用兩次構圖工藝才能完成。
[0046]而本發明實施例中提供的第一電極層108是由多條導電納米線搭接而成的薄膜，且平坦層107和第一電極層108有相同的圖案，因而可以采用曝光顯影的方式對平坦層107進行刻蝕，在曝光刻蝕之后進行顯影時，顯影液可以通過導電納米線之間的縫隙滲透到平坦層107上，在清洗平坦層107的同時，一起沖洗掉位于已經刻蝕掉的平坦層107上方的導電納米線，進而通過一次構圖工藝同時形成平坦層107和第一電極層108的圖形，這樣不僅可以減少一次構圖工藝，還可以節約成本，提高產能。
[0047]實施中，組成第一電極層108的多條導電納米線，可以是任意能夠制作成納米級細線的導電材料，可選的，納米線的材料為納米金屬。而本發明實施例中的納米金屬可以是任意的能夠導電的金屬，可選的，納米金屬為納米銀。
[0048]具體的，針對上述組成第一電極層108的多條導電納米線，在保證電阻值的情況下越細越好，因為越細透過率就會越高，視覺效果會越好，不會有霧蒙蒙的視覺效果;可選的，納米線的粗度不大于lym。
[0049]而導電納米線的長度則根據第一電極層和平坦層的圖案進行選取，例如，根據曝光的孔徑大小進行選取，孔如果比較小就選擇長度較小的導電納米線，這樣防止在用顯影液進行沖洗時，導電納米線過長而殘留在平坦層107之上;可選的，納米線的長度為根據第一電極層和平坦層的圖案選取的數值。納米線的長度為3μπι-20μπι。
[0050]實施中，第一電極層的電阻值(即方塊電阻)與第一電極層的透過率有關，透過率越大且電阻值越小越好，可選的，第一電極層的透過率大于80%。第一電極層的電阻值不大于200歐姆/方塊。本發明實施例經過試驗得出，在保證透過率90%以上的情況下，第一電極層的電阻值最小可以做到20歐姆/方塊，因而透過率可以做到達到90%以上。
[0051]如圖1所示，在本發明實施例提供的上述陣列基板中，可選的，還包括:設置在第一電極層108上方且具有狹縫形狀的第二電極層110。如圖1所示，第一電極層108為面狀電極，第二電極110為狹縫電極。
[0052]在本發明實施例提供的上述陣列基板中，根據顯示面板的不同的顯示模式，可選的，第一電極層108為公共電極層，第二電極層110為像素電極層;或者是另一種方式。可選的，第一電極層108為像素電極層，第二電極層110為公共電極層。在具體實施時，可以根據實際需要，由顯示面板的具體的顯示模式來決定的。
[0053]實施中，本發明實施例提供的陣列基板可以是包含電極層和平坦層的任意顯示模式的陣列基板，例如，應用于ADS(Advanced Super Dimens1n Switch，高級超維場開關)顯示面板的陣列基板。而本發明采用導電納米線作為電極層的思想，也可以進行其它的變形和應用，例如，將其應用到其它膜層中，或者采用其它材料做成細線，以達到減少制作工藝的目的等。
[0054]需要說明的是，本發明當公共電極層為狹縫狀電極層時，像素電極層為板狀電極層，這樣的設置方式可以實現高品質的圖像顯示。
[0055]基于同一發明構思，本發明實施例還提供了一種本發明實施例提供的上述陣列基板的制作方法，由于該方法解決問題的原理與前述一種陣列基板相似，因此該方法的實施可以參見陣列基板的實施，重復之處不再贅述。
[0056]本發明實施例提供的上述陣列基板，其主要有益效果是可以減少一次構圖工藝，下面具體介紹制作陣列基板時，制作第一電極層和平坦層的過程。如圖2所示，為本發明實施例提供的一種制作本發明實施例提供的陣列基板的方法流程圖，具體步驟包括:
[0057]步驟201，在襯底基板上形成一整層的平坦層和一整層的第一電極層；
[0058]步驟202，使用掩膜版通過一次構圖工藝形成平坦層和第一電極層的圖案；
[0059]其中，第一電極層為由多條導電納米線搭接成的薄膜;第一電極層和平坦層的圖案相同。
[0060]在制作本發明實施例提供的陣列基板時，由于第一電極層和平坦層的圖案相同，且第一電極層采用由多條導電納米線搭接成的薄膜，因而需要先在襯底基板上形成一整層的平坦層和一整層的第一電極層(即形成一整層沒有圖案的膜層)，并采用一次構圖工藝形成平坦層和第一電極層的圖案。下面具體介紹如何形成一整層的平坦層和第一電極層。
[0061]如圖3所示，為本發明實施例提供的第一種形成平坦層和第一電極層的方法流程圖。實施中，本發明實施例提供的一種制作本發明實施例提供的陣列基板的方法中，步驟201的實現方式，可以具體采用以下方式實現:
[0062]步驟301，在襯底基板上沉積一整層的平坦層；
[0063]步驟302，在平坦層上涂覆一整層包含導電納米線的可揮發溶液，以使可揮發溶液在揮發之后，能夠形成一整層的第一電極層；
[0064]其中，可揮發溶液為超過預設溫度閾值時能夠揮發的溶液;預設溫度閾值為使陣列基板發生熔化的最低溫度值。
[0065]在步驟301中，可以采用現有的方式，在襯底基板上沉積一整層的平坦層;沉積完平坦層之后，在平坦層之上制作第一電極層，由于本發明實施例提供的第一電極層為由多條導電納米線搭接成的薄膜，因而可以通過將導電納米線放入可揮發溶液中，并在平坦層上涂覆可揮發溶液的方法制作第一電極層，即在步驟302中，可以在平坦層上涂覆一整層包含導電納米線的可揮發溶液，以使可揮發溶液在揮發之后，能夠形成一整層的第一電極層。
[0066]采用上述涂覆包含導電納米線的可揮發溶液制作第一電極層的方法，為了加速可揮發溶液的揮發，可以在進行構圖之前，對陣列基板進行低溫烘干，以促進可揮發溶液的揮發，較佳的，可以在110°C的溫度下，烘干130s。
[0067]如圖4所示，為本發明實施例提供的第二種形成平坦層和第一電極層的方法流程圖。實施中，本發明實施例提供的一種制作本發明實施例提供的陣列基板的方法中，步驟201的實現方式，還采用以下方式實現:
[0068]步驟401，在襯底基板上轉印一整層的包含平坦層和由導電納米線搭接成的第一電極層的復合薄膜，形成位于襯底基板上的一整層的平坦層和一整層的第一電極層。
[0069]除了上述在平坦層上涂覆包含導電納米線的可揮發溶液的方法之外，還可以采用轉印復合薄膜的方式，即將一整層的平坦層、以及由導電納米線搭接成的一整層的第一電極層，制作成復合薄膜的形式，直接在襯底基板上轉印一整層的復合薄膜，以形成位于襯底基板上的一整層的平坦層和一整層的第一電極層。
[0070]實施中，上述兩種制作第一電極層的方法，都是為了在平坦層上形成由多條導電納米線搭接成的薄膜，而導電納米線的長度、粗度等參數在上述陣列基板的介紹中已經給出，本發明實施例中組成第一電極層的導電納米線，并不限定其排列的方式，而具體排列的位置、厚度等，可以根據需要進行調整，但前提必須保證導電納米線搭接成的薄膜完全能夠實現第一電極層的功能，且在對第一電極層進行構圖之后，也不會影響第一電極層的功能。如圖5所示，為本發明實施例提供的第一電極層的結構示意圖，圖中白色的雜亂無章的細線即為導電納米線501，看到的灰色部分，即為從導電納米線的縫隙中看到的平坦層107。
[0071]而針對本發明實施例中提到的一次構圖工藝形成平坦層和第一電極層的圖案，具體的構圖工藝的方式不做限定，較佳的，本發明采用曝光顯影的方式進行構圖。
[0072]如圖6所示，為本發明實