技術總結
提供基板處理方法及基板處理裝置。基板處理方法包括：水分除去工序，從基板上除去水分；硅烷化工序，在所述水分除去工序之后，對基板供給硅烷化試劑；蝕刻工序，在所述硅烷化工序之后，對所述基板供給蝕刻劑。所述基板的表面可以露出氮化膜以及氧化膜，此時，所述蝕刻工序可以是通過所述蝕刻劑對所述氮化膜進行選擇蝕刻的選擇蝕刻工序。可以通過供給含有蝕刻成分的蒸汽的方式供給所述蝕刻劑。
技術研發人員：太田喬;赤西勇哉;橋詰彰夫
受保護的技術使用者：斯克林集團公司
文檔號碼：201210360017
技術研發日：2012.09.24
技術公布日：2017.10.03