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一種馬鈴薯脫毒試管薯室內培養架育苗的方法

文檔序號:211175閱讀:275來源:國知局
專利名稱:一種馬鈴薯脫毒試管薯室內培養架育苗的方法
技術領域
本發明涉及馬鈴薯試管薯的育苗技術,特別是一種馬鈴薯脫毒試管薯室內培養架育苗的方法。
背景技術
馬鈴薯是重要的糧食、蔬菜、飼料和工業原料,具有產量高、適應性強、營養豐富等特性,已成為世界第四大糧食作物。馬鈴薯脫毒種薯技術的應用是解決馬鈴薯種薯退化、提高馬鈴薯生產效益的關鍵。利用組織培養技術在實驗室中生產脫毒試管薯是馬鈴薯脫毒種薯生產技術的重大突破。在該項技術中,馬鈴薯脫毒試管薯育苗成活率是制約生產效率的重要因素,如何控制育苗條件,為試管薯提供適宜的出苗條件,保證試管薯出苗成活率,是生產實踐中需要解決的技術問題。目前,試管薯繁殖原原種通常采用的方法是,在大棚里直播進行繁殖,由于水分、養分、溫度控制不好,常出現不易出苗、出苗不整齊及弱苗等問題。另外,“馬鈴薯脫毒試管薯漂浮苗的方法”(發明專利申請號=200710066315. 6)提高了試管薯的出苗率,但是需要建苗池,成本較高,不適宜大規模育苗,操作不方便。本發明馬鈴薯試管薯室內培養架育苗的方法既提高了試管薯的出苗率,又可以大規模工廠化生產,操作簡單,設備裝置可重復利用,成本低廉。

發明內容
本發明的目的是提出一種馬鈴薯脫毒試管薯室內培養架育苗的方法,在現有的脫 毒試管薯育苗技術的基礎上,采用了室內培養架托盤育苗技術,嚴格精確控制試管薯育苗環境,達到使試管薯快速、整齊地出苗,培育壯苗,降低種薯的生產成本。為實現以上發明目的,本發明提出以下技術方案一種馬鈴薯脫毒試管薯室內培養架育苗的方法,首先將發芽的試管薯通過播種器播種于穴盤上;將已播種的穴盤放于底盤中,底盤注入Icm深營養液,營養液通過孔穴底部側壁浸水孔慢慢浸濕培養基質;然后放培養室培養架上培養,在光強為2500-35001ux的紅藍光LED燈下每天光照8小時,紅藍光比為6:4,保持溫度25°C ;每隔4天往底盤中注入新鮮的營養液,注入量為開始注入量的一半,保持底盤中液面高度,多余營養液通過溢水孔排出;培養15-20天后得到幼苗,將底盤中的水倒掉,底盤反扣在苗上,運輸到溫網室基地后將幼苗從穴盤上拔出,根系帶著基質移栽于溫網室苗圃上事先打好的孔穴中,適當覆基質,澆定根水,陰涼培養一個星期,就可醒苗。進一步的,所述穴盤上分布有注水孔及若干育苗孔,所述底盤上設置有溢水孔;所述播種器包括播種板、不帶孔擋泥板,所述播種板上分布有若干對應于穴盤上育苗孔位置的播種孔,所述播種板底部設置有底槽,所述底槽中設置有可抽取的不帶孔擋泥板;播種孔的大小僅容納一個試管薯,以確保每個育苗孔中播種I個試管薯,所述育苗孔的縱截面呈倒金字塔型,所述育苗孔底部側壁均勻分布有小浸水孔,所述小浸水孔允許營養液通過,但基質和根系不容易通過或不能通過。
進一步的,所述穴盤上面均勻分布有入口呈2. 0cm*2. Ocm正方的育苗孔,所述育苗孔孔深為3. Ocm,相鄰的孔間距為O. 5cm ;所述小浸水孔直徑為O. 2mm ;底盤為長62cm、寬42cm、深3cm,距離底盤底部Icm深處設有兩個溢水孔。進一步的,所述育苗的基質為蛭石和珍珠巖按8:1的重量比混合。進一步的,所述育苗盤中的營養液具體配方為
硝酸韓 945mg/L,硝酸鉀 1500mg/L,硝酸銨 1601mg/L,磷酸二氫鉀300mg/L,硫酸鎂 350mg/L,鐵鹽溶液 2. 5ml/L,微量元素 5ml/L,pH=6. O ;
鐵鹽溶液七水硫酸亞鐵 2. 78g,乙二胺四乙酸二鈉(EDTA.Na) 3. 73g,蒸餾水500ml, ρΗ=5· 5 ;
微量元素液碘化鉀 O. 83mg/l,硼酸 6. 2mg/L,硫酸錳 22. 3mg/L,硫酸鋅8.6mg/L,鑰酸鈉 0.25mg/L,硫酸銅(λ 025mg/L,氯化鈷(λ 025mg/L。本發明優于其它育苗方法具體有本方法,出苗快,縮短生產周期,現在只需15-20天;本方法出苗率高,尤其是對于小號的試管薯效果最明顯,大小薯出苗率均能達到85%,比大棚直播出苗率高得多;移栽易成活,根系發育好,移栽時根系損傷小;設施簡單,可重復利用,育苗后培養室還可以用作培養試管薯用;節約營養液,避免苗期污染。


圖1是本發明實施例新型馬鈴薯脫毒試管薯育苗裝置穴盤的示意 圖2是穴盤和托盤使用示意 圖3是播種器上的帶孔塑料 板結構示意 圖4是播種器的帶孔和不帶孔塑料板使用時的側面示意 圖5是本發明實施例新型馬鈴薯脫毒試管薯育苗裝置使用時的側面示意 圖中,1-穴盤;2_育苗孔;3_育苗孔穴孔下部的倒金字塔型結構4_底盤;5_溢水孔;6-注水孔;7_營養液液面;8_穴孔底部的若干浸水孔;9_播種孔;10_播種板;11_不帶孔擋泥板。
具體實施例方式首先從總體上介紹下本發明實施方式本發明實施例一種馬鈴薯脫毒試管薯室內培養架育苗的方法,包括如下步驟首先將育苗穴盤孔穴上先填上一半的干粉狀培養基質,然后將發芽的試管薯通過播種器播種于穴盤上,再用培養基質填滿穴盤孔穴;將已播種的穴盤放于底盤中,底盤注入Icm深營養液,營養液通過孔穴底部側壁浸水孔慢慢浸濕培養基質;然后放培養室培養架上培養,在光強為2500-35001UX的紅藍光LED燈下每天光照8小時,紅藍光比為6:4,保持溫度25°C;每隔4天往用泵往向底盤中注入新鮮的營養液,每隔4天往底盤中注入新鮮的營養液,注入量為開始注入量的一半,保持底盤中液面高度,多余營養液通過溢水孔排出;培養15-20天后得到幼苗,將底盤中的水倒掉,底盤反扣在苗上,便于重疊擺放,運輸到溫網室基地,將幼苗從育苗盤上拔出,根系帶著基質移栽于溫網室苗圃上事先打好的孔穴中,適當覆基質,澆定根水,陰涼培養一個星期,就可醒苗。進一步的,參見圖1-圖5,所述穴盤上分布有注水孔6及若干育苗孔2,所述底盤4上設置有溢水孔5 ;所述播種器包括播種板10、不帶孔擋泥板11,所述播種板10上分布有若干對應于穴盤上育苗孔2位置的播種孔9,所述播種板10底部設置有底槽,所述底槽中設置有可抽取的不帶孔擋泥板;播種孔9的大小僅容納一個試管薯,以確保每個育苗孔2中播種I個試管薯,所述育苗孔2孔壁的縱截面呈倒金字塔型,所述育苗孔2底部側壁均勻分布有小浸水孔,所述小浸水孔允許營養液通過,但基質和根系不容易通過或不能通過。進一步的,所述穴盤上面均勻分布有入口呈2. 0cm*2. Ocm正方的育苗孔,所述育苗孔孔深為3. Ocm,相鄰的孔間距為O. 5cm ;所述小浸水孔直徑為O. 2mm ;底盤為長62cm、寬42cm、深3cm,距離底盤底部Icm深處設有兩個溢水孔。進一步的,所述育苗的基質為蛭石和珍珠巖按8:1的重量比混合。參見圖1-圖5,本發明實施例一種新型馬鈴薯脫毒試管薯育苗裝置,包括育苗盤、設置在育苗盤正上方的播種器,所述育苗盤包括底盤4,所述底盤4內設置有穴盤1,穴盤I上分布有若干育苗孔2,所述穴盤I上設置有注水孔6,所述底盤4上設置有溢水孔5 ;所述播種器包括播種板10、不帶孔擋泥板11,所述播種板10上分布有若干播種孔9,所述播種板10底部設置有底槽,所述底槽中設置有可抽取的不帶孔擋泥板11。播種孔9的大小僅容納一個試管薯,以確保每個育苗孔2中播種I個試管薯。進一步的,所述育苗孔2的縱截面呈倒金字塔型,所述育苗孔2底部側壁均勻分布有小浸水孔。所述小浸水孔允許營養液通過,但基質和根系不容易通過。進一步的,所述小浸水孔直徑為O. 15mm-0. 25 mm,優選直徑O. 2mm。進一步的,所述育苗孔`2上部入口呈正方形,正方形尺寸優選2. O cm *2. 0cm。進一步的,所述穴盤規格為長65cm、寬45cm、高3cm,育苗孔2孔深為3. 0cm,相鄰的孔間距為O. 5cm,底部側壁有直徑O. 2mm小浸水孔若干,允許營養液通過,但基質和根系不容易通過;穴盤邊上可留2cm直徑注水口 I個;底盤為長62cm、寬42cm、深3cm,Icm深處設兩個溢水孔的塑料托盤。進一步的,所述播種板10、不帶孔擋泥板11為兩塊塑料板,播種板10長65cm、寬45cm,對應于穴盤上孔穴的位置有直徑為O. 8cm的圓孔,板厚1. Ocm,圓孔的大小僅容納一個試管薯,以確保每個穴孔中播種I個試管薯;不帶孔擋泥板11長65cm、寬40cm、厚O. 5cm,為無孔塑料板,固定在播種板10下可抽取下來。本發明的馬鈴薯脫毒試管薯育苗裝置可利用塑料制成,設計簡單,實用方便,可重復利用,在放置時既可以緊密排列,節約空間,可在光照培養室控制環境下培養架上使用,移苗時方便運輸,簡化了育苗的環節,節約了人工,提高了出苗率,尤其小號的試管薯的出苗率大幅升高,從而降低了種薯的成本。馬鈴薯脫毒試管薯育苗裝置的具體操作如下將播種器與穴盤固定在一起,有孔的播種板朝上,如圖5所示,把基質放在播種器上用掃帚掃一遍,在播種器的播種孔9孔穴中填上的培養基質,然后抽掉播種器底部的不帶孔擋泥板11,在穴盤I的育苗孔2孔穴中填上一半的基質;把播種器上的不帶孔擋泥板11復原,再將試管薯擺放到播種器上,用軟毛刷,刷一遍使播種器每個播種孔9中都有一個試管薯,抽掉播種器上的不帶孔擋泥板11,使試管薯掉進穴盤I的育苗孔2孔穴中,再重復第一步驟,在穴盤I的育苗孔2中填滿培養基質。然后在育苗盤的底盤4上加入Icm深營養液,把已經播種的穴盤I放在上面,放培養架培養。每隔4天往托盤中注入新鮮的營養液,注入量為開始注入量的一半,保持底盤4中液面高度,多余營養液通過溢水孔排出。一批苗育好移栽后,再洗凈,重復利用。
實施例1
1)、2011年7月23日,在湖北凱瑞百谷農業科技股份有限公司生物城試管薯中心培養室內,將發芽的小二號試管薯(平均薯重20mg-50mg)播種于穴盤上,每個育苗孔I粒微型薯,播種深度為l-2cm;
2)、將已播種的穴盤擺放到底盤中,往底盤中注入Icm深營養液,將播種好的育苗盤放培養架上培養;
3)、日常管理每隔4天往托盤中注入新鮮的營養液,注入量為開始注入量的一半,保持托盤中液面高度,多余營養液通過溢水孔排出;培養15-20天后,將幼苗底盤水倒掉,反扣在苗上,便于重疊擺放,運輸到溫網室基地,將幼苗從育苗盤上拔出,根系帶著基質移栽于溫網室苗圃上事先打好的孔穴中,適當覆基質,澆定根水,陰涼培養一個星期,就可醒苗;
4)、在光強為2500-35001ux的紅藍光LED燈下每天光照8小時,紅藍光比為6:4,保持溫度25°C ;每隔4天用泵向底盤中添加營養液1L,大約開始加入培養液量的一半,保持液面Icm深度,多余的營養液從溢水孔中排出。培養后7天觀察到脫毒試管薯微型薯出苗。培養15-20天后,將幼苗底盤水倒掉,反扣在苗上,便于重疊擺放,運輸到溫網室基地,將幼苗從育苗盤上拔出,根系帶著基質移栽于溫網室苗圃上事先打好的孔穴中,適當覆基質,澆定根水,陰涼培養一個星期,就可醒苗。表I為培養后20天調查出苗率、株高、平均苗鮮重、根鮮重等性狀數據,該表數據表明各性狀均比大棚苗圃情況好。具體情況如表1:
表I
權利要求
1.一種馬鈴薯脫毒試管薯室內培養架育苗的方法,其特征在于首先將發芽的試管薯通過播種器播種于穴盤上;將已播種的穴盤放于底盤中,底盤注入Icm深營養液,營養液通過孔穴底部側壁浸水孔慢慢浸濕培養基質;然后放培養室培養架上培養,在光強為2500-35001ux的紅藍光LED燈下每天光照8小時,紅藍光比為6: 4,保持溫度25°C ;每隔4天往底盤中注入新鮮的營養液,注入量為開始注入量的一半,保持底盤中液面高度,多余營養液通過溢水孔排出;培養15-20天后得到幼苗,將底盤中的水倒掉,底盤反扣在苗上,運輸到溫網室基地后將幼苗從穴盤上拔出,根系帶著基質移栽于溫網室苗圃上事先打好的孔穴中,適當覆基質,澆定根水,陰涼培養一個星期,就可醒苗。
2.根據權利要求1所述的馬鈴薯脫毒試管薯室內培養架育苗的方法,其特征在于所述穴盤上分布有注水孔及若干育苗孔,所述底盤上設置有溢水孔;所述播種器包括播種板、不帶孔擋泥板,所述播種板上分布有若干對應于穴盤上育苗孔位置的播種孔,所述播種板底部設置有底槽,所述底槽中設置有可抽取的不帶孔擋泥板;播種孔的大小僅容納一個試管薯,以確保每個育苗孔中播種I個試管薯,所述育苗孔的縱截面呈倒金字塔型,所述育苗孔底部側壁均勻分布有小浸水孔,所述小浸水孔允許營養液通過,但基質和根系不容易通過或不能通過。
3.根據權利要求1所述的馬鈴薯脫毒試管薯室內培養架育苗的方法,其特征在于所述穴盤上面均勻分布有入口呈2. 0cm*2. Ocm正方的育苗孔,所述育苗孔孔深為3. 0cm,相鄰的孔間距為O. 5cm ;所述小浸水孔直徑為O. 2mm ;底盤為長62cm、寬42cm、深3cm,距離底盤底部Icm深處設有兩個溢水孔。
4.根據權利要求1所述的馬鈴薯脫毒試管薯室內培養架育苗的方法,其特征在于所述育苗的基質為蛭石和珍珠巖按8:1的重量比混合。
5.根據權利要求1所述的馬鈴薯脫毒試管薯室內培養架育苗的方法,其特征在于所述育苗盤中的營養液具體配方為 硝酸韓 945mg/L,硝酸鉀 1500mg/L,硝酸銨 1601mg/L,磷酸二氫鉀300mg/L,硫酸鎂 350mg/L,鐵鹽溶液 2. 5ml/L,微量元素 5ml/L,pH=6. O ; 鐵鹽溶液七水硫酸亞鐵 2. 78g,乙二胺四乙酸二鈉(EDTA.Na) 3. 73g,蒸餾水500ml, ρΗ=5· 5 ; 微量元素液碘化鉀 O. 83mg/l,硼酸 6. 2mg/L,硫酸錳 22. 3mg/L,硫酸鋅·8.6mg/L,鑰酸鈉 0.25mg/L,硫酸銅(λ 025mg/L,氯化鈷(λ 025mg/L。
全文摘要
本發明涉及馬鈴薯試管薯的育苗技術,尤其涉及一種馬鈴薯脫毒試管薯室內培養架育苗的方法,主要包括育苗托盤的設計、培養基質配方、營養液配方和育苗步驟。育苗步驟為把已發芽的脫毒試管薯播種于托盤上,然后把已播種的托盤放于無菌半開放LED燈培養室培養架上培養,在光強為2500-3500lux的紅藍光LED燈下每天光照8小時,紅藍光比為6:4,保持溫度25℃;播種15-20天后,將幼苗從穴盤上拔出,根系帶著培養基質移栽,小號試管薯育苗視具體情況適當延長時間。本發明采用新型室內培養架托盤育苗技術,使脫毒試管薯快速整齊地出苗、培育壯苗,降低種薯的生產成本,出苗率高、脫毒試管薯損耗少,出苗率可達95%以上,移栽易成活,根系受損小,設施簡單且能重復利用,操作方便。
文檔編號A01G31/00GK103053396SQ20121058994
公開日2013年4月24日 申請日期2012年12月31日 優先權日2012年12月31日
發明者陳亮, 柳俊, 朱洲, 李志英, 金裕華 申請人:湖北凱瑞百谷農業科技股份有限公司
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