基)-5,6_二溴二咪唑[1,2-8:27 ,Ι'-c]并吡嗪，而后采用苯硼酸與其偶聯制備得到化合 物1-38，總收率30.6 %，高分辨質譜理論值為465.1749，測試值為465.1746。
[0059]制備實施例十化合物1-39的合成
[0060] 采用α-溴代3-吡啶乙酮與2，3_二溴-4,5-二氨基吡嗪關環制備得到2,9_二(3-吡 啶基)-5,6_二溴二咪唑[1,2-8:2 7 ,Ι'-c]并吡嗪，而后采用苯硼酸與其偶聯制備得到化合 物1-39，總收率31.6%，高分辨質譜理論值為465.1749，測試值為465.1746。
[0061 ]制備實施例十一化合物1-40的合成
[0062] 采用α-溴代4-吡啶乙酮與2，3_二溴-4,5-二氨基吡嗪關環制備得到2,9_二(4-吡 啶基)-5,6_二溴二咪唑[1,2-8:2 7 ,Ι'-c]并吡嗪，而后采用苯硼酸與其偶聯制備得到化合 物1-40，總收率34.8 %，高分辨質譜理論值為465.1749，測試值為465.1746。
[0063]制備實施例十二化合物1-41的合成
[0064] 采用α-溴代-2-呋喃乙酮與2,3_二溴_4,5_二氨基吡嗪關環制備得到2,9_二(2-呋 喃基)-5,6_二溴二咪唑[1,2-8:27 ,Ι'-c]并吡嗪，而后采用苯硼酸與其偶聯制備得到化合 物1-41，總收率34.8%，高分辨質譜理論值為443.1430，測試值為443.1426。
[0065]制備實施例十三化合物1-42的合成
[0066] 采用α-溴代-2-呋喃乙酮與2,3_二溴_4,5_二氨基吡嗪關環制備得到2,9_二(2-噻 吩基)-5,6_二溴二咪唑[1,2-8:27 ,Ι'-c]并吡嗪，而后采用苯硼酸與其偶聯制備得到化合 物1-42，總收率34.8%，高分辨質譜理論值為475.0973，測試值為475.0966。
[0067]制備實施例十四化合物1-43的合成
[0068] 采用α-溴代-4-硝基苯乙酮與2,3_二溴_4,5_二氨基吡嗪關環制備得到2,9_二(4-硝基苯基)-5,6_二溴二咪唑[1,2-8:2 7 ,Ι'-c]并吡嗪，而后采用苯硼酸與其偶聯制備得到 化合物1-43，總收率32.7%，高分辨質譜理論值為553.1546，測試值為553.1548。
[0069]制備實施例十五化合物1-44的合成
[0070] 采用α-溴代-4-氰基苯乙酮與2,3_二溴_4,5_二氨基吡嗪關環制備得到2,9_二(4-氰基苯基)-5,6_二溴二咪唑[1,2-8:2 7 ,Ι'-c]并吡嗪，而后采用苯硼酸與其偶聯制備得到 化合物1-44,總收率31.7%，高分辨質譜理論值為513.1749,測試值為513.1746。
[0071]制備實施例十六化合物1-45的合成
[0072]采用α-溴代-4-氟苯乙酮與2,3_二溴_4,5_二氨基吡嗪關環制備得到2,9_二(4-氟 苯基)-5,6_二溴二咪唑[1,2-8:27 ,Ι'-c]并吡嗪，而后采用苯硼酸與其偶聯制備得到化合 物1-45，總收率31.8%，高分辨質譜理論值為499.1656，測試值為499.1648。
[0073]制備實施例十七化合物1-46的合成
[0074] 采用α-溴代-4-甲基苯乙酮與2,3_二溴_4,5_二氨基吡嗪關環制備得到2,9_二(4-甲基苯基)-5,6_二溴二咪唑[1,2-8:2 7 ,Ι'-c]并吡嗪，而后采用苯硼酸與其偶聯制備得到 化合物1 -46，總收率31.8 %，高分辨質譜理論值為491.2157，測試值為491.2166。
[0075]制備實施例十八化合物1-47的合成
[0076] 采用α_溴代-4-甲氧基苯乙酮與2,3_二溴-4,5_二氨基吡嗪關環制備得到2,9_二 (4-甲氧基苯基)-5,6_二溴二咪唑[^^義^-"并吡嗪^后采用苯硼酸與其偶聯制備 得到化合物1-47，總收率30.3 %，高分辨質譜理論值為523.2056，測試值為523.2046。
[0077]制備實施例十九化合物1-48的合成
[0078] 采用α-溴代-4-叔丁基苯乙酮與2,3_二溴_4,5_二氨基吡嗪關環制備得到2,9_二 (4-叔丁基苯基)-5,6_二溴二咪唑[ld-ad、l'-c]并吡嗪，而后采用苯硼酸與其偶聯制備 得到化合物1-48，總收率25.3 %，高分辨質譜理論值為575.3096，測試值為575.3088。
[0079]制備實施例二十化合物1-49的合成
[0080] 采用α-溴代-4-[9_咔唑基]苯乙酮與2,3-二溴-4,5-二氨基吡嗪關環制備得到2， 9-二(4-[9_咔唑基]苯基)-5,6_二溴二咪唑[l，2-a:2M~c]并吡嗪，而后采用苯硼酸與其 偶聯制備得到化合物1-49，總收率26.3 %，高分辨質譜理論值為793.3001，測試值為 793.2998。
[0081 ]制備實施例二十一化合物1-50的合成
[0082] 采用〇-溴代-4-[1-萘基]苯乙酮與2,3-二溴-4,5-二氨基吡嗪關環制備得到2,9_ 二(4-[1_萘基]苯基)-5,6_二溴二咪唑[1,2-8:27 ,Ι'-c]并吡嗪，而后采用苯硼酸與其偶聯 制備得到化合物1-50，總收率24.6%，高分辨質譜理論值為715.2783，測試值為715.2776。 [0083]制備實施例二十二化合物1-51的合成
[0084] 采用<1-溴代-4-[2-萘基]苯乙酮與2,3-二溴-4,5-二氨基吡嗪關環制備得到2,9-二(4-[2_萘基]苯基)-5,6_二溴二咪唑[1,2-aW Y-c]并吡嗪，而后采用苯硼酸與其偶聯 制備得到化合物1-51，總收率22.8%，高分辨質譜理論值為715.2783，測試值為715.2776。 [0085]制備實施例二十三化合物1-52的合成
[0086] 米用α-漠代苯乙酬與2，3_二漠_4，5_二氛基吡嘆關環制備得到2，9_二(苯基)_5， 6-二溴二咪唑[1，2-a: 2'，V -c]并吡嗪，而后采用2-吡啶苯硼酸與其偶聯制備得到化合物 1-52，總收率27.3%，高分辨質譜理論值為465.1749，測試值為465.1756。
[0087]制備實施例二十四化合物1-69的合成
[0088] 米用α-漠代苯乙酬與2，3_二漠_4，5_二氛基吡嘆關環制備得到2，9_二（苯基)_5， 6-二溴二咪唑[1,2-8:27 ,Ι'-c]并吡嗪，而后采用3-吡啶苯硼酸與其偶聯制備得到化合物 1-69，總收率28.6%，高分辨質譜理論值為465.1749，測試值為465.1756。
[0089]制備實施例二十五化合物1-86的合成
[0090] 采用α-溴代苯乙酮與2,3_二甲基_4,5_二氨基吡嗪關環制備得到化合物1-86,總 收率68%，高分辨質譜理論值為338.1531，測試值為338.1526。
[0091] 器件實施例：
[0092] 器件設計：
[0093] 這里先以本發明提供的化合物在電致發光器件的電子傳輸層中的應用為例，體現 其有益效果。
[0094] 為了方便比較這些電子傳輸材料的傳輸性能，本發明設計了簡單電致發光器件。 其中，以本發明制備實施例制備的化合物1-1、1_18、1-19、1-21、1-33、1-35、1-36、1-37、1-38、1-39、1-40、1-41、1-42、1-43、1-44、1-45、1-46、1-47、1-48、1-49、1-50、1-51、1-52、1-69、1 -86作為電子傳輸材料例證，高效電子傳輸材料Bphen作為比較材料，EM1作為發光材料 例證，以突出本發明提供的化合物在電致發光器件，尤其在電子傳輸材料方面的有益效果。
[0095] Bphen和EM1的結構如下：
[0096]
[0097]本發明中選用玻璃為基板，IT0為陽極材料，空穴傳輸層選用材料為NPB，電子注入 層材料為LiF，陰極材料為A1。
[0098] (1)器件制造
[0099] 結合附圖1，將涂布了ΙΤ0透明導電層的玻璃板在丙酮中超聲處理，在用去離子水 中沖洗，在丙酮:無水乙醇混合溶劑(質量比為1:1)中超聲除油，在潔凈環境下烘烤至完全 除去水分，用紫外光和臭氧清洗，并用低能陽電子束轟擊表面；
[0100] 把上述帶有陽極層2的玻璃基板1置于真空腔內，抽真空至9x l(T5Pa，在上述陽極 層膜上真空蒸鍍NPB作為空穴傳輸層3蒸鍍速率為0 · 05nm/s，蒸鍍膜厚為50nm;
[0101] 在空穴傳輸層3之上真空蒸鍍EM1作為器件發光層4，蒸鍍速率為0.05nm/s，蒸鍍總 膜厚為40nm;
[0102] 在發光層 4 之上真空蒸鍍一層化合物1-1、1-18、1-19、1-21、1-33、1-35、1-36、1_ 37、卜38、1-39、1-40、1-41、卜42、1-43、卜44、1-45、1-46、1-47、卜48、1-49、卜50、1-51、卜 52、1-69、1-86或Bphen作為器件的電子傳輸層5，其蒸鍍速率為0.05nm/s，蒸鍍總膜厚為 30nm；
[0103] 在電子傳輸層(ETL)上真空蒸鍍A1為器件的陰極層6,膜厚度為150nm。
[0104] 器件性能見下表（器件結構：IT0/NPB(50nm)/EMl(40nm)/ETL(30nm)/LiF(0.5nm)/ Al(150nm))。
[0105] 表1
[0106]
[0107]
[0108] 以上表結果表明：本發明提供的化合物，在有機電致發光中具有更加優秀的性能， 可以優選作為電子傳輸層材料。
[0109] 總體上，雖然已通過實施例和優選實施方式公開了本發明，但應理解，本發明不限 于所公開的實施方式。相反，本領域技術人員應明白，其意在涵蓋各種變型和類似的安排。 因此，所附權利要求的范圍應與最寬的解釋相一致以涵蓋所有這樣的變型和類似的安排。
【主權項】
1. 一種二咪挫并化嗦衍生物，其特征在于，結構通式如下：其中，Ar為芳香基團，R為氨、烷基或芳香基團中的一種。2. 根據權利要求1所述的二咪挫并化嗦衍生物，其特征在于，所述Ar為苯環、糞環、巧喃 環、嚷吩環、化晚環、巧挫或含有取代基的上述芳香基團中的一種。3. 根據權利要求1所述的二咪挫并化嗦衍生物，其特征在于，所述R為氨、甲基、氯基、苯 基、2-化晚基、3-化晚基中的一種。4. 根據權利要求3所述的二咪挫并化嗦衍生物，其特征在于，所述Ar的結構式為下式中 的一種：5. -種二咪挫并化嗦衍生物的應用，其特征在于，在制備有機電致發光器件中，至少有 一個功能層，含有權利要求1-4任一所述的二咪挫并化嗦衍生物。6. -種有機電致發光器件，其特征在于，包括構成一對電極的陽極層和陰極層，W及在 電極中設置的一個發光層和電子傳輸層，并根據任選原則在電極中還設置有空穴注入層、 空穴傳輸層和/或電子注入層，各層按陽極層、空穴注入層、發光層、電子傳輸層、電子注入 層、陰極層的順序排列，相鄰層之間W鍛的方式連接，形成疊層結構，所述電子傳輸層的材 料選自權利要求1-4任一所述的二咪挫并化嗦衍生物。
【專利摘要】本發明提供一種二咪唑并吡嗪衍生物及其應用，本發明的新型化合物性質穩定，制備工藝簡便，具有較高的玻璃化轉變溫度及高載流子遷移率，可用于OLED器件的電子傳輸層，所應用的器件能明顯的降低驅動電壓，提高電流效率。該化合物的結構通式如下所示，其中，Ar為芳香基團，R為氫、烷基或芳香基團中的一種，
【IPC分類】C07D487/14, H01L51/54
【公開號】CN105646500
【申請號】
【發明人】劉英瑞, 石宇, 劉邦杰, 巨成良, 高自良, 胡葆華
【申請人】中節能萬潤股份有限公司
【公開日】2016年6月8日
【申請日】2016年1月15日