1.一種用于無掩膜掃描光刻的大面積曝光方法，其特征在于，包括以下步驟：
1）首先利用上位機將待曝光的BMP位圖，進行無效信息的切割，所述的無效信息為沒有目標圖像信息的空白邊角；
2）進行BMP位圖中的相似區域的圖形分割，或者提取原始矢量圖中的批量生產等信息，根據BMP位圖的具體大小和相似區域的分布情況，確定使用N組DMD，如果使用N組DMD，則在BMP位圖的相應位置生成標識孔；
3）根據步驟2）確定的N組DMD所對應的N塊區域的圖像完全相似，按照掃描光刻的要求，對其中一個圖像區域按像素步進切割，生成一份曝光幀數據，生成耗時僅為已有方法的1/N，曝光幀數據也是已有方法的1/N；
4）由上述步驟中對BMP位圖的分割情況，使用電機調整N組DMD到對應N個區域的左上角，以標識孔為準進行對位調整；
5）將步驟3）中生成的曝光幀數據同時傳入N組DMD中，然后N組DMD保持相對位置不變，同時進行掃描曝光，完成整幅BMP位圖的曝光。
2.根據權利要求1所述的一種用于無掩膜掃描光刻的大面積曝光方法，其特征在于，所述的BMP位圖，是指由PCB制版中的描述電路信息的Gerber文件轉換成的BMP格式的位圖。
3.根據權利要求1所述的一種用于無掩膜掃描光刻的大面積曝光方法，其特征在于，所述的圖形分割是指利用圖像處理技術獲取相似區域的分布情況。
4.根據權利要求1所述的一種用于無掩膜掃描光刻的大面積曝光方法，其特征在于，所述的N組DMD，N一般選取為2或者4等較小的偶數；每組DMD包括一個DMD，如果包括多個排列好的DMD，那么曝光幀數據也要進行相應的分割。
5.根據權利要求1所述的一種用于無掩膜掃描光刻的大面積曝光方法，其特征在于，所述的標識孔是由計算機在BMP位圖上相應位置生成的200*200大小像素的黑色十字標識。
6.根據權利要求1所述的一種用于無掩膜掃描光刻的大面積曝光方法，其特征在于，所述的步驟3）開始切割位圖之前，可以通過CCD對位圖進行孔位的校準，進行漲縮處理。
7.根據權利要求1所述的一種用于無掩膜掃描光刻的大面積曝光方法，其特征在于，所述的步驟4）中，將多組DMD調整到對應位置后，在接下來的曝光中它們的相對位置不能改變。