group)、雜環(heterocycle group)或竣酉愛(carboxylic acid group)、1?燒(alkyl halide group)、芳香經(aromatic hydrocarbon group)，X為齒素化合物(halogen compound)或胺類(aminegroup)。并且M選自由金、鎳、錫、銅、鈀、銀或鋁其中之一或其所組成的群組。如此能夠有效減少第一輻射導體單元13雜散的寄生介質與歐姆損耗，提升波束天線I輻射效率，進而有效的增加波束天線I遠場輻射波束的場型覆蓋范圍。
[0051]波束天線I中第一薄膜層121所包含觸發粒子1212也可為金屬螯合物，并且其為由螯合劑螯合金屬所組成。螯合劑為啦略燒二硫代氨基甲酸錢(Ammonium PyrrolidineDith1carbamate ,APDC)、乙二胺四乙酸(Ehtylenediaminetetraacetic Acid,EDTA)、NTA(Nitrilotri Actiate)或二乙稀三胺五乙酉愛(Diethylenetriamine pentaacetic Acid,DTPA)至少其中之一。并且所述金屬選自由金、銀、銅、錫、鋁、鎳或鈀其中之一或其所組成的群組。如此能夠有效減少第一輻射導體單元13雜散的寄生介質與歐姆損耗，提升波束天線I輻射效率，進而有效的增加波束天線I遠場輻射波束的場型覆蓋范圍。
[0052]波束天線I中能量傳輸導體結構14為頂針饋入結構，能量傳輸導體結構14能有效激發波束天線I產生至少一共振模態來涵蓋至少一通訊系統頻段操作。量傳輸結構14也可為波導結構、同軸傳輸線結構、微帶傳輸線結構、共面波導結構、雙線傳輸線結構、導體彈片結構或匹配電路其中之一或其所組合的結構。均同樣能達成與波束天線I相同的功效。
[0053]此外，波束天線I中信號源111也可通過波導結構、同軸傳輸線結構、微帶傳輸線結構、共面波導結構、雙線傳輸線結構、頂針饋入結構、導體彈片結構或匹配電路其中之一或其所組合的結構，電氣耦接或電氣連接于能量傳輸導體結構14的第一端點141。均同樣能達成與波束天線I相同的功效。
[0054]并且，波束天線I中第一輻射導體單元13也可具有平板結構、短路結構、蜿蜒結構、槽孔結構、槽縫結構或間隙結構其中之一或其所組合的結構。均同樣能達成與波束天線I相同的功效。
[0055]波束天線I所產生的共振模態，可以是設計用來涵蓋無線廣域網絡(WirelessWide Area Network，ffffAN)系統、無線個人網絡(Wireless Personal Area Network,WPAN)系統、無線區域網絡(Wireless Local Area Network，WLAN)系統、多輸入多輸出(Mult1-1nput Multi_0utput，MIM0)系統、數字電視廣播(Digital Televis1n Broadcasting,DTV)系統、全球衛星定位系統(Global Posit1ning System，GPS)、衛星通訊系統(Satellite Communicat1n System)以及波束成形天線陣列系統(Beamforming AntennaArray System)或者其他無線或移動通訊系統頻帶的操作。
[0056]圖2是依據本發明的另一實施例繪示的波束天線的結構示意圖。如圖2所示，波束天線2包含第一介質層21、第一導體層212、第二介質層22、第一薄膜層221、第二薄膜層222、至少一第一輻射導體單元23、至少一第二輻射導體單元24以及能量傳輸導體結構25。第一介質層21具有信號源211以及第一導體層212，第一導體層212附著于第一介質層21的一表面上，并且信號源211電氣耦接或電氣連接于第一導體層212。第二介質層22具有第一薄膜層221以及第二薄膜層222分別附著于第二介質層22的不同表面上，并且第二介質層22位于第一薄膜層221以及第二薄膜層222之間。第一221與第二222薄膜層均包含絕緣膠體2211、2221以及多個觸發粒子2212、2222。絕緣膠體2211、2221為高分子材料。多個觸發粒子2212、2222包含有機金屬粒子、金屬螯合物，與帶隙大于等于3eV的半導體材料至少其中之一，觸發粒子2212、2222可受激光能量照射活化，激光能量的波長介于430?1080nm之間。至少一第一輻射導體單元23附著于第一薄膜層221的表面上，第一薄膜層221位于第一輻射導體單元23以及第二介質層22之間。至少一第二輻射導體單元24附著于第二薄膜層222的表面上，第二薄膜層222位于第二介質層22以及第二輻射導體單元24之間。第一輻射導體單元23通過開槽孔結構231電氣耦接于第二輻射導體單元24。能量傳輸導體結構25為波導結構，其位于第一介質層21以及第二介質層22之間，并具有第一端點251以及第二端點252，第一端點251通過一微帶傳輸線結構213電氣耦接于信號源211，第二端點252電氣耦接于第一輻射導體單元23的開槽孔結構231，并激發波束天線2產生至少一共振模態來涵蓋至少一通訊系統頻段操作。
[0057]波束天線2通過設計特殊的第一與第二薄膜層221、222以及第一導體層212來提升第一與第二輻射導體單元23、24的遠場輻射效率，進而改善波束天線2最大增益。波束天線2并通過設計第一與第二薄膜層221、222中特殊觸發粒子2212、2222與絕緣膠體2211、2221的重量百分比，來有效減少第一與第二輻射導體單元23、24雜散的寄生介質與歐姆損耗，因此能夠有效的提升波束天線2遠場輻射波束的場型覆蓋范圍。波束天線2的第一與第二薄膜層221、222所包含觸發粒子2212、2222占絕緣膠體2211、2221的0.1?28重量百分比。并且第一與第二薄膜層221、222所包含絕緣膠體2211、2221的粘滯系數小于9000#。第二介質層22的厚度t介于波束天線2所產生共振模態最低操作頻率的0.001?0.15倍波長之間。第一與第二薄膜層221、222的厚度(11與(12均介于10?29(^111之間。如此能夠有效減少第一與第二輻射導體單元23、24雜散的寄生介質與歐姆損耗，提升波束天線2整體輻射效率，進而有效的增加波束天線2遠場輻射波束的場型覆蓋范圍。第一介質層21與第二介質層22之間的距離s小于波束天線2所產生共振模態最低操作頻率的0.39倍波長。如此能夠增加波束天線2的指向特性，進而有效減少能量傳輸導體結構25所造成的傳輸損耗，進而提升波束天線2的最大增益。
[0058]所述波束天線2，其中第一與第二薄膜層221、222所包含所述些觸發粒子2212、2222可為帶隙大于等于3電子伏特eV的半導體材料，并且其選自由氮化鎵、二氧化鈦、氮化鋁、二氧化硅、硫化鋅、氧化鋅、碳化硅、氮化鋁鎵、氧化鋁、氮化硼及氮化硅其一或其所組成的群組。此外，波束天線2的第一與第二薄膜層221、222所包含觸發粒子2212、2222可為有機金屬粒子。有機金屬粒子其結構為R-M-X或R-M-R，其中M為金屬，R為環烷、烷基、雜環或羧酸、烷、芳香烴，X為素化合物或胺類。并且M選自由金、鎳、錫、銅、鈀、銀或鋁其中之一或其所組成的群組。如此能夠有效減少第一與第二輻射導體單元23、24雜散的寄生介質與歐姆損耗，提升波束天線2輻射效率，進而有效的增加波束天線2遠場輻射波束的場型覆蓋范圍。
[0059]所述波束天線2中第一與第二薄膜層221、222所包含觸發粒子2212、2222也可為金屬螯合物，并且其為由一螯合劑螯合一金屬所組成。螯合劑為吡咯烷二硫代氨基甲酸銨、乙二胺四乙酸、NTA或二乙烯三胺五乙酸至少其中之一。并且金屬選自由金、銀、銅、錫、鋁、鎳或鈀其中之一或其所組成的群組。如此能夠有效減少第一與第二輻射導體單元23、24雜散的寄生介質與歐姆損耗，提升波束天線2輻射效率，進而有效的增加波束天線2遠場輻射波束的場型覆蓋范圍。
[0060]相較于所述波束天線I，波束天線2雖然在第二介質層22的另一表面配置了另第二薄膜層222以及第二輻射導體單元24。然而，波束天線2同樣通過設計第一與第二薄膜層221、222中特殊觸發粒子2212、2222與絕緣膠體2211、2221的重量百分比，來有效減少第一與第二輻射導體單元23、24雜散的寄生介質與歐姆損耗，因此有效提升所述波束天線2遠場輻射波束的場型覆蓋范圍。并且波束天線2同樣通過第一與第二薄膜層221、222的厚度dl與d2，來有效減少第一與第二輻射導體單元23、24雜散的寄生介質與歐姆損耗。進而提升波束天線2整體輻射效率。并且波束天線2同樣通過第一介質層21與第二介質層22之間的距離S，來增加波束天線2的指向特性，進而有效減少所述能量傳輸導體結構25所造成的傳輸損耗，進而提升波束天線2的最大增益。因此波束天線2同樣能夠達成類同于波束天線I的功效。
[0061]波束天線2中能量傳輸導體結構25為波導結構，能量傳輸導體結構25能有效激發波束天線2產生至少一共振模態來涵蓋至少一通訊系統頻段操作。量傳輸結構25也可為頂針饋入結構、同軸傳輸線結構、微帶傳輸線結構、共面波導結構、雙線傳輸線結構、導體彈片結構或匹配電路其中之一或其所組合的結構。均同樣能達成與波束天線2相同的功效。
[0062]波束天線2中信號源211通過一微帶傳輸線結構213電氣耦接于所述能量傳輸導體結構25的第一端點251。然而，信號源211也可通過波導結構、同軸傳輸線結構、共面波導結構、雙線傳輸線結構、頂針饋入結構、導體彈片結構或匹配電路其中之一或其所組合的結構，電氣耦接或電氣連接于能量傳輸導體結構25的第一端點251，均同樣能達成與波束天線2相同的功效。
[0063]波束天線2中第一輻射導體單元23通過一開槽孔結構231電氣耦接于第二輻射導體單元24。然而，第一輻射導體單元23也可通過波導結構、微帶傳輸線結構、共面波導結構、雙線傳輸線結構、灌孔導通結構或匹配電路其中之一或其所組合的結構，電氣耦接或電氣連接于第二輻射導體單元24，均同樣能達成與波束天線2相同的功效。
[0064]波束天線2中第一與第二輻射導體單元23、24也可具有平板結構、短路結構、蜿蜒結構、槽孔結構、槽縫結構或間隙結構其中之一或其所組合的結構，均同樣能達成與波束天線2相同的功效。
[0065]波束天線2所產生的共振模態，可以是設計用來涵蓋無線廣域網絡系統、無線個人網絡系統、無線區域網絡系統、多輸入多輸出系統、數字電視廣播系統、全球衛星定位系統、衛星通訊系統以及波束成形天線陣列系統或者其他無線或移動通訊系統頻帶的操作。
[0066]圖3是依據本發明的又一實施例繪示的波束天線的結構示意圖。如圖3所示，波束天線3包含第一介質層31、第一導體層312、第二介質層32、第一薄膜層321、第二薄膜層322、至少一第一輻射導體單元33、多個第二輻射導體單元341、342、343、344以及能量傳輸導體結構35。第一介質層31具有信號源311以及第一導體層312，第一導體層312附著于第一介質層31的一表面上，并且信號源311電氣耦接或電氣連接于第一導體層312。第二介質層32具有第一薄膜層321以及第二薄膜層322分別附著于第二介質層32的不同表面上，并且第二介質層32位于第一薄膜層321以及第二薄膜層322之間。第一與第二薄膜層321、322均包含絕緣膠體3211、3221以及多個觸發粒子3212、3222。絕緣膠體3211、3221為高分子材料。多個觸發粒子3212、3222包含有機金屬粒子、金屬螯合物，與帶隙大于等于3eV的半導體材料至少其中之一，觸發粒子3212、3222可受激光能量照射活化，激光能量的波長介于430?1080nm之間。至少一第一輻射導體單元33附著于第一薄膜層321