、銅、錫、鋁、鎳或鈀其中之一或其所組成的群組。如此能夠有效減少第一輻射導體單元63雜散的寄生介質與歐姆損耗，提升波束天線6輻射效率，進而有效的增加波束天線6遠場輻射波束的場型覆蓋范圍。
[0097]相較于波束天線4，波束天線6中第一輻射導體單元63為一平板結構，并具有一槽縫結構631。然而，波束天線6同樣通過設計第一薄膜層621中特殊觸發粒子6212與絕緣膠體6211的重量百分比，來有效減少第一輻射導體單元63雜散的寄生介質與歐姆損耗，因此有效提升波束天線6遠場輻射波束的場型覆蓋范圍。并且波束天線6同樣通過第一薄膜層6214的厚度dl，來有效減少第一輻射導體單元63雜散的寄生介質與歐姆損耗。進而提升波束天線6整體輻射效率。并且波束天線6同樣通過第一介質層61與第二介質層62之間的距離S，來增加波束天線6的指向特性，進而有效減少能量傳輸導體結構64所造成的傳輸損耗，進而提升波束天線6的最大增益。因此波束天線6同樣能夠達成類同于波束天線4的功效。
[0098]波束天線6中能量傳輸導體結構64為頂針饋入結構，能量傳輸導體結構64能有效激發波束天線6產生至少一共振模態來涵蓋至少一通訊系統頻段操作。量傳輸結構64也可為波導結構、同軸傳輸線結構、微帶傳輸線結構、共面波導結構、雙線傳輸線結構、導體彈片結構或匹配電路其中之一或其所組合的結構，均同樣能達成與波束天線6相同的功效。
[0099]此外，波束天線6中信號源611也可通過波導結構、同軸傳輸線結構、微帶傳輸線結構、共面波導結構、雙線傳輸線結構、頂針饋入結構、導體彈片結構或匹配電路其中之一或其所組合的結構，電氣耦接或電氣連接于能量傳輸導體結構64的第一端點641，均同樣能達成與波束天線6相同的功效。
[0100]并且，波束天線6中第一輻射導體單元63也可具有短路結構、蜿蜒結構、槽孔結構或間隙結構其中之一或其所組合的結構，均同樣能達成與波束天線6相同的功效。
[0101]圖7是依據本發明的其他實施例繪示的波束天線的結構示意圖。如圖7所示，波束天線7包括第一介質層71、第一導體層712、第二介質層72、至少一第一薄膜層721、至少一第一輻射導體單元73以及能量傳輸導體結構74。第一介質層71，其具有信號源711以及第一導體層712，第一導體層712附著于第一介質層71的表面上，并且信號源711電氣耦接或電氣連接于第一導體層712。第二介質層72具有至少一第一薄膜層721，第一薄膜層721附著于第二介質層72的表面上。并且第一薄膜層721包含絕緣膠體7211以及多個觸發粒子7212。絕緣膠體7211為高分子材料。多個觸發粒子7212包含有機金屬粒子、金屬螯合物，與帶隙大于等于3eV的半導體材料至少其中之一，觸發粒子7212可受激光能量照射活化，其中激光能量的波長介于430?1080nm之間。至少一第一福射導體單元73附著于第一薄膜層721的表面上，第一薄膜層721位于第一輻射導體單元73以及第二介質層72之間。至少一第一輻射導體單元73具有一蜿蜒結構731以及蜿蜒結構732。能量傳輸導體結構74為一頂針饋入結構，其位于第一71以及第二72介質層之間，并具有第一端點741以及第二端點742，第一端點741電氣連接于信號源711，第二端點742電氣連接于第一輻射導體單元73，并激發波束天線7產生至少一共振模態來涵蓋至少一通訊系統頻段操作。蜿蜒結構731以及蜿蜒結構732的路徑長度小于波束天線7產生共振模態最低操作頻率的0.39倍波長之間。
[0102]波束天線7通過設計特殊的所述第一薄膜層721以及第一導體層712來提升第一輻射導體單元73遠場輻射效率，進而改善波束天線7最大增益。波束天線7并通過設計第一薄膜層721中特殊觸發粒子7212與絕緣膠體7211的重量百分比，來有效減少第一輻射導體單元73雜散的寄生介質與歐姆損耗，因此能夠有效的提升波束天線7遠場輻射波束的場型覆蓋范圍。其中波束天線7的第一薄膜層721所包含觸發粒子7212占所述絕緣膠體0.1?28重量百分比。并且第一薄膜層721所包含絕緣膠體7211的粘滯系數小于9000cP。第二介質層72的厚度t介于波束天線7所產生共振模態最低操作頻率的0.001?0.15倍波長之間。第一薄膜層721的厚度dl介于10?290μπι之間。如此能夠有效減少第一輻射導體單元73雜散的寄生介質與歐姆損耗，提升波束天線7整體輻射效率，進而有效的增加波束天線7遠場輻射波束的場型覆蓋范圍。第一介質層71與第二介質層72之間的距離s小于波束天線7所產生共振模態最低操作頻率的0.39倍波長。如此能夠增加波束天線7的指向特性，進而有效減少能量傳輸導體結構74所造成的傳輸損耗，進而提升波束天線7的最大增益。
[0103]波束天線7中第一薄膜層721所包含觸發粒子7212可為帶隙大于等于3eV的半導體材料，并且其選自由氮化鎵、二氧化鈦、氮化鋁、二氧化硅、硫化鋅、氧化鋅、碳化硅、氮化鋁鎵、氧化鋁、氮化硼及氮化硅其一或其所組成的群組。此外，波束天線7的第一薄膜層721所包含觸發粒子7212可為有機金屬粒子。有機金屬粒子其結構為R-M-X或R-M-R，其中M為金屬，R為環烷、烷基、雜環或羧酸、齒烷、芳香烴，乂為齒素化合物或胺類。并且M選自由金、鎳、錫、銅、鈀、銀或鋁其中之一或其所組成的群組。如此能夠有效減少第一輻射導體單元73雜散的寄生介質與歐姆損耗，提升波束天線7輻射效率，進而有效的增加波束天線7遠場輻射波束的場型覆蓋范圍。
[0104]波束天線7中第一薄膜層721所包含觸發粒子7212也可為金屬螯合物，并且其為由一螯合劑螯合一金屬所組成。螯合劑為吡咯烷二硫代氨基甲酸銨、乙二胺四乙酸、NTA或二乙烯三胺五乙酸至少其中之一。并且所述金屬選自由金、銀、銅、錫、鋁、鎳或鈀其中之一或其所組成的群組。如此能夠有效減少第一輻射導體單元73雜散的寄生介質與歐姆損耗，提升波束天線7輻射效率，進而有效的增加波束天線7遠場輻射波束的場型覆蓋范圍。
[0105]相較于波束天線4，波束天線7中第一輻射導體單元73具有一蜿蜒結構731以及蜿蜒結構732。然而，波束天線7同樣通過設計第一薄膜層721中特殊觸發粒子7212與絕緣膠體7211的重量百分比，來有效減少第一輻射導體單元73雜散的寄生介質與歐姆損耗，因此有效提升波束天線7遠場輻射波束的場型覆蓋范圍。并且波束天線7同樣通過第一薄膜層7214的厚度dl，來有效減少第一輻射導體單元73雜散的寄生介質與歐姆損耗。進而提升波束天線7整體輻射效率。并且波束天線7同樣通過第一介質層71與第二介質層72之間的距離S，來增加波束天線7的指向特性，進而有效減少能量傳輸導體結構74所造成的傳輸損耗，進而提升波束天線7的最大增益。因此波束天線7同樣能夠達成類同于波束天線4的功效。
[0106]波束天線7中能量傳輸導體結構74為頂針饋入結構，能量傳輸導體結構74能有效激發波束天線7產生至少一共振模態來涵蓋至少一通訊系統頻段操作。量傳輸結構74也可為波導結構、同軸傳輸線結構、微帶傳輸線結構、共面波導結構、雙線傳輸線結構、導體彈片結構或匹配電路其中之一或其所組合的結構，均同樣能達成與波束天線7相同的功效。
[0107]此外，波束天線7中信號源711也可通過波導結構、同軸傳輸線結構、微帶傳輸線結構、共面波導結構、雙線傳輸線結構、頂針饋入結構、導體彈片結構或匹配電路其中之一或其所組合的結構，電氣耦接或電氣連接于能量傳輸導體結構74的第一端點741，均同樣能達成與波束天線7相同的功效。
[0108]并且，波束天線7中第一輻射導體單元73也可具有平板結構、短路結構、槽孔結構或間隙結構其中之一或其所組合的結構，均同樣能達成與波束天線7相同的功效。
[0109]波束天線7所產生的共振模態，可以是設計用來涵蓋無線廣域網絡系統、無線個人網絡系統、無線區域網絡系統、多輸入多輸出系統、數字電視廣播系統、全球衛星定位系統、衛星通訊系統以及波束成形天線陣列系統或者其他無線或移動通訊系統頻帶的操作。
[0110]圖8A是依據本發明的其他實施例繪示的波束天線的結構示意圖。如圖8A所示，波束天線8包括第一介質層81、第一導體層812、第二介質層82、至少一第一薄膜層821、至少一第一輻射導體單元83以及能量傳輸導體結構84。第一介質層81，其具有信號源811以及第一導體層812，第一導體層812附著于第一介質層81的表面上，并且信號源811電氣耦接或電氣連接于第一導體層812。第二介質層82具有至少一第一薄膜層821，第一薄膜層821附著于第二介質層82的表面上。并且第一薄膜層821包含絕緣膠體8211以及多個觸發粒子8212。絕緣膠體8211為高分子材料。多個觸發粒子8212包含有機金屬粒子、金屬螯合物，與帶隙大于等于3eV的半導體材料至少其中之一，觸發粒子8212可受激光能量照射活化，其中激光能量的波長介于430?1080nm之間。至少一第一福射導體單元83附著于第一薄膜層821的表面上，第一薄膜層821位于第一輻射導體單元83以及第二介質層82之間。至少一第一輻射導體單元83具有一槽縫結構831以及一蜿蜒結構832。能量傳輸導體結構84為一雙頂針饋入結構，其位于第一81以及第二82介質層之間，并具有第一端點841以及第二端點842，第一端點841電氣連接于信號源811，第二端點842電氣連接于第一輻射導體單元83，并激發波束天線8產生至少一共振模態來涵蓋至少一通訊系統頻段操作。
[0111]圖SB是依據圖8A繪示的波束天線的返回損圖。如圖SB所示，波束天線8產生共振模態85以及共振模態86，來分別涵蓋GSM850(Global System for Mobile Communicat1ns850)以及GSM1800/1900通訊系統頻段操作。然而圖8B僅為說明所述波束天線8所產生共振模態可涵蓋至少一通訊系統頻段操作的范例，并非用來限定本發明的可實施方式。波束天線8所產生的共振模態，也可以是設計用來涵蓋無線廣域網絡系統、無線個人網絡系統、無線區域網絡系統、多輸入多輸出系統、數字電視廣播系統、全球衛星定位系統、衛星通訊系統以及波束成形天線陣列系統或者其他無線或移動通訊系統頻帶的操作。
[0112]波束天線8通過設計特殊的所述第一薄膜層821以及第一導體層812來提升第一輻射導體單元83遠場輻射效率，進而改善波束天線8最大增益。波束天線8并通過設計第一薄膜層821中特殊觸發粒子8212與絕緣膠體8211的重量百分比，來有效減少第一輻射導體單元83雜散的寄生介質與歐姆損耗，因此能夠有效的提升波束天線8遠場輻射波束的場型覆蓋范圍。其中波束天線8的第一薄膜層821所包含觸發粒子8212占所述絕緣膠體0.1?28重量百分比。并且第一薄膜層821所包含絕緣膠體8211的粘滯系數小于9000cP。第二介質層82的厚度t介于波束天線8所產生共振模態最低操作頻率的0.001?0.15倍波長之間。第一薄膜層821的厚度dl介于10?290μπι之間。如此能夠有效減少第一輻射導體單元83雜散的寄生介質與歐姆損耗，提升波束天線8整體輻射效率，進而有效的增加波束天線8遠場輻射波束的場型覆蓋范圍。第一介質層81與第二介質層82之間的距離s小于波束天線8所產生共振模態最低操作頻率的0.39倍波長。如此能夠增加波束天線8的指向特性，進而有效減少能量傳輸導體結構84所造成的傳輸損耗，進而提升波束天線8的最大增益。
[0113]波束天線8中第一薄膜層821所包含觸發粒子8212可為帶隙大于等于3eV的半導體材料，并且其選自由氮化鎵、二氧化鈦、氮化鋁、二氧化硅、硫化鋅、氧化鋅、碳化硅、氮化鋁鎵、氧化鋁、氮化硼及氮化硅其一或其所組成的群組。此外，波束天線8的第一薄膜層821所包含觸發粒子8212可為有機金屬粒子。有機金屬粒子其