專利名稱：一種新型led芯片的制作方法
技術領域：
本發明涉及半導體發光技術領域。
背景技術：
目前LED技術領域，芯片經過劃片及裂片的制作流程后，一般形成獨立的不同標準尺寸，實際應用中需要根據功率及散熱要求，對每個小芯片進行封裝，例如對于IXI平方毫米的芯片，如果需要64平方毫米的發光面，則需要針對64個芯片，進行64次固晶過程，需要的耗時較長，降低了生產效率；而如果定做64平方毫米的整塊芯片，則由于其工作時需要的電流密度較大，工作穩定性及散熱性遠遠落后于1X1平方毫米小芯片的組合。因此亟需一種能夠提高生產效率，同時又能保證工作穩定性的新型LED芯片。
發明內容為克服現有小芯片封裝流程中工作效率較低的問題，本發明的主要目的就是設計一種新型LED芯片，提高生產效率，同時保持LED模組工作的穩定性。優選的，所述一種新型LED芯片，在同一個基板上不同芯片發光小區間設置邊界，所有發光小區間具有共同的基底，將所述每個發光小區間通過焊線連接到電極上分別供電，實現LED芯片發光。優選的，所 述一種新型LED芯片，共同基底上的芯片發光面，被分割成了獨立的小區間，每個區間都通過焊線與電極相連，實現獨立供電工作。優選的，所述一種新型LED芯片，基底上的各個獨立小區間，為共陽極結構或共陰極結構。優選的，所述一種新型LED芯片，共同基底上的每個獨立小區間，其本征發光中心波長相同，通過鍍熒光粉，每個獨立小區間實現不同中心波長的光出射。
圖1為目前技術中LED芯片封裝結構示意圖。圖2為本發明的一種新型LED芯片封裝的結構示意圖。主要元件標記說明1:LED 芯片。2:焊線。3:電極。
具體實施方式
下面通過實施例，并結合附圖，對本發明的技術方案進行具體的說明。實施例1圖1展示了目前技術中單個小芯片分別封裝的結構示意圖，圖中LED芯片(I)數量共有4個，需要將每個LED芯片(I)都封裝在散熱基板上，共需要4次封裝流程。每個LED芯片(I)通過焊線(2 )與電極(3 )相連接，實現獨立供電。實施例2圖2展示了本發明的一種新型LED芯片，圖中虛線表示同一個基板上不同芯片發光區間的邊界，芯片發光面分為4個，但是4個小區間具有共同的基底，其在物理上為同一個整體，因此只需將基底進行一次定位，即可實現四個發光小區間的定位，簡化了封裝流程。圖中每個小發光面通過焊線連接到電極上，實現分別供電，焊線原理與實施例1類似。通過以上實施方式，不難看出本實用新型提出了一種新型LED芯片的設計方案，將能夠大幅度提高LED模組的封裝流程。本設計方案中，每個基底上發光小區間的數量可以改變，并不局限于上述實施例中展示的4個。以上實施方案只為說明本發明技術構思及特點，其目的在于讓熟悉此項技術的人了解本發明的內容并加以實施，并不能以此限制本發明的保護范圍，凡根據本發明精神實質所做的等小變化或 修飾均涵蓋在本發明的保護范圍內。
權利要求1.一種新型LED芯片，其特征在于:所述的LED芯片，在同一個基板上不同芯片發光小區間設置邊界，所有發光小區間具有共同的基底，將所述每個發光小區間通過焊線連接到電極上分別供電，實現LED芯片發光。
2.根據權利要求1所述的一種新型LED芯片，其特征在于:共同基底上的芯片發光面，被分割成了獨立的小區間，每個區間都通過焊線與電極相連，實現獨立供電工作。
3.根據權利要求2所述的一種新型LED芯片，其特征在于:基底上的各個獨立小區間，為共陽極結構或共陰極結構。
4.根據權利要求2所述的一種新型LED芯片，其特征在于:共同基底上的每個獨立小區間，其本征發光中心波長相同，通過鍍熒光粉，每個獨立小區間實現不同中心波長的光出射。·
專利摘要本實用新型涉及一種新型LED芯片，改進了LED芯片切割技術中的劃片及裂片過程，通過在在同一塊基底上保留多顆傳統小LED芯片結構，保持了小電流供電和芯片工作時的高電流密度；所述LED芯片直接封裝于高導熱基板上，并通過焊線與電極相連；所述高導熱基板上還設有線路層。本實用新型在目前工藝流程基礎上，大大簡化了LED模組封裝過程，提高了生產效率。
文檔編號H01L33/48GK203134793SQ20122070550
公開日2013年8月14日 申請日期2012年12月19日 優先權日2012年12月19日
發明者熊大曦, 楊西斌 申請人:蘇州科醫世凱半導體技術有限責任公司