施例提供的通過一次構圖工藝形成平坦層和第一電極層圖案的方法流程圖。實施中，本發明實施例提供的一種制作本發明實施例提供的陣列基板的方法中，步驟202的實現方式，可以具體采用以下方式實現:
[0073]步驟601，使用掩膜版對平坦層進行曝光刻蝕；
[0074]步驟602，在曝光完成后，使用顯影液對平坦層上刻蝕掉的部分進行清洗，并清洗掉位于平坦層上刻蝕掉的部分上方的導電納米線，形成平坦層和第一電極層的圖案。
[0075]本發明實施例提供的曝光刻蝕的方式，可以是采用激光曝光的方式，由于平坦層的材料(比如樹脂)具有感光的性質，因而無需涂覆光刻膠，就可以直接對平坦層進行曝光，當采用的曝光機不同時，曝光時間和曝光強度等相關參數也不相同，同時與平坦層所采用的材料、平坦層的厚度等相關，在具體實施時，可以根據實際需要進行調整。
[0076]為了更加清楚的說明陣列基板的制作方法，該方法是采用轉印復合薄膜的方式制作一整層的平坦層和第一電極層。如圖7所示，為本發明實施例提供的陣列基板的制作方法的整體流程圖，具體步驟包括:
[0077]步驟701，在襯底基板上轉印一整層的包含平坦層和由導電納米線搭接成的第一電極層的復合薄膜，形成位于襯底基板上的一整層的平坦層和一整層的第一電極層；
[0078]步驟702，使用掩膜版對平坦層進行曝光刻蝕；
[0079]步驟703，在曝光完成后，使用顯影液對平坦層上刻蝕掉的部分進行清洗，并清洗掉位于平坦層上刻蝕掉的部分上方的導電納米線，形成平坦層和第一電極層的圖案。
[0080]實施中，本發明實施例提供的曝光顯影的方法，在顯影工藝上并沒有什么特殊要求，而上述進行顯影使用的顯影液，必須保證不會對第一電極層中的導電納米線有影響，其具體的溶液類型，可以采用現有技術中常用的顯影液，可選的，顯影液為弱堿性溶液。較佳的，該弱堿性溶液為Na2CO3溶液。而Na2CO3溶液的濃度為0.1 %_1 %。
[0081]基于同一發明構思，本發明實施例還提供了一種顯示裝置，包括本發明實施例提供的上述陣列基板，該顯示裝置可以為:手機、平板電腦、電視機、顯示器、筆記本電腦、數碼相框、導航儀等任何具有顯示功能的產品或部件。對于該顯示裝置的其它必不可少的組成部分均為本領域的普通技術人員應該理解具有的，在此不做贅述，也不應作為對本發明的限制。該顯示裝置的實施可以參見上述陣列基板的實施例，重復之處不再贅述。
[0082]綜上所述，由于本發明中第一電極層是由多條導電納米線搭接而成的薄膜，因而在曝光刻蝕之后進行顯影時，顯影液可以通過導電納米線之間的縫隙滲透到平坦層，在清洗平坦層的同時，可以一起沖洗掉位于已經刻蝕掉的平坦層上方的導電納米線；進而通過一次構圖工藝同時形成平坦層和電極層的圖形，這樣不僅可以減少一次構圖工藝，還可以節約成本，提高產能。
[0083]顯然，本領域的技術人員可以對本發明進行各種改動和變型而不脫離本發明的精神和范圍。這樣，倘若本發明的這些修改和變型屬于本發明權利要求及其等同技術的范圍之內，則本發明也意圖包含這些改動和變型在內。
【主權項】
1.一種陣列基板，其特征在于，包括:襯底基板，設置在襯底基板上的各像素單元所在區域內的第一電極層，設置在所述第一電極層下方且與所述第一電極層直接接觸的平坦層； 其中，所述第一電極層為由多條導電納米線搭接成的薄膜;所述第一電極層和所述平坦層的圖案相同。2.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述納米線的材料為納米金屬。3.如權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述納米金屬為納米銀。4.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述納米線的粗度不大于lMi。5.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述納米線的長度為根據所述第一電極層和所述平坦層的圖案選取的數值。6.如權利要求5所述的陣列基板，其特征在于，所述納米線的長度為3μπι-20μπι。7.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一電極層的透過率大于80%。8.如權利要求7所述的陣列基板，其特征在于，所述第一電極層的電阻值不大于200歐姆/方塊。9.如權利要求1-8任一項所述的陣列基板，其特征在于，還包括:設置在所述第一電極層上方且具有狹縫形狀的第二電極層。10.如權利要求9所述的陣列基板，其特征在于，所述第一電極層為公共電極層，所述第二電極層為像素電極層;或， 所述第一電極層為像素電極層，所述第二電極層為公共電極層。11.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權利要求1-10任一項所述的陣列基板。12.—種如權利要求1-10任一項所述陣列基板的制作方法，其特征在于，包括: 在襯底基板上形成一整層的平坦層和一整層的第一電極層； 使用掩膜版通過一次構圖工藝形成所述平坦層和所述第一電極層的圖案； 其中，所述第一電極層為由多條導電納米線搭接成的薄膜;所述第一電極層和所述平坦層的圖案相同。13.如權利要求12所述的方法，其特征在于，在襯底基板上形成一整層的平坦層和一整層的第一電極層，包括: 在襯底基板上沉積一整層的平坦層； 在所述平坦層上涂覆一整層包含導電納米線的可揮發溶液，以使所述可揮發溶液在揮發之后，能夠形成一整層的第一電極層； 其中，所述可揮發溶液為超過預設溫度閾值時能夠揮發的溶液;所述預設溫度閾值為使所述陣列基板發生熔化的最低溫度值。14.如權利要求12所述的方法，其特征在于，在襯底基板上形成一整層的平坦層和一整層的第一電極層，包括: 在襯底基板上轉印一整層的包含平坦層和由導電納米線搭接成的第一電極層的復合薄膜，形成位于襯底基板上的一整層的平坦層和一整層的第一電極層。15.如權利要求12所述的方法，其特征在于，使用掩膜版通過一次構圖工藝形成所述平坦層和所述第一電極層的圖案，包括: 使用掩膜版對所述平坦層進行曝光刻蝕；在曝光完成后，使用顯影液對所述平坦層上刻蝕掉的部分進行清洗，并清洗掉位于所述平坦層上刻蝕掉的部分上方的導電納米線，形成所述平坦層和所述第一電極層的圖案。16.如權利要求15所述的方法，其特征在于，所述顯影液為弱堿性溶液。17.如權利要求16所述的方法，其特征在于，所述弱堿性溶液為Na2CO3溶液。18.如權利要求17所述的方法，其特征在于，所述Na2CO3溶液的濃度為0.1 %-1 %。
【專利摘要】本發明涉及一種陣列基板、其制作方法及顯示裝置，以解決現有技術中陣列基板的制造方法中，采用ITO作電極層時，電極層和平坦層的圖形需要兩次構圖工藝才能完成的問題。本發明的陣列基板包括：襯底基板，第一電極層，平坦層；其中第一電極層為由多條導電納米線搭接成的薄膜；第一電極層和平坦層的圖案相同。由于第一電極層是導電納米線搭接成的薄膜，且平坦層和第一電極層有相同圖案，因而可以采用曝光顯影的方式對平坦層進行刻蝕，顯影液可以通過導電納米線間的縫隙滲透到平坦層，在清洗平坦層的同時，一起洗掉位于已經刻蝕掉的平坦層上方的導電納米線，進而通過一次構圖工藝同時形成平坦層和電極層的圖形，減少了一次構圖工藝。
【IPC分類】H01L21/77, H01L27/12, G02F1/1333, G02F1/1343
【公開號】CN105607357
【申請號】CN201610008966
【發明人】張斌, 劉震, 曹占鋒, 周婷婷, 何曉龍, 李正亮, 張偉
【申請人】京東方科技集團股份有限公司
【公開日】2016年5月25日
【申請日】2016年1月6日