一象限與第四象限，或者第二象限與第三象限)。
[0087]請參照圖3及圖4，在本實施例中，像素陣列基板100可進一步包括共享電極線CL、CL’。如圖1及圖3所示，共享電極線CL與像素電極132重迭，以電性耦合為儲存電容Cst。如圖3所示，共享電極線CL’與像素電極134重迭，以電性耦合為儲存電容Cst ’。在本實施例中，共享電極線CL、CL’、掃描線SL、SL’、柵極G可屬于同一膜層，但本發明不以此為限。
[0088]請參照圖1及圖3，像素陣列基板100更可選擇性地包括分享開關元件T3。分享開關元件T3具有柵極G、通道CH、源極S以及漏極D。分享開關元件T3的柵極G與掃描線SL’(又可稱為第二掃描線SL’)電性連接。分享開關元件T3的源極S與主動元件T2的漏極D電性連接。分享開關元件T3的漏極D與共享電極線CL重迭，以電性耦合為分享電容Csh。請參照圖3，在驅動顯示面板1000時，可先輸入掃描訊號至掃描線SL，此時，主動元件Tl、T2開啟，而像素電極132、134可接收到來自數據線DL的同一驅動訊號，進而使儲存電容Cst、Cst ’儲存指定的電荷。接著，再將掃描訊號輸入至掃描線SL’，此時，分享開關元件Τ3開啟而主動元件Tl、Τ2關閉。由于分享開關元件Τ3的源極S與像素電極134電性連接，因此當分享開關元件Τ3開啟時，原本儲存在儲存電容Cst ’中的電荷會被分散至分享電容Csh，而使得分別對應像素電極132、像素電極134的二區域呈現不同的亮度，進而改善色偏(Co I or washout)的問題。然而，本發明不限于此，在其它實施例中，也可以不采用掃描線SL’、分享開關元件T3以及分享電容Csh的設計。
[0089]請參照圖1、圖2及圖3，遮光圖案142配置于絕緣層170以及部份的像素電極132、134上。遮光圖案142位于兩相鄰的彩色濾光圖案120之間，以遮蔽兩相鄰的彩色濾光圖案120之間的間隙g。在本實施例中，遮光圖案142可環繞每一像素電極132、134。遮光圖案142包括多個第一遮光部142a以及多個第二遮光部142b。第一遮光部142a設置于掃描線SL上方。第一遮光部142a可遮蔽相鄰二列的彩色濾光圖案120之間的間隙g。第二遮光部142b與第一遮光部142a交錯且沿著數據線DL的延伸方向y設置。第二遮光部142b可遮蔽相鄰二行的彩色濾光圖案120之間的間隙g。更進一步地說，在本實施例中，每一第二遮光部142b可遮蔽相鄰的二條數據線DL，但本發明不以此為限。
[0090]請參照圖1及圖2，顯示面板1000更包括多個間隙物144。間隙物144配置于第一基板110上且抵頂第二基板210。在本實施例中，可利用半調式(half tone)光罩同時圖案化出遮光圖案142與間隙物144，而間隙物144與遮光圖案142的材質可相同。然而，本發明不限于此，在其它實施例中，間隙物144與遮光圖案142也可分別形成，而二者的材質也可不同。在本實施例中，間隙物144可選擇性地配置于共享電極線CL、CL’上方，但本發明不限于此，在其它實施例中，間隙物144也可以其它適當方式配置。舉例而言，在其它實施例中，間隙物144也可以是用灑布(spray)或噴墨(injet)方式設置的球形間隙子(ball spacer)，而隨機地分散在第一基板110或第二基板210上。
[0091]圖5為圖1的顯示面板1000的對向基板200的上視示意圖。特別是，圖1對應于圖5的剖線a-a’、b-b’、c-c’。請參照圖1及圖5，對向基板200包括第二基板210以及共享電極220。第二基板210相對于第一基板110。共享電極220配置于第二基板210上且位于第二基板210與液晶層300之間。共享電極220具有彼此電性連接的多個共享電極圖案222。共享電極圖案222與像素電極132、134對應設置。換言之，每一共享電極圖案222與對應的一個像素電極132(或134)在垂直投影方向z(標示于圖3)上重迭。共享電極220可為透明導電層，透明導電層的材質包括金屬氧化物，例如:銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物、或其它合適的氧化物、或者是上述至少二者的堆棧層，但本發明不以此為限。
[0092]值得注意的是，共享電極220更具有定義出多個共享電極圖案222的主狹縫224a、224b。請參照圖1圖2及圖5，特別是，主狹縫224a、224b與遮光圖案142對應設置(也就是說，主狹縫224a、224b與遮光圖案142在垂直投影方向z上重迭)。通過主狹縫224a、224b的設置，遮光圖案142正上方至少部份的區域沒有共享電極220。藉此，在遮光圖案142正上方與附近的液晶分子310容易順著配向狹縫130d往指定方向傾倒，而不易發生習知技術中因液晶分子指向不連續而造成的錯向線(disclinat1n line)(或稱暗線)的情形，從而顯示面板1000的穿透率能夠提升。
[0093]請參照圖1圖2及圖5，更進一步地說，在本實施例中，主狹縫224a、224b的寬度可大于或等于遮光圖案142的寬度。若主狹縫224a、224b的寬度大于或等于遮光圖案142的寬度，則在遮光圖案142正上方及附近的液晶分子310更不易發生倒向沖突而產生錯向線的情形，從而顯示面板1000的穿透率能夠更進一步地提升。舉例而言，在本實施例中，共享電極220的主狹縫224a、224b包括彼此交錯的第一主狹縫224a與第二主狹縫224b。第一主狹縫224a對應第一遮光部142a設置。第一主狹縫224a與第一遮光部124a在垂直投影方向z上至少部分重迭。第二主狹縫224b對應第二遮光部142b設置。第二主狹縫224a與第二遮光部142b在垂直投影方向z上至少部分重迭。每一第一主狹縫224a在數據線DL的延伸方向y上具有寬度Wsl。與第一主狹縫224a對應的第一遮光部142a在數據線DL的延伸方向y上具有寬度Wbl。每一第二主狹縫224b在掃描線SL的延伸方向X上具有寬度Ws2。與第二主狹縫224b對應的第二遮光部142b在掃描線SL的延伸方向X上具有寬度Wb2。在本實施例中，Wsl^Wbl(稱式一)，且Ws2^Wb2(稱式二)。需說明的是，本發明并不限制必需同時滿足上述式一與式二，凡滿足式一與式二的任一者的顯示面板1000，其穿透率可更進一步提升，且亦在本發明保護的范疇內。另外，也需說明的是，由于制程上的公差，第一主狹縫224a、第一遮光部142a、第二主狹縫224b以及第二遮光部142b在其本身各處的寬度Wsl、Wbl、Ws2、Wb2可能不盡相同，而上述寬度Wsl、Wbl、Ws2、Wb2可分別視為第一主狹縫224a、第一遮光部142a、第二主狹縫224b以及第二遮光部142b本身各處寬度的平均值。圖6為本發明一實施例的另一顯示面板1000A的剖面示意圖。顯示面板1000A的像素陣列基板100與顯示面板1000的像素陣列基板100相同，因此，關于顯示面板1000A的像素陣列基板100的描述還請參照前述對圖2、圖3及圖4的相關說明，于此便不再重述與重繪。顯示面板1000A與顯示面板1000相似，因此相同或相對應的元件以相同或相對應的標號表示。顯示面板100A與顯示面板1000的差異在于:二者的對向基板200、200A的共享電極220、220A不同。以下主要就此差異做說明，二者相同處還請參照前述說明，于此便不再重述。
[0094]請參照圖6，顯示面板1000A包括像素陣列基板100、相對于像素陣列基板100的對向基板200A以及液晶層300。液晶層300夾設于像素陣列基板100的像素電極132、134與對向基板200A的共享電極220A之間。圖7為圖6的顯示面板1000A的對向基板200A的上視示意圖。特別是，圖6對應于圖7的剖線a-a’、b_b’、c_c’。請參照圖6及圖7，對向基板200A包括第二基板210以及共享電極220A。第二基板210相對于第一基板110。共享電極220A配置于第二基板210上且位于第二基板210與液晶層300之間。共享電極220A具有彼此電性連接的多個共享電極圖案222A以及定義出多個共享電極圖案222A的主狹縫224a、224b。主狹縫224a、224b與遮光圖案142對應設置。
[0095]與顯示面板1000不同的是，顯示面板1000A的共享電極圖案222A與顯示面板1000的共享電極圖案222不同。詳言之，共享電極圖案222A具有暴露主干部130b的次狹縫226b且覆蓋主干部130a、分支部130c與配向狹縫130d，而不像顯示面板1000的共享電極圖案