熔融軟釬料薄膜覆蓋裝置、薄膜軟釬料覆蓋構件及其制造方法

熔融軟釬料薄膜覆蓋裝置、薄膜軟釬料覆蓋構件及其制造方法
【專利摘要】本發明提供一種熔融軟釬料薄膜覆蓋裝置，其能夠將覆蓋于熔融軟釬料薄膜覆蓋裝置母材的熔融軟釬料的膜厚控制為均勻且為幾μm單位，并且，與以往方式相比能夠實現膜厚較薄的薄膜軟釬料鍍，該熔融軟釬料薄膜覆蓋裝置包括：軟釬料槽(17)，其收容有熔融軟釬料(7)；第2輸送部(23)，其自軟釬料槽抬起條構件(31)；以及吹送部(19)，其向利用第2輸送部(23)剛自軟釬料槽抬起之后的條構件(31)吹送已設定在熔融軟釬料(7)的熔融溫度以上的預定溫度及預定的流量的熱氣體。利用該結構，能夠自與熔融軟釬料(7)的組成相對應的條構件(31)削落多余的熔融軟釬料(7)，因此，能夠將覆蓋于條構件(31)的熔融軟釬料(7)的膜厚控制為均勻且為幾μm單位。
【專利說明】熔融軟釬料薄膜覆蓋裝置、薄膜軟釬料覆蓋構件及其制造方法

【技術領域】
[0001]本發明涉及能夠應用于利用熱氣體送風削落多余的熔融軟釬料來對母材實施薄膜軟釬料鍍、從而制造薄膜軟釬料覆蓋構件的系統中的熔融軟釬料薄膜覆蓋裝置、自該裝置獲得的薄膜軟釬料覆蓋構件及其制造方法。

【背景技術】
[0002]以往以來，在以高頻率工作的電子電路中，為了防止安裝于基板上的電子零件之間、電子電路之間的電磁波的干涉、阻斷電磁對外部的影響、防止誤動作而使用屏蔽殼體(EMI防止功能)。此外，在電子設備內使用用于支承印刷基板的框。
[0003]屏蔽殼體一般使用銅構件，但是，出于耐磁性、耐防銹、耐氧化性、耐熱膨脹性、力口工性等考慮有時除鋅白銅材料(Cu-Zn-Ni/C7521R、C7701R等)、不銹鋼以外，還使用作為向鐵中混合鎳及鈷而成的合金的可伐材料(Kovar/KOV-H ;Fe-N1-Co等)的金屬構件(以下稱作母材)。
[0004]作為殼體材料、框材料等的母材大多具有預定的寬度及長條狀，并呈卷(帶)狀被卷在卷軸等上進行流通。被卷成卷狀的母材安放于自動加工機，自卷軸等連續放出母材，將該母材沖孔成預定的形狀、或實施彎折加工來形成屏蔽殼體、框。
[0005]可是，對于屏蔽殼體或框，伴隨著電子設備的小型化、輕量化及電子電路的高密度安裝的要求，采用在原材料階段的母材上覆蓋(涂敷)軟釬料的方法(以下，稱作軟釬料涂敷方法)。在上述母材中，就精加工性來說，鋅白銅材料稍難，可伐材料較容易。就軟釬料潤濕性來說，公知鋅白銅材料稍容易，可伐材料較難。
[0006]關于將軟釬料粘附于印刷基板的方法公知有涂敷方法(參照專利文獻I)，該涂敷方法是例如在使恒定量的軟釬料附著于搭載有倒裝芯片零件、BGA等微小電子零件、微小QFP的印刷基板的焊盤的涂敷方法，在該涂敷方法中，在向印刷基板的焊盤以外的部位粘附了抗蝕劑之后，將印刷基板浸潰于熔融軟釬料中，并且，對熔融軟釬料施加超聲波來使軟釬料附著于焊盤。
[0007]此外，公開有軟釬料涂敷方法(參照專利文獻2)，該軟釬料涂敷方法是預先向印刷基板的焊盤、電子零件的引線等預先實施軟釬料鍍的軟釬料涂敷方法，在該軟釬料涂敷方法中，將印刷基板或電子零件等工件浸潰于施加了超聲波的噴流熔融軟釬料中，之后，使該工件相對于超聲波變幅桿(日文:*一 > )沿橫向移動或相對于超聲波變幅桿沿前后方向移動，自熔融軟釬料槽抬起工件。
[0008]公開有軟釬料預涂敷覆膜的形成方法及其裝置(專利文獻3)，該預涂敷覆膜的形成方法是在電子電路基板或電子零件的微小面積的電極焊盤或狹小間距的引線表面形成錫或軟釬料的預涂敷覆膜的方法，在該方法中，自熔融軟釬料槽抬起時，吹送加熱后的有機脂肪酸溶液來將過多附著的軟釬料覆膜吹落。而且，公開有向長條的軟釬料材料實施熔融軟釬料鍍而成的涂敷材料(參照專利文獻4)。
[0009]現有技術文獻
[0010]專利文獻
[0011]專利文獻1:日本特開平09-214115號公報
[0012]專利文獻2:日本特開平10-178265號公報
[0013]專利文獻3:日本特開2011-228608號公報
[0014]專利文獻4:日本特開平11-300471號公報


【發明內容】

[0015]發明要解決的問題
[0016]可是，采用專利文獻1及2所述那樣的軟釬料涂敷方法、專利文獻3所述那樣的預涂敷覆膜的形成方法等以往例的涂敷軟釬料的方法，公開了使恒定量的軟釬料附著于搭載有倒裝芯片零件、BGA等微小電子零件、微小QFP的印刷基板的焊盤或預先向印刷基板的焊盤、電子零件的引線等實施軟釬料鍍的軟釬料涂敷方法，但是，并不是向具有預定的寬度及長條狀的母材實施薄膜軟釬料鍍的方法。而且，即使只著眼于軟釬料鍍這樣的觀點，還存在有下面那樣的問題。
[0017]在專利文獻1及專利文獻2所述那樣的軟釬料涂敷方法、專利文獻3、4所述那樣的預涂敷覆膜的形成方法、涂敷材料中，絲毫沒有公開控制粘附于母材的軟釬料的膜厚。
[0018]采用本發明人的實驗，將輸送速度設定為例如lm/min，測量了凝固后的軟釬料層的膜厚，未成為單面7μπι以下。因而，對于具有屏蔽殼體、框等的電子設備的小型化、輕量化及電子電路的高密度安裝的要求，現狀為未能實現提供具有膜厚較薄的軟釬料層的薄膜軟釬料涂敷構件。
[0019]順便說一下，采用電鍍、非電解鍍等，能夠對母材進行薄至幾微米單位的鍍，但是鍍時間較長。采用熔融軟釬料鍍，與電鍍、非電解鍍相比鍍時間較短，但是，存在未能對母材較薄地進行鍍這樣的問題。
[0020]用于解決問題的方案
[0021]為了解決上述課題，技術方案1所記載的熔融軟釬料薄膜覆蓋裝置，其利用加熱至預定的溫度的熔融軟釬料覆蓋了母材之后，對該母材進行冷卻，從而制造薄膜軟釬料覆蓋構件，其中，該熔融軟釬料薄膜覆蓋裝置包括:軟釬料槽，其收容有上述熔融軟釬料、用于浸潰上述母材；輸送部，其自上述軟釬料槽抬起上述母材；以及吹送部，其向利用上述輸送部剛自上述軟釬料槽抬起之后的上述母材吹送與上述熔融軟釬料的組成相對應的熔融溫度以上的溫度及預定的流量的熱氣體。
[0022]采用本發明的熔融軟釬料薄膜覆蓋裝置，能夠自與熔融軟釬料的組成相對應的母材削落多余的熔融軟釬料，因此，能夠將向母材覆蓋的熔融軟釬料的膜厚控制為均勻且為幾μ m單位。
[0023]技術方案2所述的熔融軟釬料薄膜覆蓋裝置，根據技術方案1所述的熔融軟釬料薄膜覆蓋裝置，其中，該熔融軟釬料薄膜覆蓋裝置還包括:控制部，其在上述吹送部設定與上述熔融軟釬料的組成相對應的上述熱氣體的溫度及流量并自上述母材削落熔融軟釬料，從而控制被覆蓋于該母材的上述熔融軟釬料的膜厚。
[0024]技術方案3所述的熔融軟釬料薄膜覆蓋裝置，根據技術方案2所述的熔融軟釬料薄膜覆蓋裝置，其中，該熔融軟釬料薄膜覆蓋裝置還包括:冷卻部，其對利用上述控制部控制了膜厚的上述母材進行冷卻。
[0025]技術方案4所述的熔融軟釬料薄膜覆蓋裝置，根據技術方案1所述的熔融軟釬料薄膜覆蓋裝置，其中，上述熱氣體使用非活性氣體。
[0026]技術方案5所述的熔融軟釬料薄膜覆蓋裝置，根據技術方案1所述的熔融軟釬料薄膜覆蓋裝置，其中，上述熔融軟釬料槽之上成為非活性氣氛。
[0027]技術方案6所述的薄膜軟釬料覆蓋構件，其中，該薄膜軟釬料覆蓋構件包括:母材；以及覆蓋層，其用于覆蓋該母材；上述覆蓋層以如下方式形成:將上述母材浸潰于收容有加熱至預定的溫度的熔融軟釬料的軟釬料槽內，將浸潰于上述軟釬料槽內的上述母材自該軟釬料槽抬起，向剛抬起之后的上述母材吹送與熔融軟釬料的組成相對應的熔融溫度以上的溫度及預定的流量的熱氣體而自該母材削落熔融軟釬料，從而控制被覆蓋于上述母材的熔融軟釬料的膜厚。
[0028]技術方案7所述的薄膜軟釬料覆蓋構件的制造方法，在該薄膜軟釬料覆蓋構件的制造方法中，利用加熱至預定的溫度的熔融軟釬料覆蓋母材，其后，對該母材進行冷卻，從而制造薄膜軟釬料覆蓋構件，其中，該薄膜軟釬料覆蓋構件的制造方法包括如下工序:浸潰工序，在該浸潰工序中，將母材浸潰于收容有上述熔融軟釬料的軟釬料槽內；抬起工序，在該抬起工序中，自該軟釬料槽抬起被浸潰于上述軟釬料槽內的上述母材；以及控制工序，在該控制工序中，向剛抬起之后的上述母材吹送與熔融軟釬料的組成相對應的熔融溫度以上的溫度及預定的流量的熱氣體而自該母材削落熔融軟釬料，從而控制被覆蓋于上述薄膜軟釬料覆蓋構件的熔融軟釬料的膜厚。
[0029]發明的效果
[0030]采用本發明的熔融軟釬料薄膜覆蓋裝置，其包括:吹送部，其向自熔融軟釬料槽抬起的母材吹送與熔融軟釬料的組成相對應的熔融溫度以上的溫度及預定的流量的熱氣體。
[0031]利用該結構，能夠自母材削落多余的熔融軟釬料，因此，能夠將覆蓋于母材的熔融軟釬料的膜厚控制為均勻且為幾μπι單位。由此，與以往方式相比能夠實現膜厚較薄的薄膜軟釬料鍍。
[0032]采用本發明的薄膜軟釬料覆蓋構件及其制造方法，與以往方式相比能夠制造具有膜厚較薄的軟釬料層的薄膜軟釬料覆蓋構件。由此，能夠提供移動電話機、游戲機等的電子電路的屏蔽殼體等原材料。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0033]圖1是表示作為本發明的實施方式的薄膜軟釬料覆蓋構件制造系統#1的結構例的剖視圖。
[0034]圖2是表示吹送部19中的氣體噴嘴91、92的配置例的立體圖。
[0035]圖3是表示氣體噴嘴91、92進行熱氣體送風時的功能例的主視圖。
[0036]圖4是表示熔融軟釬料薄膜覆蓋裝置100的控制系統的結構例的框圖。
[0037]圖5是表示與多元系軟釬料組成相對應的熱氣體送風時的溫度值及流量值的存儲例的圖表。
[0038]圖6是表示薄膜軟釬料覆蓋構件10的結構例的剖視圖。
[0039]圖7A是表示薄膜軟釬料覆蓋構件10的形成例(其I)的工序圖。
[0040]圖7B是表示薄膜軟釬料覆蓋構件10的形成例(其2)的工序圖。
[0041]圖7C是表示薄膜軟釬料覆蓋構件10的形成例(其3)的工序圖。
[0042]圖8A是表示薄膜軟釬料覆蓋構件10的形成例(其4)的工序圖。
[0043]圖SB是表示薄膜軟釬料覆蓋構件10的形成例(其5)的工序圖。
[0044]圖9是表示薄膜軟釬料覆蓋構件10的形成例(其6)的工序圖。
[0045]圖1OA是表示無熱氣體送風的薄膜軟釬料覆蓋構件30 (厚30 μ m)的表面觀察例(X50)的照片圖。
[0046]圖1OB是表示無熱氣體送風情況的薄膜軟釬料覆蓋構件30 (厚30 μ m)的表面觀察例(X100)的照片線畫圖。
[0047]圖1OC是表示無熱氣體送風情況的薄膜軟釬料覆蓋構件30 (厚30 μ m)的表面觀察例(X500)的照片圖。
[0048]圖1OD是表示有熱氣體送風情況的薄膜軟釬料覆蓋構件10 (厚2 μ m以下)的表面觀察例(X50)的照片線畫圖。
[0049]圖1OE是表示有熱氣體送風情況的薄膜軟釬料覆蓋構件10 (厚2 μ m以下)的表面觀察例(X100)的照片圖。
[0050]圖1OF是表示有熱氣體送風情況的薄膜軟釬料覆蓋構件10 (厚2 μ m以下)的表面觀察例(X500)的照片線畫圖。
[0051]圖1lA是表示無熱氣體送風情況的薄膜軟釬料覆蓋構件30 (厚30 μ m)的截面觀察例(X900)的照片線畫圖。
[0052]圖1lB是表示無熱氣體送風情況的薄膜軟釬料覆蓋構件30 (厚30 μ m)的截面觀察例(X 3000)的照片線畫圖。
[0053]圖1lC是表示有熱氣體送風情況的薄膜軟釬料覆蓋構件10(厚2μπι以下)的截面觀察例(Χ900)的照片線畫圖。
[0054]圖1lD是表示有熱氣體送風情況的薄膜軟釬料覆蓋構件10 (厚2 μ m以下)的截面觀察例(X 3000)的照片線畫圖。
[0055]圖12A是表示無熱氣體送風情況的薄膜軟釬料覆蓋構件30的截面的電子顯微鏡圖像例的照片線畫圖。
[0056]圖12B是表示該元素映射圖像例(FeKal)的照片線畫圖。
[0057]圖12C是表示該元素映射圖像例(CoKal)的照片線畫圖。
[0058]圖12D是表示該元素映射圖像例(NiKal)的照片線畫圖。
[0059]圖12E是表示該元素映射圖像例(SnKal)的照片線畫圖。
[0060]圖12F是表示該元素映射圖像例(PbKal)的照片線畫圖。
[0061]圖12G是表示該元素映射圖像例(BiMal)的照片線畫圖。
[0062]圖12H是表示該元素映射圖像例(InLal)的照片線畫圖。
[0063]圖121是表示該元素映射圖像例(AgLal)的照片線畫圖。
[0064]圖13A是表示無熱氣體送風情況的薄膜軟釬料覆蓋構件30的截面的電子顯微鏡圖像例的照片線畫圖。
[0065]圖13B是表示該點分析例的圖表。
[0066]圖14A是表示有熱氣體送風情況的薄膜軟釬料覆蓋構件10的截面的電子顯微鏡圖像例的照片線畫圖。
[0067]圖14B是表示該元素映射圖像例(FeKal)的照片線畫圖。
[0068]圖14C是表示該元素映射圖像例(CoKal)的照片線畫圖。
[0069]圖14D是表示該元素映射圖像例(NiKal)的照片線畫圖。
[0070]圖14E是表示該元素映射圖像例(SnLal)的照片線畫圖。
[0071]圖14F是表示該元素映射圖像例(PbKal)的照片線畫圖。
[0072]圖14G是表示該元素映射圖像例(BiMal)的照片線畫圖。
[0073]圖14H是表示該元素映射圖像例(InLal)的照片線畫圖。
[0074]圖141是表示該元素映射圖像例(AgLal)的照片線畫圖。
[0075]圖15A是表示有熱氣體送風情況的薄膜軟釬料覆蓋構件10的截面的電子顯微鏡圖像例的照片線畫圖。
[0076]圖15B是表不該點分析例的圖表。

【具體實施方式】
[0077]本發明的目的在于提供一種能夠將被覆蓋于母材的熔融軟釬料的膜厚控制為均勻且為幾μ m單位、并且與以往方式相比能夠實現膜厚較薄的薄膜軟釬料鍍的熔融軟釬料薄膜覆蓋裝置、薄膜軟釬料覆蓋構件及其制造方法。
[0078]以下，一邊參照附圖一邊說明作為本發明的實施方式的熔融軟釬料薄膜覆蓋裝置、薄膜軟釬料覆蓋構件及其制造方法。圖1所示的薄膜軟釬料覆蓋構件制造系統#1是用于制造薄膜軟釬料覆蓋構件10的系統，該薄膜軟釬料覆蓋構件制造系統#1具有清洗槽11、干燥部12、第I輸送部13及熔融軟釬料薄膜覆蓋裝置100。以下，在將投入作為母材的一例子的條構件31的一側(構件供給側)作為了上游側時，將條構件31流動開去的(行進)方向稱作下游側。
[0079]條構件31以卷狀被卷在構成未圖示的構件供給部的、例如卷繞用的卷軸等上。條構件31由具有預定的寬度且具有長條狀的銅構件、鋅白銅或可伐構件等構成。在本例中，將長條的可伐構件用作母材。
[0080]在圖1中，清洗槽11設于構件供給部的下游側，在清洗槽11內收容有清洗用的液體11a。清洗用的液體Ila使用異丙醇(IPA)等。在清洗槽11的下游側設有干燥部12。干燥部12使用鼓風機。在干燥部12的下游側設有第I輸送部13。第I輸送部13使用制動用的輥構件。制動用的輥構件例如與通常的從動輥相比較高地設定上?下輥的挾持部位的按壓力。
[0081]利用設于后述的第2輸送部23的驅動式的輥構件輸送條構件31，并且，利用該第I輸送部13的制動用的輥構件對條構件31施加預定的張力，以預定的速度輸送條構件。為了該目的也可以在第I輸送部13的制動用的輥構件上設置驅動用的馬達，也可以不設置驅動用的馬達而使第I輸送部13的制動用的輥構件相對于設于第2輸送部23的驅動式的輥構件從動。在本例的情況下，第I輸送部13的制動用的輥構件作為從動的構件進行說明。
[0082]<熔融軟釬料薄膜覆蓋裝置100的結構例>
[0083]在圖1示出的第I輸送部13的下游側配置有熔融軟釬料薄膜覆蓋裝置100。熔融軟釬料薄膜覆蓋裝置100取入清洗后的條構件31，利用加熱至預定的溫度的多元系的熔融軟釬料7 (熔融軟釬料)覆蓋條構件31，在控制了其膜厚之后，排出該條構件31冷卻了的薄膜軟釬料覆蓋構件10。
[0084]熔融軟釬料薄膜覆蓋裝置100具有呈箱體的主體部101，主體部101在其頂板部位的預定的位置具有開口部104。以該開口部104為界輸送路徑被分為左側和右側。在該主體部101的內部的左側面(上游側)設有輸入口 102，在主體部101的內部的右側面(下游側)具有輸出口 103。
[0085]在主體部101的以開口部104為界的內外部設有零件安裝用的縱長構件14。縱長構件14具有從動式的輸送輥46及引導用的2個突起部42、43、未圖示的滑動構件等。輸送輥46安裝于縱長構件14的斜右上方。
[0086]在主體部101的背面側的靠縱長構件14的左側的位置安裝有兩個從動式的輸送輥44、45，在主體部101的背面側的靠縱長構件14的右側的位置也安裝有兩個從動式的輸送輥47、48。在主體部101的內部設有預加熱部15、腔室16、軟釬料槽17、吹送部19、冷卻部20及控制部50。
[0087]預加熱部15位于輸入口 102的下游側，設于兩個輸送輥44、45之間。預加熱部15使用空氣加熱器。在輸送輥45的下游側配置有腔室16及軟釬料槽17。
[0088]在軟釬料槽17內收容有構成熔融軟釬料的一例子的多元系軟釬料組成的熔融軟釬料7。熔融軟釬料7使用例如由鉛(Pb)、銀(Ag)、鉍(Bi)、銦(In)、錫(Sn)構成的五元系軟釬料組成(Pb-0.5Ag-3B1-2In-4Sn:軟釬料#6064 (千住金屬工業株式會社制造))。熔融軟釬料7的熔融溫度為295°C左右。
[0089]以覆蓋軟釬料槽17的上部的方式安裝腔室16，在腔室16內充滿氮(N2)氣體等非活性氣體。在該例中，蓋部60設于腔室16的上部，在蓋部60上設有2個開口部61、62，相對于條構件31來說，開口部61構成條構件31進入軟釬料槽17的入口部，開口部62構成為條構件31自軟釬料槽17出去的出口部。
[0090]在軟釬料槽17內設有從動式的輸送輥41。輸送輥41在主體部101的前后軸支承于軸承構件65。軸承構件65—體地安裝于蓋部60，而且，以沿上下方向滑動自如的方式支承于縱長構件14。S卩、縱長構件14、蓋部60及軸承構件65能夠一體地沿上下方向滑動。
[0091]為了防止軟釬料侵蝕(日文:-- C食t札)，輸送輥41使用碳(碳素)輥。上述條構件31自開口部61利用輸送輥41進行U形轉彎而到達開口部62。另外，也可以在腔室16的內側面安裝未圖示的超聲波變幅桿。若使用超聲波變幅桿則能夠利用強力的振動剝取已附著于母材的軟釬料附著部的氧化膜、污潰，使軟釬料金屬性地附著于母材。
[0092]在腔室16的上部安裝有吹送部19。吹送部19使用噴射熱氣體的廣角平口的氣刀或氣體噴嘴91、92(參照圖2)。熱氣體使用氮等非活性氣體。
[0093]在吹送部19的上部側設有冷卻部20。在該例中，冷卻部20具有第I風機21及第2風機22。第I風機21設于縱長構件14的下方附近。第2風機22安裝于縱長構件14的暴露于主體部101的上部側的上方部位。第I風機21及第2風機22使用冷卻用的螺旋槳式、多葉片式等的鼓風機。
[0094]在該例中，在輸送輥47與輸送輥48之間，自主體部101的內部的頂板部位以懸垂的形態設有第2輸送部23。第2輸送部23使用驅動式的輥構件。在輥構件上卡合有未圖示的馬達。
[0095]條構件31的路徑自開口部104利用輸送輥46進行U形轉彎，再次通過開口部104到達輸送輥47。上述5個輸送輥44、45、46、47、48使用金屬輥、耐熱性的橡膠輥、樹脂輥等從動式的輥構件。
[0096]在上述主體部101的預定的位置設有控制部50。控制部50連接于預加熱部15、軟釬料槽17、吹送部19、第1風機21、第2風機22、第2輸送部23等。在裝置外部的干燥部12的控制及第1輸送部13需要設置驅動用的馬達、并控制該馬達的情況下，控制部50連接于用于驅動該干燥部12及第1輸送部13的馬達等。本例的情況是第1輸送部13為從動輥的情況，以下，說明控制部50統一控制包含干燥部12的這些構件的情況。
[0097]在此，參照圖2及圖3，說明吹送部19中的氣體噴嘴91、92的配置例及它們的功能例。在圖2所示的吹送部19設有1組氣體噴嘴91、92。各氣體噴嘴91、92具有廣角平口，當控制膜厚時，利用熱氣體送風從由軟釬料槽17進行覆膜后的條構件31削落過多的覆膜的熔融軟釬料7 (參照圖3)。氣體噴嘴91、92使用例如不銹鋼制的扁平噴嘴(思萬特公司制的 Silvent971)。
[0098]氣體噴嘴91具有噴嘴主體部901及導管93。噴嘴主體部901的一端做成廣角平口部903。在本例的情況下，廣角平口部903的開口寬度設定為與條構件31的寬度大致相等的長度。噴嘴主體部901的另一端連接有導管93，向該導管93引導N2氣體。在導管93上安裝有圖4所示的加熱器95，N2氣體的溫度設定為熔融軟釬料7的熔融溫度以上。本例的情況的軟釬料的熔融溫度為295度，因此，將N2氣體的溫度加熱至溫度300°C左右。導管93借助圖4所示的流量調整閥97連接有N2儲罐99等。
[0099]氣體噴嘴92具有噴嘴主體部902及導管94。噴嘴主體部902的一端與氣體噴嘴91同樣地做成廣角平口部904。在本例的情況下，廣角平口部904的開口寬度設定為與條構件31的寬度大致相等的長度。噴嘴主體部902的另一端連接有導管94，向該導管94同樣地引導N2氣體。在導管94上同樣地安裝有加熱器96，將N2氣體加熱至溫度300°C左右。導管94借助流量調整閥98連接有N2儲罐99。在本例的情況下，如上述那樣廣角平口部903,904的開口寬度設定為與條構件31的寬度大致相等的長度，但是能夠根據需要設定開口寬度。
[0100]氣體噴嘴91、92的廣角平口部903、904的吹出溫度(頂端溫度)設定為熔融軟釬料的熔融溫度以上。在上述例子中，維持在300°C左右。在本例的情況下，氣體噴嘴91以其廣角平口部903與條構件31的輸送面平行的方式配置，氣體噴嘴92也以其廣角平口部904與條構件31的輸送面平行的方式配置。該平行配置是為了向條構件31的輸送面均勻地吹送熱氣體。
[0101]在圖3中，空心箭頭是以預定的輸送速度移動的條構件31的輸送方向。采用圖3所示的吹送部19，氣體噴嘴91配置于條構件31的左側，以相對于水平線Lh傾斜了角度+ (順時針正基準)的狀態安裝于未圖示的固定構件。氣體噴嘴92配置于條構件31的右偵牝相反地以相對于水平線Lh傾斜了角度-Θ (相同基準)的狀態安裝于未圖示的固定構件。
[0102]氣體噴嘴91構成為朝向條構件31的左側面吹出被未圖示的流量調整閥97、98調整后的熱氣體。氣體噴嘴92構成為朝向條構件31的右側面吹出被流量調整閥97、98調整后的熱氣體。由此，通過自以預定的輸送速度輸送的條構件31的左.右側的兩面進行熱氣體送風(條構件31的兩面送風)，能夠削落剛自軟釬料槽17抬起之后的多余的熔融軟釬料7。因而，能夠實現適合自單面2 μ m?5 μ m水平進一步薄膜化的、薄膜軟釬料熔融鍍控制。
[0103]另外，在本例的情況下，像上述那樣廣角平口部903、904的開口寬度設定為與條構件31的寬度大致相等的長度，但是，能夠根據需要設定。此外，氣體噴嘴91、92的配置在本例中以與條構件31的輸送面平行的方式配置，但是，也可以以相對于條構件31具有預定的角度的方式配置，此外，熱氣體相對于條構件31的吹送角度(Θ)也可以根據需要可變。
[0104]接下來，參照圖4及圖5，說明熔融軟釬料薄膜覆蓋裝置100的控制系統的結構例。采用圖4所示的熔融軟釬料薄膜覆蓋裝置100，控制部50除連接于預加熱部15、軟釬料槽17、吹送部19、第I風機21、第2風機22、第2輸送部23等以外，還連接于干燥部12、操作部24及監視器28。
[0105]為了控制系統整體，控制部50具有例如R0M51 (Read Only Memory:只讀存儲器)、RAM52 (Random Access Memory:隨機存取存儲器)、中央處理裝置(Central ProcessingUnit:以下稱作CPU53)及存儲部54。R0M51存儲有例如用于控制薄膜軟釬料覆蓋構件制造系統#1的整體的系統程序Dp。
[0106]控制部50通過操作部24的啟動操作，讀出R0M51所存儲的系統程序Dp而在RAM52中展開，根據在此展開的系統程序Dp，啟動薄膜軟釬料覆蓋構件制造系統#1。控制部50使用INFLIDGE工業制造的DFC-100L型的控制器。
[0107]操作部24具有未圖示的O?9數字鍵、觸摸面板等鍵輸入部。在薄膜軟釬料覆蓋構件10的膜厚控制時、設定與多元系軟釬料組成相對應的膜厚控制條件等時操作操作部24。薄膜軟釬料覆蓋構件10的膜厚控制條件包含熔融軟釬料7的熔融溫度、熱氣體的流量、
溫度等。
[0108]例如，進行以下操作:設定與五元系軟釬料組成的#6064軟釬料相對應的條構件31的預熱溫度、熔融軟釬料7的熔融溫度、N2氣體的流量值及熱氣體的溫度值等。操作部24所操作設定的膜厚控制條件作為操作數據D24向控制部50輸出。在該例中，表示操作部24所設定的與多元系軟釬料的組成相對應的膜厚控制條件的操作數據D24借助CPU53存儲于RAM52等。
[0109]監視器28由液晶顯示裝置(IXD)構成，基于顯示數據D28將與多元系軟釬料的組成相對應的膜厚控制條件等顯示于監視器28。顯示數據D28是用于顯示在膜厚控制時與多元系軟釬料組成相對應的N2氣體的流量值、熱氣體的溫度值的數據，并自控制部50向監視器28輸出。上述存儲部54存儲有薄膜軟釬料覆蓋構件10的膜厚控制所需要的、與多元系軟釬料組成的熔融軟釬料7相對應的控制數據D54。根據圖5所示的圖表，存儲部54設有覆蓋于條構件31的熔融軟釬料7的目標的膜厚Λ t[ μ m]、吹送部19中的熱氣體例如N2氣體的流量Q[NL/min]、熱氣體的溫度T[°C ]等的記述欄。
[0110]對于目標的膜厚Λ t = 1.5?2.0 [ μ m]記述N2氣體的流量值Ql及熱氣體的溫度值Tl。對于目標的膜厚Λ t = 1.0?1.5[ μ m]記述N2氣體的流量值Q2及熱氣體的溫度值T2。對于目標的膜厚Λ t = 0.5?1.0[ μ m]記述N2氣體的流量值Q3及熱氣體的溫度值T3。對于目標的膜厚Λ t = 0.0?0.5[ μ m]記述N2氣體的流量值Q4及熱氣體的溫度值T4。存儲部54所記述的流量值Ql、熱氣體的溫度值Tl等記述通過實驗驗證的經驗值。
[0111]例如，在條構件31為銅構件且其輸送速度為3m/min、多元系軟釬料組成的熔融軟釬料7使用五元系軟釬料組成(Pb-0.5Ag-3B1-2In-4Sn)的軟釬料#6064的情況下，熔融軟釬料7的熔融溫度為295°C，對于目標的膜厚Λ t = 1.5?2.0 [ μ m]記述N2氣體的流量值Q1 = 60NL/min及熱氣體的溫度值T1 = 300°C。
[0112]在該例中，與目標的膜厚△ t[ μ m]相對應的N2氣體的流量Q[NL/min]、熱氣體的溫度T[°C ]等能夠作為控制數據D54自存儲部54讀出。借助操作部24在控制部50中設定熔融軟釬料7的目標的膜厚Λ t[ μπι]。控制部50通過在吹送部19中設定與熔融軟釬料7的組成相對應的熱氣體的溫度Τ及Ν2的流量Q，自條構件31削落熔融軟釬料7，由此，控制被覆蓋于該條構件31的熔融軟釬料7的膜厚。
[0113]在控制部50的內部的存儲容量不足的情況下，也可以連接外部存儲裝置來測量與目標的膜厚△ t相對應的N2氣體的流量值及熱氣體的溫度值等并存儲測量途中的數據。外部存儲裝置使用KEYENCE株式會社制造的GR-3500型的數據記錄器。
[0114]控制部50利用基于操作數據D24的前饋控制來執行膜厚控制。例如，將覆蓋于條構件31的熔融軟釬料7的目標的膜厚At[ym]作為地址，自存儲部54讀出顯示與熔融軟釬料7的組成相對應的熱氣體的溫度T及流量Q的控制數據D54。控制部50例如將作為熔融軟釬料7的五元系的熔融軟釬料7 (#6064軟釬料)的材料名作為標題信息記述，將把控制數據D54附加于標題信息而成的數據流形式的吹送控制數據D19設定于熱氣體調整部90。
[0115]例如利用非接觸型的測量設備，只要能夠實時檢測覆蓋于條構件31的熔融軟釬料7的覆蓋量(膜厚量)，就可以通過基于覆蓋于條構件31的熔融軟釬料7的覆蓋量檢測的反饋控制來執行膜厚控制。采用反饋控制，在覆蓋于條構件31的熔融軟釬料7的膜厚較厚的情況下，均較高地設定熱氣體的溫度T&N2的流量Q而增多自條構件31削落的熔融軟釬料7。相反，在覆蓋于條構件31的熔融軟釬料7的膜厚較薄的情況下，均較低地設定熱氣體的溫度T及N2的流量Q而減少自條構件31削落的熔融軟釬料7。
[0116]上述控制部50基于顯示數據D28對監視器28進行顯示控制，或者自操作部24輸入操作數據D24，來控制干燥部12、預加熱部15、軟釬料槽17、第1風機21、第2風機22、第2輸送部23、熱氣體調整部90等的輸入輸出。
[0117]干燥部12自控制部50輸入鼓風機控制信號S12,基于鼓風機控制信號S12向清洗后的條構件31吹送空氣來對條構件31進行干燥。鼓風機控制信號S12是用于驅動被裝備于干燥部12的未圖不的鼓風機的信號，并自控制部50向干燥部12輸出。
[0118]在條構件輸送時，第2輸送部23自控制部50輸入輥驅動信號S23，基于輥驅動信號S23 —邊通過與從動的第1輸送部13的協動而使條構件31維持預定的張力，一邊向熔融軟釬料薄膜覆蓋裝置100輸出該條構件31。輥驅動信號S23是驅動被裝備于第2輸送部23的用于使未圖示的驅動輥旋轉的馬達的信號，并自控制部50向第2輸送部23輸出。
[0119]預加熱部15自控制部50輸入加熱器驅動信號S15,基于加熱器驅動信號S15向清洗后的條構件31吹送熱風來對條構件31進行加熱。加熱器驅動信號S15是用于驅動被裝備于預加熱部15的未圖示的空氣加熱器的信號，并自控制部50向15輸出。
[0120]軟釬料槽17自控制部50輸入軟釬料槽控制信號S17，基于軟釬料槽控制信號S17加熱多元系組成的軟釬料(#6064等)，做成熔融溫度273°C?295°C程度的熔融軟釬料7。軟釬料槽控制信號S17是用于驅動被裝備于軟釬料槽17的未圖示的加熱器的信號，并自控制部50向軟釬料槽17輸出。
[0121]吹送部19除具有氣體噴嘴91、92以外還具有熱氣體調整部90、加熱器95、96、流量調整閥97、98及N2儲罐99。流量調整閥97、98連接有N2儲罐99，向氣體噴嘴91、92供給N2氣體。在該例中，因為熔融軟釬料的熔融溫度為273°C?295°C時熔融軟釬料的熔融溫度使氣體噴嘴91、92的頂端的溫度成為300°C，所以，決定了氣體噴嘴91、92的噴嘴主體的溫度及加熱器95、96的發熱溫度。
[0122]在膜厚控制時，熱氣體調整部90自控制部50輸入吹送控制數據D19，基于吹送控制數據D19向剛自軟釬料槽17抬起之后的條構件31吹送熱氣體。吹送控制數據D19包含驅動用于使流量調整閥97、98旋轉的未圖示的馬達的數據、驅動用于加熱N2氣體的加熱器95,96的數據等。吹送控制數據D19自控制部50向熱氣體調整部90輸出。熱氣體調整部90將吹送控制數據D19解碼而產生加熱器驅動信號S95、S96及閥調整信號S97、S98。
[0123]加熱器95自熱氣體調整部90輸入加熱器驅動信號S95，基于加熱器驅動信號S95借助導管93(參照圖2、3)將N2氣體加熱成目標溫度(300°C )。加熱器96自熱氣體調整部90輸入加熱器驅動信號S96,基于加熱器驅動信號S96借助導管94 (參照圖2、3)將N2氣體加熱成目標溫度。
[0124]流量調整閥97自熱氣體調整部90輸入閥調整信號S97，基于閥調整信號S97將N2氣體的流量Q調整為目標的流量值。流量調整閥98自熱氣體調整部90輸入閥調整信號S98，基于閥調整信號S98將N2氣體的流量Q調整為目標的流量值。
[0125]在條構件輸送時，第1風機21自控制部50輸入風機控制信號S21，基于風機控制信號S21向膜厚調整后的條構件31的一側送入主體部101的內部(內部溫度)的空氣而使該條構件31冷卻。風機控制信號S21是用于驅動被裝備于第1風機21的未圖示的馬達的信號，自控制部50向第1風機21輸出。
[0126]在條構件輸送時，第2風機22自控制部50輸入風機控制信號S22，基于風機控制信號S22向膜厚調整后的條構件31的另一側送入主體部101的上部(室溫)的空氣而使該條構件31冷卻。風機控制信號S22是用于驅動被裝備于第2風機22的未圖示的馬達的信號，自控制部50向第2風機22輸出。由此，構成熔融軟釬料薄膜覆蓋裝置100的控制系統。
[0127]<薄膜軟釬料覆蓋構件10的結構例>
[0128]接下來，參照圖6，說明薄膜軟釬料覆蓋構件10的結構例。圖6所示的薄膜軟釬料覆蓋構件10具有預定的厚度t的條構件31、覆蓋該條構件31的正面和反面的膜厚Λ t的軟釬料層7’。
[0129]軟釬料層7’是在薄膜軟釬料覆蓋構件制造系統#1中控制熔融軟釬料7的膜厚而成的，并通過以下方式形成:收容被加熱至預定的溫度(295°C)的熔融軟釬料7，在收容了該熔融軟釬料7的軟釬料槽17內浸潰條構件31，將浸潰于軟釬料槽17內的條構件31自軟釬料槽17抬起，向剛抬起之后的條構件31吹送與熔融軟釬料7的組成相對應的熔融溫度以上的溫度T°C及預定的流量QNL/min的熱氣體而自該條構件31削落熔融軟釬料7，從而未削落的熔融軟釬料7殘留在條構件31的正面和反面。
[0130]<薄膜軟釬料覆蓋構件10的制造方法>
[0131]接下來，參照圖7A?圖7C、圖8A、圖8B、圖9，說明圖6所示的薄膜軟釬料覆蓋構件10的形成例(其I?6)。在該例中以下述情況為前提:由利用圖1?圖5所示的薄膜軟釬料覆蓋構件制造系統#1加熱至273°C?295°C程度的溫度的、五元系軟釬料組成的熔融軟釬料7 (#6064軟釬料)覆蓋條構件31，其后，在膜厚控制之后，冷卻該條構件31，從而制造薄膜軟釬料覆蓋構件10。
[0132]首先，在圖7A中，準備作為薄膜軟釬料覆蓋構件10的母材的條構件31。對于條構件31，準備將長條狀的可伐(KOV-H=Fe-N1-Co)構件卷成卷狀而成的構件。可伐構件在金屬之中熱膨脹率在常溫附近而較低且接近硬質玻璃，因此，優選應用于硬質玻璃的密封、IC引線框。
[0133]準備好了條構件31之后，在薄膜軟釬料覆蓋構件制造系統#1安放條構件31。在該例中，最初通過手工作業，自未圖示的構件供給部連續放出條構件31并引導至清洗槽11，在圖7B中以能夠清洗的狀態安放條構件31。其后，將條構件31的頂端部經由干燥部12及第I輸送部13向熔融軟釬料薄膜覆蓋裝置100的內部引導。
[0134]在該例中，在熔融軟釬料薄膜覆蓋裝置100內，為了自軟釬料槽17朝向氣體噴嘴91、92沿垂直(鉛垂)方向取出條構件31，進一步通過手工作業，將自輸入口 102引導至主體部101的內部的條構件31以到達輸送輥44、預加熱部15、輸送輥45、突起部42、軟釬料槽17內的輸送輥41、縱長構件14的突起部43、輸送輥46、主體部101的內部的輸送輥47、第2輸送部23及輸送輥48并自輸出口 103排出的方式安放。
[0135]此時，以將輸送輥41的軸承構件65收納于縱長構件14的形態(沿著滑動構件)，將輸送輥41與腔室16上部的蓋部60 —起抬起，而使輸送輥41自軟釬料槽17內向上部暴露。并且，將條構件31的頂端部(正向(日文:往路))穿過蓋部60的開口部61，其后，將該條構件31的頂端部卷繞在輸送輥41上。并且，將條構件31的頂端部(反向(日文:復路))穿過開口部62。
[0136]其后，使軸承構件65自縱長構件14滑動而下降，使卷繞在輸送輥41上的狀態的條構件31浸沒在軟釬料槽17的內部。由此，將卷繞在輸送輥41上的條構件31沿垂直(鉛垂)方向取出。另外，完成薄膜軟釬料覆蓋構件制造系統#1中的自動化的前處理，但是，最初的幾m沒有軟釬料層的條構件31原封不動地被排出。
[0137]工作人員操作操作部24來設定用于進行自動運轉的數據。例如，吹送控制數據D19自控制部50設定在熱氣體調整部90中的。吹送控制數據D19是用于將與五元系軟釬料組成的熔融軟釬料7 (#6064軟釬料)相對應的熱氣體的溫度值Tl = 300°C、及流量值Ql=60NL/min設定于吹送部19的數據。
[0138]在第2輸送部23中設定用于以輸送速度=3m/min輸送條構件31的棍驅動信號S23。在軟釬料槽17中設定用于以熔融溫度=295°C熔融軟釬料的軟釬料槽控制信號S17。
[0139]并且，當操作操作部24來啟動薄膜軟釬料覆蓋構件制造系統#1時，在圖7B所示的清洗槽11中利用清洗用的液體Ila對條構件31的正面和反面、側面進行清洗。其后，在圖7C中，對清洗后的條構件31進行干燥。此時，干燥部12輸入鼓風機控制信號S12，基于鼓風機控制信號S12吸入工廠內的空氣，將殘留于清洗后的條構件31的正面和反面、側面等的清洗用的液體吹飛并進行排氣。
[0140]在第I輸送部13中，在輸入輥制動信號S13并將干燥后的條構件31向熔融軟釬料薄膜覆蓋裝置100內輸入時，基于輥制動信號S13為了對條構件31施加張力(tens1n)而加重其輸送負荷。此外，在第2輸送部23中，為了拉拽利用第1輸送部13施加了張力的狀態的條構件31，以設定好的輸送速度進行移動(輸送)。第2輸送部23基于輥驅動信號S23以輸送速度=3[m/min]左右輸送條構件31。
[0141]接下來，在圖8A中，預加熱干燥后的條構件31。此時，預加熱部15輸入加熱器驅動信號S15,基于加熱器驅動信號S15對輸入到主體部101的內部的條構件31施加熱(溫)風，去除殘存異丙醇成分，并且，提高條構件31自身的溫度(進行預加熱)。
[0142]而且，在圖8B中，在收容有熔融軟釬料7的軟釬料槽17內浸潰預加熱后的條構件31。當然，在腔室16內充滿N2氣體，腔室16內成為N2氣體氣氛。軟釬料槽17輸入軟釬料槽控制信號S17，基于軟釬料槽控制信號S17使軟釬料槽17的熔融軟釬料7的熔融溫度保持在295°C。在軟釬料槽17的內部的輸送輥41上使條構件31的輸送方向自下方向上方以逆時針U形轉彎。
[0143]此外，在軟釬料槽17上的腔室16內的N2氣體氣氛中，第2輸送部23基于輥驅動信號S23連續被驅動，從而自軟釬料槽17抬起條構件31。此時，在第1輸送部13和第2輸送部23之間，第1輸送部13相對于條構件31的輸送方向施加制動，第2輸送部23拉拽條構件31，從而成為對條構件31施加了張力的狀態。
[0144]接下來，在圖9中，向剛抬起之后的條構件31吹送與熔融軟釬料7的組成相對應的熔融溫度以上的溫度T及預定的流量Q的熱氣體而自條構件31削落熔融軟釬料7，控制被覆蓋于薄膜軟釬料覆蓋構件10的熔融軟釬料7的膜厚。采用該膜厚控制，控制部50向熱氣體調整部90輸出吹送控制數據D19，設定成與熔融軟釬料7的組成相對應的熱氣體的溫度值T1 = 300°C及流量值Q1 = 60NL/min，并控制氣體噴嘴91、92，以使得自條構件31削落熔融軟釬料7。
[0145]氣體噴嘴91、92向剛自軟釬料槽17抬起之后的條構件31吹送與五元系的熔融軟釬料7 (#6064軟釬料)的組成相對應的熔融溫度以上的溫度值T1 = 300°C及預定的流量值Q1 = 60NL/min的熱氣體。由此，控制被覆蓋于該條構件31的熔融軟釬料7的膜厚，利用膜厚幾μ m的軟釬料層V覆蓋條構件31。被該膜厚幾μ m的軟釬料層V覆蓋的條構件31成為薄膜軟釬料覆蓋構件10。
[0146]接下來，對薄膜軟釬料覆蓋構件10 (條構件31)的一側(單面)進行冷卻。此時，第1風機21基于風機控制信號S21向被軟釬料層V覆蓋的條構件31吹送主體部101內的空氣而對該條構件31進行冷卻。并且，對單面冷卻后的薄膜軟釬料覆蓋構件10的另一側(兩面)進行冷卻。此時，薄膜軟釬料覆蓋構件10暫時被向主體部101的上部引導，第2風機22基于風機控制信號S21向單面冷卻后的薄膜軟釬料覆蓋構件10吹送主體部101的上部的空氣而對該單面冷卻后的薄膜軟釬料覆蓋構件10進行冷卻。
[0147]此時，輸送輥46使薄膜軟釬料覆蓋構件10的輸送方向自上方向下方以順時針U形轉彎。利用該U形轉彎輸送，兩面冷卻后的薄膜軟釬料覆蓋構件10再次被取入到主體部101的內部。在主體部101的內部，薄膜軟釬料覆蓋構件10到達輸送輥47、第2輸送部23及輸送輥48并被自輸出口 103排出。被排出的薄膜軟釬料覆蓋構件10例如被卷繞在空的卷軸等上。由此，能夠獲得圖6所示的長條狀的薄膜軟釬料覆蓋構件10。
[0148]接下來，參照圖10A?圖10F及圖11A?圖11D，一邊對有熱氣體送風情況和無熱氣體送風情況的薄膜軟釬料覆蓋構件10、30的表面、其截面等圖像進行比較，一邊說明五元系軟釬料組成的軟釬料層V (#6064軟釬料)的覆蓋狀態例。另外，包含圖1OA?圖1OF及圖1lA?圖1lD在內以下說明的圖12A?圖121、圖13A、圖14A?圖141、圖15A是描摹了照片的黑白線畫圖，對于實際的照片作好隨時能夠提出的準備。首先，一邊參照圖1OA?圖10F，一邊說明有熱氣體送風情況和無熱氣體送風情況的薄膜軟釬料覆蓋構件10、30的表面的狀態例。薄膜軟釬料覆蓋構件10、30是通過使用本發明的薄膜軟釬料覆蓋構件制造系統#1而得到的。
[0149]根據圖1OA?圖1OC所示的照片線畫圖(以下只稱作照片圖)，對于無熱氣體送風的情況，獲得具有膜厚30 μ m的軟釬料層7’的薄膜軟釬料覆蓋構件30的表面圖像。該觀察使用了表面分析設備(SEM)。薄膜軟釬料覆蓋構件30的表面圖像是擴大為倍率50倍(以下記述為X50)、100倍(X 100)、500倍(X500)的3種。
[0150]根據圖1OD?圖1OF所示的照片圖，對于有熱氣體送風的情況，使用上述表面分析設備，觀察具有膜厚2μπι以下的軟釬料層V的薄膜軟釬料覆蓋構件10，獲得該表面圖像。薄膜軟釬料覆蓋構件10的表面圖像也為擴大為倍率50倍(Χ50)、100倍(X 100)、500倍(Χ500)的 3 種。
[0151 ] 在此將無熱氣體送風(30 μ m厚)的薄膜軟釬料覆蓋構件30與有熱氣體送風(厚2 μ m以下)的薄膜軟釬料覆蓋構件10進行比較，在倍率50倍及100倍的表面圖像中，未發現不同點，但是，如自倍率500倍的表面圖像明確的那樣，能夠確認到有熱氣體送風的薄膜軟釬料覆蓋構件10的表面狀態為凹凸變少且變平滑。
[0152]接下來，參照圖1lA?圖11D，說明有熱氣體送風情況和無熱氣體送風情況的薄膜軟釬料覆蓋構件10的截面的狀態例。根據圖1lA及圖1lB所示的照片圖，獲得了無熱氣體送風的情況的薄膜軟釬料覆蓋構件30的截面圖像。該觀察利用了上述表面分析設備的截面攝像功能。薄膜軟釬料覆蓋構件30的截面圖像為擴大為倍率900倍(X900) ,3000倍(X 3000)的2種。能夠自倍率900倍的截面圖像確認到膜厚30 μ m的軟釬料層V。
[0153]根據圖1lC及圖1lD所示的照片圖，使用上述表面分析設備觀察有熱氣體送風的情況的薄膜軟釬料覆蓋構件10，獲得其截面圖像。薄膜軟釬料覆蓋構件10的截面圖像也是擴大為倍率900倍(X900)、3000倍(X3000)的2種。能夠自圖1lC所示的倍率900倍的截面圖像確認到膜厚2 μ m以下的軟釬料層7’。
[0154]在此將無熱氣體送風(厚30 μ m)的薄膜軟釬料覆蓋構件30與有熱氣體送風(厚2μπι以下)的薄膜軟釬料覆蓋構件10進行比較，在倍率900倍的截面圖像中，對于薄膜軟釬料覆蓋構件30，以10 μ m單位的等級顯示為基準，能夠確認到該基準的約3倍的膜厚30 μ m的軟釬料層V。與此相對，采用薄膜軟釬料覆蓋構件10，能夠確認到粘附有10 μ m單位的等級顯示的1/5左右、S卩、2 μ m以下的軟釬料層V。
[0155]此外，在圖1lB所示的倍率3000倍的截面圖像中，薄膜軟釬料覆蓋構件30的軟釬料層7’離開視場，但是，采用圖1lD所示的薄膜軟釬料覆蓋構件10，也如自Iym單位的等級顯示明確的那樣，能夠確認到粘附有I μ m單位的等級顯示的2倍左右的2 μ m以下的軟釬料層7’。
[0156]接下來，參照圖12A?圖121、圖13A、圖13B、圖14A?圖141、圖15A、圖15B，一邊比較有熱氣體送風情況和無熱氣體送風情況的薄膜軟釬料覆蓋構件10、30的元素映射(Elemental mapping)圖像例、其點分析表，一邊說明五元系軟釬料組成的軟釬料層7’(#6064軟釬料)的元素分析結果。對于使用X射線的元素分析的一個方法，將特定的能量的X射線的計數率作為信號對電子探頭進行掃描，從而使自各點的X射線發射量的差異圖像化，而得到該元素映射圖像例。
[0157]例如，為以下方法:一邊向試樣上二維掃描電子束一邊測量各兀素的固有的X射線的強度，將與該強度相對應的亮度調制與掃描信號同步地顯示在監視器上，從而獲得二維的元素分布像(能量分散型X射線光譜分析:Energy Dispersive X-ray Spectroscopy ；EDS)。
[0158]圖12A所示的電子顯微鏡圖像例是無熱氣體送風的情況且具有膜厚30 μ m的軟釬料層V的薄膜軟釬料覆蓋構件30的倍率5000倍的截面的照片圖。圖12B?圖121所示的各元素映射圖像例是無熱氣體送風的情況且用各黑白的線畫描繪了表示構成薄膜軟釬料覆蓋構件30的鐵(Fe)的特性X射線的Kal線的圖像、表示構成薄膜軟釬料覆蓋構件30的鈷(Co)的特性X射線的Kal線的圖像、表示構成薄膜軟釬料覆蓋構件30的鎳(Ni)的特性X射線的Kal線的圖像、表示構成薄膜軟釬料覆蓋構件30的錫(Sn)的特性X射線的Lai線的圖像、表示構成薄膜軟釬料覆蓋構件30的鉛(Pb)的特性X射線的Mai線的圖像、表示構成薄膜軟釬料覆蓋構件30的鉍(Bi)的特性X射線的Mai線的圖像、表示構成薄膜軟釬料覆蓋構件30的銦(In)的特性X射線的Lai線的圖像及表示構成薄膜軟釬料覆蓋構件30的銀(Ag)的特性X射線的Lai線的圖像而成的。
[0159]在此，向Sn系合金添加了 Bi而成的軟釬料由以往以來具有極其寬范圍的熔點的軟釬料合金作成，所以，對于無熱氣體送風的情況與有熱氣體送風的情況這兩者說明Bi的富集。在此Bi的富集是指，軟釬料層7’冷凝時Bi在熔融液體部分集中而變濃的現象。是否存在Bi的富集例如以濃度10.0為基準進行驗證。以Bi的濃度超過10.0的情況判斷為存在富集、Bi的濃度小于10.0的情況判斷為不存在富集的情況為例。
[0160]根據圖12F所示的Pb的Mai線的照片圖及圖12G所示的Bi的Mai線的照片圖，獲得大致同等的元素映射圖像例(看出Bi的濃度與Pb的濃度正好相同程度被檢測出來)。但是，這是因為Pb與Bi的能量的峰值接近。因此，在圖13A及圖13B所示的點分析中，進行了 Bi濃度的驗證。
[0161]在圖13A所示的電子顯微鏡圖像例中，對存在于無熱氣體送風的情況的軟釬料層7’的3點(光譜1?光譜3)、該軟釬料層7’與條構件31之間的邊界部分的1點(光譜4)、條構件31的2點(光譜5、光譜6)的共計6點的位置的元素？6、&)、附38、111、511、？13、81的比例(總計=100，例如，百分率％ )進行了分析。
[0162]根據圖13B所示的圖表，在橫軸上記述有元素Fe、Co、N1、Ag、In、Sn、Pb、Bi，在縱軸上記述有光譜1?6。光譜1記述有Fe、Co、Ni及Ag分別=0.00，In = 2.90,Sn = 85.14、Pb = 11.96 及 Bi = 0.00，光譜 2 記述有 Fe、Co、Ni 及 Ag 分別=0.00、In = 2.83、Sn =2.47、Pb = 94.70 及 Bi = 0.00，光譜 3 記述有 Fe、Co、Ni 及 Ag 分別=0.00、In = 2.58、Sn = 2.64、Pb = 93.19 及 Bi = 0.00。
[0163]光譜4 記述有 Fe = 2.49、Co = 0.00、Ni = 18.12、Ag = 0.00、In = 2.06、Sn =30.91、Pb = 46.42 及 Bi = 0.00。光譜 5 記述有 Fe = 3.87、Co = 0.00、Ni = 96.13、Ag、In、Sn、Pb&Bi 分別=0.00，光譜 6 記述有 Fe = 52.96、Co = 17.16、Ni = 29.88、Ag、In、Sn、Pb 及 Bi 分別=0.00。
[0164]根據點分析的結果如元素映射圖像例所示那樣，該圖表示出在軟釬料層7’之中未發現有Bi富集。在像本發明那樣有熱氣體送風的情況下，也確認到在軟釬料層7’之中未發現有Bi富集。以下，記載有熱氣體送風的情況下的薄膜軟釬料覆蓋構件10的元素映射圖像例、其點分析表。
[0165]圖14A所示的電子顯微鏡圖像例是有熱氣體送風的情況且具有膜厚2μπι以下的軟釬料層7’的薄膜軟釬料覆蓋構件10的倍率5000倍的截面的照片圖。根據該照片圖，確認到了與無熱氣體送風的情況相比，表面處理的N1-Sn鍍向熔融軟釬料7 (#6064軟釬料)擴散。認為這是熔融軟釬料7通過熱氣體送風處理而暴露于高溫(300°C )，從而N1、Sn等的擴散發展了。
[0166]圖14B?圖141所示的各元素映射圖像是有熱氣體送風的情況且用各黑白的線畫描繪構成薄膜軟釬料覆蓋構件10的Fe的Kal線的圖像、構成薄膜軟釬料覆蓋構件10的Co的Kal線的圖像、構成薄膜軟釬料覆蓋構件10的Ni的Kal線的圖像、構成薄膜軟釬料覆蓋構件10的Sn的Lal線的圖像、構成薄膜軟釬料覆蓋構件10的Pb的Mal線的圖像、構成薄膜軟釬料覆蓋構件10的Bi的Mal線的圖像、構成薄膜軟釬料覆蓋構件10的In的Lal線的圖像及構成薄膜軟釬料覆蓋構件10的Ag的Lal線的圖像而成的。
[0167]在此也根據圖14F所示的Pb的Mal線的照片圖及圖14G所示的Bi的Mal線的照片圖，獲得大致同等的元素映射圖像例。但是，這也是因為Pb與Bi的能量的峰值接近。因此，在圖15A及圖15B所示的點分析中，進行了 Bi濃度的驗證。
[0168]在圖15A所示的電子顯微鏡圖像例中，對存在于有熱氣體送風的情況的軟釬料層V的4點(光譜2?光譜5)的位置的元素Ag、In、Sn、Pb、Bi的比例(總計=100，例如，百分率％ )進行了分析。
[0169]根據圖15B所示的圖表，橫軸記述有元素Ag、In、Sn、Pb、Bi，縱軸記述有光譜2?5。光譜 2 記述 Ag = 0.00、In = 2.74、Sn = 4.24、Pb = 93.02 及 Bi = 0.00,光譜 3 記述有 Ag = 0.00、In = 2.64、Sn = 3.50、Pb = 87.58 及 Bi = 3.90。
[0170]光譜4 記述有 Ag = 0.00、In = 2.40,Sn = 3.48,Pb = 94.12 及 Bi = 0.00，光譜5 記述有 Ag = 0.00、In = 2.59、Sn = 5.14、Pb = 92.27、Bi = 0.00。根據上述點分析的結果，確認到在如本發明那樣有熱氣體送風的情況下，也在軟釬料層7’之中未發現有Bi富集。
[0171]這樣采用作為實施方式的熔融軟釬料薄膜覆蓋裝置100，具有用于向自軟釬料槽17抬起的條構件31吹送例如與五元系軟釬料組成(Pb-0.5Ag-3B1-2In-4Sn)相對應的溫度值Tl = 300°C及流量值Ql = 60NL/min的N2氣體的吹送部19。
[0172]利用該結構，能夠自與五元系軟釬料組成相對應的條構件31削落多余的熔融軟釬料7，因此，能夠將向條構件31覆蓋的熔融軟釬料7的膜厚控制為均勻且為厚2 μ m以下。由此，與以往方式相比能夠實現膜厚極薄的薄膜軟釬料鍍。并且，能夠實現生產節拍時間的縮短及生產總成本的降低。能夠不依賴于電鍍、非電解鍍等地在短時間內在母材上進行薄至數微米單位的熔融軟釬料鍍。
[0173]此外，采用作為實施方式的薄膜軟釬料覆蓋構件10及其制造方法，向剛自收容有熔融軟釬料7的軟釬料槽17抬起之后的條構件31吹送與熔融軟釬料7 (#6064軟釬料)的組成相對應的熔融溫度以上的溫度值T1 = 300°C及預定的流量值Q1 = 60NL/min的N2氣體而自該條構件31削落熔融軟釬料7，從而控制被覆蓋于薄膜軟釬料覆蓋構件10的熔融軟釬料7的膜厚。
[0174]根據該結構，與以往方式相比能夠制造具有涂敷面的穩定性及平坦性優異的膜厚較薄的軟釬料層7’的薄膜軟釬料覆蓋構件10。由此，能夠再現性良好地制造移動電話機、游戲機等的電子電路的屏蔽殼體用的材料。
[0175]另外，對于熔融軟釬料7說明了 #6064軟釬料的情況，但是，并不限于此，當然，在五元系的Pb-lAg-8B1-lIn-4Sn、熔融溫度250°C?297°C的#6038軟釬料(千住金屬工業株式會社制造)、二元系的Sn-5Sb，熔融溫度240°C?243°C的M10軟釬料(千住金屬工業株式會社制造)、三元系的Sn-3Ag-0.5Cu、熔融溫度217V?220°C的M705軟釬料(千住金屬工業株式會社制造)等中，也能夠應用本發明。
[0176]此外，也可以在氣體噴嘴91、92的配置位置與腔室16的上部位置之間設有料斗、排出口等那樣的構造物，用該料斗等回收被削落的熔融軟釬料7的飛沫成分(飛沫物)，用自該構造物延伸的軟釬料輸送路徑積極地將該飛沫物引導至軟釬料槽17 (送回)。通過預先將構造物維持在充分的溫度來抑制飛沫物的凝固。
[0177]而且，N2氣體等的熱風不僅具有削落熔融軟釬料7的效果，還具有氣簾的效果。利用氣簾功能的作用能夠防止被熱風削落的飛沫物飛散至比氣體噴嘴91、92靠上部的位置的情況。
[0178]另外，作為軟釬料槽，也可以使用以下形式的軟釬料槽:該軟釬料槽設有噴流用的噴嘴，而利用該噴嘴噴流熔融軟釬料。在該情況下，具有抑制在軟釬料表面形成的軟釬料氧化物、所謂的浮渣產生的效果。另外，對于熔融軟釬料噴流熱風，也可以替代非活性氣體，而使用通常的空氣。在該情況下，即使飛沫物(氧化物)落下至軟釬料槽17，氧化物漂浮在軟釬料槽17的熔融軟釬料7的表面，而不會與熔融軟釬料7混雜，即使在氧化物附著于主體部101的情況下，也能夠用氣體噴嘴91、92容易地使其落下。
[0179]產業h的可利用件
[0180]本發明特別優選應用于利用熱氣體送風削落多余的熔融軟釬料來對母材實施薄膜軟釬料鍍、從而制造薄膜軟釬料覆蓋構件的系統。
[0181]附圖標記說明
[0182]#1、薄膜軟釬料覆蓋構件制造系統；1、條構件(母材)；7、熔融軟釬料；7’、軟釬料層；10、薄膜軟釬料覆蓋構件；11、清洗槽；12、干燥部；13、第1輸送部；14、縱長構件；15、預加熱部；16、腔室；17、軟釬料槽；19、吹送部；20、冷卻部；21、第1風機；22、第2風機；23、第2輸送部；41、44、45?48、輸送輥；42、43、突起部；65、軸承構件；71、噴流噴嘴；90、熱氣體調整部；91、92、氣體噴嘴；93、94、導管；95、96、加熱器；97、98、流量調整閥；100、熔融軟釬料薄膜覆蓋裝置。
【權利要求】
1.一種熔融軟釬料薄膜覆蓋裝置，其利用加熱至預定的溫度的熔融軟釬料覆蓋了母材之后，對該母材進行冷卻，從而制造薄膜軟釬料覆蓋構件，其中， 該熔融軟釬料薄膜覆蓋裝置包括: 軟釬料槽，其收容有上述熔融軟釬料、用于浸潰上述母材； 輸送部，其自上述軟釬料槽抬起上述母材；以及 吹送部，其向利用上述輸送部剛自上述軟釬料槽抬起之后的上述母材吹送與上述熔融軟釬料的組成相對應的熔融溫度以上的溫度及預定的流量的熱氣體。
2.根據權利要求1所述的熔融軟釬料薄膜覆蓋裝置，其中， 該熔融軟釬料薄膜覆蓋裝置還包括:控制部，其在上述吹送部設定與上述熔融軟釬料的組成相對應的上述熱氣體的溫度及流量并自上述母材削落熔融軟釬料，從而控制被覆蓋于該母材的上述熔融軟釬料的膜厚。
3.根據權利要求2所述的熔融軟釬料薄膜覆蓋裝置，其中， 該熔融軟釬料薄膜覆蓋裝置還包括:冷卻部，其對利用上述控制部控制了膜厚的上述母材進行冷卻。
4.根據權利要求1所述的熔融軟釬料薄膜覆蓋裝置，其中， 上述熱氣體使用非活性氣體。
5.根據權利要求1所述的熔融軟釬料薄膜覆蓋裝置，其中， 上述熔融軟釬料槽之上成為非活性氣氛。
6.一種薄膜軟釬料覆蓋構件，其中， 該薄膜軟釬料覆蓋構件包括: 母材；以及 覆蓋層，其用于覆蓋上述母材； 上述覆蓋層以如下方式形成:將上述母材浸潰于收容有加熱至預定的溫度的熔融軟釬料的軟釬料槽內，將浸潰于上述軟釬料槽內的上述母材自該軟釬料槽抬起，向剛抬起之后的上述母材吹送與上述熔融軟釬料的組成相對應的熔融溫度以上的溫度及預定的流量的熱氣體而自該母材削落熔融軟釬料，從而控制被覆蓋于上述母材的熔融軟釬料的膜厚。
7.一種薄膜軟釬料覆蓋構件的制造方法，在該薄膜軟釬料覆蓋構件的制造方法中，利用加熱至預定的溫度的熔融軟釬料覆蓋母材，其后，對該母材進行冷卻，從而制造薄膜軟釬料覆蓋構件，其中， 該薄膜軟釬料覆蓋構件的制造方法包括如下工序: 浸潰工序，在該浸潰工序中，將母材浸潰于收容有上述熔融軟釬料的軟釬料槽內； 抬起工序，在該抬起工序中，自該軟釬料槽抬起被浸潰于上述軟釬料槽內的上述母材；以及 控制工序，在該控制工序中，向剛抬起之后的上述母材吹送預定的溫度及預定的流量的熱氣體而自該母材削落熔融軟釬料，從而控制被覆蓋于上述薄膜軟釬料覆蓋構件的熔融軟釬料的膜厚。
【文檔編號】C23C2/08GK104395029SQ201380030927
【公開日】2015年3月4日 申請日期:2013年6月10日 優先權日:2012年6月11日
【發明者】佐藤勇, 渡邊光司, 菊池康太, 鈴木道雄, 龜田直人, 中村秀樹 申請人:千住金屬工業株式會社