一種陣列基板、其制作方法及顯示裝置的制造方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及顯示面板領域，尤其涉及一種陣列基板、其制作方法及顯示裝置。
【背景技術】
[0002]陣列基板是組成液晶顯示裝置的重要組件，現有的用于ADS(Advanced SuperDimens1n Switch，高級超維場開關)顯示面板的陣列基板，在制作過程中需要依次經過最少6次構圖工藝才能完成陣列基板的制作。而采用IT0(Indium-Tin Oxide，氧化銦錫)作為電極層時，電極層和平坦層的圖形需要兩次構圖工藝才能完成。
[0003]綜上所述，目前現有的陣列基板的制造方法中，采用ITO作為電極層時，電極層和平坦層的圖形需要兩次構圖工藝才能完成。
【發明內容】
[0004]本發明實施例提供的一種陣列基板、其制作方法及顯示裝置，用以解決現有技術中存在的陣列基板的制造方法中，采用ITO作為電極層時，電極層和平坦層的圖形需要兩次構圖工藝才能完成的問題。
[0005]本發明實施例提供的一種陣列基板，包括:襯底基板，設置在襯底基板上的各像素單元所在區域內的第一電極層，設置在所述第一電極層下方且與所述第一電極層直接接觸的平坦層；
[0006]其中，所述第一電極層為由多條導電納米線搭接成的薄膜;所述第一電極層和所述平坦層的圖案相同。
[0007]由于本發明中第一電極層是由多條導電納米線搭接而成的薄膜，且平坦層和第一電極層有相同的圖案，因而可以采用曝光顯影的方式對平坦層進行刻蝕，在曝光刻蝕之后進行顯影時，顯影液可以通過導電納米線之間的縫隙滲透到平坦層，在清洗平坦層的同時，可以一起沖洗掉位于已經刻蝕掉的平坦層上方的導電納米線;進而通過一次構圖工藝同時形成平坦層和電極層的圖形，這樣不僅可以減少一次構圖工藝，還可以節約成本，提高產會K。
[0008]可選的，所述納米線的材料為納米金屬。
[0009]可選的，所述納米金屬為納米銀。
[0010]可選的，所述納米線的粗度不大于Ιμπι。
[0011]可選的，所述納米線的長度為根據所述第一電極層和所述平坦層的圖案選取的數值。
[0012]可選的，所述納米線的長度為3μηι-20μηι。
[0013]可選的，所述第一電極層的透過率大于80%。
[0014]可選的，所述第一電極層的電阻值不大于200歐姆/方塊。
[0015]可選的，還包括:設置在所述第一電極層上方且具有狹縫形狀的第二電極層。
[0016]可選的，所述第一電極層為公共電極層，所述第二電極層為像素電極層;或，
[0017]所述第一電極層為像素電極層，所述第二電極層為公共電極層。
[0018]本發明實施例提供的一種顯示裝置，包括本發明實施例提供的上述所述的陣列基板。
[0019]本發明實施例提供的一種如本發明實施例提供的上述陣列基板的制作方法，包括:
[0020]在襯底基板上形成一整層的平坦層和一整層的第一電極層；
[0021]使用掩膜版通過一次構圖工藝形成所述平坦層和所述第一電極層的圖案；
[0022]其中，所述第一電極層為由多條導電納米線搭接成的薄膜;所述第一電極層和所述平坦層的圖案相同。
[0023]可選的，在襯底基板上形成一整層的平坦層和一整層的第一電極層，包括:
[0024]在襯底基板上沉積一整層的平坦層；
[0025]在所述平坦層上涂覆一整層包含導電納米線的可揮發溶液，以使所述可揮發溶液在揮發之后，能夠形成一整層的第一電極層；
[0026]其中，所述可揮發溶液為超過預設溫度閾值時能夠揮發的溶液;所述預設溫度閾值為使所述陣列基板發生熔化的最低溫度值。
[0027]可選的，在襯底基板上形成一整層的平坦層和一整層的第一電極層，包括:
[0028]在襯底基板上轉印一整層的包含平坦層和由導電納米線搭接成的第一電極層的復合薄膜，形成位于襯底基板上的一整層的平坦層和一整層的第一電極層。
[0029]可選的，使用掩膜版通過一次構圖工藝形成所述平坦層和所述第一電極層的圖案，包括:
[0030]使用掩膜版對所述平坦層進行曝光刻蝕；
[0031]在曝光完成后，使用顯影液對所述平坦層上刻蝕掉的部分進行清洗，并清洗掉位于所述平坦層上刻蝕掉的部分上方的導電納米線，形成所述平坦層和所述第一電極層的圖案。
[0032]可選的，所述顯影液為弱堿性溶液。
[0033]可選的，所述弱堿性溶液為Na2CO3溶液。
[0034]可選的，所述Na2CO3溶液的濃度為0.1%_1 %。
【附圖說明】
[0035]圖1為本發明實施例提供的一種陣列基板的結構示意圖；
[0036]圖2為本發明實施例提供的一種制作本發明實施例提供的陣列基板的方法流程圖；
[0037]圖3為本發明實施例提供的第一種形成平坦層和第一電極層的方法流程圖；
[0038]圖4為本發明實施例提供的第二種形成平坦層和第一電極層的方法流程圖；
[0039]圖5為本發明實施例提供的第一電極層的結構示意圖；
[0040]圖6為本發明實施例提供的通過一次構圖工藝形成平坦層和第一電極層圖案的方法流程圖；
[0041 ]圖7為本發明實施例提供的陣列基板的制作方法的整體流程圖。
【具體實施方式】
[0042]下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅是本發明一部分實施例，并不是全部的實施例。基于本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發明保護的范圍。
[0043]如圖1所示，為本發明實施例提供的一種陣列基板的結構示意圖，陣列基板包括襯底基板101;位于襯底基板101上的柵極102;位于襯底基板101上、且全面覆蓋柵極102的柵絕緣層103;位于柵絕緣層103上的有源層104;位于有源層104上、分別位于有源層104兩側的源漏電極105;位于源漏電極105上的第一絕緣層106;位于第一絕緣層106上的平坦層107;位于平坦層107上的第一電極層108;位于第一電極層108上的第二絕緣層109;設置在第一電極層108上方且具有狹縫形狀的第二電極層110。實施中，除了平坦層107和第一電極層108外，其它膜層均采用現有技術中的標準工藝，下面具體對陣列基板中的平坦層107和第一電極層108進行介紹。
[0044]如圖1所示，該陣列基板包括:襯底基板101，設置在襯底基板101上的各像素單元所在區域內的第一電極層108，設置在第一電極層108下方且與第一電極層108直接接觸的平坦層107;其中，第一電極層108為由多條導電納米線搭接成的薄膜;第一電極層108和平坦層107的圖案相同。
[0045]實施中，現有技術中通常使用ITO作為電極層(即第一電極層108)，使用樹脂材料作為平坦層107，而平坦層107位于第一電極層108下方且與第一電極層108直接接觸，在對平坦層107(比如樹脂)和第一電極層108(比如ΙΤ0)進行構圖時，由于一整層的ΙΤ0，會造成ITO無法隨著樹脂剝落，或者是ITO被大片剝離形成不良，因而即使平坦層107和第一電極層108有相同的圖案，也必須采