一種像素電極的制作方法

本發明涉及平板顯示領域，尤其涉及PSVA領域中的一種像素電極。

背景技術：

液晶顯示器(LCD)是最廣泛使用的平板顯示器之一，LCD包括設置有場發生電極諸如像素電極和公共電極的一對面板以及設置在兩個面板之間的液晶(LC)層。當電壓被施加到場發生電極從而在LC層中產生電場，該電場決定了液晶層中的LC分子的取向，因此而調整入射到液晶層的光的偏振時，LCD顯示圖像。

傳統的VA模式液晶面板中，像素的穿透率主要因素包括液晶分子間隙、背光源和數據電壓等因素。目前像素(pixel)的設計中，CF基板上BM的作用是遮光作用，BM CD一般大于需遮光位置的CD，防止數據線方向和掃描線方向上漏光，產生串擾等問題。因此像素的開口率大小會受到限制，要想得到更高穿透率需提高背光亮度或者增加數據電壓，增加了生產成本。

為改善廣視角面板的色偏，現有的廣視角面板將像素分為兩個區，面板工作時，一個主區的亮度較高，另外一個副區亮度較低，以通過該兩個亮度不同的區來改善面板的廣視角特性。由于副區的面積較大(占像素開口區的60％左右)，整個像素的穿透率會有較大的犧牲，增加了背光的功耗，不符合現在綠色環保節能的理念。此外，由于主區內均是高亮度像素，而副區內均是低亮度像素，高亮度像素和低亮度像素分別過于集中，使得兩個區的亮度差異過于明顯，導致視覺效果不佳。

常規的“米”字形像素電極，通過對像素電極結構的不斷優化，進而優化了電極的電場分布，使得液晶的指向得以優化，但對像素電極的穿透率沒有產生積極效果。

技術實現要素：

本發明要解決的技術問題是，提供一種像素電極，保證在像素開口率不變的情況下，以較低成本提高像素的穿透率，改善大視角色偏現象。

為了解決上述技術問題，本發明提供了一種像素電極，其特征在于，包括第一主干電極和第二主干電極，所述第一主干電極和第二主干電極垂直相交將像素電極分隔為4個液晶配向區，在每個所述液晶配向區內等間隔設置有多條分支電極，所述每條分支電極與所述第一主干電極或所述第二主干電極呈預設角度的夾角，相同的液晶配向區內相鄰的所述分支電極之間有搭橋連接。

進一步說明，所述分支電極與所述第一主干電極或第二主干電極的夾角為45度。

進一步說明，每相鄰兩個所述液晶配向區內所述多條分支電極關于所述第一主干電極或所述第二主干電極對稱，所述多條分支電極相對于所述第一主干電極與所述第二主干電極相交的中心點向外發散。

進一步說明，所述分支電極為條狀電極。

進一步說明，所述搭橋的方向與所述分支電極的方向成45度角。

進一步說明，所述搭橋可以搭接相鄰的至少兩條所述分支電極。

進一步說明，所述搭橋的數量及分布根據具體設計而定。

本發明有益效果：本發明所提供的像素電極，由于在相鄰的分支電極之間搭橋連接，增加了強電場的相對面積，使得在像素開口率不變的情況下，一定程度上提高了像素的穿透率，改善了大視角色偏現象。

附圖說明

下面結合附圖和實施例對本發明作詳細描述。其中：

圖1為傳統4區像素電極示意圖；

圖2為帶搭橋4區像素電極示意圖；

圖3為傳統8區像素電極示意圖；

圖4為帶搭橋8區像素電極示意圖；

圖5為正視狀態下傳統像素電極與帶搭橋的像素電極穿透率模擬效果對比圖；

圖6為大視角狀態下傳統像素電極與帶搭橋像素電極穿透率模擬效果對比圖。

具體實施方式

以下將結合附圖及實施例來詳細說明本發明的實施方式，借此對本發明如何應用技術手段來解決技術問題，并達成技術效果的實現過程能充分理解并據以實施。本發明所提到的方向用語，例如[右上]等，僅是參考附加圖示的方向，因此，使用的方向用語是用以說明及理解本發明，而非用以限制本發明。在圖中，結構相似的單元是用以相同標號表示。

實施例1：

如圖1所示，為傳統4區像素電極示意圖，圖2為對所述的帶搭橋4區像素電極，包括第一主干電極101和第二主干電極102，所述第一主干電極101和所述第二主干電極102垂直相交將像素電極設置為4個液晶配向區，在每個所述液晶配向區內等間隔的設置有多條分支電極103，所述分支電極103的為寬度相等的條狀電極，所述每條分支電極103與所述第一主干電極101或所述第二主干電極102的夾角優選為45度，相同的液晶配向區內相鄰的所述分支電極103之間有搭橋連接。

參照圖2進一步說明，所述搭橋的方向與所述分支電極103的夾角為45度，當然，在本發明的其它實施例中，根據具體設計，所述夾角可以為其它合適角度，不限于45度。

參照圖2進一步說明，第一搭橋104a搭接相鄰的3條所述分支電極，第二搭橋104b搭接相鄰的2條所述分支電極，在所述4個液晶配向區內，所述第一搭橋104a數量為4個，所述第二搭橋104b數量為8個，每相鄰兩個所述液晶配向區內所述第一搭橋104a和所述第二搭橋104b關于第一主干電極101或第二主干電極102兩兩對稱，均勻布置。當然，在本發明的其它實施例中，所述搭橋的數量和分布可以根據具體設計而定。

實施例2：

如圖3所示為傳統的8區像素電極，圖4為副區帶搭橋結構的8區像素電極，所述副區包括第一主干電極201和第二主干電極202，所述第一主干電極201和所述第二主干電極202垂直相交將像素電極設置為4個液晶配向區，在每個所述液晶配向區內等間隔的設置有多條分支電極203，所述分支電極203的為寬度相等的條狀電極，所述每條分支電極203與所述第一主干電極201或所述第二主干電極202的夾角優選為45度，相同的液晶配向區內相鄰的所述分支電極203之間有搭橋連接。

參照圖4進一步說明，所述搭橋的方向與所述分支電極203的夾角為45度，當然，在本發明的其它實施例中，根據具體設計，所述夾角可以為其它合適角度，不限于45度。

參照圖4進一步說明，第一搭橋204a搭接相鄰的3條所述分支電極，第二搭橋204b搭接相鄰的2條所述分支電極，在所述4個液晶配向區內，所述第一搭橋204a數量為4個，所述第二搭橋204b數量為8個，每相鄰兩個所述液晶配向區內所述第一搭橋204a和所述第二搭橋204b關于第一主干電極201或第二主干電極202兩兩對稱，均勻布置。當然，在本發明的其它實施例中，所述搭橋的數量和分布可以根據具體設計而定。

實施例1和實施例2中，所述分支電極優選為條狀電極，當然，在本發明的其它實施例中，根據具體設計，所述分支電極不限于條狀電極，可以為其它具體形狀的分支電極。

圖5顯示了正視情況下，傳統像素電極和帶搭橋像素電極的穿透率模擬對比效果，曲線51為帶搭橋像素電極的電壓-穿透率曲線，曲線52為傳統像素電極的電壓-穿透率曲線，對比所述曲線51與所述曲線52可以看出，當電壓大于6V時，在同樣的電壓下，帶搭橋像素電極的穿透率高于傳統像素電極，穿透率提高約1.9％。

圖6顯示了大視角情況下，傳統像素電極和帶搭橋像素電極的穿透率模擬對比效果，曲線61為帶搭橋像素電極的電壓-穿透率曲線，曲線62為傳統像素電極的電壓-穿透率曲線，對比所述曲線61與所述曲線62可以看出，當電壓大于6V時，在同樣的電壓下，帶搭橋像素電極的穿透率高于傳統像素電極，穿透率提高約4％。

最后說明的是，以上實施例僅用于說明本發明的技術方案而非限制，盡管參照較佳實施例對本發明進行了詳細說明，本領域的普通技術人員應當理解，可以對本發明的技術方案進行修改或者等同替換，而不脫離本發明技術方案的宗旨和范圍，其均應涵蓋在本發明的權利要求范圍當中。