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用于氮化物外延生長的疊層基板及其形成方法與流程

文檔序號：12646725閱讀：來源：國知局

導航： X技術> 最新專利>無機化學及其化合物制造及其合成,應用技術>用于氮化物外延生長的疊層基板及其形成方法與流程

技術總結
一種用于氮化物外延生長的疊層基板及其形成方法，所述疊層基板包括：至少一組堆疊結構，所述堆疊結構包括氮化鉿層和氮化鋁層，所述氮化鉿層和氮化鋁層相互堆疊；所述疊層基板具有六方晶體結構。所述疊層基板適于作為高溫生長氮化物外延層的基底，形成高質量的氮化物外延層。

技術研發人員：閆發旺;張峰;趙倍吉;謝杰
受保護的技術使用者：上海新傲科技股份有限公司
文檔號碼：201710122936
技術研發日：2017.03.03
技術公布日：2017.06.13

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