磁記錄介質的制造方法
【技術領域】
[0001] 本發明的實施方式設及磁記錄介質的制造方法。
[0002] 本申請W日本專利申請2014-150663號（申請日：2014年7月24日）為基礎申 請享有優先權。本申請通過參照該基礎申請而包含基礎申請的全部內容。
【背景技術】
[000引 W數nm~數百nm的周期規則地排列的微細結構，W磁記錄介質為首，能夠應用于 半導體器件、光子晶體、防反射膜和吸附基板等技術。為了制作那樣的結構，可列舉使用電 子束、紫外線等的描繪裝置等，在抗蝕劑層上描繪圖案的方法、利用二嵌段共聚物、粒子的 自組織化現象的方法等。特別是在使用了粒子的圖案形成方法中，能夠通過蝕刻保護基來 制作W粒子容易地形成的凹凸圖案。但是，在包含通過蝕刻制作出的粒子的凹凸圖案中，粒 子不與基板結合，因此粒子-基板間的密合性差，有時在其后的工序中粒子會從基板剝離。 [0004] 為了防止該情況，例如日本專利公開公報2010-172886號和日本專利公開公報平 8-236329號那樣，公開了使用熱塑性樹脂，在基板（電極）上使粒子固著（固定）的方法。 但是，該方法中基板與粒子沒有化學鍵，由于在固著后進行加熱，粒子容易從基板剝離。另 夕F，為了解決那樣的問題，有在除去有機成分后，在粒子上被覆無機材料，抑制粒子彼此的 移動的方法。但是，存在由于在粒子上設置被覆層，從而由粒子形成的凹凸形狀由于被覆層 而被平坦化的問題。
【發明內容】
陽〇化]本發明的課題在于得到一種磁記錄介質，其在基板和設置于基板上的粒子之間的 密合性良好。
[0006] 根據實施方式，提供一種磁記錄介質的制造方法，其特征在于，具備：在基板上形 成含有第1金屬的烙敷層的工序；在該烙敷層上形成含有娃的保持層的工序；使用含有能 夠與該烙敷層烙敷的第2金屬的粒子，在該保持層上形成單粒子層的工序；與所述粒子接 觸的區域的所述保持層受到所述第2金屬的催化劑作用發生氧化反應由此形成二氧化娃， 使用含有氨氣酸和過氧化氨的蝕刻溶液對所述二氧化娃進行蝕刻，將所述粒子埋入該保持 層內直到與所述烙敷層接觸的工序；通過加熱使所述粒子和所述烙敷層烙敷的工序；W及 在所述單粒子層上形成磁記錄層的工序。
【附圖說明】
[0007] 圖1是表示保護基的重均分子量和粒子間隔的關系的圖。 陽00引圖2 (a)~訊是表示實施方式設及的磁記錄介質的制造方法的一例的圖。
【具體實施方式】
[0009] 實施方式設及的磁記錄介質的制造方法包括：
[0010] 在基板上形成含有第1金屬的烙敷層的工序；
[0011] 在烙敷層上形成含有娃的保持層的工序；
[0012] 使用含有能夠與烙敷層烙敷的第2金屬的粒子，在保持層上形成單粒子層的工 序；
[0013] 使用含有氨氣酸和過氧化氨的蝕刻溶液對保持層中的二氧化娃進行蝕刻，將粒子 埋入保持層內直到與烙敷層接觸的工序；
[0014] 通過加熱使粒子和烙敷層烙敷的工序；W及
[0015] 在單粒子層上形成磁記錄層的工序。
[0016] 上述二氧化娃，是通過與粒子接觸的區域的保持層受到第2金屬的催化劑作用發 生氧化反應而形成的。
[0017] 單粒子層可W作為具有凹凸圖案的種層使用。通過在單粒子層之上形成磁記錄 層，凹凸圖案被轉印到磁記錄層上。但是，僅靠粒子在基板上沉積，原樣狀態下粒子容易由 于摩擦等的外力而剝離，因此根據實施方式，通過使烙敷層和粒子烙敷來形成化學鍵，能夠 防止由摩擦等的外力造成的粒子剝離。另外，通過使其烙敷，受到烙敷層的結晶取向的影 響，能夠改善粒子內的結晶取向分散。由此，能夠制作SNR良好的磁記錄介質。
[0018] 粒子
[0019] 所使用的粒子是指粒徑1皿~1μm左右的粒子。形狀大多為球形，但也可W是四 面體、長方體、八面體、Ξ棱柱、六棱柱、圓筒形等形狀。在考慮最密排列的情況下或采用濕 蝕刻埋入保持層內的情況下，優選形狀的對稱性高的形狀，特別優選為球形。為了提高涂布 時的排列性，粒子的粒徑分散優選小。在粒徑分散和取向分散（間距分散）之間存在比例 關系，例如，在粒徑分散為10%左右的情況下，其粒子排列形成的單粒子層的粒子的間距分 散為7 %左右，在粒徑分散為15 %左右的情況下，間距分散為10 %，在粒徑分散為30 %左右 的情況下，間距分散為17%。因此，粒子分散的粒徑分散優選為15%W下、更優選為10%W 下。
[0020] 微粒的材料可W使用選自IM、Ag、Pt和Au中的第2金屬。特別優選工作函數為 5eVW上，作為貴金屬的Pd、Pt和Au。
[0021] 微粒的排列在溶液系統中進行，因此微粒在附帶后述的保護基（被覆層）的狀態 下，W穩定分散于溶液中的狀態被使用。
[0022] 保護基（第1高分子材料）
[0023] 作為保護基，優選在末端附帶簇基或硫醇基等的反應性官能團的有機物。一般地， 硫醇基與Au、Ag、Pd、Pt等的粒子反應。
[0024] 可W使保護基的反應性官能團與微粒結合，將保護基的主鏈用于粒子間隔調整和 用于排列的極性調整。極性一般可W使用溶解度參數（SP值）很好地說明。SP值在例如 水之類的極性大的情況下，其值變大，在極性小時其值變小。在碳（C)和娃（Si)表面的情 況下，SP值優選為25MPai/2W下。有機物的主鏈優選為含有1個或多個一般的控（C占2。+1)、 雙鍵和/或Ξ鍵的、W聚苯乙締為首的芳香族控、聚醋或聚酸類。例如，對于具有簇基的物 質，若為飽和控則可列舉癸酸、月桂酸、軟脂酸、硬脂酸，若為不飽和控，則可列舉橄攬油酸、 油酸、亞油酸、亞麻油酸等。對于硫醇基，也同樣地可列舉硫醇、片&。-硫醇等。另 夕F，主鏈可W使用聚醋、聚乙締、環氧樹脂、聚氨醋、聚苯乙締、聚丙締等的聚合物。為了其后 進行反應的工藝，保護基可w具有分支少的直鏈狀結構。特別是在使用聚苯乙締類的情況 下，該SP值取得了與涂布溶劑接近的值，因此溶解性和涂布性良好。保護基不僅擴大粒子 間隔，還有改善粒子排列的效果。要排列粒子，在溶劑干燥時需要粒子能夠自由移動的物理 空間。在粒子間隔小的情況下，粒子彼此的范德華力的影響強，會妨礙粒子的運動。特別是 在沒有保護基從而粒子彼此露出的情況下，粒子彼此凝聚，從而粒子無法移動。通過在粒子 的表面修飾保護基，使粒子彼此的間隔擴大，由此能夠抑制在粒子間施加的范德華力的影 響，不會妨礙粒子的運動，從而改善排列。
[00巧]圖1是對于W聚苯乙締為保護基的情況，表示保護基的重均分子量和粒子間隔的 關系的圖。
[00%] 圖中，如曲線101所示，如果保護基的分子量變高則粒子間隔變大。
[0027] 在將粒子作為內存（memory)或存儲器（storage)等的記錄圖案使用的情況下，由 于粒子間隔變寬而使圖案密度降低。粒子間隔相對于粒子的直徑優選從10%~200%。因 此，保護基的分子量可W設在100~50, 000的范圍。進而，作為第1高分子材料優選使用 具有1000~5