專利名稱：一種液晶顯示器的陣列基板的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及液晶顯示領域，特別是指一種液晶顯示器的陣列基板。
背景技術：
圖1所示為FFS型液晶顯示器現有技術中陣列基板的平面結構示意圖，陣列基板結構中所有柵線通過單側柵短路條連接在一起。在液晶顯示器陣列基板制造工藝中，靜電放電預防和控制是一項重要的工作。陣列基板上形成柵金屬層圖形后進行等離子體增強化學氣相沉積工藝形成柵絕緣層，柵金屬層圖形在等離子體電場作用下會感應出靜電荷，在現有的陣列基板結構中，累積于柵線上不同電位的感應電荷會通過柵短路條轉移而達到平衡，如果靜電荷的平衡過程在納秒或者微秒量級的時間內完成，即發生靜電放電。靜電放電的峰值電流可達幾十安培，瞬間的功率非常大，所產生的靜電放電電磁脈沖能量足以燒毀柵短路條甚至柵線金屬，導致在后續的陣列測試工藝中無法給陣列基板加載檢測信號而影響電學缺陷的檢出與維修，顯著降低制造陣列基板的良品率。
實用新型內容本實用新型要解決的技術問題是提供一種液晶顯示器的陣列基板，解決現有技術中，形成有柵金屬層圖形的陣列基板在柵絕緣層形成工藝中發生靜電放電燒毀柵短路條甚至柵線金屬的問題。為解決上述技術問題，本實用新型的實施例提供一種液晶顯示器的陣列基板，包括透明基板，設置于透明基板上的柵線和數據線，還包括:設置于透明基板上的透明導電條和柵短路條，所述透明導電條位于所述柵短路條下方，所述柵短路條與所述數據線同層設 置。優選地，所述透明導電條的寬度大于所述柵短路條的寬度；優選地，所述柵金屬層采用鑰、鉻、鋁、銅、鑰/鋁釹或者鑰/鋁/鑰多層膜；所述數據金屬層采用鑰、鉻、鋁、銅、鑰/鋁釹或者鑰/鋁/鑰多層膜；具體地，柵絕緣層，設置于所述柵電極之上且覆蓋整個基板；半導體有源層、數據線、源電極和漏電極，位于所述柵絕緣層之上；鈍化層，設置于所述源、漏電極之上且覆蓋整個基板，所述鈍化層在與漏電極對應位置形成有鈍化層過孔；基于第二透明導電層形成的像素電極，位于所述鈍化層之上，通過所述鈍化層過孔與所述漏電極連接。優選地，所述第一透明導電層和第二透明導電層采用氧化銦錫、銻摻雜氧化錫、鋁摻雜氧化鋅或者銦摻雜氧化鋅薄膜。本實用新型的上述技術方案的有益效果如下:在柵短路條下方增加透明導電條，且柵短路條與數據線同層設置。透明導電條寬度較大，能承受較大的通過電流；此外，透明導電層厚度很薄且其電阻率比柵金屬大，透明導電條的電阻較現有技術中的柵短路條大得多。在柵絕緣層形成工藝中，柵線上不同電位的感應電荷能通過透明導電條以其能承受的通過電流轉移并達到平衡，且柵短路條在數據金屬層才形成，可避免因發生靜電放電而燒毀柵短路條的問題，在陣列測試工藝中能正常檢出和維修陣列基板中的電學缺陷，從而提聞制造液晶顯不器陣列基板的良品率。
圖1表示FFS型液晶顯示器現有技術中陣列基板的平面結構示意圖；圖2表示本實用新型實施例的一種陣列基板的平面結構示意圖；圖3表示本實用新型實施例的一種陣列基板的制造方法流程示意圖；圖4表示第一次構圖工藝后陣列基板的平面結構示意圖；圖5表示第一次構圖工藝后沿GP-DP虛線方向的橫截面圖；圖6表示第二次構圖工藝后陣列基板的平面結構示意圖；圖7表示第二次構圖工藝后沿GP-DP虛線方向的橫截面圖；圖8表不第二次構圖工藝后陣列基板的平面結構不意圖；圖9表示第三次構圖工藝后沿GP-DP虛線方向的橫截面圖；圖10表示第四次構圖工藝后陣列基板的平面結構示意圖；圖11表示第四次構圖 工藝后沿GP-DP虛線方向的橫截面圖；圖12表示第五次構圖工藝后陣列基板的平面結構示意圖；圖13表示第五次構圖工藝后沿GP-DP虛線方向的橫截面圖；圖14表示柵絕緣層形成工藝中，柵線上不同電位的感應電荷通過透明導電條轉移達到平衡的過程示意圖；透明基板 11公共電極 120透明導電條 121柵短路條 130柵線131柵電極132柵絕緣層 14半導體有源層15歐姆接觸層 16奇數據短路條170偶數據短路條171奇數據線 172偶數據線 173源電極174漏電極175鈍化層18鈍化層過孔191，192，193，194，195像素電極 20[0046]過孔處第二透明導電層薄膜201，202，203，204，205。
具體實施方式
為使本實用新型要解決的技術問題、技術方案和優點更加清楚，下面將結合附圖及具體實施例進行詳細描述。構圖工藝中，一般包括光刻膠涂覆、曝光、顯影、刻蝕和光刻膠剝離等步驟。本實用新型實施例提供一種液晶顯示器陣列基板，如圖2所示，包括透明基板11，設置于透明基板上的柵線131和數據線，還包括:設置于透明基板上的透明導電條121和柵短路條130，所述透明導電條121位于所述柵短路條130下方，所述柵短路條130與所述數據線同層設置。應用本實用新型實施例提供的方法制作的液晶顯示器陣列基板的平面結構如圖2所示，柵短路條130下方增加透明導電條121，透明導電條121寬度較柵短路條大，能承受較大的通過電流，且透明導電條的電阻也較現有技術中的柵短路條大。在柵絕緣層形成工藝中，累積于柵線131上不同電位的感應電荷通過透明導電條121以其能承受的通過電流轉移并達到平衡，且柵短路條130在數據金屬層才形成，可避免因發生靜電放電而燒毀柵短路條130的問題，在陣列測試工藝中能正常檢出和維修陣列基板中的電學缺陷，從而提高制造液晶顯示器陣列基板的良品率。實施例中的數據線包括奇數據線172和偶數據線173。在一個優選實施例中，透明導電條121的寬度大于柵短路條130的寬度。在一個優選實施例中，柵金屬層采用鑰、鉻、鋁、銅、鑰/鋁釹或者鑰/鋁/鑰多層
膜。 數據金屬層采用鑰、鉻、鋁、銅、鑰/鋁釹或者鑰/鋁/鑰多層膜。在一個優選實施例中，還包括:柵絕緣層14，設置于所述柵電極132之上且覆蓋整個基板；半導體有源層、數據線、源電極和漏電極，位于所述柵絕緣層14之上；鈍化層，設置于所述源、漏電極之上且覆蓋整個基板，所述鈍化層在與漏電極175對應位置形成有鈍化層過孔；基于第二透明導電層形成的像素電極，位于所述鈍化層之上，通過所述鈍化層過孔與漏電極175連接。在一個優選實施例中，第一透明導電層和第二透明導電層采用氧化銦錫、銻摻雜氧化錫、鋁摻雜氧化鋅或者銦摻雜氧化鋅薄膜。在一個應用場景中，應用提供的技術，通過若干次構圖工藝制造陣列基板的過程包括:步驟1，實現第一次構圖工藝，包括:在透明基板11上形成第一透明導電層，通過一次曝光和一次濕刻工藝形成公共電極120和透明導電條121 ;透明導電條121位于柵短路條130的預設位置，且其寬度大于柵短路條130的寬度，如圖4和5所示。步驟2，實現第二次構圖工藝，包括:在形成有第一透明導電層圖形的基板上形成柵金屬層，通過一次曝光和一次濕刻工藝，形成柵線131、柵電極132和偶數據短路條171，如圖6和7所示。[0064]步驟3，實現第三次構圖工藝，包括:在形成有柵金屬層圖形的基板上形成柵絕緣層14、半導體層、歐姆接觸層和數據金屬層，通過半色調掩膜曝光或灰色調掩膜曝光，濕刻和干刻工藝，形成柵短路條130、奇數據短路條170、奇數據線172、偶數據線173、源電極174、漏電極175、歐姆接觸層16和半導體有源層15，如圖8和9所示。步驟4，實現第四次構圖工藝，包括:在形成有數據金屬層圖形的基板上形成鈍化層18，通過一次曝光和一次干刻工藝形成多種類型的鈍化層過孔，包括:Gate Pad過孔191、Data Pad過孔192、偶數據線與偶數據短路條連接過孔193、柵線與柵短路條連接過孔194和像素電極與漏電極連接過孔195，如圖10和11所示。步驟5，實現第五次構圖工藝，包括:在形成有鈍化層過孔的基板上形成第二透明導電層，通過一次曝光和一次濕刻工藝形成像素電極20，像素電極20通過過孔195與漏電極175連接，如圖12和13所示。柵線131和柵短路條130通過過孔194以第二透明導電層薄膜連接，偶數據線173與偶數據短路條171通過過孔193以第二透明導電層薄膜連接；同時在Gate Pad過孔191，Data Pad過孔192處形成第二透明導電層薄膜保護金屬電極免受外界的損傷。如圖14所示，形成公共電極120的構圖工藝同步在柵短路條130的預設位置形成透明導電條121，優選地，透明導電條121的寬度大于柵短路條130的寬度，且柵短路條130與數據線同層設置。在等離子體增強化學氣相沉積柵絕緣層工藝中，柵金屬層圖形受等離子體電場作用感應出靜電荷，不同柵線上的感應電荷Q1或者Q2處于不同電位，這些靜電荷能通過透明導電條121轉移并達到平衡。較寬的透明導電條121增加了靜電荷平衡的路徑；此外，透明導電層厚度很薄且其電阻率比柵金屬大得多，電荷平衡路徑的電阻增大能減小電荷轉移形成的通過電流，且柵短路條130在數據金屬層才形成，從而避免因發生靜電放電而燒毀柵短路條130甚至柵線131的問題。本實用新型實施例提供的液晶顯示器陣列基板的制造方法，如圖3所示，包括:·[0070]步驟301，在透明基板11上形成第一透明導電層，通過構圖工藝形成公共電極120和透明導電條121，該透明導電條121位于柵短路條130預設位置；步驟302，在所述形成有第一透明導電層圖形的基板上形成柵金屬層，通過構圖工藝形成柵線131、柵電極132、偶數據短路條171或奇數據短路條170 ；步驟303，基于數據金屬層形成柵短路條130。應用本實用新型實施例提供的方法制造的液晶顯示器陣列基板的平面結構如圖2所示，柵短路條130下方增加透明導電條121，透明導電條121的寬度和電阻都比柵短路條大，在柵絕緣層形成工藝中，柵線131上不同電位的感應電荷通過透明導電條121以其能承受的通過電流轉移并達到平衡；且柵短路條130在數據金屬層才形成，可避免因發生靜電放電而燒毀柵短路條130甚至柵線131的問題，在陣列測試工藝中能正常檢出和維修陣列基板中的電學缺陷，從而提聞制造液晶顯不器陣列基板的良品率。在一個優選實施例中，透明導電條121的寬度大于柵短路條130的寬度。在一個優選實施例中，柵金屬層采用鑰、鉻、鋁、銅、鑰/鋁釹或者鑰/鋁/鑰多層膜。數據金屬層采用鑰、鉻、鋁、銅、鑰/鋁釹或者鑰/鋁/鑰多層膜。在一個優選實施例中，步驟303中，所述形成柵短路條130的步驟具體包括:在所述形成有柵金屬層圖形的基板上形成柵絕緣層14、半導體層、歐姆接觸層和數據金屬層，通過一次構圖工藝形成柵短路條130、偶數據短路條171或者奇數據短路條170、源電極174、漏電極175、數據線、歐姆接觸層16和半導體有源層15 ;所述數據線包括奇數據線172和偶數據線173。該構圖工藝通過一次半色調掩膜曝光或灰色調掩膜曝光，兩次濕刻和兩次干刻工藝形成。所述形成柵短路條130的步驟之后還包括步驟304和步驟305，其中:步驟304，在所述形成有數據金屬層圖形的基板上形成鈍化層18，通過構圖工藝形成鈍化層過孔191-195 ；步驟305，在所述形成有鈍化層過孔的基板上形成第二透明導電層，通過構圖工藝形成像素電極20，且像素電極20通過所述鈍化層過孔195與所述漏電極175連接。步驟302中形成柵金屬層圖形時已經形成偶數據短路條171或奇數據短路條170，因此，在形成柵短路條130的步驟中，同時還形成另一個數據短路條，具體包括:若步驟302中形成奇數據短路條170，則這里應當形成偶數據短路條171，若步驟302中形成偶數據短路條171，則這里應當形成奇數據短路條170。在一個優選實施例中，第一透明導電層和第二透明導電層采用氧化銦錫、銻摻雜氧化錫、鋁摻雜氧化鋅或者銦摻雜氧化鋅薄膜。采用本技術方案之后的優勢是:如圖14所示，形成公共電極120的構圖工藝同步在柵短路條130的預設位置形成透明導電條121，其寬度較柵短路條130大，且柵短路條130與數據線同層設置。在等離子體增強化學氣相沉積柵絕緣層工藝中，柵金屬層圖形受等離子體電場作用會感應出靜電荷，累積于柵線131上不同電位的感應電荷能通過透明導電條121轉移并達到平衡，由于透明導電條121的寬度較柵短路條130大，增加了電荷平衡的路徑；此外，透明導電層的厚度很薄且其電阻率較柵金屬大，電荷平衡路徑的電阻增大能減小電荷轉移形成的通過電 流；另外，柵短路條130在數據金屬層才形成，其不受柵絕緣層形成工藝發生靜電放電的影響，從而避免因發生靜電放電而燒毀柵短路條130甚至柵線131的問題，確保陣列測試工藝能正常檢出和維修陣列基板中的電學缺陷，從而提高制造液晶顯示器陣列基板的良品率。以上所述是本實用新型的優選實施方式，應當指出，對于本技術領域的普通技術人員來說，在不脫離本實用新型所述原理的前提下，還可以作出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也應視為本實用新型的保護范圍。
權利要求1.一種液晶顯示器陣列基板，包括透明基板，設置于透明基板上的柵線和數據線，其特征在于，還包括:設置于透明基板上的透明導電條和柵短路條，所述透明導電條位于所述柵短路條下方，所述柵短路條與所述數據線同層設置。
2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于， 所述透明導電條的寬度大于所述柵短路條的寬度。
3.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于， 所述柵金屬層采用鑰、鉻、鋁、銅、鑰鋁釹多層膜或者鑰鋁鑰多層膜； 所述數據金屬層采用鑰、鉻、鋁、銅、鑰鋁釹多層膜或者鑰鋁鑰多層膜。
4.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，還包括: 柵絕緣層，設置于所述柵電極之上且覆蓋整個基板； 半導體有源層、數據線、源電極和漏電極，位于所述柵絕緣層之上； 鈍化層，設置于所述源、漏電極之上且覆蓋整個基板，所述鈍化層在與漏電極對應位置形成有鈍化層過孔； 基于第二透明導電層形成的像素電極，位于所述鈍化層之上，通過所述鈍化層過孔與所述漏電極連接。
5.根據權利要求4所述的陣列基板，其特征在于， 所述第一透明導電層和第二透明導電層采用氧化銦錫、銻摻雜氧化錫、鋁摻雜氧化鋅或者銦摻雜氧化鋅薄膜。
專利摘要本實用新型提供一種液晶顯示器陣列基板，包括透明基板，設置于透明基板上的柵線和數據線，還包括設置于透明基板上的透明導電條和柵短路條，所述透明導電條位于所述柵短路條下方，所述柵短路條與所述數據線同層設置。在柵短路條下方增加透明導電條，透明導電條寬度和電阻都比柵短路條大，在柵絕緣層形成工藝中，柵線上不同電位的感應電荷可通過透明導電條以其能承受的通過電流轉移并達到平衡；且柵短路條在數據金屬層才形成，從而避免因發生靜電放電而燒毀柵短路條的問題，在陣列測試工藝中能正常檢出和維修陣列基板中的電學缺陷，從而提高制造液晶顯示器陣列基板的良品率。
文檔編號G02F1/1345GK203101786SQ20122068104
公開日2013年7月31日 申請日期2012年12月11日 優先權日2012年12月11日
發明者朱夏明, 孫亮, 袁劍峰, 林承武, 邵喜斌 申請人:京東方科技集團股份有限公司, 北京京東方顯示技術有限公司