外延片中P型層的生長方法與流程

本發明涉及發光二極管制造技術，尤其涉及一種外延片中P型層的生長方法。

背景技術：

發光二極管(Light Emitting Diode，簡稱：LED)是一種能將電能轉化為光能的半導體電子元件，鑒于LED具有體積小、功率低、使用壽命長、高亮度、低熱量、環保、堅固耐用等優點，LED在照明領域越來越普及，已經逐漸取代了代白熾燈和熒光燈。

現有的LED主要由用于發光的外延片，支架，銀膠，金線，環氧樹脂等五種物料組成。上述外延片包括襯底，以及，依次生長在襯底上的緩沖層、非摻雜氮化鎵層、N型層、量子阱層、以及P型層等。其中，外延片的N型層摻有用于產生電子的硅Si，P型層摻有用于產生空穴的鎂Mg。因此，發光二極管在通電時，外延片可以通過N型層產生的電子與P型層產生的空穴在量子阱層的復合，輻射出可見光，實現發光二級管的發光。

但是，現有的發光二極管的發光效率較低，無法滿足實際使用時的需求。

技術實現要素：

本發明提供一種外延片中P型層的生長方法，用以解決現有技術中的發光二極管的發光效率較低的技術問題。

為達到上述目的，本發明的實施例采用如下技術方案：

本發明第一方面提供一種外延片中P型層的生長方法，所述外延片包括：緩沖層、非摻雜氮化鎵層、N型層、量子阱層、以及P型層，所述方法包括：

獲取所述P型層當前生長階段的生長厚度；

在所述生長厚度達到預設厚度時，按照預設降溫速率，將生長溫度降至預設溫度，并將所述生長溫度在所述預設溫度維持預設時間段。

如上所述，在所述當前生長階段非最后生長階段時，所述方法還包括：

按照預設升溫速率，將所述生長溫度從所述預設溫度提高至預設生長溫度；

在所述預設生長溫度下，開始所述P型層的下一生長階段。

如上所述，所述預設降溫速率大于所述預設升溫速率。

如上所述，所述預設厚度包括下述任一項：15納米、20納米、25納米。

如上所述，所述預設溫度的范圍大于或等于600攝氏度、且小于或等于900攝氏度。

如上所述，所述預設降溫速率的范圍大于或等于50攝氏度/分鐘、且小于或等于125攝氏度/分鐘。

如上所述，所述預設生長溫度的范圍大于或等于950攝氏度、且小于或等于1000攝氏度。

如上所述，所述預設升溫速率的范圍大于或等于50攝氏度/分鐘、且小于或等于100攝氏度/分鐘。

如上所述，所述在所述生長厚度達到預設厚度時，按照預設降溫速率，將生長溫度降至預設溫度，包括：

在所述生長厚度達到預設厚度時，按照預設降溫速率，采用氮氣將生長溫度降至預設溫度。

本發明提供的外延片中P型層的生長方法，可以在外延片中P型層的每個生長階段的生長厚度達到該生長階段的預設厚度時，按照當前生長階段的預設降溫速率，將當前生長階段的生長溫度降至當前生長階段的預設溫度，并將該當前生長階段的生長溫度在該預設溫度維持預設時間段，以通過一定時間的退火，斷開當前生長階段的P型層中的Mg-H鍵，提高了當前生長階段所生長的P型層中的Mg的活化率，進而提高了P型層中空穴的遷移率，即增加了與N型層產生的電子進行復合的空穴的數量，使得電子與空穴復合輻射出的可見光增多，進而提高了發光二極管的發光效率。

附圖說明

為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發明提供的外延片中P型層的生長方法實施例一的流程示意圖；

圖2為本發明提供的外延片中P型層的生長方法實施例二的流程示意圖；

圖3為本發明提供的P型層的生長曲線示意圖一；

圖4為本發明提供的P型層的生長曲線示意圖二；

圖5為本發明提供的P型層的生長曲線示意圖三。

具體實施方式

下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有作出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發明保護的范圍。

目前，發光二極管的外延片通過在P型層摻入用于產生空穴的Mg，使得P型層所產生的空穴可以與N型層產生的電子在量子阱層復合，輻射出可見光，實現發光二級管的發光。但是，在生產外延片的過程中，P型層的Mg會與氫原子H結合，形成Mg-H鍵。由于Mg與H均為原子，所以Mg與H形成的Mg-H鍵很難被打斷，使得P型層中的Mg的活化率較低，進而使得P型層的空穴的遷移率較低，導致與N型層產生的電子進行復合的空穴較少，致使電子與空穴復合輻射出的可見光較小，發光二極管的發光效率較低。

本發明提供的外延片中P型層的生長方法，旨在解決現有技術中發光二極管的發光效率較低的問題。

下面以具體地實施例對本發明的技術方案進行詳細說明。下面這幾個具體的實施例可以相互結合，對于相同或相似的概念或過程可能在某些實施例不再贅述。

圖1為本發明提供的外延片中P型層的生長方法實施例一的流程示意圖。本實施例的執行主體可以為外延片生長設備，本實施例涉及的是外延片生長設備在外延片的P型層當前生長階段的生長厚度達到預設厚度時，按照預設降溫速率，將生長溫度降至預設溫度，并將生長溫度在預設溫度維持預設時間段，以斷開當前生長階段的P型層的Mg-H鍵的具體過程。本實施例的方法適用于正在生長P型層的外延片。如圖1所示，該方法可以包括：

S101、獲取P型層當前生長階段的生長厚度。

具體的，本實施例所涉及的外延片包括：依次生長在襯底上的緩沖層、非摻雜氮化鎵層、N型層、量子阱層、以及P型層。其中，上述襯底可以為藍寶石襯底、氮化硅襯底、硅襯底等。上述緩沖層、N型層、量子阱層、P型層可以由氮化鎵形成。在本實施例中，上述外延片的P型層的生長過程包括多個生長階段，其中，該生長階段的具體數量可以根據用戶的需求設定，例如：生長階段的具體數量可以大于等于2、小于等于50等。

在將襯底放入外延片生長設備中生產外延片時，外延片生長設備在襯底上依次生長完外延片的緩沖層、非摻雜氮化鎵層、N型層、量子阱層，進入生長P型層時，可以在P型層的每個生長階段，獲取P型層當前生長階段的生長厚度。其中，上述外延片生長設備如何獲取P型層當前生長階段的生長厚度，具體可以參見現有技術。例如，外延片生長設備可以根據當前生長階段的生長參數(生長溫度、生長波長、生長時長等)，計算P型層當前生長階段的生長厚度等，本發明對此不再贅述。

S102、在生長厚度達到預設厚度時，按照預設降溫速率，將生長溫度降至預設溫度，并將生長溫度在預設溫度維持預設時間段。

具體的，外延片生長設備在獲取到P型層當前生長階段的生長厚度之后，可以根據將該當前生長階段的生長厚度，與當前生長階段的預設厚度進行比較，以判斷該當前生長階段的生長厚度是否達到當前生長階段的預設厚度。在確定P型層當前生長階段的生長厚度達到當前生長階段的預設厚度時，外延片生長設備可以按照當前生長階段對應的預設降溫速率，將當前的生長溫度降至當前生長階段對應的預設溫度，并在將至該預設溫度后，將該生長溫度在該預設溫度維持當前生長階段對應的預設時間段，以進行一段時間的退火處理。通過這種退火(即降低生長溫度)的方式，可以斷開當前生長階段所生長的P型層中的Mg-H鍵，提高了當前生長階段所生長的P型層中的Mg的活化率，進而提高了P型層中空穴的遷移率，即增加了與N型層產生的電子進行復合的空穴的數量，使得電子與空穴復合輻射出的可見光增多，進而提高了發光二極管的發光效率。

其中，本實施例不限定上述外延片生長設備將生長溫度降至預設溫度，并將生長溫度在預設溫度維持預設時間段的具體實現方式，例如：上述外延片生長設備可以通過降低外延片生長設備的加熱溫度的方式，將生長溫度降至預設溫度，并將生長溫度在預設溫度維持預設時間段；還可以通過能夠降低溫度的氣體，將生長溫度降至預設溫度，并將生長溫度在預設溫度維持預設時間段，這里所說的氣體例如可以為氮氣等。

上述預設厚度例如可以為：15納米、20納米、25納米等。在本實施例中，上述P型層的每個生長階段的預設厚度可以相同，也可以不同，具體可以根據用戶的需求設定。上述預設降溫速率的范圍可以大于或等于50℃/min、且小于或等于125℃/min，具體實現時，上述P型層的每個生長階段的預設降溫速率可以相同，也可以不同。上述預設溫度的范圍可以大于或等于600℃、且小于或等于900℃，具體實現時，上述P型層的每個生長階段的預設溫度可以相同，也可以不同。上述預設時間段的范圍可以大于或等于2min，小于等于10min，具體實現時，上述P型層的每個生長階段的預設時間段可以相同，也可以不同。

通過將P型層的生長過程分成多個生長階段，并在每個生長階段對生長厚度達到預設厚度的P型層都采用上述步驟進行退火處理，以斷開每個生長階段所生長的P型層中的Mg-H鍵，即邊生長邊打斷Mg-H鍵，使得每個生長階段所生長的P型層中的Mg的活化率得到提高，進而提高了每個生長階段所生長的P型層中空穴的遷移率，從而提高了P型層中空穴的遷移率，使得與電子復合的空穴數量增加，進而使得電子與空穴復合輻射出的可見光增多，進而提高了發光二極管的發光效率。

本發明提供的外延片中P型層的生長方法，可以在外延片中P型層的每個生長階段的生長厚度達到該生長階段的預設厚度時，按照當前生長階段的預設降溫速率，將當前生長階段的生長溫度降至當前生長階段的預設溫度，并將該當前生長階段的生長溫度在該預設溫度維持預設時間段，以通過一定時間的退火，斷開當前生長階段的P型層中的Mg-H鍵，提高了當前生長階段所生長的P型層中的Mg的活化率，進而提高了P型層中空穴的遷移率，即增加了與N型層產生的電子進行復合的空穴的數量，使得電子與空穴復合輻射出的可見光增多，進而提高了發光二極管的發光效率。

圖2為本發明提供的外延片中P型層的生長方法實施例二的流程示意圖。如圖2所示，進一步地，在上述實施例的基礎上，若上述P型層的當前生長階段非最后生長階段，則上述方法還可以包括：

S201、按照預設升溫速率，將生長溫度從預設溫度提高至預設生長溫度。

具體的，在上述P型層的每個生長階段，若該生長階段并非P型層的最后一個生長階段，則外延片生長設備在對該生長階段的P型層進行退火處理后，即按照當前生長階段對應的預設降溫速率，將當前生長階段的生長溫度降至當前生長階段對應的預設溫度，并將生長溫度在該預設溫度維持當前生長階段對應的預設時間段后，就可以按照預設升溫速率，將生長溫度從當前生長階段對應的預設溫度提高至下一生長階段對應的預設生長溫度。即將生長溫度從當前生長階段對應的預設溫度提高至下一生長階段對應的生長P型層的溫度，以進入P型層的下一生長階段。

其中，上述預設生長溫度的范圍可以大于或等于950℃、且小于或等于1000℃，具體實現時，上述P型層的每個生長階段的預設溫度可以相同，也可以不同。上述預設升溫速率的范圍可以大于或等于50℃/min、且小于或等于100℃/min，具體實現時，上述P型層的每個生長階段的預設溫度可以相同，也可以不同。在本實施例中，上述預設升溫速率小于預設降溫速率，還可以等于預設降溫速率，還可以大于預設降溫速率，具體可以根據用戶的需求設定。

S202、在預設生長溫度下，開始P型層的下一生長階段。

具體的，外延片生長設備在將生長溫度從預設溫度提高至下一生長階段對應的預設生長溫度后，就可以在該預設生長溫度下，開始P型層的下一生長階段，即繼續生長P型層。這樣，外延片生長設備在該生長階段的P型層的生長厚度達到該生長階段對應的預設厚度時，可以再通過上述降低生長溫度的方式，對該生長階段的P型層進行退火處理，以斷開該生長階段的P型層中的Mg-H鍵，提高該生長階段所生長的P型層中的Mg的活化率。以此循環，直至生長完P型層的最后一個生長階段。

本發明提供的外延片中P型層的生長方法，在對當前生長階段的P型層進行退火處理后，可以將生長溫度提高至下一生長階段的預設生長溫度，以開始P型層的下一生長階段，并在P型層的下一生長階段的生長厚度達到該生長階段的預設厚度時，對該生長階段的P型層進行退火處理，以斷開該生長階段的P型層中的Mg-H鍵，提高該生長階段所生長的P型層中的Mg的活化率，進而提高該生長階段所生長的P型層中空穴的遷移率，即增加了與N型層產生的電子進行復合的空穴的數量。以此循環，可以提高每個生長階段所生長的P型層中空穴的遷移率，使得P型層中可以與N型層所產生的電子復合的空穴增度，進而使得電子與空穴復合輻射出的可見光增多，進而提高了發光二極管的發光效率。

下面以P型層總的生長厚度為60納米為例，通過幾個示例對本發明提供的外延片中P型層的生長方法進行詳細的介紹。

示例1：在本示例中，P型層采用三段式恒溫退火的生長方法，即P型層的生長過程包括3個生長階段，分別為生長階段P1、生長階段P2和生長階段P3。每個生長階段的預設厚度均為20納米，每個生長階段對應的預設降溫速率均為125℃/min，每個生長階段對應的預設溫度為700℃，生長階段P2和3對應的預設升溫速率均為62.4℃/min，每個生長階段對應的預設生長溫度均為950℃。其中，生長階段P1對應的預設時間段t1為2min，生長階段P2對應的預設時間段t2為3min，生長階段P3對應的預設時間段t3為4min。在本示例中，每個生長階段采用氮氣進行退火處理。

圖3為本發明提供的P型層的生長曲線示意圖一。如圖3所示，在將襯底放入外延片生長設備中生產外延片時，外延片生長設備在襯底上依次生長完外延片的緩沖層、非摻雜氮化鎵層、N型層、量子阱層，進入生長P型層時，外延片生長設備可以將生長溫度提高至950℃(即生長階段P1對應的預設生長溫度)后，開始P型層的生長階段P1。

P型層在生長階段P1的生長厚度達到20納米(即生長階段P1對應的預設厚度)時，外延片生長設備按照125℃/min(即生長階段P1對應的預設降溫速率)，通過氮氣將生長溫度從950℃降至700℃(即生長階段P1對應的預設溫度)，并通過氮氣將生長溫度在700℃(即生長階段P1對應的預設溫度)維持2min(即生長階段P1對應的預設時間段t1)，以對生長階段P1所生長的P型層進行一段時間的退火處理。

外延片生長設備在完成生長階段P1的P型層的退火處理后，按照62.4℃/min(即生長階段P2對應的預設升溫速率)，將生長溫度從700℃(即生長階段P1對應的預設溫度)提高至950℃(即生長階段P2對應的預設生長溫度)，以開始P型層的下一生長階段，即生長階段P2。

P型層在生長階段P2的生長厚度達到20納米(即生長階段P2對應的預設厚度)時，外延片生長設備按照125℃/min(即生長階段P2對應的預設降溫速率)，通過氮氣將生長溫度從950℃降至700℃(即生長階段P2對應的預設溫度)，并通過氮氣將生長溫度在700℃(即生長階段P2對應的預設溫度)維持3min(即生長階段P2對應的預設時間段t2)，以對生長階段P2所生長的P型層進行一段時間的退火處理。

外延片生長設備在完成生長階段P2的P型層的退火處理后，按照62.4℃/min(即生長階段P3對應的預設升溫速率)，將生長溫度從700℃(即生長階段P2對應的預設溫度)提高至950℃(即生長階段P3對應的預設生長溫度)，以開始P型層的下一生長階段，即生長階段P3。

P型層在生長階段P3的生長厚度達到20納米(即生長階段P3對應的預設厚度)時，外延片生長設備按照125℃/min(即生長階段P3對應的預設降溫速率)，通過氮氣將生長溫度從950℃降至700℃(即生長階段P3對應的預設溫度)，并通過氮氣將生長溫度在700℃(即生長階段P3對應的預設溫度)維持4min(即生長階段P3對應的預設時間段t3)，以對生長階段P3所生長的P型層進行一段時間的退火處理。

至此就完成了P型層的退火處理。通過這種方式，可以在P型層的每個生長階段，斷開當前生長階段的P型層中的Mg-H鍵，提高了當前生長階段所生長的P型層中的Mg的活化率，進而提高了P型層中空穴的遷移率，即增加了與N型層產生的電子進行復合的空穴的數量，使得電子與空穴復合輻射出的可見光增多，進而提高了發光二極管的發光效率。

示例2：在本示例中，P型層采用三段式變溫退火的生長方法，即P型層的生長過程包括3個生長階段，分別為生長階段P1、生長階段P2和生長階段P3。每個生長階段的預設厚度均為20納米，每個生長階段對應的預設降溫速率均為125℃/min，生長階段P2和3對應的預設升溫速率均為62.4℃/min，每個生長階段對應的預設生長溫度均為950℃。其中，生長階段P1對應的預設時間段t1為2min、預設溫度為750℃，生長階段P2對應的預設時間段t2為3min、預設溫度為700℃，生長階段P3對應的預設時間段t3為4min、預設溫度為650℃。在本示例中，每個生長階段采用氮氣進行退火處理。

圖4為本發明提供的P型層的生長曲線示意圖二。如圖4所示，在將襯底放入外延片生長設備中生產外延片時，外延片生長設備在襯底上依次生長完外延片的緩沖層、非摻雜氮化鎵層、N型層、量子阱層，進入生長P型層時，外延片生長設備可以將生長溫度提高至950℃(即生長階段P1對應的預設生長溫度)后，開始P型層的生長階段P1。

P型層在生長階段P1的生長厚度達到20納米(即生長階段P1對應的預設厚度)時，外延片生長設備按照125℃/min(即生長階段P1對應的預設降溫速率)，通過氮氣將生長溫度從950℃降至750℃(即生長階段P1對應的預設溫度)，并通過氮氣將生長溫度在750℃(即生長階段P1對應的預設溫度)維持2min(即生長階段P1對應的預設時間段t1)，以對生長階段P1所生長的P型層進行一段時間的退火處理。

外延片生長設備在完成生長階段P1的P型層的退火處理后，按照62.4℃/min(即生長階段P2對應的預設升溫速率)，將生長溫度從750℃(即生長階段P1對應的預設溫度)提高至950℃(即生長階段P2對應的預設生長溫度)，以開始P型層的下一生長階段，即生長階段P2。

P型層在生長階段P2的生長厚度達到20納米(即生長階段P2對應的預設厚度)時，外延片生長設備按照125℃/min(即生長階段P2對應的預設降溫速率)，通過氮氣將生長溫度從950℃降至700℃(即生長階段P2對應的預設溫度)，并通過氮氣將生長溫度在700℃(即生長階段P2對應的預設溫度)維持3min(即生長階段P2對應的預設時間段t2)，以對生長階段P2所生長的P型層進行一段時間的退火處理。

外延片生長設備在完成生長階段P2的P型層的退火處理后，按照62.4℃/min(即生長階段P3對應的預設升溫速率)，將生長溫度從700℃(即生長階段P2對應的預設溫度)提高至950℃(即生長階段P3對應的預設生長溫度)，以開始P型層的下一生長階段，即生長階段P3。

P型層在生長階段P3的生長厚度達到20納米(即生長階段P3對應的預設厚度)時，外延片生長設備按照125℃/min(即生長階段P3對應的預設降溫速率)，通過氮氣將生長溫度從950℃降至650℃(即生長階段P3對應的預設溫度)，并通過氮氣將生長溫度在650℃(即生長階段P3對應的預設溫度)維持4min(即生長階段P3對應的預設時間段t3)，以對生長階段P3所生長的P型層進行一段時間的退火處理。

至此就完成了P型層的退火處理。通過這種方式，可以在P型層的每個生長階段，斷開當前生長階段的P型層中的Mg-H鍵，提高了當前生長階段所生長的P型層中的Mg的活化率，進而提高了P型層中空穴的遷移率，即增加了與N型層產生的電子進行復合的空穴的數量，使得電子與空穴復合輻射出的可見光增多，進而提高了發光二極管的發光效率。

示例3：在本示例中，P型層采用三段式非等厚度退火的生長方法，即P型層的生長過程包括3個生長階段，分別為生長階段P1、生長階段P2和生長階段P3。每個生長階段對應的預設降溫速率均為125℃/min，每個生長階段對應的預設溫度為700℃，生長階段P2和3對應的預設升溫速率均為62.4℃/min，每個生長階段對應的預設生長溫度均為950℃。其中，生長階段P1對應的預設時間段t1為2min、預設厚度為15納米，生長階段P2對應的預設時間段t2為3min、預設厚度為20納米，生長階段P3對應的預設時間段t3為4min、預設厚度為25納米。在本示例中，每個生長階段采用氮氣進行退火處理。

圖5為本發明提供的P型層的生長曲線示意圖三。如圖5所示，在將襯底放入外延片生長設備中生產外延片時，外延片生長設備在襯底上依次生長完外延片的緩沖層、非摻雜氮化鎵層、N型層、量子阱層，進入生長P型層時，外延片生長設備可以將生長溫度提高至950℃(即生長階段P1對應的預設生長溫度)后，開始P型層的生長階段P1。

P型層在生長階段P1的生長厚度達到15納米(即生長階段P1對應的預設厚度)時，外延片生長設備按照125℃/min(即生長階段P1對應的預設降溫速率)，通過氮氣將生長溫度從950℃降至700℃(即生長階段P1對應的預設溫度)，并通過氮氣將生長溫度在700℃(即生長階段P1對應的預設溫度)維持2min(即生長階段P1對應的預設時間段t1)，以對生長階段P1所生長的P型層進行一段時間的退火處理。

外延片生長設備在完成生長階段P1的P型層的退火處理后，按照62.4℃/min(即生長階段P2對應的預設升溫速率)，將生長溫度從700℃(即生長階段P1對應的預設溫度)提高至950℃(即生長階段P2對應的預設生長溫度)，以開始P型層的下一生長階段，即生長階段P2。

P型層在生長階段P2的生長厚度達到20納米(即生長階段P2對應的預設厚度)時，外延片生長設備按照125℃/min(即生長階段P2對應的預設降溫速率)，通過氮氣將生長溫度從950℃降至700℃(即生長階段P2對應的預設溫度)，并通過氮氣將生長溫度在700℃(即生長階段P2對應的預設溫度)維持3min(即生長階段P2對應的預設時間段t2)，以對生長階段P2所生長的P型層進行一段時間的退火處理。

外延片生長設備在完成生長階段P2的P型層的退火處理后，按照62.4℃/min(即生長階段P3對應的預設升溫速率)，將生長溫度從700℃(即生長階段P2對應的預設溫度)提高至950℃(即生長階段P3對應的預設生長溫度)，以開始P型層的下一生長階段，即生長階段P3。

P型層在生長階段P3的生長厚度達到25納米(即生長階段P3對應的預設厚度)時，外延片生長設備按照125℃/min(即生長階段P3對應的預設降溫速率)，通過氮氣將生長溫度從950℃降至700℃(即生長階段P3對應的預設溫度)，并通過氮氣將生長溫度在700℃(即生長階段P3對應的預設溫度)維持4min(即生長階段P3對應的預設時間段t3)，以對生長階段P3所生長的P型層進行一段時間的退火處理。

至此就完成了P型層的退火處理。通過這種方式，可以在P型層的每個生長階段，斷開當前生長階段的P型層中的Mg-H鍵，提高了當前生長階段所生長的P型層中的Mg的活化率，進而提高了P型層中空穴的遷移率，即增加了與N型層產生的電子進行復合的空穴的數量，使得電子與空穴復合輻射出的可見光增多，進而提高了發光二極管的發光效率。

本發明提供的外延片中P型層的生長方法，可以在外延片中P型層的每個生長階段的生長厚度達到該生長階段的預設厚度時，按照當前生長階段的預設降溫速率，將當前生長階段的生長溫度降至當前生長階段的預設溫度，并將該當前生長階段的生長溫度在該預設溫度維持預設時間段，以通過一定時間的退火，斷開當前生長階段的P型層中的Mg-H鍵，提高了當前生長階段所生長的P型層中的Mg的活化率，進而提高了P型層中空穴的遷移率，即增加了與N型層產生的電子進行復合的空穴的數量，使得電子與空穴復合輻射出的可見光增多，進而提高了發光二極管的發光效率。

本領域普通技術人員可以理解：實現上述各方法實施例的全部或部分步驟可以通過程序指令相關的硬件來完成。前述的程序可以存儲于一計算機可讀取存儲介質中。該程序在執行時，執行包括上述各方法實施例的步驟；而前述的存儲介質包括：ROM、RAM、磁碟或者光盤等各種可以存儲程序代碼的介質。

最后應說明的是：以上各實施例僅用以說明本發明的技術方案，而非對其限制；盡管參照前述各實施例對本發明進行了詳細的說明，本領域的普通技術人員應當理解：其依然可以對前述各實施例所記載的技術方案進行修改，或者對其中部分或者全部技術特征進行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應技術方案的本質脫離本發明各實施例技術方案的范圍。