基板處理方法以及基板處理裝置與流程

技術特征：
1.一種基板處理方法，其特征在于，包括：水分除去工序，從具有露出氮化硅膜以及吸濕性的氧化硅膜的表面的基板上，除去吸附在所述氧化硅膜中的水分，硅烷化工序，在所述水分除去工序之后，對基板供給硅烷化試劑，蝕刻工序，在所述硅烷化工序之后，對所述基板供給氫氟酸蒸汽，對所述氮化硅膜進行選擇性蝕刻。2.如權利要求1所述的基板處理方法，其特征在于，吸濕性的所述氧化膜包括多孔質氧化硅膜。3.如權利要求1或2所述的基板處理方法，其特征在于，所述水分除去工序，包括對基板進行加熱的加熱工序、使基板周邊的氣壓下降的減壓工序以及對基板照射光的照射工序中的至...