臺中的一個或多個被測量臺替換。測量臺包括至少部分一個或多個傳感器系統，例如傳感器檢測器和/或傳感器系統的目標，但是不支撐襯底。測量臺可以代替襯底臺或用于圖案形成裝置的支撐結構定位在投影束中。在這樣的設備中，可以并行地使用附加的臺，或可以在一個或更多個臺上執行預備步驟的同時，將一個或更多個其它臺用于曝光。參照圖1，所述照射器IL接收從輻射源SO發出的輻射束。該源SO和所述光刻設備可以是分立的實體(例如當該源為準分子激光器時)。在這種情況下，不會將該源SO看成形成光刻設備的一部分，并且通過包括 例如合適的定向反射鏡和/或擴束器的束傳遞系統BD的幫助，將所述輻射束從所述源SO傳到所述照射器IL。在其它情況下，所述源SO可以是所述光刻設備的組成部分(例如當所述源SO是汞燈時)。可以將所述源SO和所述照射器IL、以及如果需要時設置的所述束傳遞系統BD一起稱作輻射系統。所述照射器IL可以包括配置用于調整所述輻射束的角強度分布的調整器AM。通常，可以對所述照射器IL的光瞳平面中的強度分布的至少所述外部和/或內部徑向范圍(一般分別稱為σ-外部和σ-內部)進行調整。此外，所述照射器IL可以包括各種其它部件，例如積分器IN和聚光器CO。可以將所述照射器用于調節所述輻射束，以在其橫截面中具有所需的均勻性和強度分布。與源SO類似，照射器IL可以看作或不被看作形成光刻設備的一部分。例如，照射器IL可以是光刻設備的組成部分或可以是與光刻設備分開的實體。在后一種情形中，光刻設備可以配置成允許照射器IL安裝在其上。可選地，照射器IL是可分離的并且可以單獨地設置(例如，由光刻設備制造商或其他供應商提供)。所述輻射束B入射到保持在支撐結構(例如，掩模臺)MT上的所述圖案形成裝置(例如，掩模)MA上，并且通過所述圖案形成裝置MA來形成圖案。已經穿過圖案形成裝置MA之后，所述輻射束B通過投影系統PS，所述投影系統PS將輻射束B聚焦到所述襯底W的目標部分C上。根據本發明的一個實施例，襯底W通過襯底保持裝置保持在襯底臺WT上。通過第二定位裝置PW和位置傳感器IF(例如，干涉儀器件、線性編碼器或電容傳感器)的幫助，可以精確地移動所述襯底臺WT，例如以便將不同的目標部分C定位于所述輻射束B的路徑中。類似地，例如在從掩模庫的機械獲取之后，或在掃描期間，可以將所述第一定位裝置PM和另一個位置傳感器(圖1中未明確示出)用于相對于所述輻射束B的路徑精確地定位圖案形成裝置MA。通常，可以通過形成所述第一定位裝置PM的一部分的長行程模塊(粗定位)和短行程模塊(精定位)的幫助來實現支撐結構MT的移動。類似地，可以采用形成所述第二定位裝置PW的一部分的長行程模塊和短行程模塊來實現所述襯底臺WT的移動。在步進機的情況下(與掃描器相反)，支撐結構MT可以僅與短行程致動 器相連，或可以是固定的。可以使用圖案形成裝置對準標記M1、M2和襯底對準標記P1、P2來對準圖案形成裝置MA和襯底W。盡管所示的襯底對準標記占據了專用目標部分，但是它們可以位于目標部分C之間的空間(這些公知為劃線對齊標記)中。類似地，在將多于一個的管芯設置在圖案形成裝置MA上的情況下，所述圖案形成裝置對準標記可以位于所述管芯之間。可以將所示的設備用于以下模式中的至少一種中：1.在步進模式中，在將支撐結構MT和襯底臺WT保持為基本靜止的同時，將賦予所述輻射束的整個圖案一次投影到目標部分C上(即，單一的靜態曝光)。然后將所述襯底臺WT沿X和/或Y方向移動，使得可以對不同目標部分C曝光。在步進模式中，曝光場的最大尺寸限制了在單一的靜態曝光中成像的所述目標部分C的尺寸。2.在掃描模式中，在對支撐結構MT和襯底臺WT同步地進行掃描的同時，將賦予所述輻射束B的圖案投影到目標部分C上(即，單一的動態曝光)。襯底臺WT相對于支撐結構MT的速度和方向可以通過所述投影系統PS的(縮小)放大率和圖像反轉特征來確定。在掃描模式中，曝光場的最大尺寸限制了單一動態曝光中所述目標部分C的寬度(沿非掃描方向)，而所述掃描運動的長度確定了所述目標部分C的高度(沿所述掃描方向)。3.在另一個模式中，將用于保持可編程圖案形成裝置的支撐結構MT保持為基本靜止，并且在對所述襯底臺WT進行移動或掃描的同時，將賦予所述輻射束的圖案投影到目標部分C上。在這種模式中，通常采用脈沖輻射源，并且在所述襯底臺WT的每一次移動之后、或在掃描期間的連續輻射脈沖之間，根據需要更新所述可編程圖案形成裝置。這種操作模式可易于應用于利用可編程圖案形成裝置(例如，如上所述類型的可編程反射鏡陣列)的無掩模光刻術中。也可以采用上述使用模式的組合和/或變體或完全不同的使用模式。在許多光刻設備中，流體，尤其是液體，被液體供給系統IH提供到投影系統的最終元件和襯底之間，以便實現更小特征的成像和/或提高設備的有效NA。下面參照這種浸沒設備進一步描述本發明的一個實施例， 但是本發明的實施例可以等同地應用到非浸沒設備中。用以將液體提供到投影系統的最終元件和襯底之間的布置可以被分成至少兩種一般類型。它們是浴器類型布置和所謂的局部浸沒系統。在浴器類型布置中，大體上整個襯底W和可選地襯底臺WT的一部分浸入到液體浴器中。局部浸沒系統使用液體供給系統，以將液體僅提供到襯底的局部區域。在后一種類型中，由液體填滿的空間在平面視圖中小于襯底的頂部表面，并且襯底在由液體充滿的區域下面移動的同時，該區域相對于投影系統PS基本上保持靜止。本發明的一個實施例涉及的另一種布置是全浸濕方案，其中液體是非限制的。在這種布置中，基本上襯底的整個頂表面和襯底臺的全部或一部分被浸沒液體覆蓋。覆蓋至少襯底的液體的深度是小的。液體可以是液體膜，例如在襯底上的液體薄膜。圖2-5中示出了四種不同類型的局部液體供給系統。圖2-5中的液體供給裝置的任一種可以用于非限制系統中；然而，密封特征可以不存在、沒有起作用、不如正常狀態有效，或者以其它方式不能有效地僅將液體密封在局部區域。已經提出的用于局部浸沒系統的布置之一是對應液體供給系統使用液體限制系統將液體提供至襯底的局部區域以及投影系統的最終元件和襯底之間(襯底一般具有比投影系統的最終元件大的表面面積)。提出來的一種用于設置上述解決方案的方法在公開號為WO99/49504的PCT專利申請出版物中公開了。如圖2和3所示，液體通過至少一個入口，期望地沿著襯底相對于最終元件的移動方向，被供給到襯底上，并且在已經通過投影系統下面之后通過至少一個出口去除。也就是說，當襯底在所述元件下沿著-X方向掃描時，液體在元件的+X一側供給并且在-X一側去除。圖2示意地示出所述布置，其中液體通過入口供給，并在元件的另一側通過與低壓源相連的出口去除。襯底W之上的箭頭示出液體流動的方向，襯底W下面的箭頭示出襯底臺的移動方向。在圖2中，雖然液體沿著襯底W相對于最終元件的移動方向供給，但這并不是必須的。可以在最終元件周圍設置各種方向和數目的入口和出口，圖3示出一個示例，其中在最終元件的周圍在每側上以規則的重復方式設置了四組入口和出口。 液體供給和液體回收裝置中的箭頭表示液體的流動方向。在圖4中示出了另一個具有局部液體供給系統的浸沒光刻方案。液體由位于投影系統PS每一側上的兩個槽狀入口供給，并由布置在入口的徑向向外位置處的多個離散的出口去除。所述入口和出口可以布置在板上，所述板在其中心有孔，輻射束通過該孔投影。液體由位于投影系統PS的一側上的一個槽狀入口提供，而由位于投影系統PS的另一側上的多個離散的出口去除，由此造成投影系統PS和襯底W之間的液體薄膜流。選擇使用哪組入口和出口組合可以依賴于襯底W的移動方向(另外的入口和出口組合是不起作用的)。在圖4中的橫截面中，箭頭表示液體流入入口和流出出口的方向。已經提出的另一種布置是提供液體限制構件給液體供給系統，所述液體限制構件沿投影系統的最終元件和襯底臺之間的空間的邊界的至少一部分延伸。圖5中示出了這種布置。雖然在Z方向上(光軸的方向)可以存在一定的相對移動，但是液體限制構件相對于投影系統在XY平面內是基本上靜止的。在液體限制構件和襯底的表面之間形成密封。在一個實施例中，在液體限制構件和襯底的表面之間形成密封，并且密封可以是非接觸密封，例如氣體密封。在美國專利申請出版物第US2004-0207824號中公開了這種系統。流體處理結構12包括液體限制構件并且至少部分地將液體限制在投影系統PS的最終元件和襯底W之間的空間11中。到襯底W的非接觸密封16可以形成在投影系統PS的像場周圍，使得液體被限制在襯底W表面和投影系統PS的最終元件之間的空間11內。該空間11至少部分地由位于投影系統PS的最終元件的下面和周圍的流體處理結構12形成。液體通過液體入口13被引入到投影系統PS下面和流體處理結構12內的所述空間11中。液體可以通過液體出口13被去除。所述流體處理結構12在投影系統PS的最終元件上面一點延伸。液面高于最終元件，使得能提供液體的緩沖器。在一個實施例中，所述流體處理結構12的內周的上端處的形狀與投影系統PS的形狀或投影系統的最終元件的形狀一致，例如可以是圓形。在底部，內周與像場的形狀大致一致，例如為矩形，雖然并不是必須的。在一個實施例中，液體被在使用時形成在流體處理結構12的底部和襯底W的表面之間的氣體密封16限制在空間11中。氣體密封由氣體形成，例如空氣、合成氣體、N2或其他惰性氣體。該氣體密封中的氣體在壓力下通過入口15提供到流體處理結構12和襯底W之間的間隙。該氣體通過出口14抽取。氣體入口15處的過壓、出口14處的真空水平和間隙的幾何形狀布置成使得形成向內的限制液體的高速氣流16。氣體作用在流體處理結構12和襯底W之間的液體上的力將液體限制在空間11內。入口/出口可以是圍繞空間11的環形槽。環形槽可以是連續的或非連續的。氣流16有效地將液體限制在空間11中。這種系統在美國專利申請出版物第US2004-0207824中公開。圖5的示例是局部區域布置，其中在任何時候液體僅被提供至襯底W的頂部表面的局部區域。其他的布置也是可以的，包括流體處理系統，其使用單相抽取器或兩相抽取器，例如在美國專利申請出版物第US2006-0038968號中公開的一種。可以有許多其他類型的液體供給系統。本發明既不限于任何特定類型的液體供給系統，也不限于浸沒光刻。本發明可以等同地應用于任何光刻技術中。在EUV光刻設備中，束路徑基本上被抽真空并且不使用上述的浸沒布置。如圖1所示的控制系統500控制光刻設備的總體操作，并且尤其地執行下文描述的優化過程。控制系統500可以實施為被合適地編程的通用用途的包括中央處理單元以及易失性存儲器和非易失性存儲器的計算機。可選地，控制系統可以還包括一個或多個輸入和輸出裝置，例如鍵盤和屏幕，以及一個或多個網絡連接器和/或一個或多個連接至光刻設備的不同部分的接口。應該認識到，控制計算機和光刻設備之間的一對一的關系并不是必須的。在本發明的一個實施例中，一個計算機可以控制多個光刻設備。在本發明一個實施例中，多個聯網計算機可以用于控制一個光刻設備。控制系統500還可以配置成控制光刻設備形成其一部分的光刻胞或光刻簇中的一個或多個相關的處理裝置和襯底處理裝置。控制系統500還可以配置成從屬于光刻胞或光刻簇的監控或管理控制系統和/或工廠的總的控制系統。為了控制光刻設備的操作，設置大量的測量與設備有關的條件的傳感器。這樣的傳感器可以在設備的校準和/或維護期間使用，即在停工時間期間，或者設備的實際操作期間，例如在曝光期間，目標部分的曝光之間或襯底的曝光之間。多個這樣的傳感器(例如輻射接收傳感器)包括變換器，例如光電二極管或照相裝置，它們響應于刺激(例如落在傳感器上的輻射)生成電信號。如果不是全部，則大多數時候，傳感器在操作期間產生熱。熱量可以作為變換器的操作的副產品、通過設置用以處理變換器的輸出的電子裝置(例如放大器或模擬/數字轉換器)而被產生，或者通過輻射吸收(例如在傳感器測量投影束的參數的情形中)而產生。可以給傳感器設置冷卻布置。例如，美國專利申請出版物第US2010/0259734號描述了一種布置，其中通過在傳感器模塊的殼體和散熱器之間的間隙內提供氣體來冷卻采用極紫外輻射作為曝光輻射的光刻設備中使用的波前傳感器的檢測器模塊。這種布置用以將傳感器模塊保持在恒定溫度下，而獨立于設備的其他部分。此外，在浸沒光刻設備中，設置在襯底臺的上表面中的傳感器可以在操作期間由浸沒液體冷卻。然而，已有的冷卻在操作期間與浸沒光刻設備中的浸沒液體接觸的傳感器的方法可能是不充分的和/或引起附加的問題。例如在US2010/0259734中公開的布置中，傳感器被保持在恒定溫度下而獨立于設備的其他部分，這樣的布置可能導致傳感器處于與浸沒液體的溫度不同的溫度下。在許多情況下，這樣的溫度差異將對傳感器本身的操作沒有不當的影響。但是，浸沒液體和傳感器之間由于溫度差異導致的熱傳遞可以引起浸沒液體中的不想要的干擾或擾動，例如湍流或其折射率的改變。類似地，使用溫度調節后的浸沒液體來冷卻傳感器可能導致熱傳遞引起的擾動。解決這種問題的一種方法是在測量之前等待傳感器和浸沒液體變成處于熱平衡。然而，這樣的延遲不期望地降低設備的產出。因此，提供一種用于浸沒類型的光刻設備的傳感器，其在操作過程中接觸浸沒液體。傳感器具有溫度調節裝置，例如冷卻裝置，和在例如變換器或電路等傳感器的熱產生部分之間的熱路徑，其中熱產生部分和溫度調節裝置之間的熱阻小于熱產生部分和浸沒液體之間的熱阻。圖6示出根據本發明一個實施例的傳感器100的橫截面視圖。傳感器 100安裝在襯底臺WT或測量臺(例如反射鏡塊或編碼器塊，其可以是臺的一部分，例如上部)的凹部內。傳感器100的板101(可以稱為頂板)具有與臺的上表面平齊的上表面101a。例如粘附件形式的密封110(也稱為可粘貼片構件)覆蓋板101和臺的上表面之間的任何間隙。板101具有透明部分101b，例如來自投影束的輻射等輻射通過透明部分可以到達變換器104。在一個實施例中，透明部分101b對例如波長在大約100nm至400nm范圍(尤其是248nm、193nm或157nm)的深紫外輻射等紫外輻射是透明的。在本發明的一個實施例中，在透明部分101b中或透明部分101b上形成光柵或其他參考圖案。在一個實施例中，板101的全部由透明材料形成。在一個實施例中，將不透明的涂層應用至板101的表面，不透明涂層具有限定透明區域101b的開口。例如光纖光學板或微透鏡陣列等光學元件103被可選地設置以適當地將輻射引導或聚焦至變換器104上。變換器104可以采用適于將輻射轉換成電信號的裝置(例如光電二極管、CCD或CMOS照相裝置)的形式。變換器104產生的電信號通過電路106處理并被發射至控制器500。控制器500使用電信號控制或校準光刻設備及其操作。在本發明的一個實施例中，電路106包括放大器、模擬/數字轉換器、緩存器、控制邏輯電路、路由器和/或接口中的至少一個。在本發明一實施例中，使用沿線傳導的電信號、使用無線電波或使用光信號實施電路106和控制器500之間的通信。例如通過使用符合藍牙TM或WiFiTM標準的系統、使用無線電波將來自傳感器的信號發射至控制器500可以減少用于被提供至傳感器的物理連接的數量。如果傳感器的環境中具有電磁噪音，則在電路106和控制器500之間使用光信號發射信號(例如使用光纖傳導)可以避免干擾。為了確保傳感器100的位置穩定，傳感器100通過例如一個或多個安裝腳108被固定至臺。支撐構件102可以是支撐環的形式，它將板101固定至安裝腳108并為板101提供想要的剛性。在本發明一實施例中，傳感器100的測量精度受設置在板101的透明部分101b中的光柵的位置穩定性影響，使得支撐環和安裝腳被設計用于獲得想要的位置穩定性。支撐構件105也被安裝在安裝腳108上并用以支撐變換器104和電路106。在一個實施例中，支撐構件105安裝在支撐環102上而不是安裝腳108上。 在一個實施例中，有三個安裝腳108，以三角形形式布置，其中變換器106大體集中安裝在安裝腳108限定的三角形內的中心處。安裝腳108是柱的形式，其中近端被附接至臺并且遠端支撐支撐環102。支撐構件105被連接至安裝腳108的中間部分并且采用在安裝腳108的外側延伸的大體圓形板的形式。變換器104被支撐在支撐構件105的面對輻射束的外表面上。電路106被支撐在支撐構件105的面對臺的內表面上。溫度調節裝置107例如是冷卻回路或環的形式，被安裝至安裝腳108外側的臺且鄰近安裝構件105的外周部分。溫度調節冷卻劑(例如水)循環通過設置在溫度調節裝置107內的管道107a。冷卻劑通過冷卻劑供給裝置109供給并期望地以與浸沒液體11大體相同的溫度供給。在一個實施例中，冷卻劑供給裝置109是液體供給系統的用以供給浸沒液體11的一部分。以此方式，可以不必要提供附加的溫度調節設備。在一個實施例中，液體供給裝置109與用于浸沒液體11的液體供給布置分離。如果浸沒液體是具有比例如水低的熱容量的不同液體，則這樣的布置是有利的。用以控制溫度調節裝置107的溫度的冷卻劑不需要具有特別高的純度并且可以再循環。因此，使用分離或獨立的液體供給系統可以減少例如超純水的消耗。冷卻劑液體可以從冷卻劑回路回收，在冷卻劑液體處理系統中至少再次熱調節，并返回至冷卻劑供給裝置用于再次供給至冷卻回路。圖7示意地示出傳感器100用以測量投影束的性能時的情形。臺(例如襯底臺WT)被定位在投影系統PS的下面，使得投影束B落到板101的透明部分101b上。投影束的至少一部分通過透明部分101b、支撐環102中的孔(未示出)、光學元件103，并入射到變換器104上。變換器104輸出電信號，其依賴于投影束的性能和/或其與板101中形成的圖案的相互作用。在一個實施例中，傳感器100是光斑傳感器或能量傳感器，變換器輸出的信號指示投影束B的強度。在一個實施例中，傳感器100是透射圖像傳感器并且變換器104輸出的信號指示投影系統投影的圖像和形成在板101的透明部分101b中的例如光柵等參考圖案之間的位置關系。在一個實施例中，傳感器100是干涉儀傳感器并且變換器104輸出的信號指示 投影束B中的波前誤差。在一個實施例中，傳感器100是組合的圖像傳感器和干涉儀傳感器。變換器104輸出的信號指示投影系統PS投影的圖像和形成在板101上的圖案之間的位置關系和/或投影束B中的波前誤差。在傳感器100的操作期間，變換器104和/或電路106中產生熱量。該熱量可以作為變換器的操作的副產品(由于從投影束的能量吸收導致的)而被產生和/或由于電路106的操作而被產生。在傳感器100的操作過程中，傳感器將與浸沒液體11接觸，以便執行測量，例如精確地反應在襯底的目標部分的曝光期間將具有的條件。例如由于變換器104和/或電路106中產生的熱引起的浸沒液體11和變換器104和/或電路106之間的溫度差異將引起浸沒液體11和傳感器100之間的熱傳遞。這種熱傳遞可以在傳感器100附近的浸沒液體中產生溫度梯度。這種溫度梯度可以引起浸沒液體11的折射率的變化和/或浸沒液體11中的對流。折射率的變化和浸沒液體中的對流都是不期望的，因為它們是傳感器100執行的測量中的誤差的潛在源頭。變換器104和電路106中產生的熱可以流過支撐構件105至溫度調節裝置107，如圖7中的箭頭F1所示。這種熱量還可以流向板101和浸沒液體11，如箭頭F2所示。在本發明的實施例中，從變換器104至溫度調節裝置107的熱流路徑F1的熱阻小于從變換器104至浸沒液體11的熱流路徑F2的熱阻。以此方式，變換器104和/或電路106中產生的熱的大部分流至溫度調節裝置107并且流至浸沒液體11的熱的量被減小或最小化。在本發明的一個實施例中，通過形成具有高熱傳導率的材料(例如Al、AlN、Ti、Al-Si、SiSiC、SiC、它們的任何組合的合金，或例如鎳鈷合金等Fe-Ni合金)制成的支撐構件105，使得熱流路徑F1的熱阻低。在一個實施例中，由涂覆有例如熱解石墨(也已知為熱解碳)等高傳導率材料層的金屬制成支撐構件105。在一個實施例中，由具有大于或等于100W/m.K的熱傳導率的材料制成支撐構件105。在一個實施例中，支撐構件105的熱傳導率大于或等于10W/m.K。在一個實施例中，支撐構件105的材料的熱傳導率依賴于支撐構件105的厚度。如果支撐構件105較厚，則低的熱傳導率就足夠了。在一個實施例中，支撐構件105具有相對于在實現測量周期過程中產 生的熱量的相當大的熱容量。在一個實施例中，支撐構件105的熱容量充分高以致于在傳感器100進行的測量的一個周期期間支撐構件105的溫度升高小于100mK。在一個實施例中，支撐構件105與溫度調節裝置107分離。使用這樣的布置，傳感器100可以在不干擾流過溫度調節裝置107的冷卻劑的流動的情況下從臺上被拆卸。以此方式，傳感器100的維修和/或更換更容易，因為冷卻劑的溢出風險被減小或最小化，并且不需要排出冷卻劑回路。在支撐構件105和溫度調節裝置107之間可以設置熱傳導粘結劑。在一個實施例中，支撐構件105和溫度調節裝置107不接觸。然而，在支撐構件105和溫度調節裝置107之間提供非接觸熱耦合。在這種實施例中，為了提高或最大化從支撐構件105至溫度調節裝置107的熱流，它們之間的間隙形成得小(例如，小于或等于大約200μm，期望是大約100μm)，相對的表面的面積大(例如，大于或等于大約500mm2，期望是大約1000mm2)。為此，支撐構件105和溫度調節裝置107的相對的表面可以是不平的(例如非平面的或成形的(contoured))。支撐構件105和溫度調節裝置107的相對的表面可以設置有相對應的成形的表面，使得在一個實施例中這些表面可以交錯(interleave)，例如相對的表面可以具有一個或多個交錯的翼片(interleavingvanes)。相對的表面可以具有增大的表面面積和相對于兩個平坦的相對表面的增大的熱耦合。支撐構件105和溫度調節裝置107在平面視圖中可以具有任何便利的形狀。在一個實施例中，溫度調節裝置107在平面視圖上可以具有與支撐板105的形狀匹配的形狀。在一個實施例中，只要設備在運行，液體供給構件109就提供通過溫度調節器107的連續冷卻劑流。在一個實施例中，只有當傳感器100在使用時或當需要幫助確保傳感器100在使用過程中熱穩定時，冷卻劑才流過溫度調節裝置107。在一個實施例中，臺上的多個傳感器設置有溫度調節裝置，并且單個冷卻劑供給裝置109給它們中的每一個提供冷卻劑。在一個實施例中，采用一種或多種方法以提高變換器104和浸沒液體11之間的熱流路徑的熱阻。這樣的方法可以包括在板101和變換器104或光學元件103(如果存在)之間提供間隙，例如熱間隙或絕緣層。該間 隙可以是至少部分真空或填充具有低熱傳導率的氣體。在一個實施例中，板101和變換器104或光學元件103之間的間隙被提供有折射率匹配介質，以減小在邊界處的反射。在這樣的實施例中，期望地選擇折射率匹配介質以具有低熱傳導率。光學元件103(如果存在)、支撐環102以及板101可以由具有低熱傳導率的材料形成。在一個實施例中，安裝腳108由具有低熱傳導率的材料形成并且布置成在平行于板101的頂表面101a的平面上具有最小的橫截面面積。在一個實施例中，板101由石英制成，支撐環102由石英或熔融硅石制成，安裝腳108由因瓦(InvarTM)鎳鐵合金(例如FeNi36或64FeNi)制成。在使用根據實施例的傳感器的過程中可能產生的溫度差異如圖8所示。浸沒液體11和冷卻劑供給裝置109之間的溫度差異是溫度差dT1。浸沒液體11和變換器104之間的差值是溫度差dT2。變換器104和溫度調節裝置107之間的溫度差值是溫度差dT3，溫度調節裝置107和冷卻劑供給裝置109之間的溫度差異是溫度差dT4。期望減小或最小化溫度差dT2，例如以便減小或最小化浸沒液體11中由于來自變換器104的熱傳導帶來的擾動。當變換器104運行時，溫度差dT3和dT4將是正的，即變換器104處于比溫度調節裝置107高的溫度。溫度調節裝置107又處于比冷卻劑供給裝置109高的溫度。為了減小或最小化溫度差dT2，潛在的解決方案是使得dT1是負的，即讓冷卻劑供給裝置109具有比浸沒液體低的溫度。然而，當變換器104不運行時，溫度差dT3和dT4將傾向于零，變換器104將達到比浸沒液體11低的溫度。這可能正好具有與變換器104的溫度高于浸沒液體11的溫度一樣的不利效果。在本發明的如圖9所示的實施例中，控制系統200被提供以主動地控制傳感器104的溫度。如圖所示，溫度傳感器201設置在板101上或板101中，例如鄰近透明部分101b。備選或附加地，溫度傳感器201設置在下面的位置中的一個或多個處：在板101的下側上；在與板101熱接觸的支撐環102上或支撐環102內；和/或光學元件103和安裝腳108上、內或兩者之間。還可以將溫度傳感器201放置在變換器104上或變換器104內。期望地，溫度 傳感器201在傳感器使用的時候盡可能靠近束B的路徑，但是不阻礙或干擾束B。在一個實施例中，多個溫度傳感器201被設置在傳感器100中不同的位置處。使用多個傳感器是有利的，因為它允許補償板101中的溫度梯度和局部冷點。在一個實施例中，溫度傳感器201是負的溫度系數裝置(例如電熱調節器)、熱電偶或電阻溫度傳感器。任何能夠測量板101的表面溫度的裝置都可以被使用。加熱器202，例如電阻加熱器、珀耳帖裝置、通過聚酰亞胺薄膜絕緣的柔性電阻加熱器(通常被稱為KaptonTM加熱器)、熱燈絲、薄膜加熱器或其他散熱裝置，被設置用以加熱從冷卻劑供給裝置209供給至調節裝置107的熱傳遞介質(例如冷卻劑)的流。期望地，加熱器202能夠以與變換器104的熱輸出類似的比率或更大的比率輸出熱。在一個實施例中，設置多于一個的加熱器202，其中加熱器202的總的熱輸出與變換器104的熱輸出類似或更大。在具有多個加熱器的實施例中，加熱器可以位于調節裝置中的多個位置中。可以使用多于一種類型的加熱器。控制器203連接至溫度傳感器201和加熱器202。控制器203控制加熱器202，以便將板101的表面(例如上表面)的溫度保持在想要的設定點，例如基本上與浸沒液體11的溫度相同。為了控制加熱器202，控制器203使用來自傳感器201的指示傳感器201測量的溫度的信號。在一個實施例中，控制器203考慮溫度傳感器201測量的溫度和板101的表面的溫度之間的由于校準引起的偏離量。在一個實施例中，控制器203是PID(比例/積分/微分)控制器或其他簡單反饋控制器。在一個實施例中，控制器203控制多個不同熱輸出之間的加熱器的輸出或通過控制加熱器202的工作循環來控制加熱器202的輸出。在本發明的實施例中，如圖10所示，加熱器202a設置在變換器104本身內。加熱器202a可以是變換器104內的分離的部件。加熱器202a可以是變換器本身。其他方面，圖10的實施例與圖9的實施例相同。控制器203(圖10中未示出)可以用于以與圖9的實施例中控制器203用于控制加熱器202的方式相同的方式來操作加熱器202a。當加熱器202a是變換器104時，當熱是期望的時候，在沒有執行測量時，例如使用變換器104實施偽測量，控制器可以用于操作變換器以發射熱。除了操作加熱 器，控制器203還接收來自變換器104的信號，所述信號指示變換器何時操作以便控制器可以操作變換器以產生想要的熱量。因此，控制器203在考慮使用變換器104作為變換器產生的熱量的情況下操作變換器104以產生想要的熱量。在本發明的實施例中，如圖11所示，加熱器202b安裝在溫度調節裝置107上或溫度調節裝置107中。傳感器201位于板101處。在本實施例中，通過控制器203分別控制的多個分立的加熱器202可以定位在溫度調節裝置107周圍。加熱器202可以采用一個或多個薄膜加熱器的形式(例如在美國專利申請出版物第US2011-0222033號中公開的，此處通過參考全文并入)。其他方面，圖11的實施例與圖9的實施例相同。參考圖9或圖11描述的實施例甚至可以在變換器104是在使用過程中不產生熱量的被動裝置的情況下被使用。在這種情況中，該實施例可以用于補償傳感器100帶來的熱耗散之外的因素引起的溫度差異。例如，浸沒液體可能從板101的表面以與從襯底臺WT或襯底W的其他部分蒸發的速率不同的速率蒸發，因此引起傳感器100以與襯底臺WT或襯底W的其他部分不同的速率冷卻。可以認識到，上述特征中的任一個可以與任何其他特征一起應用并且不僅是在本申請包括的明確描述的那些組合。雖然本文具體參考光刻設備在制造集成電路中的應用，但是應該理解，這里所述的光刻設備可以具有制造具有微尺度部件或甚至納米尺度特征的其他應用，例如制造集成光學系統、磁疇存儲器的引導和檢測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭等。本領域技術人員應該認識到，在這些備選的應用中，任何使用的術語“晶片”或“管芯”可以分別認為是與更上位的術語“襯底”或“目標部分”同義。這里所指的襯底可以在曝光之前或之后進行處理，例如在軌道(一種典型地將抗蝕劑層涂到襯底上，并且對已曝光的抗蝕劑進行顯影的工具)、量測工具和/或檢驗工具中。在可應用的情況下，可以將所述公開內容應用于這種和其他襯底處理工具中。另外，所述襯底可以處理一次以上，例如為產生多層IC，使得這里使用的所述術語“襯底”也可以表示已經包含多個已處理層的襯底。此處使用的術語“輻射”和“束”包括全部類型的電磁輻射，包括紫外(UV)輻射(例如具有365、248、193、157或126nm的波長)和極紫外(EUV)輻射(例如具有5至20nm范圍的波長)。在允許的情況下，術語“透鏡”可以表示不同類型的光學構件中的任何一種或其組合，包括折射式的和反射式的光學構件。盡管以上已經描述了本發明的具體實施例，但應該認識到，至少如此處所述的設備的操作方法的形式的本發明可以以與上述不同的方式來實現。例如，至少設備的操作方法的形式的本發明的多個實施例可以采用包含用于描述一種如上面公開的操作設備的方法的一個或更多個機器可讀指令序列的一個或更多個計算機程序的形式，或具有存儲其中的所述計算機程序的數據存儲介質(例如半導體存儲器、磁盤或光盤)的形式。此外，機器可讀指令可以嵌入在兩個或更多個計算機程序中。兩個或更多個計算機程序可以存儲在一個或多個不同的存儲器和/或數據存儲介質中。在通過位于光刻設備的至少一個部件內的一個或多個計算機處理器讀取一個或多個計算機程序時這里所說的任何控制器可以每一個或組合地操作。控制器可以每一個或組合地具有任何合適的結構，用于接收、處理以及發送信號。一個或多個處理器配置成與至少一個控制器通信。例如，每一個控制器可以包括一個或更多個用于執行計算機程序的處理器，計算機程序包括用于上述的操作設備的方法的機器可讀指令。控制器還可以包括用于存儲這種計算機程序的數據存儲介質，和/或用以接收這種介質的硬件。因而，控制器可以根據一個或多個計算機程序的機器可讀指令操作。本發明的一個實施例可以應用至寬度(例如直徑)為300mm或450mm或任何其他尺寸的襯底。本發明的一個或更多個實施例可以應用于任何浸沒式光刻設備，具體地但不排他地，應用于上述的那些類型、浸沒液體是否以浴器的形式提供的類型、僅襯底的局部表面區域上提供浸沒液體的類型或浸沒液體在襯底和/或襯底臺上是非限制的類型。在非限制布置中，浸沒液體可以流過襯底和/或襯底臺的表面，使得基本上襯底和/或襯底臺的整個未覆蓋表面被浸濕。在這種非限制的浸沒系統中，液體供給系統可以不限制浸沒液體或其可以提供一定比例的浸沒液體限制，但是基本上不是完全的浸沒液體限 制。本發明還可以應用于非浸沒光刻設備。這里所述的液體供給系統應該廣義地解釋。在特定的實施例中，其可以是將液體供給至投影系統和襯底和/或襯底臺之間的空間的機制或結構的組合。其可以包括一個或更多個結構、一個或更多個液體入口、一個或更多個氣體入口、一個或更多個氣體出口和/或一個或更多個提供液體至空間的液體出口的組合。在一個實施例中，空間的表面可以是襯底和/或襯底臺的一部分，或空間的表面可以完全覆蓋襯底和/或襯底臺的表面，或空間可以包圍襯底和/或襯底臺。液體供給系統可以可選地進一步包括一個或更多個元件，用以控制液體的位置、數量、質量、形狀、流量或其他任何特征。本發明的一方面提供：一種用于浸沒類型的光刻設備中的傳感器，傳感器包括：構件，在傳感器的使用過程中所述構件接觸供給至與投影系統的元件鄰近的空間的浸沒液體；變換器，配置成將刺激轉換為電信號；和溫度調節裝置，其中變換器和溫度調節裝置之間的第一熱流路徑比變換器和浸沒液體之間的第二熱流路徑具有較低熱阻。變換器可以安裝在支撐構件上，所述支撐構件在變換器和溫度調節裝置之間提供熱路徑。支撐構件可以由具有大于或等于10W/m.K的熱傳導率的材料制成。支撐構件可以由從Al、AlN、SiSiC、SiC、Ti、Al-Si以及包含Fe和Ni的合金構成的組中選出的至少一種材料制成。變換器可以安裝在支撐構件的面對浸沒液體的表面上。傳感器還可以包括配置成接收變換器產生的電信號的電路。該電路可以安裝在支撐構件的背離浸沒液體的表面上，其中第一熱流路徑還將電路生成的熱量傳導至溫度調節裝置。變換器可以是從光電二極管、電荷耦合裝置、照相裝置以及CMOS照相裝置構成的組中選出的至少一種。構件可以包括透明的窗口。該窗口可以透過波長在大約100至400nm范圍內的紫外輻射。在透明的窗口中或透明的窗口上設置不透明圖案，例如光柵。在變換器和構件之間可以存在間隙和/或熱絕緣層。溫度調節裝置可以包括具有在其內限定的管道、以循環熱傳遞介質的主體。溫度調節裝置和變換器可以以非接觸的方式熱耦合。在本發明的一方面中，提供一種用于浸沒光刻設備中的傳感器，所述 傳感器包括：構件的表面，在傳感器的使用過程中所述構件接觸供給至與投影系統的元件鄰近的空間的浸沒液體；變換器，配置成將刺激轉換為電信號；和溫度調節裝置，其中變換器與溫度調節裝置熱耦合并且變換器與構件的表面的熱隔離。在本發明的一方面中，提供一種用于浸沒光刻設備中的傳感器，所述傳感器包括：構件的表面，在傳感器的使用過程中所述構件接觸供給至與投影系統的元件鄰近的空間的浸沒液體；變換器，配置成將刺激轉換為電信號；和溫度調節裝置，其中變換器與溫度調節裝置的熱耦合比變換器與構件的表面的熱耦合大。在本發明的一方面中，提供一種用于浸沒光刻設備中的傳感器，所述傳感器包括：構件的表面，在傳感器的使用過程中所述構件接觸供給至與投影系統的元件鄰近的空間的浸沒液體；變換器，配置成將刺激轉換為電信號；和溫度調節裝置，其中變換器與構件的表面的熱隔離比變換器與溫度調節裝置的熱隔離大。本發明的多個方面中的任一個方面的傳感器可以還包括控制系統，所述控制系統配置成控制構件的溫度。控制系統可以包括布置成產生指示構件溫度的溫度信號的溫度傳感器，布置成產生熱量的加熱器以及布置成響應于溫度信號控制加熱器的控制器。加熱器可以布置成加熱將熱量傳遞至溫度調節裝置或從溫度調節裝置傳遞熱量的熱傳遞介質。加熱器可以布置成加熱溫度調節裝置。變換器可以布置成用作或包括受控制器控制的加熱器。在本發明的一方面中，提供一種光刻設備，包括：投影系統，配置成將通過圖案形成裝置圖案化的束投影到襯底上；襯底臺，配置成支撐襯底；液體供給系統，配置成提供液體至投影系統和襯底臺之間的空間；和如本發明上述多個方面中任一方面所述的傳感器。傳感器可以安裝至襯底臺。傳感器可以安裝在襯底臺面對投影系統的表面的凹部內。傳感器可以是從光斑傳感器、能量傳感器、干涉儀傳感器、圖像傳感器以及組合的干涉儀和圖像傳感器構成的組中選出的至少一個傳感器。在本發明的一方面中，提供一種使用光刻設備的器件制造方法，所述 方法包括：在將液體提供至投影系統和襯底之間的空間的同時，使用投影系統將通過圖案形成裝置圖案化的束投影到襯底上；和使用根據上述本發明多個方面中任一方面所述的傳感器感測光刻設備或投影的參數。上面描述的內容是例證性的，而不是限定的。因而，應該認識到，本領域的技術人員在不脫離以下所述權利要求的范圍的情況下，可以對上述本發明進行更改。