一種全光譜CSP封裝裝置的制作方法

本實用新型涉及LED照明領域，尤其涉及一種全光譜CSP封裝裝置。

背景技術：

從人類發展至今，照明光源經歷了火光、油燈、白熾燈、熒光燈，直到目前的(LED)半導體照明。但這些照明光源，在照明的光譜方面均存在缺陷，這種存在缺陷的照明光不能滿足人類健康照明的需求；我們都知道，最好的照明光是自然光，因此，追求自然光照明一直是照明行業的愿景。

技術實現要素：

鑒于現有技術中存在的上述問題，本實用新型的主要目的在于提供一種結構簡單、安全可靠且節能環保的全光譜CSP封裝裝置。

為了達到上述目的，本實用新型提供了一種全光譜CSP封裝裝置，包括承載基體、LED芯片和熒光膜，所述承載基體水平設置且兩端上表面分別設置有焊盤，所述LED芯片設置在所述承載基體上，所述熒光膜設置在所述承載基體上且覆蓋所述LED芯片，所述LED芯片包括一組第一LED芯片和兩組第二LED芯片，一組第一LED芯片水平設置在所述承載基體上表面中心位置，兩組第二LED芯片分別水平設置在所述承載基體上表面且位于一組第一LED芯片的兩側。

進一步的，所述一組第一LED芯片包括多個水平均勻設置的第一LED芯片，所述兩組第二LED芯片中每組第二LED芯片均包括多個水平均勻的第二LED芯片。

進一步的，多個所述第一LED芯片以及多個所述第二LED芯片的下表面均設置有芯片電極，所述芯片電極下表面設置有錫膏層，所述第一LED芯片和第二LED芯片均通過芯片電極以及錫膏層設置在所述承載基體上表面設置的電極焊點上。

進一步的，所述第二LED芯片為LED藍光芯片，所述LED藍光芯片的主波長為450nm～480nm。

進一步的，所述第一LED芯片的主波長大于620nm。

進一步的，所述熒光膜由熒光粉和硅構成。

進一步的，所述熒光膜通過高溫壓合在所述承載基體上方。

進一步的，所述承載基體由鋁、銅、陶瓷或玻纖板中的一種構成，所述承載基體的形狀為正方形、矩形或圓形中的一種。

進一步的，所述第一LED芯片的發光功率與所述第二LED芯片的發光功率的比例為1：(3～10)；當單顆第一LED芯片和單顆第二LED芯片的功率相同時，所述第一LED芯片的數量和第二LED芯片的數量的比例為1：(3～10)。

本實用新型具有以下優點和有益效果，本實用新型提供一種全光譜CSP封裝裝置，其可解決目前窄光譜照明的缺陷，尤其是保護人的視覺；該全光譜CSP封裝裝置的優點在于：1)可降低視覺疲勞；2)可提高眼睛變色能力，降低色弱風險；3)藍光的光譜相對比例較低，可降低對視網膜黃斑區的傷害；4)可減少視網膜微循環短期障礙，血供障礙造成的眼睛干濕疲勞；這種接近自然光中可見光譜的照明，是最理想的健康照明之光。

附圖說明

圖1為本實用新型實施例提供的全光譜CSP封裝裝置的結構示意圖；

圖2為圖1中A位置的放大結構示意圖；

圖3為本實用新型實施例提供的全光譜CSP封裝裝置的截面結構示意圖；

圖4為圖3中B位置的放大結構示意圖；

圖5為本實用新型實施例提供的全光譜CSP封裝裝置的實測光譜曲線圖；

圖6為本實用新型實施例提供的全光譜CSP封裝裝置的實測光譜曲線圖與自然光光譜曲線圖的對比示意圖。

具體實施方式

為使本實用新型實施例的目的、技術方案和優點更加清楚，下面將結合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例。通常在此處附圖中描述和示出的本實用新型實施例的組件可以以各種不同的配置來布置和設計。因此，以下對在附圖中提供的本實用新型的實施例的詳細描述并非旨在限制要求保護的本實用新型的范圍，而是僅僅表示本實用新型的選定實施例。基于本實用新型中的實施例，本領域普通技術人員在沒有作出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。

在本實用新型的描述中，還需要說明的是，除非另有明確的規定和限定，術語“設置”、“安裝”、“相連”、“連接”應做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或一體地連接；可以是機械連接，也可以是電連接；可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，可以是兩個元件內部的連通。對于本領域的普通技術人員而言，可以根據具體情況理解上述術語在本實用新型中的具體含義。

下面將參照附圖和具體實施例對本實用新型作進一步的說明。

如圖1至圖6所示：本實用新型實施例提供的一種全光譜CSP(Chip Scale Package，無封裝芯片)封裝裝置，包括承載基體100、LED芯片和熒光膜200，承載基體100水平設置且兩端上表面分別設置有焊盤103，LED芯片設置在承載基體100上，熒光膜200設置在承載基體100上且覆蓋LED芯片，LED芯片包括一組第一LED芯片和兩組第二LED芯片，一組第一LED芯片水平設置在承載基體100上表面中心位置，兩組第二LED芯片分別水平設置在承載基體上表面且位于一組第一LED芯片的兩側；一組第一LED芯片包括多個水平均勻設置的第一LED芯片101，兩組第二LED芯片中每組第二LED芯片均包括多個水平均勻的第二LED芯片102；多個第一LED芯片101以及多個第二LED芯片102的下表面均設置有芯片電極106，芯片電極106下表面設置有錫膏層105，第一LED芯片101和第二LED芯片102均通過芯片電極106以及錫膏層105設置在承載基體100上表面設置的電極焊點104上；具體為：第一LED芯片101為LED紅光芯片，第二LED芯片102為LED藍光芯片，同時，LED紅光芯片的規格0620，共有20個，為一組且均勻水平設置在承載基體100上表面的中心軸線位置，且20個LED紅光芯片的連接方式為4并5串，LED藍光芯片的規格為0620，共有80個，平均分為兩組，每組LED藍光芯片為40個，分別對稱設置在承載基體100上表面的且位于LED藍光芯片的兩側，每組LED藍光芯片均按4并10串的方式連接，同時承載基體上的LED藍光芯片和LED紅光芯片串接在一起，串接后的LED藍光芯片和LED紅光芯片的正負極通過承載基體100上的電路連接到承載基體100上表面兩端的焊盤103上；上述LED紅光芯片和LED藍光芯片的配置比例為：LED紅光芯片的總功率與LED藍光芯片的功率比為1：(3～10)，且當單顆LED藍光芯片和單顆LED紅光芯片的功率相同時，LED紅光芯片的數量和LED藍光芯片的數量比例為1：(3～10)；上述LED紅光芯片和LED藍光芯片，當其功率均為0.2W時，上述LED全光譜光源的功率可達到15～20W，如果需要制作更大功率的LED全光譜光源，可按上述LED紅光芯片和LED藍光芯片的配比增加芯片數量或加大單顆芯片的功率即可。

需要重點說明的是，承載基體上的電路設計屬于精密設計，所有LED芯片的電極，都是通過錫膏與承載基體電路上的電極焊點連接在一起。具體過程分為：全光譜CSP封裝裝置設計——>承載基體電路設計——>承載基體制作——>承載基體印錫膏——>(按要求)放置芯片——>烘烤——>測試——>熒光膜壓合——>模切——>測試。

作為上述實施例的優選實施方式，LED藍光芯片的主波長為450nm～480nm，LED紅光芯片的主波長分別為650nm～660nm(10個)和680nm～700nm(10個)。

作為上述實施例的優選實施方式，承載基體由鋁、銅、陶瓷或玻纖板中的一種構成，承載基體的形狀為正方形、矩形或圓形中的一種。

根據上述的技術方案，設計承載基體上的電路，承載基體上表面兩側的電路設計為4并10串，中間的電路設計為4并5串，兩側的電路與中間的電路為串聯連接。選擇等同功率的LED藍光芯片(80顆)和LED紅光芯片(20顆)，LED藍光芯片設置在承載基體的兩側(如圖1)，LED紅光芯片設置在承載基體的中間(如圖1)。再通過熱壓工藝，將熒光膜壓合在承載基體上。這種CSP封裝光源，通電后可得到如圖5的光譜，這種連續光譜，接近自然光中(400～700nm)的可見光譜，如圖6所示，這種光譜圖接近自然光可見光部分的光譜，其光譜的具體特征如下：

(1)波長在460～480nm范圍的相對光譜比例大于0.30；

(2)波長在600～620nm范圍的相對光譜比例大于0.60；

(3)波長在650～680nm范圍的相對光譜比例大于0.65；

(4)波長在680～700nm范圍的相對光譜比例大于0.70。

最后應說明的是：以上的各實施例僅用于說明本實用新型的技術方案，而非對其限制；盡管參照前述實施例對本實用新型進行了詳細的說明，本領域的普通技術人員應當理解：其依然可以對前述實施例所記載的技術方案進行修改，或者對其中部分或全部技術特征進行等同替換；而這些修改或替換，并不使相應技術方案的本質脫離本實用新型各實施例技術方案的范圍。