1.一種PERC太陽能電池結構，其特征是，包括電池片本體，所述電池片本體(4)的正面依次沉積/生長有正SiO2層(3)、減反層(2)和正AlOx層(1)，所述電池片本體(4)的背面依次沉積有背AlOx層(5)和SiNx層(6)。
2.根據權利要求1所述的一種PERC太陽能電池結構，其特征是，所述減反層(2)的結構為SiNx/SiNy/SiOxNy與SiNx/SiOxNy/SiOx中的其中一種。
3.根據權利要求1或2所述的一種PERC太陽能電池結構，其特征是，所述電池片本體(4)的背面與背AlOx層(5)之間還沉積/生長有背SiO2層(7)。
4.如權利要求1或2所述的一種PERC太陽能電池結構的制備工藝，其特征是，具體包括如下步驟：
(1)硅片在堿性或者酸性溶液中制絨后，清洗，烘干，絨面尺寸控制在5um以內；
(2)擴散爐中進行高溫磷擴散，擴散方阻在60-120Ω/口之間，表面濃度在1019-1022atom/cm3之間，結深控制在200-800nm之間，進行濕法刻蝕和清洗；
(3)擴散爐中進行氧化摻雜，氧化溫度在600-900℃之間，時間在10-60min，同時通入POCl3進行摻雜，控制表面濃度，摻入雜質類型與發射結相同，摻雜溫度在600-900℃之間，時間為60-300s之間，摻雜后表面濃度控制在1020-1022atom/cm3之間，結深控制在300-900nm之間；
(4)正面鍍膜：通過PECVD沉積減反層，并控制折射率和膜厚；
(5)背面刻蝕和清洗，去除氧化摻雜過程中引入的邊結/背結，同時清洗背面；
(6)雙面同時沉積AlOx層，折射率1.6-1.65，膜厚3-30nm；
(7)退火，背面SiNx層沉積，折射率1.9-2.4，膜厚80-200nm；
(8)激光開窗，制備背面局部接觸圖案；
(9)絲網印刷及高溫燒結。
5.根據權利要求4所述的一種PERC太陽能電池結構的制備工藝，其特征是，在步驟(1)中，所述的硅片為單晶電池片或者多晶電池片；在步驟(4)中，通過PECVD依次沉積SiNx層、SiNy層和SiOxNy層，其中：控制的折射率依次為2.0-2.3、1.8-2.0和1.7-1.9，控制的膜厚依次為5-20nm、20-40nm和30-50nm。
6.根據權利要求4所述的一種PERC太陽能電池結構的制備工藝，其特征是，在步驟(1)中，所述的硅片為單晶電池片或者多晶電池片；在步驟(4)中，通過PECVD依次沉積SiNx層、SiOxNy層和SiOx層，其中：控制的折射率依次為1.9-2.2、1.6-1.9和1.4-1.6，控制的膜厚依次為5-20nm、20-40nm和30-50nm。
7.如權利要求3所述的一種PERC太陽能電池結構的制備工藝，其特征是，具體包括如下步驟：
(1)硅片在堿性或者酸性溶液中制絨后，清洗，烘干，絨面尺寸控制在5um以內；
(2)擴散爐中進行高溫磷擴散，擴散方阻在60-120Ω/□之間，表面濃度在1019-1022atom/cm3之間，結深控制在200-800nm之間，進行濕法刻蝕和清洗；
(3)擴散爐中進行氧化摻雜，氧化溫度在600-900℃之間，時間在10-60min，同時通入POCl3進行摻雜，控制表面濃度，摻入雜質類型與發射結相同，摻雜溫度在600-900℃之間，時間為60-300s之間，摻雜后表面濃度控制在1020-1022atom/cm3之間，結深控制在300-900nm之間；
(4)正面鍍膜：通過PECVD沉積減反層，并控制折射率和膜厚；
(5)采用等離子體或者激光方式進行刻邊；
(6)雙面同時沉積AlOx層，折射率1.6-1.65，膜厚3-30nm；
(7)退火，背面SiNx層沉積，折射率1.9-2.4，膜厚80-200nm；
(8)激光開窗，制備背面局部接觸圖案；
(9)絲網印刷及高溫燒結。
8.根據權利要求7所述的一種PERC太陽能電池結構的制備工藝，其特征是，在步驟(1)中，所述的硅片為單晶電池片或者多晶電池片；在步驟(4)中，通過PECVD依次沉積SiNx層、SiNy層和SiOxNy層，其中：控制的折射率依次為2.0-2.3、1.8-2.0和1.7-1.9，控制的膜厚依次為5-20nm、20-40nm和30-50nm；。
9.根據權利要求7所述的一種PERC太陽能電池結構的制備工藝，其特征是，在步驟(1)中，所述的硅片為單晶電池片或者多晶電池片；在步驟(4)中，通過PECVD依次沉積SiNx層、SiOxNy層和SiOx層，其中：控制的折射率依次為1.9-2.2、1.6-1.9和1.4-1.6，控制的膜厚依次為5-20nm、20-40nm和30-50nm。
10.根據權利要求7或8或9所述的一種PERC太陽能電池結構的制備工藝，其特征是，在步驟(4)之后，直接進入到步驟(6)，并在步驟(9)之后，增加一個工藝，具體為：采用等離子體或者激光方式進行刻邊。