技術總結
本發明提供一種外延片中P型層的生長方法，該外延片包括：緩沖層、非摻雜氮化鎵層、N型層、量子阱層、以及P型層，P型層生長過程包括多個生長階段，方法包括：獲取P型層當前生長階段的生長厚度；在生長厚度達到預設厚度時，按照預設降溫速率，將生長溫度降至預設溫度，并將生長溫度在預設溫度維持預設時間段。本發明提供的外延片中P型層的生長方法，能夠提高外延片中P型層的空穴的遷移率，進而能夠提高外延片的發光效率，從而能夠提高發光二極管的發光效率。
技術研發人員：霍麗艷;黃小輝;周德保;康建;梁旭東
受保護的技術使用者：圓融光電科技股份有限公司
文檔號碼：201610788923
技術研發日：2016.08.30
技術公布日：2016.12.21