MEMS傳感器、MEMS傳感器的制備方法及電子設備與流程

本發明涉及微機電，更具體地，本發明涉及一種mems傳感器、mems傳感器的制備方法及電子設備。

背景技術：

1、mems傳感器是基于微機電系統(mems，micro-electro-mechanical?system)技術制造的結構，簡單的說，mems傳感器能夠利用半導體材料形成電容器，并將電容器集成在微硅晶片上。采用微機電系統工藝形成的產品具有體積小、靈敏度高的特點，并且mems傳感器也具有良好的射頻干擾(rfi)及電磁干擾(emi)抑制能力。

2、然而，對于目前的mems傳感器，由于其內部堆疊有較多的芯片，使得大多mems傳感器尺寸較大，從而使得應用其的電子設備也尺寸較大，不利于電子設備的小型化發展。

技術實現思路

1、鑒于上述現有技術的缺點，本發明的目的在于提供一種mems傳感器、mems傳感器的制備方法及電子設備的新技術方案。

2、根據本發明的一個方面，提供了一種mems傳感器。

3、所述mems傳感器包括：

4、殼體，所述殼體內具有容納空間，至少一個所述殼體的側壁上具有電連接區域；

5、asic芯片和mems芯片，所述asic芯片和所述mems芯片分別位于所述容納空間內，所述asic芯片設于所述殼體的一個內壁上，所述mems芯片設于所述殼體的另一個內壁上，且所述asic芯片和所述mems芯片電連接，所述asic芯片上具有第一電連接點，所述第一電連接點與所述電連接區域電連接。

6、可選地，所述asic芯片和所述mems芯片分別設于所述殼體的兩相鄰內壁上。

7、可選地，所述殼體包括底壁和側壁，所述底壁和所述側壁圍成所述容納空間，所述mems芯片設于所述底壁上，所述asic芯片設于所述側壁上。

8、可選地，所述殼體呈矩形結構，所述asic芯片設于所述矩形結構的短邊側壁上。

9、可選地，所述asic芯片與所述電連接區域位于同一個側壁上。

10、可選地，所述電連接區域上具有第二電連接點，所述第二電連接點與所述第一電連接點金線連接。

11、可選地，所述殼體上具有聲孔，所述聲孔與所述容納空間連通。

12、可選地，所述殼體包括底壁、頂壁和側壁，所述底壁、所述頂壁和所述側壁圍成所述容納空間，所述mems芯片設于所述底壁上，所述asic芯片設于所述側壁上，所述聲孔位于所述頂壁上。

13、可選地，所述殼體為陶瓷殼體。

14、可選地，所述電連接區域上具有第三電連接點，所述mems芯片上具有第四電連接點，所述第三電連接點與所述第四電連接點金線連接。

15、根據本發明的另一個方面，提供了一種mems傳感器的制備方法，包括：

16、制備殼體，所述殼體內具有容納空間，至少一個所述殼體的側壁上具有電連接區域；

17、制備asic芯片和mems芯片，所述asic芯片和所述mems芯片分別位于所述容納空間內，將所述asic芯片設于所述殼體的一個內壁上，并將所述mems芯片設于所述殼體的另一個內壁上，且所述asic芯片和所述mems芯片電連接，所述asic芯片上具有第一電連接點，所述第一電連接點與所述電連接區域電連接。

18、根據本發明的再一個方面，提供了一種電子設備，包括上述的mems傳感器。

19、本公開實施例的一個技術效果在于：

20、所述mems傳感器包括殼體、asic芯片和mems芯片，所述殼體內具有容納空間，至少一個所述殼體的側壁上具有電連接區域；所述asic芯片和所述mems芯片分別位于所述容納空間內，所述asic芯片設于所述殼體的一個內壁上，所述mems芯片設于所述殼體的另一個內壁上，且所述asic芯片和所述mems芯片電連接，所述asic芯片上具有第一電連接點，所述第一電連接點與所述電連接區域電連接。

21、以此，將asic芯片和mems芯片分別布置在殼體的容納空間內，能夠有效利用mems傳感器的內部空間，便于mems傳感器的的小型化和集成化發展。這種設計不僅減小了mems傳感器的體積和重量，還降低了mems傳感器的材料成本和制造成本，便于mems傳感器在各類緊湊型設備中的應用。且，將asic芯片和mems芯片分別設置于不同的內壁上，能夠充分殼體的容納空間，能夠在便于asic芯片和mems芯片安裝的同時，降低兩者走線的干擾，便于布線，也降低了mems傳感器的裝配難度和布線難度。

22、通過以下參照附圖對本發明的示例性實施例的詳細描述，本發明的其它特征及其優點將會變得清楚。

技術特征：

1.一種mems傳感器，其特征在于，包括：

2.根據權利要求1所述的mems傳感器，其特征在于，所述asic芯片(2)和所述mems芯片(3)分別設于所述殼體(1)的兩相鄰內壁上。

3.根據權利要求1所述的mems傳感器，其特征在于，所述殼體(1)包括底壁和側壁，所述底壁和所述側壁圍成所述容納空間(11)，所述mems芯片(3)設于所述底壁上，所述asic芯片(2)設于所述側壁上。

4.根據權利要求3所述的mems傳感器，其特征在于，所述殼體(1)呈矩形結構，所述asic芯片(2)設于所述矩形結構的短邊側壁上。

5.根據權利要求3所述的mems傳感器，其特征在于，所述asic芯片(2)與所述電連接區域(12)位于同一個側壁上。

6.根據權利要求1所述的mems傳感器，其特征在于，所述電連接區域(12)上具有第二電連接點，所述第二電連接點與所述第一電連接點(21)金線連接。

7.根據權利要求1所述的mems傳感器，其特征在于，所述殼體(1)上具有聲孔(13)，所述聲孔(13)與所述容納空間(11)連通。

8.根據權利要求7所述的mems傳感器，其特征在于，所述殼體(1)包括底壁、頂壁和側壁，所述底壁、所述頂壁和所述側壁圍成所述容納空間(11)，所述mems芯片(3)設于所述底壁上，所述asic芯片(2)設于所述側壁上，所述聲孔(13)位于所述頂壁上。

9.根據權利要求1所述的mems傳感器，其特征在于，所述殼體(1)為陶瓷殼體。

10.根據權利要求1所述的mems傳感器，其特征在于，所述電連接區域(12)上具有第三電連接點，所述mems芯片(3)上具有第四電連接點，所述第三電連接點與所述第四電連接點金線連接。

11.一種如權利要求1至10任意之一所述的mems傳感器的制備方法，其特征在于，包括：

12.一種電子設備，其特征在于，包括權利要求1至10任意之一所述的mems傳感器。

技術總結
本公開實施例公開了一種MEMS傳感器、MEMS傳感器的制備方法及電子設備，所述MEMS傳感器包括殼體、ASIC芯片和MEMS芯片，所述殼體內具有容納空間，至少一個所述殼體的側壁上具有電連接區域；所述ASIC芯片和所述MEMS芯片分別位于所述容納空間內，所述ASIC芯片設于所述殼體的一個內壁上，所述MEMS芯片設于所述殼體的另一個內壁上，且所述ASIC芯片和所述MEMS芯片電連接，所述ASIC芯片上具有第一電連接點，所述第一電連接點與所述電連接區域電連接。以此，將ASIC芯片和MEMS芯片分別布置在殼體的容納空間內，能夠有效利用MEMS傳感器的內部空間，便于MEMS傳感器的的小型化和集成化發展。

技術研發人員：請求不公布姓名,請求不公布姓名
受保護的技術使用者：榮成歌爾微電子有限公司
技術研發日：
技術公布日：2025/3/10