一種LED封裝結構的制作方法

本實用新型涉及半導體器件，尤其是一種LED封裝結構。

背景技術：

隨著LED 技術逐漸向著小型化、高密度、多功能和高可靠性方向發展不斷的發展，對散熱的要求也越來越高，如若封裝結構的散熱不良將導致器件性能惡化、結構損壞、分層乃至燒毀。在環境溫度和發熱功率相同的時候，系統的總的熱阻越高，芯片的溫度就越高，器件的散熱性能也就越差，為了使得LED器件具有良好的熱特性，就必須對器件的整體機構進行優化，目前的封裝結構依然存在散熱性差，封裝結構的總體熱阻高的缺陷，上述問題亟需解決。

技術實現要素：

本實用新型在于提供一種LED封裝結構，這種封裝結構采用高散熱的封裝材料和封裝結構解決了現有技術中存在的封裝結構的散熱性效率低的關鍵問題。

為實現上述目的，本實用新型采用了如下技術方案：

一種LED封裝結構，包括密封層和散熱裝置，所述密封層和散熱裝置13中設置有基板，所述基板下側設置有導熱樹脂層，所述密封層中間隔設置有LED芯片，所述LED芯片通過下端設置的固晶膠與所述基板相接觸，所述固晶膠厚度為0.05~0.1mm。進一步地，所述基板包括第一金屬層、絕緣層和第二金屬層，所述絕緣層設置于第一金屬層與絕緣層之間。進一步地，所述基板為陶瓷基板或金屬復合基板。進一步地，所述固晶層厚度為0.08~0.1mm。進一步地，所述密封層材料為環氧樹脂層或有機硅樹脂層。進一步地，所述LED芯片為3~6個。進一步地，所述LED芯片之間為等間距排布。

本實用新型的LED封裝結構，包括密封層和散熱裝置，還在它們中設置有基板，基板下側設置有導熱樹脂層，密封層中間隔設置有LED芯片， LED芯片通過下端設置的固晶膠與所述基板相接觸，所述固晶膠厚度為0.05~0.1mm，器件的溫度與固晶膠厚度關系密切其厚度設置在此范圍內有利于降低大功率的LED工作時候得溫度，而且降低了此類材質的使用量，進一步降低了成本。基板也是三層結構，基板的熱導率越高，熱量的傳導才會越快，在封裝結構工作過程中芯片底部的溫度變化幅度才會小，所以基板層為第一金屬層、第二金屬層和置于中間的絕緣層，其中優選陶瓷基板或者金屬復合基板，兩者的熱導率較高。密封層材料優選為環氧樹脂層或有機硅樹脂層，其中有機硅樹脂不僅導熱能力強，而且耐老化性能好折射率高。LED芯片為3~6個，等間距排布的模式有利于LED封裝結構工作時候的散熱。

附圖說明

圖1為本實用新型的LED封裝結構的一個實施例的結構示意圖；

圖2為本實用新型的基板材結構的一個實施例的結構示意圖；

附圖標記說明：11-密封層,12-基板，13-散熱裝置,14-導熱樹脂層，111-LED芯片，112-固晶膠層，121-第一金屬層， 122-絕緣層，123-第二金屬層，散熱裝置13。

具體實施方式

為了進一步理解本實用新型，下面結合實施例對本實用新型優選實施方案進行描述，但是應當理解，這些描述只是為進一步說明本實用新型的特征和優點，而不是對本實用新型權利要求的限制。

本實用新型提供了一種LED封裝結構，如圖1~2所示，LED封裝結構包括密封層11和散熱裝置13，密封層11和散熱裝置13中設置有基板12，基板12下側設置有導熱樹脂層14，密封層11中間隔設置有LED芯片111，LED芯片111通過下端設置的固晶膠112與基板12相接觸，所述固晶膠112厚度為0.05~0.1mm。此封裝器件的熱阻主要有兩部分，LED芯片111到基板12的熱阻和基板12到散熱裝置的熱阻，本實用新型采用固晶膠焊接工藝代替傳統的固晶膠粘接工藝，此時LED芯片111與基板12之間的連接不僅機械性能好而且導熱性強，系統的總熱阻變下，器件的散熱性能也變好。固晶膠的厚度選擇0.05~0.1mm，能使在熱應力適當的情況下，LED芯片處于最佳溫度。

基板12包括第一金屬層121、絕緣層122和第二金屬層123，絕緣層122設置于第一金屬層121與絕緣層122之間。基板12優選為陶瓷基板或金屬復合基板，陶瓷基板或金屬復合基板兩者的熱導率較高，易于LED封裝結構的散熱。

固晶膠厚112度為0.08~0.1mm，密封層11材料為環氧樹脂層或有機硅樹脂層，有機硅樹脂不僅導熱能力強，而且耐老化性能好折射率高。LED芯片111為3~6個，LED芯片111之間為等間距排布，等間距排布的模式有利于LED封裝結構工作時候的散熱。

本實用新型與現有技術相比LED封裝結構的總體熱阻降低，散熱性能改善。

以上實施例的說明只是用于幫助理解本實用新型的方法及其核心思想。應當指出，對于本技術領域的普通技術人員來說，在不脫離本實用新型原理的前提下，還可以對本實用新型進行若干改進和修飾，這些改進和修飾也落入本實用新型權利要求的保護范圍內。