本發明屬于微米孔陣列,具體涉及一種數字elisa微米孔陣列制備方法。
背景技術:
1、數字elisa技術提出,將均勻分散的溶液持續細分,最終可以使每個溶質分子分布在一個單獨的區域內。因此利用大量溶積為飛升的微米孔形成的陣列,可以提高分子檢測的靈敏度,做到同時對大量的單個分子進行檢測。首先將目標分子與裝載于磁性微球表面的酶標抗體特異性結合,且保證每個磁珠上結合的目標分子數不超過一個,再使其隨微球分散進微米孔陣列中獨立的小室中,在酶的催化下,陽性分子迅速擴增產生熒光分子,并由于體積足夠小,可在短時間內達到可被檢測的濃度。最后利用數字技術對顯示熒光的位點進行統計,可同時處理大量樣品。
2、現有的微米孔陣列通常使用硅作為基材,因為硅的刻蝕工藝比較成熟,但是由于硅不透明,只能使用反射光進行觀察,無法利用背面或側面進光來觀察微米孔中微球的填充情況等。raphaela?b.liebherr等(three-in-one?enzyme?assay?based?on?singlemoleculedetection?in?femtoliter?arrays[j],anal?bioanal?chem,2015,407:7443–7452)使用石英玻璃為基材,利用光刻膠作為掩膜制作了類似的結構,但是其仍存在精準度低,工藝復雜,試劑危險等問題。因此,有必要尋找一個高效快捷精準安全的工藝來制備透明微米孔整列。
技術實現思路
1、有鑒于此,本發明的目的在于提供一種數字elisa微米孔陣列制備方法。
2、為達到上述目的,本發明提供如下技術方案:
3、1.一種數字elisa微米孔陣列的制備方法,具體制備步驟包括:
4、1)將石英玻璃片清洗干燥后,用用氧等離子體進行表面處理;
5、2)在處理后的石英玻璃片基材表面生長一層金屬膜層,所述金屬膜層為鋁膜或鉻膜;
6、3)金屬膜層上涂刷一層正性光刻膠;
7、4)使用帶有陣列圖案的掩膜板對其進行光刻;
8、5)再將樣品置于硝酸鈰銨溶液中浸泡對金屬膜層進行刻蝕,刻蝕完用去離子水清洗;
9、6)清洗后樣品進行反應性離子刻蝕,最后用硝酸鈰銨溶液浸泡去金屬膜層。
10、進一步所述的數字elisa微米孔陣列的制備方法中,步驟1)的清洗依次采用丙酮、乙醇和去離子水中進行超聲清洗。
11、進一步,步驟2)中膜層厚度50-200nm。
12、進一步,金屬膜層采用電子束蒸發鍍膜。
13、進一步,膜生長速度為0.25nm/s-5nm/s。
14、進一步,所述正性光刻膠為az1500。
15、進一步,步驟4)中光刻曝光時間3s,再浸于濃度2.38%的tmah中顯影60s,緊接著用去離子水沖洗30s,并在120℃加熱板上加熱2min。
16、進一步,步驟5)中刻蝕時間60s-100s。
17、進一步,反應性離子刻蝕可采用chf3、c4f8、sf6、ch2f2、ar等氣體中的一種或多種。
18、優選的,反應性離子刻蝕中使用chf3與ar按照40:15比例的混合氣體對其進行刻蝕。
19、2.上述任一種制備方法得到的數字elisa微米孔陣列也在本發明保護的范圍中。
20、本發明的有益效果在于:本發明提供一種以石英玻璃作為透明基材制備的數字elisa微米孔陣列,可以從陣列背面、側面打光,觀察微米孔中微球的填充情況等,滿足不同觀察條件的多方位需求。現有技術中利用光刻膠做掩膜進行rie耐久低,刻蝕深度有限,本發明提供的制備方法中,在基材和光刻膠中加了一層鉻膜作為掩膜,光刻的精度高,易清洗掉,反應性離子刻蝕耐久高。一般為增加光刻膠在基材上的附著力,需使用hmds(六甲基二硅氮烷)等硅烷偶聯劑進行預處理,且最終需要使用食人魚溶液加熱清洗,步驟繁瑣,危險程度高,本發明采用在鉻膜上涂光刻膠,避免光刻膠污染基材。直接在基材加光刻膠上進行光刻時,因光刻膠太厚會降低光刻精度,且由于“邊緣效應”的存在需要用丙酮清洗,步驟繁瑣,本發明在基材+鉻膜進行刻蝕時,采用的鉻膜薄,無邊緣效應,精度高,刻蝕深度一致。
1.一種數字elisa微米孔陣列的制備方法,其特征在于,具體制備步驟包括:
2.根據權利要求1所述的數字elisa微米孔陣列的制備方法,其特征在于,步驟1)的清洗依次采用丙酮、乙醇和去離子水中進行超聲清洗。
3.根據權利要求1所述的數字elisa微米孔陣列的制備方法,其特征在于,步驟2)中膜層厚度50-200nm。
4.根據權利要求1所述的數字elisa微米孔陣列的制備方法,其特征在于,金屬膜層采用電子束蒸發鍍膜。
5.根據權利要求4所述的數字elisa微米孔陣列的制備方法,其特征在于,膜生長速度為0.25nm/s-5nm/s。
6.根據權利要求1所述的數字elisa微米孔陣列的制備方法,其特征在于,所述正性光刻膠為az1500。
7.根據權利要求1所述的數字elisa微米孔陣列的制備方法,其特征在于,步驟4)中光刻曝光時間3s,再浸于濃度2.38%的tmah中顯影60s,緊接著用去離子水沖洗30s,并在120℃加熱板上加熱2min。
8.根據權利要求1所述的數字elisa微米孔陣列的制備方法,其特征在于,步驟5)中刻蝕時間60s-100s。
9.根據權利要求1所述的數字elisa微米孔陣列的制備方法,其特征在于,反應性離子刻蝕中使用chf3與ar按照40:15比例的混合氣體對其進行刻蝕。
10.由權利要求1-9任一項制備方法得到的數字elisa微米孔陣列。