專利名稱：用于制造具有例如tco無機涂層的箔片的方法
技術領域：
本發明涉及一種用于制造具有無機涂層的箔片的方法，以及如此獲得 的箔片。
背景技術：
在本技術領域中，公知具有無機涂層的箔。例如太陽能電池單元，也 稱為光伏單元或光伏箔，通常包括載體和由在包括無機材料更具體而言透 明導電氧化物(TCO)的前電極(在箔的前面)和背電極(在箔的背面) 之間設置的半導體材料構成的光伏(PV)層。前電極是透明的，能夠使入 射光到達半導體材料，其中入射輻射被轉變成電能。這樣，可以使用光產 生電流，其為例如化石燃料或核能提供了值得注意的替代。包括無機材料的其它的箔是OLED、光學層例如反射或增透層、和顯 示器。WO 98/13882和WO 99/49483描述了用于制造光伏箔的方法，包括以 下步驟提供臨時基底，施加透明導電氧化物，施加光伏層，施加背電極， 施加載體，去除臨時基底以及優選地在透明導電層側上施加透明保護頂部 涂層。該方法能夠進行光伏箔或器件的巻繞式(roll-to-roll)生產，而同時 使其可以使用任何希望的透明導體材料和淀積工藝，而不危害PV層的產 生電流的作用。WO 01/78156和WO 01/47020描述了關于該方法的變化。 根據相似的方法可以制造具有無機材料的其它的箔。在光伏電池的情況下，使用金屬臨時基底是優選的，因為這樣的材料 通常將能夠承受在后續的處理期間的最高的溫度，幾乎不蒸發，并且可以 使用公知的蝕刻技術相對容易地將其去除。選擇金屬特別是鋁或銅的另一
原因是PV箔最終將包含"側"電極(其形成用于連接到任何輔助設備或 網絡的接觸，即實際上使用PV箔作為電源)。通過允許臨時基底的一部分保留在其適當的位置(例如作為側邊緣或帶)，不需要獨立地施加這些 接觸。為了改善來自太陽能電池單元的電流的收集，太陽能電池單元通常具 有電流收集柵格。在太陽能電池箔單元的情況下，在前電極上和/或少數情況下如果背電極由相對弱導電的TCO組成在背電極上施加柵格以獲得 (半)透明太陽能電池單元。柵格是以這樣的能夠容易的收集光伏層產生 并且通過電極流動的電流的方式施加的導電材料的線條的圖形。在本技術領域中公知施加柵格的各種方法。例如，公知通常使用包含銀顆粒的膏通過印刷技術來施加柵格。使用這種骨的缺點是其電導率相對 較低。可以通過燒制(firing)青以增加電導率，但是這引入了附加的處理 步驟。燒制通常對于太陽能電池單元的特性有不利的影響，特別是對于光 伏層和可選的聚合物層，同時產生的柵格的電導率仍有不足之處。在本技術領域中還公知通過淀積熔化的金屬來施加柵格。雖然該方法導致具有良好電導率的柵格，但是熔化的金屬的高溫通常會對TCO層的 特性產生不利影響，特別是光伏層的特性。同樣，還需要許多附加的步驟 以準備用于金屬淀積的表面。近來研發關注的是在相對較低的溫度下淀積在施加后可以自然地凝固 的金屬層。然而目前這些方法不能生產可接受質量的光伏器件。WO 93/00711描述了在透明導電材料層的頂上通過用導電粘合劑將導電箔固定 到其上來形成電流收集柵格。隨后，通過蝕刻技術去除導電箔的一部分。 與該方法有關的 一個問題存在于導電粘合劑，在導電箔已被去除的位置該 導電粘合劑也應該被去除。例如，這可以通過溶劑來完成，但是這招致了 溶劑將同樣溶解將電流收集柵格接合到前電極的粘合劑的風險。與該方法 有關的另一問題是在電流收集柵格與TCO層之間通過粘合劑的連接的電 導率。以連續的片的形式制造這些太陽能電池以及包括無機材料的相應的其
它層。在使用前，將這些片切割成需要的尺寸的合適的片。可以通過succors、刀、切割器等等執行切割。然而無機層如TCO層是相對脆的層。 因此在這樣的層中在切割位置周圍，切割、切斷等等幾乎總是導致開裂。 如果制造大片的箔，這樣的開裂有時是可以接受的，但是當制造小片時， 開裂的面積相對較大因此是不可接受的。因此需要一種用于制造具有無機涂層的箔片的方法提供這樣的片，其 中開裂的量被顯著地減少或者甚至被完全防止。發明內容現在已發現可以通過制造具有無機涂層的箔片解決這些問題，所述具 有無機涂層的箔片通過以下步驟制造 (a )提供可蝕刻的臨時基底箔，(b) 將所述無機涂層施加到所述臨時基底上，(c) 施加永久栽體，(d) 可選地，去除所述臨時基底的一部分，(e) 將所述箔沿切割線切割成片，其中所述切割線位于所述箔的一部 分處，其中在所述箔的一部分處存在具有相對所述切割線的每一側邊的至 少0.25mm的寬度的所述臨時基底，(f) 去除所述臨時基底的至少一部分。本發明還涉及一種用于制造太陽能電池單元、無機發光器件或顯示器 的方法，包括以下步驟(a) 提供可蝕刻的臨時基底箔，(b) 將透明導電氧化物(TCO)的前電極施加到所述臨時基底上， (bl)將光伏層、OLED層或前面板層壓層施加到所述TCO層上， (b2)施力口背電極層，(c) 施加永久栽體，(d) 可選地，去除所述臨時基底的一部分，(e) 將所述箔沿切割線切割成片，其中所述切割線位于所述箔的一部
分處，其中在所述箔的一部分處存在具有相對所述切割線的每一側邊的至少0.25mm的寬度的所述臨時基底，(f)去除所述臨時基底的至少一部分。因此本發明除了其它的還提供了一種其中所述臨時基底的至少一部分 被保留在切割線處的方法。發現如果這樣的臨時基底的寬度具有到所述切 割線的至少0.25mm的寬度，可以向無機層提供足夠的支撐以便在切割過 程期間防止其開裂。因為通過臨時基底例如并且優選的鋁層比僅僅通過聚合物永久支撐層 (support)和無機層來切割箔更困難，所以發現了提供切割線而沒有臨時 基底的進一步改進。為達到該目的，首先在切割線處例如通過蝕刻去除臨 時基底，并且可能地盡可能少地在切割線之外。因為是以這樣的沒有臨時 基底的切割線的方式，因此易于切割，而自切割線左右至少0.25mm仍存 在臨時基底以向箔提供支撐，從而防止無機層的開裂。很清楚，越多的臨時基底從切割線左右延伸，就向無機層提供越多的 支撐。基于這個原因使用沿切割線的臨時基底的"帶"是優選的。這樣的 帶優選地具有小于20cm的寬度，優選小于10cm，更優選小于3cm。這樣 的帶的最小寬度是至少0.5mm。如果切割線處于該帶中間，可以獲得箔片， 其包括具有在從箔切割下來的側邊的邊緣處的20cm與0.5mm之間的寬度 的臨時基底的帶。這樣切割的箔片也包括本發明的一個目的。這些帶也可 以用作電路，例如當制作印刷布線板，或者作為用于電接地的安全裝置時。 當施加到箔與最終產品的邊緣時，這些帶保護無機層免受損壞，在本說明書的上下文中，術語蝕刻意指通過化學方法例如溶解去除。 可蝕刻的基底是可以通過化學方法去除的基底；蝕刻抗蝕劑是在去除臨時 基底期間施加的可以抵抗條件的材料。臨時基底優選是導電的并且可以作為背電極的金屬基底。如果去除臨 時基底的多個部分，通常通過局部蝕刻或/和整體蝕刻臨時基底的一部分來 進行。另外，考慮到使用臨時基底總是使其部分或整體的去除成為必要， 通常通過蝕刻步驟，根據本發明的所述方法提供了進行這樣的去除的特定
的方式，導致可以容易地切割而在無機層例如TCO層中不引入開裂的箔。 為防止在切割線位置處用作帶的部分上的蝕刻，可以使用蝕刻抗蝕劑。 蝕刻抗蝕劑可以是以電流收集柵格的形式施加到臨時基底并且將保護臨時 基底免受蝕刻劑的作用的任何材料。蝕刻抗蝕劑可以是臨時的，即在所述 工藝的某一后續階段可以將其去除。可選地，蝕刻抗蝕劑可以是永久的。 使用永久蝕刻抗蝕劑是優選的。對于這樣的優選有各種原因。首先，使用 永久蝕刻抗蝕劑消除了對蝕刻抗蝕劑去除步驟的需要。其次，蝕刻抗蝕劑 將保護箔免受外界影響并且增加封裝模塊的介電擊穿強度。根據本發明的所述方法中的任何階段可以實施蝕刻抗蝕劑到臨時基底 上的施加。例如可以在所述方法的開始之前施加，即在將TCO施加到所 述臨時基底的另一面上之前。可以在任何的中間階段施加，并且可以在所 述方法結束時施加，也就是，在背電極或者，可施加的地方，永久載體的 施加之后，和剛好在通過蝕刻去除臨時基底之前。后面的選擇是優選的， 因為其防止了在所述方法的先前部分期間損壞蝕刻抗蝕劑圖形。其還阻止 在臨時基底"背面"上存在的蝕刻抗蝕劑圖形干擾其它的處理步驟。如果 將在背面上具有蝕刻抗蝕劑圖形的臨時基底導引在一個或多個輥(roll)上 面，在根據本發明的所述方法的優選的巻繞式實施例中兩者都可以發生。在根據本發明的所述方法的優選實施例中，臨時基底是撓性的，撓性 7JC久載體被施加，以及通過巻繞式方法實施所述方法。
通過附圖進一步示例所述方法。圖i示出了通過臨時基底的剩余的帶切割的箔；圖2示出了通過在臨時基底的兩個剩余的帶之間的切割線切割的箔。
具體實施方式
在圖1A中，將TCO層2 (無機層)施加到鋁覆蓋層(臨時基底)l。 在圖1B中，將永久基底3層壓到TCO層。在圖1C中，將蝕刻抗蝕劑4
施加到鋁層。在圖ID中，部分地蝕刻鋁層(此步驟是可選步驟)。在圖 IE中，去除蝕刻抗蝕劑。在圖IF中，將鋁基底進一步向下蝕刻至無機層， 留下部分鋁基底。在圖1G中，在剩余的鋁覆蓋層處切割箔。結果是脆無 機層的沒有損壞的兩部分(圖1H)。在圖2中的2A-2B和2D-2G分別與圖1A-1B和1D-1G相似。在圖 2C中，將蝕刻抗蝕劑4的兩個平行帶施加到鋁層以便在預蝕刻和最終的蝕 刻之后留下鋁層的兩個帶。在兩個帶之間切割箔。最終鋁帶阻止了緊挨切 口的脆無機層中出現的開裂(圖2H)。當然，通過剩余的鋁形成的圖形可以具有任何形狀。無機層可以是幾 個層的疊層。該層可以形成其術語被隨后解釋的"光伏層"。 臨時基底臨時基底必須滿足許多條件。它必須是充分導電的以能夠用作用于電 流收集柵格的基礎材料。它必須是充分耐熱的以能夠耐受在制造箔期間更 具體而言在淀積無機層例如TCO層和PV層期間的主要條件。它必須足夠 堅固以在其制造期間能夠支承箔單元。它必須易于從無機層去除而不損壞 后者。在這些準則內本領域的技術人員將能夠選擇合適的臨時基底。根據本發明在該方法中釆用的臨時基底優選為金屬或金屬合金的箔。 其主要原因為這樣的箔呈現出良好的導電率，通常能夠承受高的處理溫度， 蒸發慢并且相對易于使用公知的蝕刻技術去除。選擇金屬箔更具體而言鋁 或銅的另 一原因為最后箔必須具有必須將單元連接到設備或電力網格的邊 緣電極。可以使用臨時基底的剩余的片以達到該目的，其結果是不需要單 獨提供邊緣電極。合適的金屬包括鋼、鋁、銅、鐵、鎳、銀、鋅、鉬、鉻和其合金或多 層。由于經濟原因除了其它的材料還優選采用Fe、 Al、 Cu、或其合金。 已知它們的特性(并且考慮成本問題)優選鐵和銅，并且最優選的是鋁。公知用于去除金屬的合適的蝕刻劑和技術，然而對于每種金屬它們是 不同的，技術人員將能夠選擇合適者。優選的蝕刻劑包括酸(Lewis酸和 Br0nstedt酸)。因此在銅的情況T，使用FeCl3、硝酸或硫酸是優選的。
用于鋁的合適的蝕刻劑為例如NaOH、 KOH以及磷酸與硝酸的混合物。如果銅用作臨時基底，可選地以電解淀積的方式來制造，可選地通過 電解淀積提供具有非還原性擴散阻擋層例如防腐蝕層更具體而言氧化鋅的 銅是優選的。這是因為銅具有擴散通過TCO層在PV層中的趨勢。可以選 擇能夠防止這樣的擴散的TCO例如Sn02或ZnO。可以利用例如電解淀 積或通過物理氣相淀積(PVD)或通過化學氣相淀積(CVD)來施加抗擴散層o為了易于去除，臨時基底優選為盡可能地薄。另一方面需要一定的厚 度以確保從臨時基底獲得的帶提供足夠的支撐，以及如果必要，例如作為 電極和提供足夠的電流。此外，其厚度必須是這樣的，在其上可以*沒置其 它的層并且它必須能夠將這些層保持在一起，但是這通常不需要其大于500pm (0.5mm)厚。厚度優選處于l-200nm (0.2mm)的范圍。依賴于 彈性模數，大量材料的最小厚度將為5jim。因此，5-150jim更具體而言 lO-lOOfim的厚度是優選的。隨便而言，通過適當的選取蝕刻抗蝕劑的寬度結合臨時基底的厚度， 可以調節當前的防止開裂的特性。通過變化在箔的表面之上的蝕刻抗蝕劑 的寬度，可以調節該特性。 無機層合適的無機層的實例是金屬氧化物、陶瓷、玻璃等等，以及包括銦錫 氧化物、氧化鋅、鋁、氟、鎵或硼摻雜的氧化鋅、硫化鎘、氧化鎘、氧化 錫以及最優選的F摻雜的Sn02的特別地透明導電氧化物(TCO)。該最 后提及的透明電極材料是優選的，因為當其在400。C以上的溫度下，優選 在500。C至600。C范圍內被施加，或者在所述溫度下被后處理時，其可以 形成具有柱狀光散射結構的希望的晶體表面。對于這種TCO材料的情形， 使用能夠承受這樣的高溫的臨時基底恰恰是相當吸引人的，另外，該材料 抵抗大多數蝕刻劑并且具有比常用的銦錫氧化物更好的對化學制劑的抵抗 力。而且其成本極低。可以通過本領域公知的方法例如通過金屬有機化學氣相淀積
(MOCVD)、濺射、常壓化學氣相淀積(APCVD) 、 PECVD、噴霧熱 解(spray pyrolysis)、蒸發(物理氣相淀積)、電解淀積、無電鍍敷、絲 網印刷、溶膠凝膠方法等等或者這些工藝的組合施加TCO。在250。C溫度 以上，優選400°C以上，更優選在450°C與600°C之間，施加和后處理TCO 層是優選的，以便可以獲得希望的成分、特性和/或結構的TCO層。 緩沖層如果需要，緩沖層可以存在于無機層與光伏層之間。緩沖層旨在保護 無機層免受在淀積其它層例如PV層期間的主要條件的影響。緩沖層的性 質將依賴于所述其它層的性質。在本領域中公知用于各種層的合適的緩沖 層。提及了碲化鎘CdS、 In(OH，S)和Zn(OH，S)。如果在本說明書提及中 由在TCO上淀積PV層制造，則緩沖層可以存在或可以不存在于該TCO 上。光伏(PV)層在施加TCO層之后，以適當的方式施加PV層。這里應該注意到在本 說明書中術語"PV層"或"光伏層"包括需要吸收光并且將其轉換成電 的層的整個系統。公知合適的層配置，正如公知用于施加它們的方法。對 于本領域中的常識，必須參考Yukinoro Kuwano的"Photovoltaic Cells", Ullmann，s五"o;c/( /7^/ifl， Vol.A20(1992)，161 和 "Solar Technology", Ullmann，s五"cy卻函，Vol.A24(1993)，369。在制造PV層中可以使用各種薄膜半導體材料。實例為無定形硅(a-Si: H)、微晶硅、多晶無定形碳化硅(a-SiC)與a-SiC:H、無定形硅鍺(a-SiGe) 以及a-SiGe:H。另外，根據本發明在太陽能電池單元中的PV層包括CIS (銅銦聯頓化物，CuInSe2)、碲化鎘(CdTe) 、 CIGSS ( Cu(In，Ga)(Se，S))、 Cu(In，Ga)Se2、 ZnSe/CIS、 ZnO/CIS、和/或Mo/CIS/CdS/ZnO 、以及染料 感應太陽能電池。當TCO包括氟摻雜的氧化錫時，PV層優選是無定形硅層。在此情形 下PV層將通常包括p摻雜、本征和n型摻雜的無定形硅層的一組或多組， p摻雜的層位于接收入射光側上。
在a-Si-H實施例中PV層將至少包括p摻雜的無定形硅層(Si-p )、 本征無定形硅層(Si-i)和n摻雜的無定形硅層(Si-n)。可以將第二組與 下一組p-i-n層施加到第一組p-i-n層上。同樣，可以連續地施加多個重復 的p國i誦n ( "pinpinpin"或"pinpinpinpin，，)層。通過堆疊多個p國i—n層， 升高了每個電池的電壓并且增強了系統的穩定性。消除了光誘導的退化即所謂的Staebler-wronski效應。此外，通過在各層中，主要是i層并且特 別是在i層內，可以通過選擇不同帶隙材料優化光語響應。PV層的總厚度， 更具體而言所有a-Si層一起的總厚度將通常約為100nm至2，000nm，更典 型地約為200nm至600nm，并且優選地約為300nm至500nm。 背電極在根據本發明的薄膜太陽能電池片中的背電極既可作為反射器又可作 為電極，而且還可以作為用于無機層的支撐層以在切割期間防止開裂。通 常，背電極具有約50nm至500nm的厚度，以及其可以包括具有光反射特 性的任何合適的材料，優選鋁、銀或兩者的層的組合，并且與毗鄰的半導 體層形成良好的歐姆接觸。優選地，在相對低溫下，即小于250'C，可以 通過例如電解淀積、(在真空中)物理氣相淀積或濺射施加金屬層。在銀 的情況下，優選首先施加粘合促進劑層。Ti02、 TiN、 ZnO和氧化鉻是用 于粘合促進劑層的合適材料的實例并且當以合適的厚度例如50-100nm施 加時，還具有擁有反射特性的優點。需要的背電極可以是透明的或者不透 明的。 永久載體雖然對于根據本發明的方法其不是本質的，但是通常提供具有永久載 體的箔是優選的。否則箔將如此之薄，以致其脆性使其難以被處理。當采 用永久載體時，在背電極上施加永久載體。合適的載體層材料包括商業可 得的聚合物例如聚對苯二甲酸乙二酯、聚(2，6-萘二甲酸乙二曱酯)、聚 碳酸酉旨、聚氯乙烯、PVDF、 PVDC、 PPS、 PES、 PEEK、 PEI的膜或者 具有4艮好特性的聚合物例如芳族聚酰胺、聚酰胺的膜、或聚酰亞胺膜，而 且包括例如在其上已施加了絕緣(介電)層的金屬箔，或者由塑料和強化
纖維以及填充物構成的合成物。具有這樣的熱塑性粘合層的聚合"共擠" 膜是優選的，該熱塑性粘合層具有比基底本身的軟化點低的軟化點。如果需要，該共擠膜可以具有例如聚酯(PET)、共聚多酯或鋁的抗擴散層。 栽體的厚度優選是50nm至10mm。優選的范圍是75nm至3mm以及lOOjim 至300nm。在本說明書的上下文中定義的作為單位為N/mm2的彈性才莫數E 與單位為mm的厚度t的三次冪的乘積(Ext3)的載體的彎曲剛度優選高 于16xl(T2Nmm并且通常將低于15xl06Nmm。載體可以包括其最終使用所需要的結構。因此基底可以包括磚瓦 (tile)、屋頂板與部件(element)、立面部件、小汽車與車頂等。然而， 通常優選撓性的栽體。在該情形下，獲得準備好^f吏用的太陽能電池箔的巻 并且其中可以從巻上切割希望的功率和電壓的片。然后根據需要可以將這 些并入(混合)到屋頂部件中或者施加到磚瓦、屋頂板、小汽車和車頂等 等上。如果需要，可以在箔的無機面上設置頂部涂層或表面層以保護該無機 面免受外界影響。通常，表面層將是聚合物片(具有腔如果需要)或聚合 物膜。需要表面層具有高透過率并且例如包括以下材料(全)氟化的聚 合物、聚碳酸酯、聚(甲基丙烯酸甲酯)、PET、 PEN或可得到的任何透 明涂層例如在汽車工業中使用的涂層。如果需要，可以提供附加的增透層 或抗污層。可選地，如果需要，可以將整個太陽能電池并入到這樣的密封材料中。 蝕刻抗蝕劑蝕刻抗蝕劑可以是可以以電流收集柵格的形式,皮施加到臨時基底并且 保護臨時基底免受蝕刻劑的作用的任何材料。通過常規測量技術人員可以 選則合適的材料。合適的蝕刻抗蝕劑包括熱塑性材料和熱固性聚氨基甲酸 酯和聚酰亞胺、熱固性聚合物例如EP、 UP、 VE、 SI、(環氧)樹脂、和丙 烯酸脂、和熱塑性聚合物例如PVC、 PI、氟聚合物等等。蝕刻抗蝕劑通常 包括添加劑如光引發劑或其它硬化劑、填充物、軟化劑等等。蝕刻抗蝕劑 可以是臨時的，即在工藝的某一后續階段可以將其去除。可選地并且優選
地，蝕刻抗蝕劑是永久的。通過蒸發或印刷/布線適宜地施加蝕刻抗蝕劑。優選地，通過像這樣的公知的印刷方法施加蝕刻抗蝕劑。合適的印刷方法包括絲網印、旋轉(roto ) 絲網印刷、噴墨方法、撓性凹版印刷(flexgravure)、直接擠壓等等。通 過并入技術人員公知的合適的色料或染料可以調節蝕刻抗蝕劑的顏色。特 別是對于永久蝕刻抗蝕劑，色料和UV穩定劑的存在是優選的。
權利要求
1.一種用于制造具有無機涂層的箔片的方法，包括以下步驟(a)提供可蝕刻的臨時基底箔，(b)將所述無機涂層施加到所述臨時基底上，(c)施加永久載體，(d)可選地，去除所述臨時基底的一部分，(e)將所述箔沿切割線切割成片，其中所述切割線位于所述箔的一部分處，其中在所述箔的一部分處存在具有相對所述切割線的每一側邊的至少0.25mm的寬度的所述臨時基底，(f)去除所述臨時基底的至少一部分。
2. 根據權利要求l的方法，其中在步驟(c)與步驟(e)之間通過蝕 刻去除在所述切割線的位置處的所述臨時基底。
3. 根據權利要求1或2的方法，其中所述臨時基底具有相對所述切割 線的每一側邊的至少0.25mm，更具體而言至少lmm的寬度。
4. 根據權利要求1至3中的任何一者的方法，其中所述切割線位于所 述臨時基底的帶上，所述帶具有小于20cm,優選小于10cm，更優選小于 3cm的寬度。
5. 根據權利要求1至4中的任何一者的方法，其中具有無機涂層的所 述箔是太陽能電池、有機發光器件或顯示器，所述方法包括以下步驟(a )提供可蝕刻的臨時基底箔，(b) 將透明導電氧化物(TCO)的前電極施加到所述臨時基底上， (bl)將光伏層、OLED層或前面板層壓層施加到所述TCO層上， (b2)施加背電極層，(c) 施加永久載體，(d) 可選地，去除所述臨時基底的一部分，(e) 將所述箔沿切割線切割成片，其中所述切割線位于所述箔的一部 分處，其中在所述箔的一部分處存在具有相對所述切割線的每一側邊的至 少0.25mm的寬度的所述臨時基底，(f)去除所述臨時基底的至少一部分。
6. 根據權利要求1至5中的任何一者的方法，其中所述臨時基底是鋁。
7. —種通過權利要求l-6中的任何一者獲得的箔片，其包括具有在從 所述箔切割下來的側邊的邊緣處的20cm與0.5mm之間的寬度的臨時基底 的帶。
全文摘要
本發明涉及一種用于制造具有無機涂層的箔片的方法，包括以下步驟(a)提供可蝕刻的臨時基底箔(1)，(b)將所述無機涂層(2)施加到所述臨時基底上，(c)施加永久載體(3)，(d)可選地，去除所述臨時基底(1)的一部分，(e)將所述箔沿切割線切割成片，其中所述切割線位于所述箔的一部分處，其中在所述箔的一部分處存在具有相對所述切割線的每一側邊的至少0.25mm的寬度的所述臨時基底，(f)去除所述臨時基底的至少一部分。
文檔編號H01L31/18GK101151738SQ200680010237
公開日2008年3月26日 申請日期2006年3月31日 優先權日2005年4月6日
發明者L·V·德揚 申請人:阿克佐諾貝爾股份有限公司