一種PECVD鍍膜裝置的制作方法

本實用新型涉及鍍膜裝置技術領域，尤其涉及一種PECVD鍍膜裝置。

背景技術：

在晶體硅太陽能電池的生產過程中，需要在電池表面制作能夠減少光在硅片表面反射率的減反射膜，可以顯著提高晶體硅太陽能電池的轉化效率。目前的晶體硅太陽能電池生產中制作減反射膜的設備一般采用管式PECVD鍍膜設備，在制作減反射膜的過程中，工藝氣體均采用沉積腔一端進氣，另一端抽氣的輸送方式。這樣，當工藝氣體由進氣端運動到抽氣端時，成分發生變化，濃度也隨之下降，影響沉積效果。主要表現為：一、薄膜的厚度均勻性差；二、薄膜的折射率會隨氣流的方向呈遞減趨勢。這樣在一定程度上增加了電池不良品的產生幾率，同時增大了太陽電池的短路電流、開路電壓和電池效率的分布區間。目前，其改善方案是提供足夠多的反應氣體以保證薄膜的性能，這樣勢必造成了氣體的浪費。

技術實現要素：

本實用新型的目的是為了解決現有技術中存在鍍膜不均勻的缺點，而提出的一種PECVD鍍膜裝置。

為了實現上述目的，本實用新型采用了如下技術方案：

設計一種PECVD鍍膜裝置，包括鍍膜室，鍍膜室頂部連接送氣裝置，鍍膜室連接真空裝置，鍍膜室內設有射頻電極，射頻電極電連接有電源系統和石墨舟，所述鍍膜室頂部送氣裝置的進氣口的兩邊均設有滑軌，所述滑軌內卡裝有出氣板，所述出氣板為一面開口的長方體，所述出氣板開口的兩邊向外翻折形成勾邊，所述勾邊卡在滑軌內，所述出氣板底部兩端和中部均設有出氣孔，所述鍍膜室頂部設有電機，所述電機通過減速齒輪組和曲柄滑塊機構與出氣板側面連接。

優選的，所述減速齒輪組包括設在電機端部的傳動齒輪和通過軸承安裝在鍍膜室上的轉軸，所述轉軸端部固定有驅動齒輪，所述驅動齒輪與傳動齒輪嚙合。

優選的，所述曲柄滑塊機構包括固定在轉軸另一端的第二連桿，所述第二連桿鉸接有第一連桿，所述第一連桿鉸接有推桿，所述推桿固定在出氣板側面。

優選的，所述真空裝置包括真空泵，所述真空泵通過管道與鍍膜室內部連通，所述真空泵通過管道連接有尾氣焚燒裝置。

優選的，所述鍍膜室側面開設有活動門，所述活動門上設有門鎖。

優選的，所述電源系統可以是1000W可調射頻電源。

本實用新型提出的一種PECVD鍍膜裝置，有益效果在于：設有三個出氣孔，且設有驅動出氣孔位置來回移動的裝置，這樣鍍膜氣體在鍍膜室內的分布更加均勻，使硅片鍍膜的質量得到保證，且無需增加氣體供應量節約了成本。

附圖說明

圖1為本實用新型提出的一種PECVD鍍膜裝置的結構示意圖；

圖2為本實用新型提出的一種PECVD鍍膜裝置的出氣板的結構示意圖；

圖3為本實用新型提出的一種PECVD鍍膜裝置的電機處的結構示意圖；

圖4為本實用新型提出的一種PECVD鍍膜裝置的曲柄滑塊機構的結構示意圖。

圖中：出氣板1、出氣孔2、送氣裝置3、電機4、電源系統5、射頻電極6、石墨舟7、加熱器8、真空泵9、尾氣焚燒裝置10、活動門11、鍍膜室12、轉軸13、滑軌14、傳動齒輪15、驅動齒輪16、推桿17、第一連桿18、第二連桿19。

具體實施方式

下面將結合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例。

參照圖1-4，一種PECVD鍍膜裝置，包括鍍膜室12，鍍膜室12頂部連接送氣裝置3，鍍膜室12連接真空裝置，鍍膜室12內設有射頻電極6，射頻電極6電連接有電源系統5和石墨舟7，電源系統5可以是1000W可調射頻電源，硅片放置在石墨舟7內部，通過射頻電極6放電將材料氣體電離后在硅片表面形成鍍膜。

鍍膜室12頂部送氣裝置3的進氣口的兩邊均設有滑軌14，滑軌14內卡裝有出氣板1，出氣板1為一面開口的長方體，出氣板1開口的兩邊向外翻折形成勾邊，勾邊卡在滑軌14內，出氣板1底部兩端和中部均設有出氣孔2，鍍膜室12頂部設有電機4，電機4通過減速齒輪組和曲柄滑塊機構與出氣板1側面連接。出氣板1來回運動，控制氣體均勻擴散到整個鍍膜室12內。

減速齒輪組包括設在電機4端部的傳動齒輪15和通過軸承安裝在鍍膜室12上的轉軸13，轉軸13端部固定有驅動齒輪16，驅動齒輪16與傳動齒輪15嚙合。電機4提供驅動力，傳動齒輪15和驅動齒輪16將轉速降低。

曲柄滑塊機構包括固定在轉軸13另一端的第二連桿19，第二連桿19鉸接有第一連桿18，第一連桿18鉸接有推桿17，推桿17固定在出氣板1側面。曲柄滑塊機構驅動出氣板1沿滑軌14來回運動。

真空裝置包括真空泵9，真空泵9通過管道與鍍膜室12內部連通，真空泵9通過管道連接有尾氣焚燒裝置10。鍍膜尾氣中的有害氣體經過焚燒處理，更加環保。

鍍膜室12側面開設有活動門11，活動門11上設有門鎖。

工作流程：鍍膜時，硅片被放置在石墨舟7內部，送氣裝置3將材料氣體通過管道輸送到鍍膜時12內部，經出氣板均勻布氣后，經過石墨舟7內部與硅片接觸，再通過射頻電極6放電將材料氣體電離后在硅片表面形成鍍膜。

以上所述，僅為本實用新型較佳的具體實施方式，但本實用新型的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本技術領域的技術人員在本實用新型揭露的技術范圍內，根據本實用新型的技術方案及其實用新型構思加以等同替換或改變，都應涵蓋在本實用新型的保護范圍之內。