一種晶片磨削廢水cod臭氧降解裝置的制造方法
【專利摘要】一種晶片磨削廢水COD臭氧降解裝置，包括處理槽、臭氧發生器和臭氧輸入管，臭氧輸入管一端與臭氧發生器連接，一端伸入處理槽底部，臭氧輸入管在處理槽底部的部分連接有微孔曝氣盤，處理槽的上部設置有污水進管和尾氣排放管，處理槽的底部設置有污水排放管。經沉淀及過濾后的晶片磨削廢水進入處理槽后，再使臭氧發生器產生的臭氧進入處理槽中,經微孔曝氣盤分散氣泡后進入廢水中,與廢水中的有機物接觸，使其發生氧化降解反應,生成二氧化碳和水，降低廢水中COD含量。該裝置以空氣為氣源，經臭氧發生器產生臭氧，分散于待處理廢水中，與廢水中有機物接觸后使其發生氧化降解反應，能夠有效降解廢水中有機物，降低COD含量，對環境無污染。
【專利說明】
一種晶片磨削廢水COD臭氧降解裝置
技術領域
[0001]本實用新型涉及一種采用臭氧氧化法對半導體器件行業的晶片磨削廢水進行有機物COD(化學需氧量)降解的裝置，屬于工業廢水處理的技術領域。
【背景技術】
[0002]眾所周知，半導體器件行業已成為中國環境污染的重要行業之一，尤其是對水環境的污染，已成為工業污染防治的重點。
[0003]目前，國內大部分工廠處理半導體晶片磨削廢水采用一級沉淀后與其他清洗廢水混合再進行二級生化處理的工藝。但是生化處理要求污水中酸堿度及有機物含量不能波動太大，否則影響菌群繁殖，影響處理效果。
[0004]中國專利文獻CN101519251公開的《一種上流式多相氧化塔處理難生化降解廢水的方法》，是將芬頓試劑和待處理的廢水一起用栗送入上流式多相氧化塔內進行反應，其中芬頓試劑投加過程中H2O2與Fe2+的摩爾比為5?20:1，雙氧水投加量與待處理水中COD(化學需氧量)質量比為2?3:1，反應時間0.5?lhr。經氧化塔處理后的廢水依次進入中和池、脫氣池和混凝沉淀池:在中和池調節pH值至中性;在脫氣池鼓風脫氣10?20min,脫去反應中產生的微小氧氣氣泡，在混凝沉淀池的廢水加聚丙烯酰胺進行混凝沉淀，上清液達標排放。該方法操作簡單，無復雜設備、對污染物的去除效率較高。但是該方法的缺點是芬頓試劑調配要根據實際水質情況進行配比，比例難以掌握，且在配比時產生的絡合物有毒性。
[0005]CN202785779U公開的《化學催化降解COD系統降解廢水的方法》中的化學催化降解COD系統，包括反應槽和沉降槽，反應槽與所述沉降槽之間通過溢流口連通，反應槽上部與藥劑管、污水管連通，所述反應槽內部設有攪拌器，沉降槽中上部與凈水管連通，底部與污泥管連通。此方法存在投資大費用高的不利因素。
【發明內容】
[0006]針對現有有機廢水處理裝置存在的不足，根據半導體晶片磨削廢水中有機表面活性劑、有機添加劑以及COD含量較高的特性，本實用新型提供一種能夠有效降解廢水中有機物、降低COD含量、對環境無污染的晶片磨削廢水COD臭氧降解裝置。
[0007]本實用新型的晶片磨削廢水COD臭氧降解裝置，采用以下技術方案:
[0008]該裝置，包括處理槽、臭氧發生器和臭氧輸入管，臭氧輸入管一端與臭氧發生器連接，一端伸入處理槽底部，臭氧輸入管在處理槽底部的部分連接有微孔曝氣盤，處理槽的上部設置有污水進管和尾氣排放管，處理槽的底部設置有污水排放管。
[0009]所述臭氧輸入管上設置有臭氧控制閥。
[0010]所述污水排放管上設置有排放閥。
[0011]經沉淀及過濾后的晶片磨削廢水進入處理槽后，再使臭氧發生器產生的臭氧進入處理槽中，經微孔曝氣盤分散氣泡后進入廢水中，與廢水中的有機物接觸，使其發生氧化降解反應，生成二氧化碳和水，降低廢水中COD含量。
[0012]本實用新型以空氣為氣源，經臭氧發生器產生臭氧，分散于待處理廢水中，與廢水中有機物接觸后使其發生氧化降解反應，能夠有效降解廢水中有機物，降低COD含量，對環境無污染。
【附圖說明】
[0013]圖1是本實用新型晶片磨削廢水COD臭氧降解裝置的結構原理示意圖。
[0014]其中:1、處理槽，2、臭氧發生器，3、臭氧控制閥，4、臭氧輸入管，5、污水進管，6、尾氣排放管，7、污水排放管，8、排放閥，9、微孔曝氣盤。
【具體實施方式】
[0015]本實用新型通過臭氧對晶片磨削廢水COD進行降解。臭氧具有很強的氧化性，其標準電極電位為2.07eV，它可將大多數有機物降解為小分子化合物或者完全礦化為二氧化碳和水。臭氧已廣泛應用于廢水處理中，可用于生物處理前的預處理以提高廢水的可生物降解性，改善生物處理效果;也可用于生物處理后的深度處理，去除廢水中難生物降解有機物以及廢水的脫色等。臭氧氧化法作為快速、高效處理手段用于廢水的深度處理，具有氧化能力強、反應快、使用方便等特點，對降低廢水中的C0D、色度等具有特殊的處理效果。
[0016]如圖1所示，本實用新型的晶片磨削廢水⑶D臭氧降解裝置，包括處理槽1、臭氧發生器2和臭氧輸入管4，臭氧輸入管4 一端與臭氧發生器2連接，一端伸入處理槽I底部，臭氧輸入管4上設置有臭氧控制閥3，臭氧輸入管4在處理槽I底部的部分連接有微孔曝氣盤9。處理槽I的上部設置有污水進管5和尾氣排放管6。處理槽I的底部設置有污水排放管7，污水排放管7上設置有排放閥8。臭氧輸入管4采用聚四氟乙烯氣管，處理槽I為耐氧化、耐腐蝕的聚四氟乙烯或聚苯乙烯材質。
[0017]晶片磨削廢水由污水進管5進入處理槽I。臭氧發生器2產生臭氧，臭氧經臭氧輸入管4通過臭氧控制閥3進入處理槽I中，經微孔曝氣盤9分散氣泡后進入經沉淀及過濾后的磨削廢水中，與廢水中的有機物接觸，使其發生氧化降解反應，生成二氧化碳和水，達到降低廢水中COD含量的目的。降解廢水經檢測合格后由污水排放管7排放，COD去除率80 %以上。尾氣由尾氣排放管6排放。
【主權項】
1.一種晶片磨削廢水COD臭氧降解裝置，包括處理槽、臭氧發生器和臭氧輸入管，其特征是，臭氧輸入管一端與臭氧發生器連接，一端伸入處理槽底部，臭氧輸入管在處理槽底部的部分連接有微孔曝氣盤，處理槽的上部設置有污水進管和尾氣排放管，處理槽的底部設置有污水排放管。2.根據權利要求1所述的晶片磨削廢水COD臭氧降解裝置，其特征是，所述臭氧輸入管上設置有臭氧控制閥。3.根據權利要求1所述的晶片磨削廢水COD臭氧降解裝置，其特征是，所述污水排放管上設置有排放閥。
【文檔編號】C02F1/78GK205556200SQ201620121534
【公開日】2016年9月7日
【申請日】2016年2月16日
【發明人】王強, 任忠祥, 李香芝, 徐現剛
【申請人】山東浪潮華光光電子股份有限公司