柔性內嵌式觸控結構及其制作方法與流程

本發明涉及觸控顯示技術領域，尤其涉及一種柔性內嵌式觸控結構及其制作方法。

背景技術：

隨著顯示技術的快速發展，觸控屏已經普及到人們的日常生活中，舉例而言，透過觸控屏使用者可直接以手指或觸控筆在屏幕上操作程式、輸入訊息/文字/圖樣，省去使用鍵盤或按鍵等輸入裝置的麻煩。實際上，觸控屏通常由一感應面板及設置于感應面板后方的顯示器組成。電子裝置根據使用者在感應面板上所觸碰的位置，以及當時顯示器所呈現的畫面，來判斷該次觸碰的意涵，并執行相對應的操作結果。

目前被廣泛應用的電容式觸控技術主要有跨橋式電容式觸控技術和自容式觸控技術。其中，自容式觸控屏由制程較單純的單層自電容的觸控電極結構實現，自容式觸控屏中，觸控電極大多采用正方形(Block Pattern)設計，為了將觸控電極與觸控偵測芯片連接，會設置與觸控電極對應連接的觸控信號線，從而將觸控信號傳遞給觸控偵測芯片；且為了減小各觸控電極之間的電阻差及電容差以保證觸控精度，會設置與觸控電極對應連接的虛擬觸控信號線。而跨橋式電容式觸控結構，用以形成觸控功能的透明導電層也只有一層，而觸控電極大多采用菱形設計，常規的跨橋式電容式觸控結構，如圖1所示，圖中省略基板等結構，以清楚表達橋點結構，觸控電極層中設有多列菱形的第一觸控電極57、及多行設于第一觸控電極57間的菱形的第二觸控電極55，每一列第一觸控電極57中相鄰第一觸控電極57則通過同層的第一連接部56相連，為使電信號傳出，需將如一行的第二觸控電極55串接，于此，需構造跨越第一連接部56的橋體59以連接相鄰的第二觸控電極55，即形成搭橋結構，另外于搭橋結構的橋點形成電容，需構造絕緣介質，如圖1中所示的絕緣層52，以隔離第一連接部56與橋體59。

近年來柔性顯示器也開始進入市場，但目前的柔性觸控產品有以下的缺點：1、僅為一固定形狀，無法任意彎折；2、觸控功能需要另外貼合觸控傳感器薄膜，工藝上困難度大幅增加；3、觸控傳感器的電極材料仍為氧化銦錫(ITO)，彎折性不足。參見圖2，其為現有柔性觸控結構的示意圖，包括：主要由依次層疊的TFT基板1、發光層2及封裝層3形成的柔性面板，柔性面板的封裝層3上方設置的光學膠層4，光學膠層4上方貼合的觸控傳感器層5。現有柔性觸控結構中，傳統全貼合技術會需要許多膠材，多次彎折后會產生剝離(peeling)的狀況，造成面板失效。

技術實現要素：

本發明的目的在于提供一種柔性內嵌式觸控結構，將觸控傳感器整合進柔性面板當中，能夠有效減薄面板的整體厚度，增加面板的彎折性，且制作方法簡單。

本發明的目的還在于提供一種柔性內嵌式觸控結構的制作方法，將觸控傳感器整合進柔性面板當中，能夠有效減薄面板的整體厚度，增加面板的彎折性，且制作方法簡單。

為實現上述目的，本發明提供一種柔性內嵌式觸控結構，包括：TFT基板、設于TFT基板上平坦層、設于TFT基板及平坦層上的OLED觸控層、以及設于OLED觸控層上的封裝層；

所述OLED觸控層包括：設于所述TFT基板上的陽極層、設于所述平坦層及陽極層上的像素定義層、設于陽極層上的發光層、以及設于像素定義層及發光層上的陰極層；

所述像素定義層在陽極層上圍出數個陣列排布的像素開口，所述陽極層包括與所述像素開口對應設置的數個陽極單元、及位于所述像素定義層下方與陽極單元間隔的數個觸控連接線，所述發光層設于所述像素開口內；

所述像素定義層在所述觸控連接線上方設有數個過孔；所述陰極層包括數個觸控電極，所述數個觸控電極分別通過所述數個過孔與所述觸控連接線相連接，從而構成觸控傳感器結構；

所述陰極層覆蓋所述數個像素開口，每一像素開口內的發光層、其下方對應的陽極單元、及其上方對應的陰極層共同構成一OLED單元結構。

可選地，所述觸控傳感器結構為跨橋式電容式觸控傳感器結構，所述數個觸控電極包括數個第一觸控電極部、位于所述數個第一觸控電極部之間的數個第二觸控電極部、及用于將相鄰兩第一觸控電極部電連接的數個連接部；

所述觸控連接線用作跨橋式電容式觸控傳感器結構中的橋體，用于將相鄰兩第二觸控電極部電連接。

所述數個觸控電極覆蓋所述數個像素開口中的一部分，所述陰極層還包括位于數個觸控電極之間的數個補充電極，所述數個補充電極覆蓋所述數個像素開口中剩余的一部分；

所述第一觸控電極部及第二觸控電極部均為菱形。

可選地，所述觸控傳感器結構為自容式觸控傳感器結構，所述觸控連接線用作自容式觸控傳感器結構中的信號線。

所述數個觸控電極均為長方形，所述數個觸控電極覆蓋所述數個像素開口。

本發明還提供一種柔性內嵌式觸控結構的制作方法，包括如下步驟：

步驟1、提供一TFT基板，在所述TFT基板上形成一有機材料膜，對所述有機材料膜進行圖案化處理，得到平坦層；

步驟2、在所述TFT基板及平坦層上沉積形成第一導電層，對所述第一導電層進行圖案化處理，得到陽極層，所述陽極層包括數個間隔排布的陽極單元、及設于所述數個陽極單元之間的數個觸控連接線；

步驟3、在所述平坦層及陽極層上形成一隔離層，對所述隔離層進行圖案化處理，得到像素定義層，所述像素定義層在陽極層上對應所述數個陽極單元圍出數個陣列排布的像素開口，且所述像素定義層在所述觸控連接線上方具有數個過孔；

步驟4、在所述像素定義層在所述陽極層上所圍出的像素開口內形成發光層；

步驟5、提供第一精細掩膜板，以所述第一精細掩膜板為遮蔽層，在所述像素定義層及發光層上蒸鍍形成圖案化的陰極層，得到包括陽極層、像素定義層、發光層、以及陰極層的OLED觸控層；

所述陰極層包括數個觸控電極，所述數個觸控電極分別通過所述數個過孔與所述觸控連接線相連接，從而構成觸控傳感器結構；且所述陰極層覆蓋所述數個像素開口，每一像素開口內的發光層、其下方對應的陽極單元、及其上方對應的陰極層共同構成一OLED單元結構；

步驟6、在所述像素定義層及陰極層上形成封裝層。

可選地，所述觸控傳感器結構為跨橋式電容式觸控傳感器結構，所述數個觸控電極包括數個第一觸控電極部、位于所述數個第一觸控電極部之間的數個第二觸控電極部、及用于將相鄰兩第一觸控電極部電連接的數個連接部；

所述觸控連接線用作跨橋式電容式觸控傳感器結構中的橋體，用于將相鄰兩第二觸控電極部電連接。

所述數個觸控電極覆蓋所述數個像素開口中的一部分，所述陰極層還包括位于數個觸控電極之間的數個補充電極，所述數個補充電極覆蓋所述數個像素開口中剩余的一部分；

所述第一觸控電極部及第二觸控電極部均為菱形。

可選地，所述觸控傳感器結構為自容式觸控傳感器結構，所述觸控連接線用作自容式觸控傳感器結構中的信號線。

所述數個觸控電極均為長方形，所述數個觸控電極覆蓋所述數個像素開口。

本發明的有益效果：本發明提供的一種柔性內嵌式觸控結構，包括TFT基板、平坦層、OLED觸控層、以及封裝層；所述OLED觸控層包括陽極層、像素定義層、發光層、以及陰極層；所述陽極層包括數個陽極單元、及數個觸控連接線，所述數個觸控連接線對應位于所述像素定義層下方；所述陰極層包括數個觸控電極，所述數個觸控電極分別通過像素定義層上的數個過孔與所述觸控連接線相連接，從而構成觸控傳感器結構；本發明通過將觸控傳感器整合進柔性面板當中，能夠有效減少面板內貼合次數，減薄面板的整體厚度，增加面板的彎折性，從而提升良率，相對于現有柔性OLED面板，只需改變陰極層及陽極層的圖形設計，制作方法簡單。本發明提供的一種柔性內嵌式觸控結構的制作方法，相對于現有柔性OLED面板制程，在圖案化形成陽極層時，在非發光區制作觸控線路用的觸控連接線，并將原本是整面蒸鍍形成陰極層，改變為采用精細掩膜板蒸鍍形成圖案化的陰極層，在陰極層中制作觸控電極，并讓觸控電極與觸控連接線接觸，從而完成觸控傳感器結構，通過將觸控傳感器整合進柔性面板當中，能夠有效減少面板內貼合次數，減薄面板的整體厚度，增加面板的彎折性，從而提升良率，且制作方法簡單。

為了能更進一步了解本發明的特征以及技術內容，請參閱以下有關本發明的詳細說明與附圖，然而附圖僅提供參考與說明用，并非用來對本發明加以限制。

附圖說明

下面結合附圖，通過對本發明的具體實施方式詳細描述，將使本發明的技術方案及其它有益效果顯而易見。

附圖中，

圖1為現有一種跨橋式電容式觸控結構的俯視狀態示意圖；

圖2為現有一種柔性觸控結構的示意圖；

圖3為本發明柔性內嵌式觸控結構第一實施例的俯視狀態示意圖；

圖4為本發明柔性內嵌式觸控結構第二實施例的俯視狀態示意圖；

圖5為本發明柔性內嵌式觸控結構的制作方法的流程示意圖；

圖6-7為本發明柔性內嵌式觸控結構的制作方法的步驟1的示意圖；

圖8-9為本發明柔性內嵌式觸控結構的制作方法的步驟2的示意圖；

圖10-11為本發明柔性內嵌式觸控結構的制作方法的步驟3的示意圖；

圖12為本發明柔性內嵌式觸控結構的制作方法的步驟4的示意圖；

圖13為本發明柔性內嵌式觸控結構的制作方法的步驟5的示意圖；

圖14為本發明柔性內嵌式觸控結構的制作方法的步驟6的示意圖及本發明柔性內嵌式觸控結構的示意圖。

具體實施方式

為更進一步闡述本發明所采取的技術手段及其效果，以下結合本發明的優選實施例及其附圖進行詳細描述。

請參閱圖14，本發明提供一種柔性內嵌式觸控結構，主要包括TFT基板10、設于TFT基板10上平坦層40、設于TFT基板10及平坦層40上的OLED觸控層20、以及設于OLED觸控層20上的封裝層30。本發明提出將觸控傳感器整合進柔性面板當中的技術，可減少貼合次數提升良率，并有效減薄面板整體厚度，增加彎折性。

進一步，請參閱圖3，圖3為本發明柔性內嵌式觸控結構第一實施例的俯視狀態示意圖，該圖3中省略了TFT基板10、平坦層40等結構，以清楚表達本實施例中觸控傳感器的結構，本實施例中，所述OLED觸控層20包括：設于所述TFT基板10上的陽極層21、設于所述平坦層40及陽極層21上的像素定義層22、設于陽極層21上的發光層23、以及設于像素定義層22及發光層23上的陰極層24；

所述像素定義層22在陽極層21上圍出數個陣列排布的像素開口225，所述陽極層21包括與所述像素開口225對應設置的數個陽極單元211、及位于所述像素定義層22下方與陽極單元211間隔的數個觸控連接線212，所述發光層23設于所述像素開口225內；

所述像素定義層22在所述觸控連接線212上方設有數個過孔221；所述陰極層24包括數個觸控電極241，所述數個觸控電極241分別通過所述數個過孔221與所述觸控連接線212相連接，從而構成觸控傳感器結構25；

所述陰極層24覆蓋所述數個像素開口225，每一像素開口225內的發光層23、其下方對應的陽極單元211、及其上方對應的陰極層24共同構成一OLED單元結構D。

進一步地，本實施例中，所述觸控傳感器結構25為跨橋式電容式觸控傳感器結構，所述數個觸控電極241包括陣列排布的數個第一觸控電極部2411、位于所述數個第一觸控電極部2411之間的陣列排布的數個第二觸控電極部2412、及用于將上下相鄰的兩第一觸控電極部2411電連接的數個連接部2413；

所述觸控連接線212用作跨橋式電容式觸控傳感器結構中的橋體，用于將左右相鄰的兩第二觸控電極部2412電連接。

具體地，所述數個觸控電極241覆蓋所述數個像素開口225中的一部分，所述陰極層24還包括位于數個觸控電極241之間的數個補充電極242，所述數個補充電極242覆蓋所述數個像素開口225中剩余的一部分；所述第一觸控電極部2411及第二觸控電極部2412均為菱形。

具體地，所述陽極單元211穿過所述平坦層40與所述TFT基板10相連接。

具體地，所述發光層23包括由下至上依次形成的空穴注入層、空穴傳輸層、有機發光層、電子傳輸層和電子注入層。

請參閱圖4，圖4為本發明柔性內嵌式觸控結構第二實施例的俯視狀態示意圖，該圖4中同樣省略了TFT基板10、平坦層40等結構，以清楚表達本實施例中的觸控傳感器結構25，本實施例與上述第一實施例相比，所述觸控傳感器結構25為自容式觸控傳感器結構，所述觸控連接線212用作自容式觸控傳感器結構中的信號線。

具體地，所述數個觸控電極241均為長方形，所述數個觸控電極241覆蓋所述數個像素開口225。

本發明的柔性內嵌式觸控結構，通過將觸控傳感器整合進柔性面板當中，能夠有效減少面板內貼合次數，減薄面板的整體厚度，增加面板的彎折性，從而提升良率，相對于現有柔性OLED面板，只需改變陰極層24及陽極層21的圖形設計，在陽極層21中在非發光區域制作形成觸控連接線212，在陰極層24中制作形成觸控電極241，其中，觸控電極241與觸控連接線212的圖案，根據預形成的觸控傳感器結構25的類型來確定，例如跨橋式電容式觸控傳感器、或自容式觸控傳感器，制作方法簡單。

請參閱圖5，基于上述的柔性內嵌式觸控結構，本發明還提供一種柔性內嵌式觸控結構的制作方法，包括如下步驟：

步驟1、如圖6-7所示，提供一TFT基板10，在所述TFT基板10上形成一有機材料膜400，對所述有機材料膜400進行圖案化處理，得到平坦層40。

步驟2、如圖8-9所示，在所述TFT基板10及平坦層40上沉積形成第一導電層210，對所述第一導電層210進行圖案化處理，得到陽極層21，所述陽極層21包括數個間隔排布的陽極單元211、及設于所述數個陽極單元211之間的數個觸控連接線212。

具體地，所述陽極單元211穿過所述平坦層40與所述TFT基板10相連接。

步驟3、如圖10-11所示，在所述平坦層40及陽極層21上形成一隔離層220，對所述隔離層220進行圖案化處理，得到像素定義層22，所述像素定義層22在陽極層21上對應所述數個陽極單元211圍出數個陣列排布的像素開口225，且所述像素定義層22在所述觸控連接線212上方具有數個過孔221。

步驟4、如圖12所示，在所述像素定義層22在所述陽極層21上所圍出的像素開口225內形成發光層23。

具體地，所述發光層23包括由下至上依次形成的空穴注入層、空穴傳輸層、有機發光層、電子傳輸層和電子注入層。

具體地，所述步驟4中采用第二精細掩膜板600在所述陽極層21上形成發光層23。

步驟5、如圖13所示，提供第一精細掩膜板500，以所述第一精細掩膜板500為遮蔽層，在所述像素定義層22及發光層23上蒸鍍形成圖案化的陰極層24，得到包括陽極層21、像素定義層22、發光層23、以及陰極層24的OLED觸控層20。

具體地，所述陰極層24包括數個觸控電極241，所述數個觸控電極241分別通過所述數個過孔221與所述觸控連接線212相連接，從而構成觸控傳感器結構25；且所述陰極層24覆蓋所述數個像素開口225，每一像素開口225內的發光層23、其下方對應的陽極單元211、及其上方對應的陰極層24共同構成一OLED單元結構D。

步驟6、如圖14所示，在所述像素定義層22及陰極層24上形成封裝層30，完成柔性內嵌式觸控結構的制作。

具體地，所述觸控傳感器結構25可以為跨橋式電容式觸控傳感器結構，所述數個觸控電極241包括陣列排布的數個第一觸控電極部2411、位于所述數個第一觸控電極部2411之間的陣列排布的數個第二觸控電極部2412、及用于將上下相鄰的兩第一觸控電極部2411電連接的數個連接部2413；所述觸控連接線212用作跨橋式電容式觸控傳感器結構中的橋體，用于將左右相鄰的兩第二觸控電極部2412電連接。所述數個觸控電極241覆蓋所述數個像素開口225中的一部分，所述陰極層24還包括位于數個觸控電極241之間的數個補充電極242，所述數個補充電極242覆蓋所述數個像素開口225中剩余的一部分；所述第一觸控電極部2411及第二觸控電極部2412均為菱形。或者，

所述觸控傳感器結構25也可以為自容式觸控傳感器結構，所述觸控連接線212用作自容式觸控傳感器結構中的信號線。所述數個觸控電極241均為長方形，所述數個觸控電極241覆蓋所述數個像素開口225。

本發明的柔性內嵌式觸控結構的制作方法，相對于現有柔性OLED面板制程，在圖案化形成陽極層21時，在非發光區制作觸控線路用的觸控連接線212，并將原本是整面蒸鍍形成陰極層，改變為采用精細掩膜板蒸鍍形成圖案化的陰極層24，即在制作陰極層24時僅需將蒸鍍用的普通金屬掩膜板(Common metal mask，CMM)改為精細金屬掩膜板(Fine metal mask，FMM)，在陰極層24中制作觸控電極241，并在蒸鍍時讓觸控電極241與觸控連接線212接觸，從而完成觸控傳感器結構25，其中，觸控電極241與觸控連接線212的圖案，根據預形成的觸控傳感器結構25類型來確定，例如跨橋式電容式觸控傳感器、或自容式觸控傳感器，從而通過將觸控傳感器整合進柔性面板當中，能夠有效減少面板內貼合次數提升良率，減薄面板的整體厚度，增加面板的彎折性，且制作方法簡單。

綜上所述，本發明提供的一種柔性內嵌式觸控結構，包括TFT基板、平坦層、OLED觸控層、以及封裝層；所述OLED觸控層包括陽極層、像素定義層、發光層、以及陰極層；所述陽極層包括數個陽極單元、及數個觸控連接線，所述數個觸控連接線對應位于所述像素定義層下方；所述陰極層包括數個觸控電極，所述數個觸控電極分別通過像素定義層上的數個過孔與所述觸控連接線相連接，從而構成觸控傳感器結構；本發明通過將觸控傳感器整合進柔性面板當中，能夠有效減少面板內貼合次數，減薄面板的整體厚度，增加面板的彎折性，從而提升良率，相對于現有柔性OLED面板，只需改變陰極層及陽極層的圖形設計，制作方法簡單。本發明提供的一種柔性內嵌式觸控結構的制作方法，相對于現有柔性OLED面板制程，在圖案化形成陽極層時，在非發光區制作觸控線路用的觸控連接線，并將原本是整面蒸鍍形成陰極層，改變為采用精細掩膜板蒸鍍形成圖案化的陰極層，在陰極層中制作觸控電極，并讓觸控電極與觸控連接線接觸，從而完成觸控傳感器結構，通過將觸控傳感器整合進柔性面板當中，能夠有效減少面板內貼合次數，減薄面板的整體厚度，增加面板的彎折性，從而提升良率，且制作方法簡單。

以上所述，對于本領域的普通技術人員來說，可以根據本發明的技術方案和技術構思作出其他各種相應的改變和變形，而所有這些改變和變形都應屬于本發明權利要求的保護范圍。