專利名稱：一種鉬質真空吸頭的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及半導體加工制造領域，特別涉及的是一種在半導體加工過程中所 使用的鉬質真空吸頭。
背景技術：
在半導體硅片的制造過程中，機械手或人取放硅片是不可或缺的動作，在此過程 中一般會用到真空吸筆或吸頭，由于真空吸筆或吸頭與硅片直接接觸，其材質的選擇至關 重要。目前常用的真空吸筆或吸頭包括塑料材質的真空吸筆或吸頭和陶瓷材質的真空吸筆 或吸頭，它們都有著各有的優缺點，塑料材質的真空吸筆或吸頭材質較軟，但不能適應高溫 作業；至于陶瓷材質的真空吸筆或吸頭，雖然能耐高溫，但由于在溫度較高的情況下，半導 體硅片的晶格結構較為脆弱，硬度很高的陶瓷吸頭會在硅片表面形成機械傷，且陶瓷與單 晶硅的熱膨脹系數不同，而陶瓷的延展性又非常差，在真空吸筆或吸頭結構設計的欠佳的 情況下，就更容易產生機械傷類的不良。
實用新型內容本實用新型所要解決的技術問題在于針對現有技術的不足而提供一種鉬質真空 吸頭，以解決現有塑料材質或陶瓷材質真空吸筆與吸頭所存在的諸多不足之處。為了實現上述目的，本實用新型是通過如下的技術方案來實現一種鉬質真空吸頭，主要用于吸取半導體硅片，該鉬質真空吸頭包括一由鉬金屬 材質制成的真空吸頭本體，該真空吸頭本體外形為階梯形狀，在所述真空吸頭本體的底面 外緣設置有一向下延伸的環凸緣，所述環凸緣的內環面與所述底面的一部分界定出一真空 吸附腔，所述環凸緣的底面構成用以吸附半導體硅片的吸著面，在該真空吸頭本體內設置 有一接真空管的軸向孔，該軸向孔與所述的真空吸附腔連通。在該真空吸頭本體內還設置有一用以安裝緊定螺釘的徑向螺紋孔，緊定螺釘用以 將真空管固定在軸向孔中。本實用新型結構簡單、使用方便，采用鉬金屬制成的真空吸頭，可以有效的避免在 半導體硅片表面上誘發機械傷和各類吸頭摩擦痕跡的問題；且由于鉬金屬可以適應各種嚴 酷的環境如低溫、高溫下進行工作，這樣大大增加了本實用新型使用范圍和實用性能；而鉬 金屬其極低的污染性，更可以有效避免半導體硅片加工時易受金屬污染的問題，從而間接 的降低了半導體硅片的生產成本，提高了產品質量。
以下結合附圖和具體實施方式
來詳細說明本實用新型；
圖1為本實用新型的結構剖視圖。圖2為
圖1仰視圖。
具體實施方式
為使本實用新型實現的技術手段、創作特征、達成目的與功效易于明白了解，下面 結合具體實施方式
，進一步闡述本實用新型。本實用新型為一種鉬質真空吸頭，由于現有半導體硅片用的真空吸筆與吸頭，在 材質與結構設計上存在著不少問題，容易誘發硅片表面出現機械傷的情況發生。為此，在根 據現有的真空吸頭結構的基礎上，進行改良與改進，來解決上述問題。如
圖1和圖2所示，本實用新型設計之初的目的在于能更好的在半導體硅片的加 工生產時進行高效的半導體硅片吸取工作，在設計時，設計成一組由鉬金屬材質制成的真 空吸頭本體100，這是由于鉬金屬具有良好的耐高溫性(熔點2610°C )和延展性，由該材質 制成的真空吸頭本體100不容易對硅片產生額外的機械損傷；且本實用新型在結構的設計 時，將真空吸頭本體100的外形設置成階梯形狀，在真空吸頭本體100的底面110外緣設置 上一向下延伸的環凸緣120，該環凸緣120的內環面121與底面110的大部分可以界定出一 組足夠吸附空間的真空吸附腔130，且環凸緣120的底面構成用以吸附半導體硅片的吸著 面140，在真空吸頭本體100內設置有一用于安裝真空管的軸向孔150，該軸向孔150與真 空吸附腔130連通。為此，本實用新型使用時，將真空管接入到軸向孔150內，與真空管連 接的真空泵即可實現半導體硅片的吸附；且在真空吸頭本體100內還設置有一用以安裝緊 定螺釘的徑向螺紋孔160，該緊定螺釘只需旋入該徑向螺紋孔160中，便可以將真空管牢牢 固定在軸向孔150中。本實用新型在使用過程中有兩個注意點1.軸向孔150內徑要與真空管的外徑相 吻合，這樣才能既方便安裝又不漏氣；2.吸著面140要做的平整光滑(一般要經過拋光)以 防止漏氣。本實用新型，與傳統的產品相比，采用鉬金屬材質的吸頭，從而在解決了現有產品 缺點的前提下，有效的避免在所要生產的半導體硅片機械傷和陶瓷吸頭產生的吸頭痕跡。 且由于鉬金屬其實用范圍非常廣泛，能適應各種嚴酷的環境，如低溫、高溫環境等，且在單 晶拉制的過程中會用鉬材料融入熱場屏蔽裝置中，或用在單晶硅片的熱擴散爐和化學氣相 沉積裝置中，為此在其使用過程中，可能發生的金屬污染更可以忽略不計，從而大大提高了 本實用新型的產品質量，降低生產成本，也間接的增加了其的實用價值。以上顯示和描述了本實用新型的基本原理和主要特征和本實用新型的優點。本行 業的技術人員應該了解，本實用新型不受上述實施例的限制，上述實施例和說明書中描述 的只是說明本實用新型的原理，在不脫離本實用新型精神和范圍的前提下，本實用新型還 會有各種變化和改進，這些變化和改進都落入要求保護的本實用新型范圍內。本實用新型 要求保護范圍由所附的權利要求書及其等效物界定。
權利要求一種鉬質真空吸頭，其特征在于，該鉬質真空吸頭包括一由鉬金屬材質制成的真空吸頭本體，該真空吸頭本體外形為階梯形狀，在所述真空吸頭本體的底面外緣設置有一向下延伸的環凸緣，所述環凸緣的內環面與所述底面的一部分界定出一真空吸附腔，所述環凸緣的底面構成用以吸附半導體硅片的吸著面，在所述真空吸頭本體內設置有一接真空管的軸向孔，所述軸向孔與所述的真空吸附腔連通。
2.如權利要求1所述的鉬質真空吸頭，其特征在于，在所述真空吸頭本體內還設置有 一用以安裝緊定螺釘的徑向螺紋孔，緊定螺釘用以將真空管固定在軸向孔 >中。
專利摘要本實用新型公開了一種鉬質真空吸頭，其包括一由鉬金屬材質制成的真空吸頭本體，該真空吸頭本體外形為階梯形狀，在所述真空吸頭本體的底面外緣設置有一向下延伸的環凸緣，所述環凸緣的內環面與所述底面的一部分界定出一真空吸附腔，所述環凸緣的底面構成用以吸附半導體硅片的吸著面，在該真空吸頭本體內設置有一接真空管的軸向孔，該軸向孔與所述的真空吸附腔連通。本實用新型采用鉬金屬進行加工制作，可以有效的避免其他材質易引發機械傷和摩擦所致的各類吸頭痕跡的問題；且由于鉬金屬能適應各種嚴酷的環境，大大增加了本實用新型的使用范圍；而鉬金屬較低的污染性，可以有效解決半導體硅片加工時易受金屬污染的問題。
文檔編號B25J15/06GK201736230SQ201020247410
公開日2011年2月9日 申請日期2010年7月2日 優先權日2010年7月2日
發明者王聰 申請人:上海申和熱磁電子有限公司