基板處理裝置和膜厚估計方法與流程

本公開涉及一種基板處理裝置和膜厚估計方法。

背景技術：

1、現在，已知有一種基板處理系統，該基板處理系統在對基板(例如半導體晶圓)進行微細加工來制造半導體器件時，向基板噴出各種處理液來進行基板處理。專利文獻1公開了一種膜厚測定方法，該膜厚測定方法包括以下工序：經由透鏡、反射鏡等向基板的表面引導來自光源(鹵素燈)的光；通過受光單元來接收來自基板的表面的反射光；以及基于表示反射光的光量的二維的空間分布的信息，來一并計算形成于基板的表面的薄膜的膜厚。

2、現有技術文獻

3、專利文獻

4、專利文獻1：日本特開平10-047926號公報

技術實現思路

1、發明要解決的問題

2、本公開說明一種即使在存在干擾的環境下也能夠高精度地估計在蝕刻處理過程中時刻地變化的膜厚的基板處理裝置和膜厚估計方法。

3、用于解決問題的方案

4、基板處理裝置的一例具備：保持部，其構成為保持在表面形成有膜的基板；供給部，其構成為向基板的表面供給蝕刻液；光傳感器，其構成為朝向以與保持于保持部的基板的表面重疊的方式設定的照射部位照射規定的波長的光，并接收該光的反射光；以及控制部。控制部構成為執行以下處理：第一處理，控制供給部，對保持于保持部的基板的表面供給蝕刻液；第二處理，在向基板的表面供給蝕刻液的過程中，獲取在光傳感器中接收到的來自照射部位的反射光的強度的變化；第三處理，從表示在第二處理中獲取到的反射光的強度的變化的強度變化數據中去除由于位于基板的上方的干擾誘發物的影響而產生的干擾成分，來生成校正數據；以及第四處理，基于校正數據來估計蝕刻處理中的膜的膜厚。

5、發明的效果

6、根據本公開所涉及的基板處理裝置和膜厚估計方法，即使在存在干擾的環境下也能夠高精度地估計在蝕刻處理過程中時刻地變化的膜厚。

技術特征：

1.一種基板處理裝置，具備：

2.根據權利要求1所述的基板處理裝置，其中，

3.根據權利要求2所述的基板處理裝置，其中，

4.根據權利要求1所述的基板處理裝置，其中，

5.根據權利要求1所述的基板處理裝置，其中，

6.根據權利要求1～5中的任一項所述的基板處理裝置，其中，

7.根據權利要求1所述的基板處理裝置，其中，

8.根據權利要求7所述的基板處理裝置，其中，

9.根據權利要求1所述的基板處理裝置，其中，

10.一種膜厚估計方法，包括：

11.根據權利要求10所述的膜厚估計方法，其中，

12.根據權利要求11所述的膜厚估計方法，其中，

13.根據權利要求10所述的膜厚估計方法，其中，

14.根據權利要求10所述的膜厚估計方法，其中，

15.根據權利要求10～14中的任一項所述的膜厚估計方法，其中，

16.根據權利要求10所述的膜厚估計方法，其中，還包括以下工序：

17.根據權利要求16所述的膜厚估計方法，其中，

18.根據權利要求10所述的膜厚估計方法，其中，

技術總結
本公開說明一種基板處理裝置和膜厚估計方法，即使在存在干擾的環境下也能夠高精度地估計在蝕刻處理過程中時刻地變化的膜厚。基板處理裝置具備保持部、供給部、光傳感器、以及控制部。控制部構成為執行以下處理：第一處理，對保持于保持部的基板的表面供給蝕刻液；第二處理，在向基板的表面供給蝕刻液的過程中，獲取在光傳感器中接收到的來自照射部位的反射光的強度的變化；第三處理，從表示在第二處理中獲取到的反射光的強度的變化的強度變化數據中去除由于位于基板的上方的干擾誘發物的影響而產生的干擾成分，來生成校正數據；以及第四處理，基于校正數據來估計蝕刻處理中的膜的膜厚。

技術研發人員：丸本洋
受保護的技術使用者：東京毅力科創株式會社
技術研發日：
技術公布日：2025/3/13