天線4相同的功效。
[0082]并且，波束天線4中第一輻射導體單元43也可具有平板結構、短路結構、蜿蜒結構、槽孔結構、槽縫結構或間隙結構其中之一或其所組合的結構，均同樣能達成與波束天線4相同的功效。
[0083]圖5A是依據本發明的其他實施例繪示的波束天線的結構示意圖。如圖5A所示，波束天線5包含第一介質層51、第一導體層512、第二介質層52、第一薄膜層521、第二薄膜層522、至少一第一輻射導體單元53、至少一第二輻射導體單元54以及一能量傳輸導體結構55。第一介質層51具有信號源511以及第一導體層512，第一導體層512附著于第一介質層51的一表面上，并且所述信號源511電氣耦接或電氣連接于第一導體層512。第二介質層52具有所述第一薄膜層521以及所述第二薄膜層522分別附著于第二介質層52的不同表面上，并且第二介質層52位于第一薄膜層521以及第二薄膜層522之間。第一與所述第二薄膜層521、522均包含一絕緣膠體5211、5221以及多個觸發粒子5212、5222。絕緣膠體5211、5221為高分子材料。多個觸發粒子5212、5222包含有機金屬粒子、金屬螯合物，與帶隙大于等于3eV的半導體材料至少其中之一，觸發粒子5212、5222可受激光能量照射活化，激光能量的波長介于430?1080nm之間。至少一第一福射導體單元53附著于第一薄膜層521的表面上，第一薄膜層521位于第一輻射導體單元53以及第二介質層52之間。至少一第二輻射導體單元54附著于第二薄膜層522的表面上，第二薄膜層522位于第二介質層52以及第二輻射導體單元54之間。第一輻射導體單元53通過共面波導結構531電氣耦接于第二輻射導體單元54。能量傳輸導體結構55位于第一介質層51以及第二介質層52之間，并具有第一端點551以及第二端點552，第一端點551通過匹配電路56電氣連接于信號源511，第二端點5525電氣連接于第一輻射導體單元53的共面波導結構531，并激發波束天線5產生至少一共振模態來涵蓋至少一通訊系統頻段操作。
[0084]圖5B是依據圖5A繪示的波束天線的返回損圖。如圖5B所示，波束天線5產生至少一共振模態57來涵蓋IlGHz頻段的通訊系統頻段操作。圖5C是依據圖5A繪示的波束天線的主波束輻射場型58圖。然而圖5B僅為說明所述波束天線5所產生至少一共振模態可涵蓋至少一通訊系統頻段操作的范例，并非用來限定本發明的可實施方式。波束天線5所產生的共振模態，也可以是設計用來涵蓋無線廣域網絡系統、無線個人網絡系統、無線區域網絡系統、多輸入多輸出系統、數字電視廣播系統、全球衛星定位系統、衛星通訊系統以及波束成形天線陣列系統或者其他無線或移動通訊系統頻帶的操作。
[0085]波束天線5通過設計特殊的第一與第二薄膜層521、522以及第一導體層512來提升第一與第二福射導體單元53、54的遠場福射效率，進而改善波束天線5的最大增益。波束天線5并通過設計所述第一與第二薄膜層521、522中特殊觸發粒子5212、5222與絕緣膠體5211、5221的重量百分比，來有效減少第一與第二輻射導體單元53、54雜散的寄生介質與歐姆損耗，因此能夠有效的提升波束天線5遠場輻射波束的場型覆蓋范圍。其中波束天線5的第一與第二薄膜層521、522所包含觸發粒子5212、5222占絕緣膠體5211、5221的0.1?28重量百分比。并且第一與第二薄膜層521、522所包含絕緣膠體5211、5221的粘滯系數小于9000cP。第二介質層52的厚度t介于波束天線5所產生共振模態最低操作頻率的0.001?
0.15倍波長之間。第一與第二薄膜層521、522的厚度dl與d2均介于10?290μπι之間。如此能夠有效減少第一與第二輻射導體單元53、54雜散的寄生介質與歐姆損耗，提升波束天線5整體輻射效率，進而有效的增加波束天線5遠場輻射波束的場型覆蓋范圍。第一介質層51與所述第二介質層52之間的距離s小于波束天線5所產生共振模態最低操作頻率的0.39倍波長。如此能夠增加波束天線5的指向特性，進而有效減少能量傳輸導體結構55所造成的傳輸損耗，進而提所述波束天線5的最大增益。
[0086]波束天線5中第一與第二薄膜層521、522所包含觸發粒子5212、5222可為帶隙大于等于3eV的半導體材料，并且其選自由氮化鎵、二氧化鈦、氮化鋁、二氧化硅、硫化鋅、氧化鋅、碳化硅、氮化鋁鎵、氧化鋁、氮化硼及氮化硅其一或其所組成的群組。此外，波束天線5的第一與第二薄膜層521、522所包含些觸發粒子5212、5222可為有機金屬粒子。有機金屬粒子其結構為R-M-X或R-M-R，其中M為金屬，R為環烷、烷基、雜環或羧酸、鹵烷、芳香烴，X為鹵素化合物或胺類。并且M選自由金、鎳、錫、銅、鈀、銀或鋁其中之一或其所組成的群組。如此能夠有效減少第一與第二輻射導體單元53、54雜散的寄生介質與歐姆損耗，提升波束天線5輻射效率，進而有效的增加波束天線5遠場輻射波束的場型覆蓋范圍。
[0087]波束天線5中第一與第二薄膜層521、522所包含觸發粒子5212、5222也可為金屬螯合物，并且其為由一螯合劑螯合一金屬所組成。螯合劑為吡咯烷二硫代氨基甲酸銨、乙二胺四乙酸、NTA或二乙烯三胺五乙酸至少其中之一。并且金屬選自由金、銀、銅、錫、鋁、鎳或鈀其中之一或其所組成的群組。如此能夠有效減少第一與第二輻射導體單元53、54雜散的寄生介質與歐姆損耗，提升波束天線5福射效率，進而有效的增加波束天線5遠場福射波束的場型覆蓋范圍。
[0088]相較于波束天線2，波束天線5雖然其第二介質層52、第一與第二薄膜層521、522以及第一與第二輻射導體單元53、54的配置方向與波束天線2有所差異。并且第一與第二輻射導體單元53、54的形狀與波束天線2有所差異。然而，波束天線5同樣通過設計第一與第二薄膜層521、522中特殊觸發粒子5212、5222與絕緣膠體5211、5221的重量百分比，來有效減少第一與第二輻射導體單元53、54雜散的寄生介質與歐姆損耗，因此有效提升波束天線5遠場輻射波束的場型覆蓋范圍。并且波束天線5同樣通過第一與第二薄膜層521、522的厚度dl與d2，來有效減少第一與第二輻射導體單元53、54雜散的寄生介質與歐姆損耗。進而提升波束天線5整體輻射效率。并且波束天線5同樣通過所述第一介質層51與第二介質層52之間的距離8，來增加波束天線5的指向特性，進而有效減少能量傳輸導體結構55所造成的傳輸損耗，進而提升波束天線5的最大增益。因此波束天線5同樣能夠達成類同于波束天線2的功效。
[0089]波束天線5，其中能量傳輸導體結構55為雙線傳輸線結構，能量傳輸導體結構55能有效激發波束天線5產生至少一共振模態來涵蓋至少一通訊系統頻段操作。量傳輸結構55也可為頂針饋入結構、波導結構、同軸傳輸線結構、微帶傳輸線結構、共面波導結構、導體彈片結構或匹配電路其中之一或其所組合的結構，均同樣能達成與波束天線5相同的功效。
[0090]波束天線5中信號源511通過匹配電路56電氣連接于能量傳輸導體結構55的第一端點551。然而，信號源511也可通過波導結構、同軸傳輸線結構、共面波導結構、雙線傳輸線結構、頂針饋入結構、導體彈片結構或微帶傳輸線結構其中之一或其所組合的結構，電氣耦接或電氣連接于能量傳輸導體結構55的第一端點551，均同樣能達成與波束天線2相同的功效。
[0091]波束天線5中第一輻射導體單元53通過共面波導結構531電氣耦接于第二輻射導體單元54。然而，第一輻射導體單元53也可通過波導結構、微帶傳輸線結構、開槽孔結構、雙線傳輸線結構、灌孔導通結構或匹配電路其中之一或其所組合的結構，電氣耦接或電氣連接于第二福射導體單元54，均同樣能達成與波束天線5相同的功效。
[0092]波束天線5中第一與第二輻射導體單元53、54也可具有平板結構、短路結構、蜿蜒結構、槽孔結構、槽縫結構或間隙結構其中之一或其所組合的結構，均同樣能達成與波束天線5相同的功效。
[0093]圖6是依據本發明的其他實施例繪示的波束天線的結構示意圖。如圖6所示，波束天線6包括第一介質層61、第一導體層612、第二介質層62、至少一第一薄膜層621、至少一第一輻射導體單元63以及能量傳輸導體結構64。第一介質層61，其具有信號源611以及第一導體層612，第一導體層612附著于第一介質層61的表面上，并且信號源611電氣親接或電氣連接于第一導體層612。第二介質層62具有至少一第一薄膜層621，第一薄膜層621附著于第二介質層62的表面上。并且第一薄膜層621包含絕緣膠體6211以及多個觸發粒子6212。絕緣膠體6211為高分子材料。多個觸發粒子6212包含有機金屬粒子、金屬螯合物，與帶隙大于等于3eV的半導體材料至少其中之一，觸發粒子6212可受激光能量照射活化，其中激光能量的波長介于430?1080nm之間。至少一第一福射導體單元63附著于第一薄膜層621的表面上，第一薄膜層621位于第一輻射導體單元63以及第二介質層62之間。至少一第一輻射導體單元63為一平板結構，并具有一槽縫結構631。能量傳輸導體結構64為一頂針饋入結構，其位于第一61以及第二62介質層之間，并具有第一端點641以及第二端點642，第一端點641電氣連接于信號源611，第二端點642電氣連接于第一輻射導體單元63，并激發波束天線6產生至少一共振模態來涵蓋至少一通訊系統頻段操作。槽縫結構631的間隙距離小于波束天線6產生共振模態最低操作頻率的0.19倍波長之間。
[0094]波束天線6通過設計特殊的所述第一薄膜層621以及第一導體層612來提升第一輻射導體單元63遠場輻射效率，進而改善波束天線6最大增益。波束天線6并通過設計第一薄膜層621中特殊觸發粒子6212與絕緣膠體6211的重量百分比，來有效減少第一輻射導體單元63雜散的寄生介質與歐姆損耗，因此能夠有效的提升波束天線6遠場輻射波束的場型覆蓋范圍。其中波束天線6的第一薄膜層621所包含觸發粒子6212占所述絕緣膠體0.1?28重量百分比。并且第一薄膜層621所包含絕緣膠體6211的粘滯系數小于9000cP。第二介質層62的厚度t介于波束天線6所產生共振模態最低操作頻率的0.0Ol?0.15倍波長之間。第一薄膜層621的厚度dl介于10?290μηι之間。如此能夠有效減少第一福射導體單元63雜散的寄生介質與歐姆損耗，提升波束天線6整體福射效率，進而有效的增加波束天線6遠場福射波束的場型覆蓋范圍。第一介質層61與第二介質層62之間的距離s小于波束天線6所產生共振模態最低操作頻率的0.39倍波長。如此能夠增加波束天線6的指向特性，進而有效減少能量傳輸導體結構64所造成的傳輸損耗，進而提升波束天線6的最大增益。
[0095]波束天線6中第一薄膜層621所包含觸發粒子6212可為帶隙大于等于3eV的半導體材料，并且其選自由氮化鎵、二氧化鈦、氮化鋁、二氧化硅、硫化鋅、氧化鋅、碳化硅、氮化鋁鎵、氧化鋁、氮化硼及氮化硅其一或其所組成的群組。此外，波束天線6的第一薄膜層621所包含觸發粒子6212可為有機金屬粒子。有機金屬粒子其結構為R-M-X或R-M-R，其中M為金屬，R為環烷、烷基、雜環或羧酸、齒烷、芳香烴，乂為齒素化合物或胺類。并且M選自由金、鎳、錫、銅、鈀、銀或鋁其中之一或其所組成的群組。如此能夠有效減少第一輻射導體單元63雜散的寄生介質與歐姆損耗，提升波束天線6福射效率，進而有效的增加波束天線6遠場福射波束的場型覆蓋范圍。
[0096]波束天線6中第一薄膜層621所包含觸發粒子6212也可為金屬螯合物，并且其為由一螯合劑螯合一金屬所組成。螯合劑為吡咯烷二硫代氨基甲酸銨、乙二胺四乙酸、NTA或二乙烯三胺五乙酸至少其中之一。并且所述金屬選自由金、銀