分支部
[0045]130d:配向狹縫
[0046]132、134:像素電極
[0047]142:遮光圖案
[0048]142a:第一遮光部
[0049]142b:第二遮光部
[0050]144:間隙物
[0051]150、160、170:絕緣層
[0052]200、200A、200B、200C、2000D:對向基板
[0053]210:第二基板
[0054]220、220A、220B、220C、220D:共享電極
[0055]222、222A、222B、222C、222D:共享電極圖案
[0056]224a、224b:主狹縫
[0057]226a、226b、226c:次狹縫
[0058]300:液晶層
[0059]310:液晶分子
[0060]1000、1000A、1000B、1000C、1000D:顯示面板
[0061]A-A，、B-B，、C_C， 、a_a，、b_b，、c_c，:咅丨J線
[0062]A、B:面積
[0063]CL、CL’:共享電極線
[0064]Cst、Cst，:儲存電容
[0065]Csh:分享電容
[0066]CH:通道
[0067]DL:數據線
[0068]D:漏極
[0069]G:柵極
[0070]g:間隙
[0071]H1、H2:貫孔
[0072]R:區域
[0073]S:源極
[0074]SL、SL’:掃描線
[0075]T1、T2:主動元件
[0076]Τ3:分享開關元件
[0077]Wsl、Wbl、Ws2、Wb2:寬度
[0078]x、y、z:方向
【具體實施方式】
[0079]圖1為本發明一實施例的顯示面板1000的剖面示意圖。圖2為圖1的顯示面板1000的像素陣列基板100的上視示意圖。為清楚表達起見，更繪示圖3、圖4。圖3為省略圖2的遮光圖案142與間隙物144的像素陣列基板100的上視示意圖。圖4為省略圖3的像素電極132、134的像素陣列基板100的上視示意圖。特別是，圖1對應于圖2、圖3及圖4的剖線A-A ’、B-B ’、C-C，。
[0080]請參照圖1，顯示面板1000包括像素陣列基板100、相對于像素陣列基板100的對向基板200以及液晶層300。液晶層300夾設于像素陣列基板100的像素電極132、134與對向基板200的共享電極220之間。請參照圖1及圖3，像素陣列基板100包括第一基板110、多條掃描線SL、SL’、多條數據線DL、多個主動元件Tl、T2以及多個像素電極132、134。請參照圖1、圖2及圖3，像素陣列基板100更包括多個彩色濾光圖案120(標示于圖2、圖3)以及遮光圖案142(繪示于圖2)。換言之，像素陣列基板100可為⑶A(color filter on array)與B0A(Blackmatrix on Array)結構。在本實施例中，第一基板110可為透光基板，透光基板的材質例如為玻璃、石英、有機聚合物或其它可適用材料。然而，本發明不限于此，在其它實施例中，第一基板110也可為不透光/反射基板，不透光/反射基板的材質可為導電材料、晶圓、陶瓷或其它可適用的材料，但本發明不以此為限。
[0081]請參照圖1及圖3，多條掃描線SL、SL’以及多條數據線DL位于第一基板110上。掃描線SL、SL’與數據線DL屬于不同膜層。掃描線SL、SL’與數據線DL彼此交越，以于第一基板110上定義出多個像素區110a。掃描線SL、SL’的延伸方向X與數據線DL的延伸方向y不平行。舉例而言，在本實施例中，掃描線SL、SL’的延伸方向X與數據線DL的延伸方向y可垂直，但本發明不以此為限。基于導電性的考慮，掃描線SL、SL’與數據線DL—般是使用金屬材料。但本發明不限于此，根據其它實施例，掃描線SL、SL’與數據線DL也可以使用其它導電材料。例如:合金、金屬材料的氮化物、金屬材料的氧化物、金屬材料的氮氧化物、或是金屬材料與其它導電材料的堆棧層。
[0082]多個主動元件Tl、T2位于第一基板110上且與掃描線SL(又可稱為第一掃描線SL)以及數據線DL電性連接。詳言之，每一主動元件T1、T2具有柵極G、通道CH、源極S以及漏極D。柵極G與掃描線SL電性連接。源極S與數據線DL電性連接。主動元件Tl、Τ2的漏極D分別與像素電極132、134電性連接。如圖1所示，在本實施例中，通道CH位于柵極G的上方。源極S以及漏極D位于通道CH的上方。換言之，上述主動元件Τ1、Τ2是以底部柵極型薄膜晶體管(bottomgate TFT)為例，但本發明不限于此，根據其它實施例，上述主動元件T1、T2也可是以頂部柵極型薄膜晶體管(top gate TFT)或其它適當型式的薄膜晶體管。此外，像素陣列基板100更包括絕緣層150、160(標示于圖1)。絕緣層150(又稱柵絕緣層)夾設于通道CH與柵極G之間。絕緣層160(又稱保護層)覆蓋主動元件1'132、掃描線31^、31/以及數據線0匕絕緣層150、160的材料可為無機材料(例如:氧化娃、氮化娃、氮氧化娃、或上述至少二種材料的堆桟層)、有機材料或上述組合。
[0083]請參照圖3，在本實施例中，相鄰二個主動元件T1、T2可選擇性地電性連接至同一條掃描線SL與同一條數據線DL。換言之，本實施例的像素陣列基板100可為IDlG的架構，其中『D』指數據線、『G』指掃描線。然而，本發明不限于此，本領域技術人員可根據本發明的精神將像素陣列基板100改為2D1G的架構、2D2G的架構、HSD(half source driving)的架構或其它適當架構。具有所述架構的像素陣列基板以及包括所述像素陣列基板的顯示面板也在本發明所欲保護的范疇內。
[0084]請參照圖1、圖3及圖4，彩色濾光圖案120配置于像素區IlOa內。詳言之，如圖1所示，在本實施例中，彩色濾光圖案120可配置于絕緣層160上。請參照圖3及圖4，彩色濾光圖案120彼此分離。彩色濾光圖案120之間具有間隙g。主動元件T1、T2位于間隙g中。像素陣列基板100更包括絕緣層170(繪于圖1)。絕緣層170覆蓋彩色濾光圖案120，并填入間隙g，以覆蓋主動元件Tl、T2上方的絕緣層160。絕緣層170的材料可為無機材料(例如:氧化硅、氮化娃、氮氧化娃、或上述至少二種材料的堆桟層)、有機材料或上述組合。
[0085]請參照圖1、圖3及圖4，像素電極132、134分別配置于彩色濾光圖案120上且與分別主動元件Tl、Τ2電性連接。詳言之，如圖1及圖3所示，在本實施例中，像素電極132、134分別由彩色濾光圖案120上方延伸至彩色濾光圖案120之間的間隙g，進而分別填入絕緣層160、170的貫孔Hl、H2，以分別和主動元件T1、T2的漏極D電性連接。在本實施例中，像素電極132、134可為透明導電層，透明導電層的材質包括金屬氧化物，例如:銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物、或其它合適的氧化物、或者是上述至少二者的堆棧層，但本發明不以此為限。
[0086]請參照圖3，在本實施例中，每一像素電極132(及134)包括主干部130a、130b以及多個分支部130c。主干部130a、130b將所在的像素區IlOa劃分為多個區塊(例如:第一?四象限)。多個分支部130c與主干部130a、130b電性連接且位于所述多個區塊內。配向狹縫130d設置于相鄰二分支130c之間。像素電極132、134包括彼此交錯且電性連接的第一主干部130a與第二主干部130b。在本實施例中，第一主干部130a可選擇性地與掃描線SL平行，第二主干部130b可選擇性地與數據線DL平行。但本發明不以此為限，在其它實施例中，第一主干部130a與第二主干部130b也可以不分別與掃描線SL、數據線DL平行。此外，本發明也不限制每一像素電極132(及134)—定要同時包括第一主干部130a與第二主干部130b;換言之，本發明并不限制每一像素區IlOa—定要劃分為四個區塊(例如:第一?四象限)。在其它實施例中，每一像素電極132(及134)也可選擇包括第一主干部130a或第二主干部130b，而每一像素區IlOa也可劃分為二個區塊(例如:第一象限與第二象限、第三象限與第四象限、第