1.一種外延片中P型層的生長方法，所述外延片包括：緩沖層、非摻雜氮化鎵層、N型層、量子阱層、以及P型層，其特征在于，所述P型層生長過程包括多個生長階段，所述方法包括：
獲取所述P型層當前生長階段的生長厚度；
在所述生長厚度達到預設厚度時，按照預設降溫速率，將生長溫度降至預設溫度，并將所述生長溫度在所述預設溫度維持預設時間段。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述當前生長階段非最后生長階段時，所述方法還包括：
按照預設升溫速率，將所述生長溫度從所述預設溫度提高至預設生長溫度；
在所述預設生長溫度下，開始所述P型層的下一生長階段。
3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述預設降溫速率大于所述預設升溫速率。
4.根據權利要求1-3任一項所述的方法，其特征在于，所述預設厚度包括下述任一項：15納米、20納米、25納米。
5.根據權利要求1-3任一項所述的方法，其特征在于，所述預設溫度的范圍大于或等于600攝氏度、且小于或等于900攝氏度。
6.根據權利要求1-3任一項所述的方法，其特征在于，所述預設降溫速率的范圍大于或等于50攝氏度/分鐘、且小于或等于125攝氏度/分鐘。
7.根據權利要求2或3所述的方法，其特征在于，所述預設生長溫度的范圍大于或等于950攝氏度、且小于或等于1000攝氏度。
8.根據權利要求2或3所述的方法，其特征在于，所述預設升溫速率的范圍大于或等于50攝氏度/分鐘、且小于或等于100攝氏度/分鐘。
9.根據權利要求1-3任一項所述的方法，其特征在于，所述在所述生長厚度達到預設厚度時，按照預設降溫速率，將生長溫度降至預設溫度，包括：
在所述生長厚度達到預設厚度時，按照預設降溫速率，采用氮氣將生長溫度降至預設溫度。