振蕩頻率大致一致。
[0061]通過將石英振子(電路元件16)插入分割電容72、74的串聯電路的中點與晶體管70的發射極之間，使反饋電路具有頻率選擇性，將負性電阻特性設為窄帶，所以，在主振動的C模式的頻率fl下成為足夠大的負性電阻，在B模式的頻率f2下負性電阻減小或呈現正電阻，所以，其結果，在B模式的頻率下無法進行振蕩。因此，能夠僅以主振動的C模式進行振蕩，能夠得到具有較高的頻率穩定性的振蕩器I。
[0062]另外，在上述實施方式中，使用石英振子說明了電路元件16，但不限于此，也可以是電感元件。當使用電感元件作為電路元件16時，能夠與電容元件組合來構成LC諧振電路。通過使該LC諧振電路的頻率與主振動的頻率一致，使振蕩用電路的反饋電路具有頻率選擇性，將負性電阻特性設為窄帶，能夠減小不需要的寄生的負性電阻或使其成為正電阻，所以，能夠抑制不需要的寄生振蕩。因此，能夠控制不需要的頻率，僅以主振動進行振蕩，能夠得到具有較高的頻率穩定性的振蕩器I。
[0063]<變形例>
[0064]接著，參照圖4的(a)?(C)對本發明的第I實施方式的振蕩器I的振動片安裝中的變形例進行說明。
[0065]圖4的(a)?(C)是示出本發明的第I實施方式的振蕩器I的振動片安裝中的變形例的概略平面圖。另外，在圖4的(a)?(C)中，為了便于說明容器40的內部結構，圖示了取下蓋部件44(參照圖2的(b))后的狀態。
[0066]下面，關于振動片安裝中的變形例，以與所述第I實施方式的不同之處為中心進行說明，省略相同事項的說明。
[0067]在圖4的(a)所示的變形例中，在形成在發熱體14a的有源面15a上的電極焊盤26,26a中，配置在振動片12a的下表面上的電極焊盤26a的面積比電極焊盤26的面積大。由此，能夠增大振動片12a的安裝面積，所以，能夠降低由于落下或振動而引起的沖擊，能夠防止振動特性等的劣化。并且，由于與發熱體14a接合的接合面積較大，所以，熱的傳遞變好，能夠得到低功耗且具有高頻率穩定性的振蕩器I。
[0068]在圖4的(b)所示的變形例中，在形成在發熱體14b的有源面15b上的電極焊盤26,26b中，配置在振動片12b的下表面上的電極焊盤26b的面積比電極焊盤26的面積大。并且，在振動片12b的上表面上形成有電極焊盤28，通過鍵合引線30與形成在發熱體14b的有源面15b上的電極焊盤26電連接。由于能夠使振動片12b成為單點固定，所以，與雙點固定相比，能夠降低安裝變形和熱變形，能夠得到更加穩定的振動特性。并且，由于在振動片12b的上表面上形成有電極焊盤28，不需要將形成在振動片12b的上表面上的激勵電極(未圖示)布線在振動片12b的下表面的電極圖案形成工序，所以，實現了振動片12b的低成本化。
[0069]在圖4(c)所示的變形例中，與圖4的(b)所示的變形例同樣，由于構成為在發熱體14c的有源面15c上形成有一個電極焊盤26c，所以可得到相同的效果。并且，在振動片12c的上表面上形成有電極焊盤28c，通過鍵合引線30與形成在第4基板52的上表面上的電極焊盤(未圖示)電連接，所以，能夠防止由于伴隨振蕩器I的小型化而使電極焊盤28c與形成在發熱體14c的有源面15c上的電極焊盤26的間隔變窄而引起的接合不良。
[0070]〈第2實施方式>
[0071]接著，參照圖5對本發明的第2實施方式的振蕩器Ia進行說明。
[0072]圖5是本發明的第2實施方式的振蕩器Ia的概略結構圖，圖5的(a)是平面圖，圖5的(b)是圖5的(a)的C-C線剖視圖。另外，在圖5的(a)中，為了便于說明振蕩器Ia的內部結構，圖示了取下罩64的上部后的狀態。
[0073]下面，關于第2實施方式，以與所述第I實施方式的不同之處為中心進行說明，省略相同事項的說明。
[0074]如圖5的(a)、(b)所示，第2實施方式的振蕩器Ia與第I實施方式的振蕩器I相比，不同之處在于，電路元件16配置在容器40的下表面。
[0075]根據這種結構，能夠通過經由封裝主體42的傳導將發熱體14的熱傳遞到電路元件16，所以，能夠使電路元件16的溫度保持恒定，能夠降低由于外部溫度變化而引起的影響，能夠得到具有較高的頻率穩定性的振蕩器la。
[0076]〈第3實施方式>
[0077]接著，參照圖6對本發明的第3實施方式的振蕩器Ib進行說明。
[0078]圖6是本發明的第3實施方式的振蕩器Ib的概略結構圖，圖6的(a)是平面圖，圖6的(b)是圖6的(a)的D-D線剖視圖。另外，在圖6的(a)中，為了便于說明振蕩器Ib的內部結構，圖示了取下罩64的上部后的狀態。
[0079]下面，關于第3實施方式，以與所述第I實施方式的不同之處為中心進行說明，省略相同事項的說明。
[0080]如圖6的(a)、(b)所示，第3實施方式的振蕩器Ib與第I實施方式的振蕩器I相比，不同之處在于，電路元件16以在俯視時與配置有發熱體14的區域重合的方式配置在容器40的下表面。
[0081]根據這種結構，能夠縮短從封裝主體42中的發熱體14到電路元件16的距離，能夠更高效地通過經由封裝主體42的傳導將發熱體14的熱傳遞到電路元件16。因此，能夠降低由于外部溫度變化而引起的影響，能夠得到具有較高的頻率穩定性的振蕩器lb。
[0082]〈第4實施方式>
[0083]接著，參照圖7對本發明的第4實施方式的振蕩器Ic進行說明。
[0084]圖7是本發明的第4實施方式的振蕩器Ic的概略結構圖，圖7的(a)是平面圖，圖7的(b)是圖7的(a)的E-E線剖視圖。另外，在圖7的(a)中，為了便于說明振蕩器Ic的內部結構，圖示了取下罩64的上部后的狀態。
[0085]下面，關于第4實施方式，以與所述第I實施方式的不同之處為中心進行說明，省略相同事項的說明。
[0086]如圖7的(a)、(b)所示，第4實施方式的振蕩器Ic與第I實施方式的振蕩器I相比，不同之處在于，在構成容器40的封裝主體42的第3基板50(參照圖2的(b))的上表面配置有隔離件38，在隔離件38的上表面上配置有與振動片12接合的發熱體14。
[0087]根據這種結構，當利用玻璃等熱傳導性低的材料構成隔離件38時，發熱體14的熱僅傳導到振動片12，能夠更加穩定地保持振動片12的溫度。并且，當利用銅(Cu)等熱傳導性高的材料構成隔離件38時，能夠使發熱體14的熱傳導到容器40整體，所以，能夠使集成電路10和電路元件16保持穩定的溫度。因此，能夠得到具有較高的頻率穩定性的振蕩器Ic0
[0088]〈第5實施方式>
[0089]接著，參照圖8對本發明的第5實施方式的振蕩器Id進行說明。
[0090]圖8是本發明的第5實施方式的振蕩器Id的概略結構圖，圖8的(a)是平面圖，圖8的(b)是圖8的(a)的F-F線剖視圖。另外，在圖8的(a)中，為了便于說明振蕩器Id的內部結構，圖示了取下罩64的上部后的狀態。
[0091]下面，關于第5實施方式，以與所述第I實施方式的不同之處為中心進行說明，省略相同事項的說明。
[0092]如圖8的(a)、(b)所示，第5實施方式的振蕩器Id與第I實施方式的振蕩器I相比，不同之處在于，在構成容器40的封裝主體42的第3基板50(參照圖2的(b))的上表面中，在俯視時與配置有發熱體14的位置相對的位置配置有隔離件38d。
[0093]根據這種結構，在將振動片12接合在發熱體14的上表面時，能夠減輕振動片12的前端部(+X軸方向的端部)的傾斜，并且，能夠緩和由于落下和振動而引起的沖擊，能夠得到耐落下特性和耐沖擊特性優良的振蕩器Id。
[0094][電子設備]
[0095]接著，根據圖9的(a)、(b)、圖10，對應用了本發明的一個實施方式的振蕩器1、振蕩器la、振蕩器lb、振蕩器Ic或振蕩器Id的電子設備進行說明。
[0096]圖9是示出具有本發明的一個實施方式的振蕩器1、振蕩器la、振蕩器lb、振蕩器Ic或振蕩器Id