專利名稱：帶半密度和全密度操作的dram的制作方法
領域本發明一般涉及存儲器設備，尤其涉及DRAM及其操作。
背景動態隨機存取存儲器(DRAM)能被配置成半密度或全密度。在全密度存儲器中，存儲器陣列的每個內部行都允許對存儲器單元的存取，而每個單元都能用于存儲唯一的數據比特。在半密度存儲器中，每個內部行都與另一互補行配對，從而在數據存儲到一個存儲器單元中時，互補數據就被存儲在互補行的可比單元內。在半密度存儲器中，兩根字線被同時激活，一根在數位線上，另一根在數位線*(它的互補)上。這樣就在每個單元中存儲反轉的數據，該數據隨后就被用作不同模式下的參考從而能顯著改善刷新時間。在半密度存儲器中不使用奇數行。存儲器的全密度操作允許使用全范圍個數的單元，從而與大小相仿的半密度存儲器相比可以存儲更多的數據。每個單元都存儲它自己的獨立數據，并且每個單元必須被獨立刷新，而這就增加了刷新時間。
在現有技術中，存在的方法是創建諸如存儲器等帶有更長刷新時間的部件。用更長的刷新時間，以及諸如半密度存儲器中的更低密度的操作，就能使用更低的操作電流，并延長便攜型設備的電池壽命。便攜式設備通常不要求大量存儲器，特別是在正常操作模式期間。盡管如此，某些設備最終還是要使用更多的存儲器，因此就需要盡管事實上并不總是需要的全密度存儲器。當在除了某些場合以外無需全密度存儲器的部件和設備中使用全密度存儲器時，功耗較高，并且由于有限的電池功率，這些全時段全密度操作并不是所需的，從而導致電池壽命縮短等。另一方面，從便攜應用到諸如便攜計算機等功率更大的便攜應用的某些應用需要更大量的存儲器，但仍有功率約束。
存儲器通常被配置成要么是半密度要么是全密度，并且不可改變。鑒于上述原因并且由于以下在本領域普通技術人員閱讀和理解本說明書后將變得顯而易見的其他原因，在本領域中需要一種能夠把半密度和全密度操作的益處結合起來的存儲器設備和操作該存儲器的方法。
概要上述問題和其他問題可由本發明解決，并且將通過閱讀和學習隨后的說明書而得到理解。
在一個實施例中，一種在存儲器中在全密度和半密度操作模式之間轉換的方法包括在半密度模式下啟動存儲器操作，并且監視在半密度操作中使用的地址。當半密度不再能存儲待寫入存儲器的所有數據時，該存儲器切換至全密度模式。
在另一個實施例中，一種操作存儲器設備的方法包括在半密度模式下啟動存儲器操作，監視陣列中的存儲器單元的使用，并且當需要正常存儲器操作時從半密度模式切換至全密度模式。
在又一個實施例中，一種存儲器包括可由尋址電路尋址的存儲器單元的陣列、接收外部數據并將數據傳給該陣列的輸入/輸出電路、以及存儲器控制器。該存儲器控制器在全密度或半密度操作模式之一中操作存儲器，并在半密度操作不具有足夠的密度來容納待寫入存儲器的所有數據時從半密度切換至全密度操作模式。
在再一個實施例中，一種處理系統包括處理器以及耦合至該處理器以存儲由該處理器提供的數據并將數據提供給該處理器的存儲器。該存儲器包括可由尋址電路尋址的存儲器單元的陣列、接收外部數據并將所述數據傳給所述陣列的輸入/輸出電路、以及存儲器控制器。該存儲器控制器在全密度或半密度操作模式之一中操作存儲器，并在半密度操作不具有足夠的密度來容納待寫入存儲器的所有數據時從半密度切換至全密度操作模式。
還將描述并要求保護其他的實施例。
附圖簡述
圖1是全密度存儲器設備的局部電路圖。
圖2是半密度存儲器設備的局部電路圖。
圖3是根據本發明一個實施例的方法的流程圖。
圖4是根據本發明另一個實施例的刷新擦洗操作的流程圖。
圖5是其上能夠實現本發明實施例的系統的框圖。
詳細描述在隨后對本發明的詳細描述中，對形成該詳細描述的一部分并在其中以示例性的方式示出了能實現本發明的具體實施例的附圖做出參考。在附圖中，相同的編號在各圖內描述基本類似的組件。足夠詳細地描述各實施例以使得本領域普通技術人員能夠實踐本發明。也可以利用其他實施例，并且可以在不背離本發明的范圍的前提下作出結構、邏輯和電氣變化。
因此，隨后的詳細描述并非限制性的意義，并且本發明的范圍僅由所附權利要求書連同這些權利要求授權的完全等效范圍所限定。
圖1示出了可以在其中實現本發明各實施例的全密度存儲器100的結構。存儲器100包括存儲器單元102的陣列，每個存儲器單元102都含有晶體管和電容器，并能通過獨立的內部行104和內部列106來尋址。這些行104和列106如圖所示可以存取各自都持有獨立的數據的8個單元。例如，為激活單元0，0，就要激活行0和列0。
圖2示出了可以在其中實現本發明各實施例的半密度存儲器100的結構。該結構與存儲器100的結構相同，但是尋址方案不同。存儲器200包括相同的存儲器單元202的陣列，每個存儲器單元202都含有晶體管和電容器，并能通過獨立的內部行204和內部列206來尋址。然而，在半密度存儲器200中，每行都與一互補行配對，即如圖所示具有兩個行0和兩個行2。例如，為激活單元0，0，就需激活兩個行0中的每一個以及兩個列0中的每一個。這就在單元0，0和0，0*內存儲了反轉的數據。這里不使用奇數行。
在本發明的實施例中，使用與上述存儲器100和200結構相同的存儲器，但是該存儲器的存儲器操作則是它既可作為半密度存儲器又可作為全密度存儲器來操作，取決于所期望的使用。這一操作可以通過使用存儲器的控制器以如下方式操作存儲器來實現。在圖3的流程圖中示出的一個實施例300中，在框302中發生存儲器的通電。在該實施例中，在框304中將存儲器的操作設置為半密度(或者2T)模式作為默認設置。應該理解，也可以設置除半密度以外的默認設置，例如全密度操作，而這并不背離本發明的范圍。在框306中，將地址提供給存儲器控制器或類似裝置，并且在判定框308內確定該地址是否為奇數內部行。如果該地址不是奇數內部行，即它是偶數內部行，則該過程隨后在框310處繼續，其中可以存取任何偶數(半密度)內部行。
以此方式提供地址，從而填充或使用偶數內部行，直到在判定框308處有奇數內部行被訪問。此時，在框312中將操作切換至全密度(或1T)模式，并在框314處可訪問任何內部行。此外，隨著功率的增加調整自刷新定時，使得刷新操作能以合適的時間間隔發生。在另一實施例中，將最高有效外部行映射至最低有效內部行以幫助系統設計。
在某一點處，將不再需要全密度模式下的操作。于是，過程300在判定框316中繼續檢查是否仍在使用任何奇數內部行。如果仍在使用奇數內部行，則操作在全密度模式下繼續，且該過程流在框317處繼續以提供另一地址。當不再使用任何奇數內部行時，判定框316將過程流導向框318，在框318處在該過程流行進到框304處之前執行擦洗刷新操作。
當從全密度操作回到半密度操作時，奇數行內可能會有一些不再需要的數據。因為寫進程激活偶數字線，用讀出放大器讀出數據(即，正確的原始數據)并在隨后激活與偶數字線互補的奇數字線，所以上述數據在半密度操作再次開始時會被擦去。這就能在激發讀出放大器并重新寫入奇數行單元內存在的任何數據時在奇數行單元的偶數行單元內存儲反轉的數據。在從全密度到半密度的轉換中，保留偶數行內的數據，丟棄棄奇數行內的數據。在一個實施例中，甚至不嘗試保存奇數行內的數據。例如，使用圖1和2中所示的配置，當從半密度切換至全密度操作時，0，0行就變為0，1行。
在另一個實施例中，操作系統或存儲器控制器組織數據以確保在它被提供給存儲器之前被寫入適當的行。當從全密度模式切換至半密度模式時，在一個實施例中，為了保存來自奇數內部行的某些數據，將數據存儲在緩沖器中，然后在擦洗刷新操作之前將其寫入偶數行。在另一個實施例中，在逐行甚至是逐塊的基礎上，執行保留來自奇數行數據的判定。
為在半密度模式下寫入存儲器，使用操作系統或存儲器控制器以將數據置于與操作模式一致的位置內，即置于互補行中的一個而不是另一個，從而僅在需要更多存儲器密度時才允許切換。例如，當操作在半密度模式下開始時，僅使用奇數/偶數行配對中的偶數行。當偶數行全滿或者從邏輯上的可能性來講接近全滿，而該設備仍需更多的存儲器密度時，就寫入奇數行。一旦奇數行被寫入，操作系統或存儲器控制器，或者監視存儲器中數據寫入位置的檢測器就啟動全密度操作。當從半密度切換至全密度時不會丟失數據，這是因為全部要做的只是去除嵌入半密度操作中建立的冗余度。
在某一時刻，設備也會有降低的密度要求。此時，當要求的密度跌至半密度操作的閾值之下時，存儲器就切換回半密度操作以節省功耗。如果最初將核心存儲器數據寫入低地址行(半密度行)，那么當存儲器切換回半密度操作時，丟失的數據也只會是在系統的全密度操作期間添加的數據。在一個實施例中，直到任何奇數內部行都沒有數據寫入時才會切換至半密度操作。
如框318處指示的擦洗刷新包括當從全密度操作轉換回半密度操作時保留偶數內部行內的信息，并且在圖4的流程圖中有更詳盡的示出。在一個實施例中，在框400中激活偶數字線，在框402中由讀出放大器為這些偶數字線讀出數據，并且在404中在讀出放大器穩定之后激活奇數字線。這些數據是存儲在偶數內部行的原始數據。當讀出放大器在半密度操作下激發時，將偶數內部行中數據的反轉存儲在曾經是奇數內部行但現在是每個偶數內部行的互補行的各行中，如可從圖2中最佳地看到的。在框406中，對這兩根字線預充電，并將原始數據存儲在主單元內，并將其互補如正常半密度操作下那樣存儲在互補單元內。在一個實施例中，擦洗刷新是唯一的命令。在另一個實施例中，擦洗刷新是對期間操作處于來自更早操作的半密度模式下的任何操作使用的同一命令。
在另一個實施例中，監視存儲器的使用，并且在使用降低充分低于一半使用的水平時，存儲器就切換回半密度操作。在這一實施例中，某些數據存在于奇數內部行中，并且這些數據必須在做出回到半密度操作的切換之前被重新寫入偶數內部行。在這一實施例中，操作系統監視數據的放置，并且當操作將要從全密度變為半密度時，來自待擦除行的數據被讀入緩沖器或類似的裝置，并在隨后將這些數據寫入其數據在操作從全密度切換至半密度時仍將被保留的那些行中。在另一實施例中還可在逐塊的基礎上執行這一檢查和讀/寫操作。
在操作中，本發明的存儲器如下運作。一旦起動，就啟動存儲器的默認操作。在一個實施例中，操作的默認設置模式是半密度操作。然后，在起動之后，存儲器在半密度操作下操作。在這一實施例中，在存儲器的功能中僅寫入偶數行，而陣列的奇數行則如本領域已知的那樣被用作冗余。在偶數行內進行對DRAM的寫入，直到對密度的要求超過存儲器的半密度操作的密度的時刻。用于該存儲器的控制程序監視正寫入數據的地址。一旦遇到奇數行地址，存儲器控制器就把存儲器的操作切換至全密度操作，以加倍存儲器密度。當只需要半密度時，存儲器的功耗要低于全密度操作的功耗。然而，當對存儲器的要求超過半密度操作時，就使用全密度操作，并且可以使用這些增加的容量。存儲器控制器在存儲器一旦被切換到全密度存儲器后仍然監視存儲器的密度和使用部分。隨著寫入或存入存儲器的數據的減少，就會再次迎來半密度操作對存儲器來說已足夠的時刻。此時，存儲器控制器確定不再需要最新的奇數行數據地址，或者確定存儲器的當前狀態所需的存儲器密度低于半密度閾值。一旦做出這一確定，存儲器控制器就將操作切換回半密度。
如上所述，當在全密度操作和半密度操作之間進行切換時，會丟失存儲在奇數行內的數據。因此，操作系統或存儲器控制器監視待寫入存儲器的數據的地址，從而當存儲器在半密度操作下操作時僅使用半密度操作。
如上所討論的，典型的全密度和半密度物理布局之間不存在結構差異。全密度和半密度模式間的差異在于存儲器邏輯和控制的差異。本發明的各個實施例使用邏輯轉換以允許在期望或要求更低功率和更低存儲器密度時的半密度操作以及在要求更高存儲密度時的全密度操作。
在另一個實施例中，使用模式寄存器以迫使存儲器進入正常或半密度操作，而非默認地以半密度操作模式通電。例如，如果將0寫入模式寄存器，就迫使操作處于全密度。如果將1寫入模式寄存器，就迫使操作處于半密度。可在操作期間“在進行中”完成對模式寄存器的設置，或者可以在通電或類似的情況下完成。此外，用戶可以調用特定的“復位”命令迫使操作進入全密度或半密度操作模式。如果半密度操作不可行，則用于存儲器控制器或操作系統的監視器就不允許在半密度下操作，直到待存儲的數據量適合存儲器的半密度配置。通過用模式寄存器設置命令、專用輸入管腳或類似方式設置模式寄存器，就能在各實施例中實現對全密度操作的設置。
在另一個實施例中，可以在起動時將操作默認設置為半密度操作，并在半密度下盡可能長地繼續，并且當有奇數行被存取時切換至全密度。
在此描述中使用的是奇數和偶數行的約定。應該理解，存在其他術語來進行這樣的使用，而對于偶數和奇數則分別意味著在僅進行半密度操作的行是偶數行，而全密度可用的行是奇數行。可使用的其它術語僅作為示例而不作為限制包括對應于偶數行的低地址，以及對應于奇數行的高地址。
可以在一個實施例中使用存儲器控制器或其他操作系統模塊來控制存儲器的操作。控制器或操作系統可以是執行處理器或類似裝置中的指令以實現在此描述的過程的機器可讀介質。
參見圖5，描述了具有本發明一個實施例的DRAM 502的系統500的簡化框圖。存儲器設備可以耦合至處理器510以進行雙向數據通信。存儲器包括存儲器單元的陣列512。設置了控制電路524以管理數據存儲并響應于來自處理器的控制信號540對陣列進行檢索。尋址電路526、X-解碼器528和Y-解碼器分析地址信號542和陣列的存儲存取位置。讀出電路532用于從陣列中讀出數據并將輸出數據耦合至I/O電路534。I/O電路以雙向的方式操作以便接收來自處理器510的數據并將這些數據送至陣列512。注意到在某些實施例中可以不使用讀出電路來存儲輸入數據。
動態存儲器是公知的，并且本領域普通技術人員應該認識到上述DRAM已被簡化以提供對DRAM技術的基本理解，而不旨在描述DRAM的所有特征。
雖然已經在此描述了使用僅將數據寫入偶數行的半密度操作的數據寫入，但是應該理解，對于半密度操作來說也可以只把數據寫入奇數行。此外，只要數據僅被寫入一對互補行中的一行，半密度操作就可以使用某些偶數行和某些奇數行。因為使用可用存儲器單元中的一半就已足夠，所以半密度操作下的功耗就減少。
結論本發明各實施例的優點包括當減少使用的存儲器數量時可自動實現的節電。此外，還可以在需要時提供全密度操作的各種益處。此外，存儲器能夠回到半密度操作而不會丟失存儲在存儲器陣列較低的一半中的數據。
本發明各實施例的其他優點還包括在具有有限數量的可用功率的設備中的使用，諸如在手持計算機或個人數字助理之類的便攜設備中的使用。在一個實施例中，應用程序數據可被存儲在低存儲器陣列中，并且該存儲器在設備處于待機模式或起動模式時在半密度操作下進行操作。隨后，在操作期間可在全陣列內存儲臨時數據。這些數據可以被丟棄并且存儲器可以回到用于便攜設備的待機或睡眠模式的低功率狀態而不會丟失任何應用程序數據。
本發明的實施例包括在半密度低功率操作和在系統需要增加的密度時的全密度操作之間自動切換的可配置存儲器(在一個實施例中是DRAM)。還公開了一種為自刷新省電而在不丟失所存儲數據的情況下讓存儲器回到半密度操作的方法。在通電期間，存儲器被默認設置為帶有其最低自刷新功率的半密度操作。所有操作都在偶數內部行中進行，直到偶數內部行全滿。存儲器保留在半密度操作中，直到有奇數內部行被存取，而這時存儲器就自動轉換至正常全密度存儲器操作。自刷新定時隨著全密度操作的功率增加而相應地調整。
添加一復位序列以在系統期望時將存儲器轉換回半密度操作尋址。添加刷新擦洗操作以保留存儲在偶數行中的最初用于半密度操作的數據。本發明的擦洗刷新的實施例包括激活偶數字線、用讀出放大器讀出數據(即，正確的原始數據)、在讀出放大器穩定之后激活奇數字線(于是在單元內自動存儲反轉的數據)、預充電兩根字線、以及在主單元內存儲原始數據而在另一個單元內存儲半密度操作所需的互補數據。
雖然已經示出并在此描述了具體實施例，但是本領域普通技術人員應該認識到，能夠被計算以達到相同目的的任何設置都可以代替示出的具體實施例。這一應用旨在覆蓋本發明的任何改編或變化。因此，應該明了本發明僅由所附權利要求書及其等效技術方案所限定。
權利要求
1.一種在存儲器中在全密度和半密度操作模式之間轉換的方法，包括在半密度模式下啟動存儲器操作；監視在半密度操作中使用的地址；以及當半密度不能再能存儲待寫入所述存儲器的所有數據時切換至全密度模式。
2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述在半密度模式下啟動存儲器操作包括僅把數據寫入所述存儲器的偶數行。
3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述切換至全密度模式包括寫入所述存儲器的任何偶數或奇數行。
4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述切換至全密度模式還包括改變所述存儲器的自刷新定時以進行全密度操作。
5.如權利要求1所述的方法，其特征在于，還包括監視在全密度操作下所述存儲器的使用；以及當半密度操作能夠存儲待寫入所述存儲器的所有數據時切換回半密度操作。
6.如權利要求5所述的方法，其特征在于，所述切換回半密度操作包括刷新擦洗。
7.如權利要求6所述的方法，其特征在于，所述半密度操作是在所述存儲器的多行的前一半中進行的，而所述全密度操作是在所述存儲器的任何部分內存儲數據，并且其中所述刷新擦洗包括激活所述多行的前一半內的字線；用讀出放大器讀出被激活的字線內的數據；激活與所述前一半內的字線互補的所述存儲器的后一半內的字線；預充電兩根兩字線；以及在第一根字線上存儲原始數據并在第二根字線上存儲互補數據。
8.一種操作存儲器設備的方法，包括在半密度模式下啟動存儲器操作；監視所述陣列的存儲器單元的使用；以及當需要正常存儲器操作時從所述半密度模式切換至全密度模式。
9.如權利要求8所述的方法，其特征在于，還包括當半密度再次變得可選時切換回半密度模式。
10.如權利要求8所述的方法，其特征在于，所述在半密度模式下啟動存儲器操作包括僅把數據寫入所述存儲器的偶數行。
11.如權利要求8所述的方法，其特征在于，所述切換至全密度模式包括寫入所述存儲器的任何行。
12.如權利要求8所述的方法，其特征在于，所述切換至全密度模式還包括改變所述存儲器的自刷新定時以進行全密度操作。
13.如權利要求8所述的方法，其特征在于，還包括監視在全密度操作下的所述存儲器的使用；以及當半密度操作能夠存儲待寫入所述存儲器的所有數據時切換回半密度操作。
14.如權利要求13所述的方法，其特征在于，所述切換回半密度操作包括刷新擦洗。
15.如權利要求14所述的方法，其特征在于，所述刷新擦洗包括激活含有半密度數據的偶數字線；用讀出放大器讀出所述數據；激活奇數字線；預充電兩根兩字線；以及在所述偶數字線上存儲原始數據并在所述奇數字線上存儲互補數據。
16.一種操作存儲器設備的方法，包括在半密度模式下僅把數據寫入偶數內部行，直到所有這些偶數內部行全滿；當奇數內部行第一次被存取時切換至全密度模式；在全密度模式下寫入任何行；當不再需要奇數行時切換回半密度模式，其中所述切換回半密度還包括激活偶數字線；用讀出放大器讀出所述數據；在所述讀出放大器穩定之后激活奇數字線；預充電兩根兩字線；以及按半密度操作所需的在主單元內存儲所述原始數據并在另一單元內存儲互補數據。
17.一種具有一組機器可讀指令的機器可讀介質，所述指令能使處理器執行一方法，所述方法包括在半密度模式下啟動存儲器設備內的存儲器操作；監視所述存儲器設備內存儲器單元的使用；以及當所述存儲器設備內的半密度存儲全滿時從所述半密度模式切換至全密度模式。
18.如權利要求17所述的機器可讀介質，其特征在于，所述方法還包括當半密度再次變得可選時切換回半密度模式。
19.如權利要求17所述的機器可讀介質，其特征在于，所述在半密度模式下啟動存儲器操作包括僅把數據寫入所述存儲器的偶數行。
20.如權利要求17所述的機器可讀介質，其特征在于，所述切換至全密度模式包括寫入所述存儲器的任何行。
21.如權利要求17所述的機器可讀介質，其特征在于，所述切換至全密度模式還包括改變所述存儲器的自刷新定時以進行全密度操作。
22.如權利要求17所述的機器可讀介質，其特征在于，所述方法還包括監視在全密度操作下所述存儲器的使用；以及當半密度操作能夠存儲待寫入所述存儲器的所有數據時切換回半密度操作。
23.如權利要求22所述的機器可讀介質，其特征在于，所述切換回半密度操作包括刷新擦洗。
24.如權利要求23所述的機器可讀介質，其特征在于，刷新擦洗包括激活含有半密度數據的偶數字線；用讀出放大器讀出所述數據；激活奇數字線；預充電兩根兩字線；以及在所述偶數字線上存儲原始數據并在所述奇數字線上存儲互補數據。
25.一種存儲器，包括可由尋址電路尋址的存儲器單元的陣列；接收外部數據并將所述數據傳給所述陣列的輸入/輸出電路；以及存儲器控制器，用于在全密度或半密度操作模式之一中操作所述存儲器，并在半密度操作不具有足夠的密度來容納待寫入所述存儲器的所有數據時從所述半密度切換至全密度操作模式。
26.如權利要求25所述的存儲器，其特征在于，所述存儲器控制器操作一組能夠使處理器執行一方法的機器可讀指令，所述方法包括在半密度模式下啟動所述存儲器內的存儲器操作；監視所述存儲器內存儲器單元的使用；以及當所述存儲器內的半密度存儲全滿時從所述半密度模式切換至全密度模式。
27.如權利要求26所述的存儲器，其特征在于，所述切換至全密度模式包括寫入所述存儲器的任何行。
28.如權利要求26所述的存儲器，其特征在于，所述切換至全密度模式還包括改變所述存儲器的自刷新定時以進行全密度操作。
29.如權利要求26所述的存儲器，其特征在于，所述方法還包括監視外部控制器以確定不再需要全密度操作下的所述存儲器的使用；以及當半密度操作能夠存儲待寫入所述存儲器的所有數據時切換回半密度操作。
30.如權利要求29所述的存儲器，其特征在于，所述切換回半密度操作包括接收來自所述外部存儲器控制器的通知以將所述存儲器切換回半密度操作。
31.如權利要求31所述的存儲器，其特征在于，所述切換回半密度操作包括刷新擦洗。
32.如權利要求31所述的存儲器，其特征在于，所述刷新擦洗包括激活含有半密度數據的偶數字線；用讀出放大器讀出所述數據；激活奇數字線；預充電兩根兩字線；以及在所述偶數字線上存儲原始數據并在所述奇數字線上存儲互補數據。
33.一種處理系統，包括處理器；以及耦合至所述處理器以存儲由所述處理器提供的數據并將數據提供給所述處理器的存儲器，所述存儲器包括可由尋址電路尋址的存儲器單元的陣列；接收外部數據并將所述數據傳給所述陣列的輸入/輸出電路；以及存儲器控制器，用于在全密度或半密度操作模式之一中操作所述存儲器，并在半密度操作不具有足夠的密度來容納待寫入所述存儲器的所有數據時從所述半密度切換至全密度操作模式。
34.如權利要求33所述的處理系統，其特征在于，所述處理器操作一組能夠使所述處理器執行一方法的機器可讀指令，所述方法包括在半密度模式下啟動所述存儲器內的存儲器操作；監視所述存儲器內存儲器單元的使用；以及當所述存儲器內的半密度存儲全滿時從所述半密度模式切換至全密度模式。
35.如權利要求34所述的處理系統，其特征在于，所述方法還包括當半密度再次變得可選時切換回所述半密度模式。
36.如權利要求35所述的處理系統，其特征在于，所述切換還包括在全密度操作時在所述處理器內監視存儲器單元的使用；以及在半密度操作可用時通知所述存儲器控制器在半密度模式下啟動存儲器操作。
37.如權利要求36所述的處理系統，其特征在于，所述切換回半密度操作包括刷新擦洗。
38.如權利要求37所述的處理系統，其特征在于，所述刷新擦洗包括激活含有半密度數據的偶數字線；用讀出放大器讀出所述數據；激活奇數字線；預充電兩根兩字線；以及在所述偶數字線上存儲原始數據并在所述奇數字線上存儲互補數據。
39.如權利要求35所述的處理系統，其特征在于，所述在半密度模式下啟動存儲器操作包括僅把數據寫入所述存儲器的偶數行。
40.如權利要求35所述的處理系統，其特征在于，所述切換至全密度模式包括寫入所述存儲器的任何行。
41.如權利要求35所述的處理系統，其特征在于，所述切換至全密度模式還包括改變所述存儲器的自刷新定時以進行全密度操作。
42.一種處理系統，包括處理器；以及耦合至所述處理器以存儲由所述處理器提供的數據并將數據提供給所述處理器的存儲器，所述存儲器包括可由尋址電路尋址的存儲器單元的陣列；接收外部數據并將所述數據傳給所述陣列的輸入/輸出電路；以及耦合至所述處理器和所述存儲器的存儲器控制器，所述存儲器控制器用于在全密度或半密度操作模式之一中操作所述存儲器，并在半密度操作不具有足夠的密度來容納待寫入所述存儲器的所有數據時從所述半密度切換至全密度操作模式。
全文摘要
一種在半密度或全密度模式下操作存儲器，并在需要時在各模式間切換的方法和裝置。存儲器設備在起動時默認設置成半密度操作以降低功耗，并在低地址全滿時切換至全密度操作。當高地址再次為空時，該設備切換回半密度操作。
文檔編號G11C8/00GK1989569SQ200580021059
公開日2007年6月27日 申請日期2005年6月27日 優先權日2004年6月29日
發明者J·W·簡澤恩 申請人:微米技術股份有限公司