盛放石英坩堝用的碳碳坩堝的制作方法
【專利摘要】本實用新型涉及一種坩堝，特別是涉及一種盛放石英坩堝用的碳碳坩堝，包括石墨底座、碳碳坩堝和上蓋,碳碳坩堝放在底座上，上蓋與碳碳坩堝扣合，碳碳坩堝為左右兩瓣式結構，碳碳坩堝的下端為底口卡槽，底座包括底口和底托，底托上端有梯形凹槽，底口的下端嵌入底托的梯形凹槽中，底口上端嵌入底口卡槽，底口與碳碳坩堝組合成一體式坩堝形狀。本實用新型采用了碳碳材料的坩堝壁，節省了石墨的用量，兩瓣式結構可拆卸，方便石英坩堝的取出，且底座分成兩部分，減少了石墨底座的破壞范圍，底托破損幾率低，石墨利用率高，極大的節省了單晶硅生產的成本。
【專利說明】
盛放石英坩堝用的碳碳坩堝
技術領域
[0001]本實用新型涉及一種坩禍，特別是涉及一種盛放石英坩禍用法碳碳坩禍。
【背景技術】
[0002]單晶硅是半導體和太陽能電池的關鍵材料，石英坩禍的用途是拉硅單晶用的，目前盛放石英坩禍的一般用石墨坩禍，石墨坩禍具有良好的熱導性和耐高溫性，在高溫使用過程中，熱膨脹系數小，對急熱急冷具有一定的應變性，對酸堿性溶液的抗腐蝕性較強，具有優良的化學穩定性。但是石英坩禍在高溫狀態下會軟化，由于軟化石英坩禍在拆卸時會與石墨坩禍粘連，不好拆卸，嚴重時得破壞石墨坩禍，造成不必要的浪費。
【實用新型內容】
[0003]本實用新型的目的是提供方便拆卸的承托坩禍結構，減少石墨用量，降低成本，具體是一種兩瓣式結構的碳碳坩禍，底座也分為兩部分。
[0004]為了實現上述目的，本實用新型所采取的技術手段是:
[0005]盛放石英坩禍用的碳碳坩禍，包括石墨底座和碳碳坩禍，碳碳坩禍放在底座上，還包括上蓋，上蓋與碳碳樹禍扣合，碳碳樹禍為左右兩瓣式結構，碳碳i甘禍的下端為底口卡槽，底座包括底口和底托，底托上端有梯形凹槽，底口的下端嵌入底托的梯形凹槽中，底口上端嵌入底口卡槽，底口與碳碳坩禍組合成一體式坩禍形狀。
[0006]所述的底口下端與底座連接處是中空的，空隙高度為5_。
[0007]所述的底托上部兩端與碳碳坩禍連接處留有l_3mm的間隙。
[0008]所述的上蓋與碳碳坩禍的接合處為凹凸結構，上蓋的外側為凸臺，凸臺的高度為10-20mmo
[0009]本實用新型的有益效果是:坩禍壁采用碳碳材料，減少了石墨的用量，設計成兩瓣式結構，方便拆卸，蓋上上蓋后避免了石英坩禍放入后，碳碳坩禍向兩邊傾斜。底座分成底口與底托兩部分，可以更好的拆卸石英坩禍，底口與底托結合處留有間隙，即使石英坩禍與石墨底口粘連在一起需要破壞取出石英坩禍時，也只需破壞石墨底口，這樣節省了石墨的用量，最大限度的降低了單晶硅的生產成本，而且如果沒有留下這個間隙，那么底口與底座應該是一個圓面整體的接觸，這樣如果接觸時間一長，底口或者底托出現氧化物突出或者形變，就會導致接觸面不平整，底口放置不平，留有的間隙把面接觸改為了線接觸，防止了以上現象的發生。底托與坩禍壁結合處的兩端留有1-3_的間隙，避免二者受熱膨脹產生相互的擠壓作用力。
【附圖說明】
[0010]圖1是本實用新型的結構示意圖。
[0011]圖中，1、上蓋，2、碳碳坩禍，3、底口，4、底托。
【具體實施方式】
[0012]下面結合附圖和具體實施例對本實用新型做進一步說明。
[0013]具體實施例，如圖1所示，盛放石英坩禍用的碳碳坩禍，包括石墨底座和碳碳坩禍2，碳碳i甘禍2放在底座上，還包括上蓋I，上蓋I與碳碳i甘禍2扣合，碳碳i甘禍2為左右兩瓣式結構，碳碳坩禍2的下端為底口卡槽，底座包括底口 3和底托4，底托4上端有梯形凹槽，底口的下端嵌入底托4的梯形凹槽中，底口 3上端嵌入底口卡槽，底口 3與碳碳i甘禍2組合成一體式坩禍形狀。
[0014]所述的底口3下端與底托4連接處是中空的，空隙高度為5_，可以更好的拆卸石英坩禍，底口 3與底托4結合處留有間隙，即使石英坩禍與石墨底口 3粘連在一起需要破壞取出石英坩禍時，也只需破壞石墨底口 3，這樣節省了石墨的用量，最大限度的降低了單晶硅的生產成本，而且如果沒有留下這個間隙，那么底口3與底托4應該是一個圓面整體的接觸，這樣如果接觸時間一長，底口 3或者底托4出現氧化物突出或者形變，就會導致接觸面不平整，底口 3放置不平，留有的間隙把面接觸改為了線接觸，防止了以上現象的發生。底托4與碳碳坩禍壁結合處的兩端留有1-3_的間隙，避免二者受熱膨脹產生相互的擠壓作用力。
[0015]所述的上蓋I與碳碳坩禍2的接合處為凹凸結構，上蓋I的外側為凸臺，凸臺的高度為10-20mm，保證與碳碳坩禍2結合順暢緊密，不會因太短而開裂。
[0016]本實用新型在使用時先將底托4和底口3放置好，然后將兩瓣碳碳坩禍壁放在底座上拼接好，將石英坩禍放入碳碳坩禍后，加上上蓋，避免碳碳坩禍發生傾斜。當要取出石英坩禍時，只需拿掉上蓋，分開兩瓣式結構坩禍壁，石英坩禍就留在了底座上，這樣方便拆卸，省時省力，使用方法簡潔。
【主權項】
1.盛放石英坩禍用的碳碳坩禍，包括石墨底座和碳碳坩禍(2)，碳碳坩禍(2)放在底座上，其特征在于:還包括上蓋(I)，上蓋(I)與碳碳坩禍(2)扣合，碳碳坩禍(2)為左右兩瓣式結構，碳碳坩禍(2)的下端為底口卡槽，底座包括底口(3)和底托(4)，底托(4)上端有梯形凹槽，底口(3)的下端嵌入底托(4)的梯形凹槽中，底口(3)上端嵌入底口卡槽，底口(3)與碳碳坩禍(2)組合成一體式坩禍形狀。2.根據權利要求1所述的盛放石英坩禍用的碳碳坩禍，其特征在于:所述的底口(3)下端與底座(4)連接處是中空的，空隙高度為5_。3.根據權利要求1所述的盛放石英坩禍用的碳碳坩禍，其特征在于:所述的底托(4)上部兩端與碳碳坩禍(2)連接處留有l_3mm的間隙。4.根據權利要求1所述的盛放石英坩禍用的碳碳坩禍，其特征在于:所述的上蓋(I)與碳碳坩禍(2)的接合處為凹凸結構，上蓋(I)的外側為凸臺，凸臺的高度為10-20mm。
【文檔編號】C30B29/06GK205590834SQ201620345812
【公開日】2016年9月21日
【申請日】2016年4月22日
【發明人】趙會剛, 李德建, 張曉朋, 李朝陽
【申請人】河北寧通電子材料有限公司