本發明具體涉及一種雙電源爐臺半熔工藝。
背景技術：
傳統多晶硅鑄錠爐加熱器分為頂部加熱器和側面加熱器，通過控制加熱器輸出功率使得坩堝內熔融的硅液在縱向溫度梯度的作用下定向凝固。由于頂部加熱器與側面加熱器由一套溫度控制系統控制功率輸出，使得生產效率較低且無功熱損失比較大。
技術實現要素：
發明目的：為了解決現有技術的不足，本發明提供了一種雙電源爐臺半熔工藝。
技術方案：一種雙電源爐臺半熔工藝，包括如下步驟：加熱階段——熔化階段——退火階段；
(1)所述加熱階段中：加大側面加熱器功率，側面加熱器輻射面積大，加熱效率提高；
(2)所述熔化階段中：熔化中后期減小側面加熱器功率，有助于形成一個接近水平形態的固液界面，使得長晶階段晶相能夠豎直生長，同時能起到確保邊部籽晶不全熔完的作用，晶錠效率提升；
(3)所述退火階段中：減小晶錠頭尾溫差，消除應力，雙電源爐臺在退火階段減小頂部加熱器功率，加大側面加熱器功率，能夠縮短退火時間，提升產能，節能減排。
作為優化：所述雙電源熱場為雙區加熱系統，頂部加熱器和側面加熱器分別通過單獨的控制回路控制功率輸出，采用兩個獨立的變壓器及溫控系統來控制加熱器功率。
有益效果：本發明中的雙電源熱場是對傳統的加熱器控制方式進行優化，提出雙區加熱系統，頂部加熱器和側面加熱器分別通過單獨的控制回路控制功率輸出，采用兩個獨立的變壓器及溫控系統來控制加熱器功率。
具體實施方式
下面將對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，以使本領域的技術人員能夠更好的理解本發明的優點和特征，從而對本發明的保護范圍做出更為清楚的界定。本發明所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例，基于本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動的前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發明保護的范圍。
實施例
一種雙電源爐臺半熔工藝，包括如下步驟：加熱階段——熔化階段——退火階段；
(1)所述加熱階段中：加大側面加熱器功率，側面加熱器輻射面積大，加熱效率提高；
(2)所述熔化階段中：熔化中后期減小側面加熱器功率，有助于形成一個接近水平形態的固液界面，使得長晶階段晶相能夠豎直生長，同時能起到確保邊部籽晶不全熔完的作用，晶錠效率提升；
(3)所述退火階段中：減小晶錠頭尾溫差，消除應力，雙電源爐臺在退火階段減小頂部加熱器功率，加大側面加熱器功率，能夠縮短退火時間，提升產能，節能減排。
所述雙電源熱場為雙區加熱系統，頂部加熱器和側面加熱器分別通過單獨的控制回路控制功率輸出，采用兩個獨立的變壓器及溫控系統來控制加熱器功率。
本發明中的雙電源熱場是對傳統的加熱器控制方式進行優化，提出雙區加熱系統，頂部加熱器和側面加熱器分別通過單獨的控制回路控制功率輸出，采用兩個獨立的變壓器及溫控系統來控制加熱器功率。