090] (1)將氮氣通入至流化床反應器內加熱形成流化床；
[0091] (2)將四氯化娃、氨氣和上述的制備方法得到的催化劑送至流化床反應器內，流化 床反應器內的溫度為55(TC，壓強為0. 5MPa，所述四氯化娃在所述流化床內發生還原反應， 四氯化娃的摩爾轉化率為25% mol。
[0092] 實施例5
[0093] 本實施例提供一種使用實施例1中的的造粒裝置制備四氯化娃催化氨化反應用 催化劑的制備方法，包括W下步驟：
[0094] (1)通過烙融罐將原料烙融成烙融液體并倒入德鑄盤中，再通過振蕩機構使得 所述德鑄盤振蕩并使得該德鑄盤中的烙融液體滴落到冷卻箱內的冷卻液中，得到顆粒狀 合金，其中，所述烙融液體包括；Si ;15. 5wt%，所述烙融液體還包括；Fe ;0.0 lwt%，A1 ; 0. 32wt%，化；0. 05wt%，Sn ;80ppm，其余為銅；德鑄盤中的烙融液體滴落到所述冷卻箱內 的冷卻液中的滴落溫度為155(TC，冷卻液的溫度為4(TC。
[0095] (2)將所述顆粒狀合金在76(TC下，真空退火12小時，得到四氯化娃催化氨化反應 用含有化-Si金屬鍵和化，A1，化，Sn微量元素的銅-娃合金催化劑。
[0096] 本實施例還提供一種四氯化娃催化氨化反應方法，包括W下步驟：
[0097] (1)將氮氣通入至流化床反應器內加熱形成流化床；
[0098] (2)將四氯化娃、氨氣和上述的制備方法得到的催化劑送至流化床反應器內，流 化床反應器內的溫度為65(TC，壓強為0. 65MPa，所述四氯化娃在所述流化床內發生還原反 應，四氯化娃的摩爾轉化率為23% mol。
[009引 實施例6
[0100] 本實施例提供一種使用實施例1中的的造粒裝置制備四氯化娃催化氨化反應用 催化劑的制備方法，包括W下步驟：
[0101] (1)通過烙融罐將原料烙融成烙融液體并倒入德鑄盤中，所述原料選用多晶娃和 電解銅粉，再通過振蕩機構使得所述德鑄盤振蕩并使得該德鑄盤中的烙融液體滴落到冷卻 箱內的冷卻液中，得到顆粒狀合金，其中，所述烙融液體包括；Si ;16wt%，所述烙融液體還 包括；化；0. 5wt%，A1 ;0. 2wt%，Zn ;1. Owt%，Sn ;160ppm，其余為銅；德鑄盤中的烙融液體 滴落到所述冷卻箱內的冷卻液中的滴落溫度為150(TC，冷卻液的溫度為6(TC。
[0102] (2)將所述顆粒狀合金在60(TC下，真空退火24小時，得到四氯化娃催化氨化反應 用含有化-Si金屬鍵和化，A1，化，Sn微量元素的銅-娃合金催化劑。
[0103] 本實施例還提供一種四氯化娃催化氨化反應方法，包括W下步驟：
[0104] (1)將氮氣通入至流化床反應器內加熱形成流化床；
[0105] (2)將四氯化娃、氨氣和上述的制備方法得到的催化劑送至流化床反應器內，流化 床反應器內的溫度為60(TC，壓強為0. 6MPa，所述四氯化娃在所述流化床內發生還原反應， 四氯化娃的摩爾轉化率為22. 5% mol。
[0106] 實施例7
[0107] 本實施例提供一種使用實施例1中的造粒裝置制備四氯化娃催化氨化反應用催 化劑的制備方法，包括W下步驟：
[010引 （1)通過烙融罐將原料烙融成烙融液體并倒入德鑄盤中，所述原料選用多晶娃和 電解銅粉，再通過振蕩機構使得所述德鑄盤振蕩并使得該德鑄盤中的烙融液體滴落到冷卻 箱內的冷卻液中，得到顆粒狀合金，其中，所述烙融液體包括；Si ; 15wt %，所述烙融液體還 包括；Fe ;0. 25wt%，A1 ;0. 15wt%，化；0.0 lwt%，Sn ;250ppm，其余為銅；德鑄盤中的烙融 液體滴落到所述冷卻箱內的冷卻液中的滴落溫度為1525C，冷卻液的溫度為20°C。
[0109] (2)將所述顆粒狀合金在70(TC下，真空退火18小時，得到四氯化娃催化氨化反應 用含有化-Si金屬鍵和化，A1，化，Sn微量元素的銅-娃合金催化劑。
[0110] 本實施例還提供一種四氯化娃催化氨化反應方法，包括W下步驟：
[0111] (1)將氨氣通入至流化床反應器內加熱形成流化床；
[0112] (2)將四氯化娃、氨氣和上述的制備方法得到的催化劑送至流化床反應器內，流 化床反應器內的溫度為52(TC，壓強為0. 58MPa，所述四氯化娃在所述流化床內發生還原反 應，四氯化娃的摩爾轉化率為23. 5% mol。
[0113] 可W理解的是，W上實施方式僅僅是為了說明本發明的原理而采用的示例性實施 方式，然而本發明并不局限于此。對于本領域內的普通技術人員而言，在不脫離本發明的精 神和實質的情況下，可W做出各種變型和改進，送些變型和改進也視為本發明的保護范圍。
【主權項】
1. 一種造粒裝置，包括熔融罐、澆鑄盤、冷卻箱，其特征在于，還包括振蕩機構，該振蕩 機構設置于所述澆鑄盤上，通過所述熔融罐將原料熔融成熔融液體并倒入所述澆鑄盤中， 所述振蕩機構用于使得所述澆鑄盤振蕩，再將所述澆鑄盤中的熔融液體滴落到所述冷卻箱 內的冷卻液中。2. 根據權利要求1所述的造粒裝置，其特征在于，所述振蕩機構為中頻振蕩器，該中頻 振蕩器的頻率為50~200Hz。3. 根據權利要求1所述的造粒裝置，其特征在于，所述澆鑄盤上設置有具有口徑為D的 出液口，該出液口到所述冷卻箱內的冷卻液的高度為H，其中，H/D為7~70。4. 根據權利要求3所述的造粒裝置，其特征在于，所述出液口處設置有控制開啟該出 液口的口徑大小的插板。5. 根據權利要求1所述的造粒裝置，其特征在于，所述冷卻箱內還設置有輸送機構，用 于接收從所述澆鑄盤滴落到所述冷卻箱內的冷卻液中的熔融液體并輸送出所述冷卻液。6. 根據權利要求1所述的造粒裝置，其特征在于，還包括供冷卻液機構，用于向所述冷 卻箱提供冷卻液。7. 根據權利要求1所述的造粒裝置，其特征在于，還包括循環冷卻液機構，用于將所述 冷卻箱內的冷卻液循環利用。8. -種使用權利要求1~7任意一項所述的造粒裝置制備四氯化硅催化氫化反應用含 有Cu-Si金屬鍵的銅-硅合金催化劑的制備方法，其特征在于，包括以下步驟： (1) 通過熔融罐將原料熔融成熔融液體并倒入澆鑄盤中，再通過振蕩機構使得所述澆 鑄盤振蕩并使得該澆鑄盤中的熔融液體滴落到冷卻箱內的冷卻液中，得到顆粒狀合金，其 中，所述熔融液體包括：Si:15~16wt%，其余為銅； (2) 將所述顆粒狀合金在600~760°C下，真空退火12~24小時，得到四氯化硅催化 氫化反應用含有Cu-Si金屬鍵的銅-硅合金催化劑。9. 根據權利要求8所述的四氯化硅催化氫化反應用催化劑的制備方法，其特征在于， 所述熔融液體還包括：Fe:0? 01 ~0? 5wt%，Al:0? 15 ~0? 32wt%，Zn:0? 01 ~I. 0wt%，Sn: 80 ~250ppm。10. 根據權利要求8所述的四氯化硅催化氫化反應用催化劑的制備方法，其特征在于， 所述澆鑄盤中的熔融液體滴落到所述冷卻箱內的冷卻液中的滴落溫度為1500~1550°C。11. 根據權利要求8所述的四氯化硅催化氫化反應用催化劑的制備方法，其特征在于， 所述原料選用多晶娃和電解銅粉。12. 根據權利要求8所述的四氯化硅催化氫化反應用催化劑的制備方法，其特征在于， 所述冷卻液的溫度為20~60°C。13. -種四氯化硅催化氫化反應方法，其特征在于，包括以下步驟： (1) 將非還原性氣體通入至流化床反應器內加熱形成流化床； (2) 將四氯化硅、氫氣和權利要求8~12任意一項所述的制備方法得到的催化劑送至 流化床反應器內，所述四氯化硅在所述流化床內發生還原反應。14. 根據權利要求14所述的四氯化硅催化氫化反應方法，其特征在于，所述步驟（2) 中，所述流化床反應器內的溫度為450~650°C，壓強為0. 5~0. 65MPa。
【專利摘要】本發明公開了一種造粒裝置、制備四氯化硅催化氫化反應用催化劑的制備方法及四氯化硅催化氫化反應方法，該造粒裝置包括熔融罐、澆鑄盤、冷卻箱，還包括振蕩機構，該振蕩機構設置于澆鑄盤上，通過熔融罐將原料熔融成熔融液體并倒入澆鑄盤中，振蕩機構用于使得澆鑄盤振蕩，再將澆鑄盤中的熔融液體滴落到冷卻箱內的冷卻液中。本發明中的造粒裝置通過設置于澆鑄盤上的振蕩機構的振蕩可以使得澆鑄盤中的熔融液體呈均勻顆粒狀的落入到冷卻箱中的冷卻液中，本發明造粒呈顆粒物，不僅僅大小均勻，而且比表面積大大增加。通過本發明的制備方法得到的催化劑，避免了催化劑的微觀粘結作用，可以長期保持在催化狀態下的活性點，催化劑的催化壽命大大增加。
【IPC分類】B01J2/18, B01J35/02, B01J23/72, B01J2/06, C01B33/107
【公開號】CN105170022
【申請號】
【發明人】郭增昌, 劉興平, 呂學謙, 劉樂通
【申請人】新特能源股份有限公司
【公開日】2015年12月23日
【申請日】2014年6月16日