1.一種GSG軌道型射頻電極，包括GSG型平面電極，其特征在于：所述GSG型平面電極的單側或雙側周期性地添加用于延遲電場的軌道電極，軌道電極連接到GSG型平面電極的地電極上。
2.如權利要求1所述的GSG軌道型射頻電極，其特征在于：所述軌道電極與GSG型平面電極由相同的工藝和材料加工而成。
3.如權利要求1所述的GSG軌道型射頻電極，其特征在于：添加軌道電極的周期小于最小工作波長的十分之一。
4.如權利要求3所述的GSG軌道型射頻電極，其特征在于：所述添加軌道電極的周期為50微米。
5.如權利要求1所述的GSG軌道型射頻電極，其特征在于：所述軌道電極的橫截面呈T型結構。
6.如權利要求1所述的GSG軌道型射頻電極，其特征在于：所述軌道電極與GSG型平面電極處在同一個平面層，或者處在多層平面電極體系的不同平面層。
7.如權利要求1所述的GSG軌道型射頻電極，其特征在于：所述軌道電極與GSG型平面電極處在多層平面電極體系的不同平面層時，軌道電極通過電極層間的通孔與GSG型平面電極連接導通。
8.一種基于如權利要求1所述GSG軌道型射頻電極的硅基行波電極光調制器，其特征在于：包括GSG軌道型射頻電極和傳統的硅基行波電極光調制器，GSG軌道型射頻電極通過電極層間的通孔與硅基行波電極光調制器的有源區連接導通。
9.如權利要求1所述的GSG軌道型射頻電極的制備方法，其特征在于，該方法包括以下步驟：
S1、通過電磁場仿真分析軟件，計算出阻抗為45～55歐姆匹配情況下的GSG型平面電極的幾何尺寸；
S2、在GSG型平面電極上添加負載，重新通過電磁場仿真分析軟件計算出添加了負載的阻抗；
S3、如果負載的阻抗在20～50歐姆之間，則確定單側添加軌道電極；如果負載的阻抗在50～100歐姆之間，則確定雙側添加軌道電極；
S4、在確定的電極結構基礎上，通過電磁場仿真分析軟件，優化和設計軌道電極的結構參數，獲得一個周期的單元結構設計；
S5、將優化的單元結構在長度方向上周期排列，得到完整的GSG軌道型射頻電極。
10.如權利要求9所述的GSG軌道型射頻電極的制備方法，其特征在于：步驟S4中，確定雙側添加軌道電極時，雙側所添加的軌道電極的大小和形狀相同或者不同，根據負載電容的大小進行分別優化和設計。