液晶顯示裝置的制作方法

本發明涉及液晶顯示裝置，特別是涉及橫向電場模式的液晶顯示裝置。
背景技術：
：tft型液晶顯示裝置通過控制經由tft對各像素的液晶層(在電的方面稱為“液晶電容”)施加的電壓來調節透射過各像素的光量而進行顯示。對各像素的液晶層施加的電壓的極性按一定期間進行反轉。這種液晶顯示裝置的驅動方法被稱為交流驅動法，不對液晶層長時間施加直流電壓。其原因是，當對液晶層長時間施加直流電壓時，會引起液晶材料中存在的離子的不均勻(界面極化)、液晶材料的劣化，顯示質量降低。在本說明書中，將對各像素的液晶層(液晶電容)施加的電壓稱為像素電壓。像素電壓是對像素的像素電極與相對電極之間施加的電壓，用相對于相對電極的電位的像素電極的電位表示。將像素電極的電位高于相對電極的電位時的像素電壓的極性設為正，將像素電極的電位低于相對電極的電位時的像素電壓的極性設為負。在tft型液晶顯示裝置中，像素電極連接到tft的漏極電極，被供應從與tft的源極電極連接的源極總線供應的顯示信號電壓。對像素電極供應的顯示信號電壓與對相對電極供應的相對電壓之差相當于像素電壓。在tft型液晶顯示裝置中，像素電壓的極性典型地按每個幀期間反轉。在此，tft型液晶顯示裝置的幀期間是為了對全部像素供應像素電壓而需要的期間，是指從選擇某柵極總線(掃描配線)至下次選擇該柵極總線為止的期間，有時也稱為垂直掃描期間。像素以具有行和列的矩陣狀排列，典型地，柵極總線與像素的行對應，源極總線與像素的列對應，通過對柵極總線供應的掃描信號(柵極信號)按每一行依次供應像素電壓。以往的一般的tft型液晶顯示裝置的幀期間是1/60秒(幀頻率為60hz)。在輸入視頻信號例如是ntsc信號的情況下，ntsc信號是隔行驅動用信號，1幀(幀頻率為30hz)包括奇數場和偶數場這2個場(場頻率為60hz)，但在tft型液晶顯示裝置中，與ntsc信號的各場對應地對全部像素供應像素電壓，因此tft型液晶顯示裝置的幀期間成為1/60秒(幀頻率為60hz)。此外，最近為了提高動態圖像顯示特性或進行3d顯示，而市售有幀頻率為120hz的倍速驅動、240hz的4倍速驅動的tft型液晶顯示裝置。這樣，tft型液晶顯示裝置具備驅動電路，該驅動電路構成為根據輸入的視頻信號來決定幀期間(幀頻率)，在各幀期間對全部像素供應像素電壓。近年來，已廣泛利用以inplaneswitching(ips：面內開關)模式或fringefieldswitching(ffs：邊緣場開關)模式為代表的橫向電場模式的液晶顯示裝置。橫向電場模式的液晶顯示裝置與verticalalignment(va：垂直取向)模式等縱向電場模式的液晶顯示裝置相比，存在易于看到與像素電壓的極性反轉相伴的閃爍的問題。認為其原因是，當液晶層的液晶分子的取向發生與彎曲變形或展曲(スプレイ)變形相伴的變化時，會發生由液晶分子取向的不對稱導致的取向極化(稱為“撓曲極化”)。專利文獻1公開了通過將液晶材料的撓曲系數e11、e33、彈性常數k11、k33設為規定的范圍內來抑制由撓曲極化導致的閃爍的發生的液晶顯示裝置。另外，最近本申請的申請人制造并銷售了使用具備氧化物半導體層(例如in-ga-zn-o系半導體層)的tft的低功耗的液晶顯示裝置。具有in-ga-zn-o系半導體層的tft具有高遷移率(與a-sitft相比超過20倍)和低漏電電流(與a-sitft相比不到百分之一)。當使用具有in-ga-zn-o系半導體層的tft作為像素tft時，由于漏電電流小，因此通過應用中止驅動(有時也稱為低頻驅動)，能降低功耗。例如在專利文獻2中記載了中止驅動法。為了參考，在本說明書中引用專利文獻2的全部公開內容。在中止驅動中，在通常的60hz驅動(1幀期間＝1/60秒)中反復進行在1幀期間(1/60秒)寫入圖像后在接下來的59幀期間(59/60秒)不寫入圖像這一循環。該中止驅動由于在1秒內僅寫入1次圖像，因此有時也稱為1hz驅動。在此，中止驅動是指具有比寫入圖像的期間長的中止期間的驅動方法或者幀頻率不到60hz的低頻驅動。看到閃爍的容易度依賴于頻率。例如在60hz時并不明顯的亮度變化當頻率小于60hz時、特別是為30hz以下時也易于被看成閃爍。特別是，已知亮度以10hz附近的頻率發生變化時，閃爍會非常明顯。現有技術文獻專利文獻專利文獻1：特開2010-282037號公報專利文獻2：國際公開第2013/008668號公報技術實現要素：發明要解決的問題本申請的發明人在橫向電場模式的液晶顯示裝置中應用了上述中止驅動后，發現會產生通過專利文獻1所公開的技術無法應對的閃爍。本發明是鑒于上述問題而完成的，其目的在于提供即使以不到60hz的頻率驅動也不易看到閃爍的橫向電場模式的液晶顯示裝置。用于解決問題的方案本發明的實施方式的液晶顯示裝置具備：第1基板和第2基板，其以相互相對的方式設置；以及液晶層，其設置于上述第1基板和上述第2基板之間，上述液晶顯示裝置具有按矩陣狀排列的多個像素，在上述液晶顯示裝置中，上述第1基板具有：第1電極和第2電極，其能在上述液晶層中生成橫向電場；以及取向膜，其以與上述液晶層接觸的方式設置，規定作為未對上述液晶層施加電場時的液晶分子的取向軸方位的初始取向軸方位，上述第1電極具有至少1個狹縫，在上述多個像素中的每一像素中，上述取向膜具有：第1區域，其與上述第1電極的上述至少1個狹縫對應；以及第2區域，其與上述第1電極的上述至少1個狹縫以外的部分對應，由上述取向膜的上述第1區域規定的初始取向軸方位不同于由上述取向膜的上述第2區域規定的初始取向軸方位。在某實施方式中，本發明的液晶顯示裝置還具備至少隔著上述液晶層相互相對的一對偏振板，上述一對偏振板以正交尼科耳配置，上述一對偏振板中的一個偏振板的偏振軸大致平行于由上述第1區域規定的初始取向軸方位和由上述第2區域規定的初始取向軸方位中的、與上述至少1個狹縫的延伸方向形成的角度較大的初始取向軸方位。在某實施方式中，由上述第1區域規定的初始取向軸方位與上述至少1個狹縫的延伸方向形成的角度和由上述第2區域規定的初始取向軸方位與上述至少1個狹縫的延伸方向形成的角度中的較大的角度是4°以上且15°以下，較小的角度是3°以上且14°以下。在某實施方式中，上述第1電極隔著電介質層設置于上述第2電極上，上述第1基板從上述液晶層側起按順序具有上述取向膜、上述第1電極、上述電介質層和上述第2電極。在某實施方式中，本發明的液晶顯示裝置能進行在1幀中設置對上述多個像素中的每一像素供應顯示信號電壓的信號供應期間和對上述多個像素中的每一像素不供應顯示信號電壓的中止期間的中止驅動。在某實施方式中，上述第1基板具有設置于上述多個像素中的每一像素的薄膜晶體管，上述薄膜晶體管具有包含氧化物半導體的半導體層。在某實施方式中，上述氧化物半導體包含in-ga-zn-o系半導體。在某實施方式中，上述in-ga-zn-o系半導體包含結晶質部分。發明效果根據本發明的實施方式，可提供即使按不到60hz的頻率驅動也不易看到閃爍的橫向電場模式的液晶顯示裝置。附圖說明圖1(a)是示意性地表示本發明的實施方式的液晶顯示裝置100的俯視圖，圖1(b)是沿著(a)中的1b-1b’線的截面圖。圖2(a)是表示與圖1(a)中的區域r2a對應的部分的俯視圖，圖2(b)是沿著圖1(a)中的2b-2b’線的截面圖。圖3是表示在液晶顯示裝置100中施加電壓時液晶分子lc旋轉的方向的圖。圖4是表示在橫向電場模式的液晶顯示裝置中進行了中止驅動時的標準化亮度的時間變化的坐標圖。圖5(a)和圖5(b)分別是示意性地表示比較例的液晶顯示裝置900的俯視圖和截面圖。圖5(c)是表示施加正極性的像素電壓時(100msec時點)以及像素電壓的極性剛從正反轉為負后(106msec時點)的亮度分布的坐標圖，圖5(d)是表示施加負極性的像素電壓時(200msec時點)以及像素電壓的極性剛從負反轉為正后(206msec時點)的亮度分布的坐標圖。圖6是表示初始取向角度為3°、7°、11°和15°時的vt特性(像素電壓與標準化透射率的關系)的坐標圖。圖7是表示初始取向角度為3°、7°、11°和15°時的響應特性(時間與標準化亮度的關系)的坐標圖。圖8是表示液晶顯示裝置100的其它構成的圖，是表示與圖1(a)中的區域r2a對應的部分的俯視圖。圖9是表示液晶顯示裝置100所具備的一對偏振板的優選配置的圖。圖10是表示將取向膜18的第1區域18a中的初始取向角度θ1設為3°、將第2區域18b中的初始取向角度θ2設為15°、將一對偏振板中的一個偏振板的偏振軸a1配置為與由第2區域18b規定的初始取向軸方位d2大致平行時的vt特性的坐標圖。圖11是表示初始取向角度為3°、7°、11°、15°和19°時的vt特性(像素電壓與標準化亮度的關系)的坐標圖。圖12(a)是表示在實施例1中施加正極性的像素電壓時(100msec時點)以及像素電壓的極性剛從正反轉為負后(106msec時點)的亮度分布的坐標圖，圖12(b)是表示在比較例的液晶顯示裝置900和實施例1中100msec時點的亮度分布與106msec時點的亮度分布的差的坐標圖。圖13(a)是表示在實施例1中施加負極性的像素電壓時(200msec時點)以及像素電壓的極性剛從負反轉為正后(206msec時點)的亮度分布的坐標圖，圖13(b)是表示在比較例的液晶顯示裝置900和實施例1中200msec時點的亮度分布與206msec時點的亮度分布的差的坐標圖。圖14是表示在比較例的液晶顯示裝置900和實施例1中進行了10hz驅動的中止驅動時的標準化亮度的時間變化的坐標圖。圖15是表示在比較例的液晶顯示裝置900和實施例1中進行了10hz的中止驅動時的閃爍率的坐標圖。圖16(a)是表示在實施例2中施加正極性的像素電壓時(100msec時點)以及像素電壓的極性剛從正反轉為負后(106msec時點)的亮度分布的坐標圖，圖16(b)是表示在比較例的液晶顯示裝置900和實施例2中100msec時點的亮度分布與106msec時點的亮度分布的差的坐標圖。圖17(a)是表示在實施例2中施加負極性的像素電壓時(200msec時點)以及像素電壓的極性剛從負反轉為正后(206msec時點)的亮度分布的坐標圖，圖17(b)是表示在比較例的液晶顯示裝置900和實施例2中200msec時點的亮度分布與206msec時點的亮度分布的差的坐標圖。圖18(a)和圖18(b)是表示在比較例的液晶顯示裝置900和實施例2中進行了10hz驅動的中止驅動時的標準化亮度的時間變化的坐標圖。圖19是表示在比較例的液晶顯示裝置900和實施例2中進行了10hz的中止驅動時的閃爍率的坐標圖。圖20是用于說明針對取向膜18和28的光取向處理的圖。圖21(a)和圖21(b)是用于說明針對取向膜18和28的摩擦處理的圖。圖22(a)和圖22(b)是示意性地表示本發明的實施方式的液晶顯示裝置100的其它構成的截面圖。圖23(a)是用于說明“取向軸方位”、“取向方位”和“取向方向”的立體圖，圖23(b)是用于說明相對于取向膜主面規定的極角θ和方位角的立體圖。具體實施方式以下，參照附圖來說明本發明的實施方式。在以下的說明中，需要準確地記述液晶分子的取向方向，因此，對用于表述“取向方向”的用語進行定義。這是因為，雖然“方向”一般是由三維空間內的向量表示，但有時不需要區分顯示面內(二維面內)的方向、正方向與負方向(相互相差180°的2個方向)。首先，參照圖23(a)和圖23(b)來說明本說明書中的“取向軸方位”、“取向方位”以及“取向方向”這些用語。如圖23(a)所示，液晶分子lc典型地是以相對于取向膜主面(xy面)具有指定的預傾角β的方式取向。此時，考慮從液晶分子lc中的離xy面較近的端部朝向較遠的端部(圖23(a)中用小的白圈示出的端部)的向量。將該向量在xy面內的分量(向xy面內的投影)所示出的朝向稱為“取向方位”。能使用圖23(b)所示的方位角在0°～360°的范圍內表示“取向方位”。另外，將由該“取向方位”以及與該取向方位相差180°的取向方位(相反朝向)規定的直線的方向稱為“取向軸方位”。“取向軸方位相同”的情況可以是指取向方位相同的關系，也可以是指取向方位相差180°的關系。此外，“取向方向”是指三維方向(為液晶分子的長軸方向，將圖23(b)所示的極角θ也考慮在內的方向)。以下，參照附圖來說明本發明的實施方式。此外，以下例示ffs模式的液晶顯示裝置，但本發明的實施方式不限于ffs模式的液晶顯示裝置，還能應用于ips模式的液晶顯示裝置。在圖1(a)和圖1(b)中示出本發明的實施方式的液晶顯示裝置100。圖1(a)和圖1(b)分別是示意性地表示液晶顯示裝置100的俯視圖和截面圖。圖1(a)示出與液晶顯示裝置100的1個像素px對應的區域，圖1(b)示出沿著圖1(a)中的1b-1b’線的截面。液晶顯示裝置100具備：有源矩陣基板(第1基板)10和相對基板(第2基板)20，其以相互相對的方式設置；以及液晶層30，其設置于有源矩陣基板10與相對基板20之間。另外，液晶顯示裝置100具有按矩陣狀排列的多個像素px。而且，在此雖未圖示，但液晶顯示裝置100具備一對偏振板。一對偏振板以至少隔著液晶層30相互相對的方式設置(典型地是設置在有源矩陣基板10和相對基板20各自的與液晶層30相反的一側)。這些偏振板以正交尼科耳配置。即，如圖1(a)所示，一對偏振板中的一個偏振板的偏振軸(吸收軸)a1與另一個偏振板的偏振軸(吸收軸)a2大致正交。有源矩陣基板10具有：第1電極11和第2電極12，其能在液晶層30中生成橫向電場；以及取向膜18，其以與液晶層30接觸的方式設置。第1電極11和第2電極12中的一方是像素電極，另一方是共用電極。在此，例示第1電極11是像素電極，第2電極12是共用電極的構成。第1電極11電連接到按每一像素px設置的薄膜晶體管(tft)的漏極電極，經由tft被供應顯示信號電壓。第1電極11由透明的導電材料(例如ito)形成。第1電極11具有至少1個(圖1所示的例子中為多個)狹縫11a和多個細長電極部分(枝部)11b。多個細長電極部分11b相互大致平行地延伸。各狹縫11a形成于相鄰的細長電極部分11b之間。細長電極部分11b彼此通過連接部(干部)11c電連接。在圖1(a)所例示的構成中，狹縫11a和細長電極部分11b在像素px的上半部分和下半部分是向不同的方向延伸的。具體地，狹縫11a和細長電極部分11b在像素px的上半部分向相對于顯示面的垂直方向按順時針傾斜了指定的角度θ的方向延伸，在像素px的下半部分向相對于顯示面的垂直方向按逆時針傾斜了上述角度θ的方向延伸。此外，狹縫11a的數量和細長電極部分11b的數量不限于例示的數量。另外，狹縫11a的寬度、細長電極部分11b的寬度也沒有特別限制。第1電極11隔著電介質層13設置于第2電極12上。即，有源矩陣基板10從液晶層30側起按順序具有取向膜18、第1電極11、電介質層13和第2電極12。電介質層13例如由無機絕緣材料形成。第2電極12被供應共用電壓。第2電極12典型地是整面電極(沒有設置狹縫等的電極)。第2電極12由透明的導電材料(例如ito)形成。取向膜18規定作為未對液晶層30施加電場時的液晶分子的取向軸方位的初始取向軸方位。取向膜18如后面詳述的，具有所規定的初始取向軸方位不同的多個區域。在本實施方式中，取向膜18是光取向膜，主要作為規定液晶分子的取向方位的水平取向膜發揮功能。由取向膜18規定的液晶分子的預傾角典型地設定為1°以下。此外，優選液晶分子的預傾角是0.1°以上且1.0°以下。在本說明書中，“光取向膜”是指通過照射光(例如偏振紫外線)而被賦予取向限制力的取向膜。在國際公開第2009/157207號中記載了具備光取向膜的液晶顯示裝置，記載了例如通過對取向膜照射光從而形成光取向膜的技術，上述取向膜包括具有聚酰亞胺的主鏈和包含作為光反應性官能團的肉桂酸酯基的側鏈的高分子。為了參考，在本說明書中引用上述國際公開第2009/157207號的全部公開內容。有源矩陣基板10的構成要素由具有絕緣性的透明的基板(例如玻璃基板)10a支撐。在基板10a上設置有柵極金屬層。柵極金屬層包含tft的柵極電極和電連接到柵極電極的掃描配線(柵極總線)(均未圖示)。掃描配線對tft供應掃描信號電壓。以覆蓋柵極金屬層的方式設置有柵極絕緣層14。在柵極絕緣層14上設置有作為tft的活性層的氧化物半導體層(未圖示)。通過使用由氧化物半導體形成的半導體層，可得到對實現低頻驅動來說合適的元件特性(截止特性)。氧化物半導體層例如包含in-ga-zn-o系的半導體(以下略稱為“in-ga-zn-o系半導體”。)。在此，in-ga-zn-o系半導體是in(銦)、ga(鎵)、zn(鋅)的三元系氧化物，in、ga和zn的比例(組成比)沒有特別限定，例如包括in：ga：zn＝2：2：1、in：ga：zn＝1：1：1、in：ga：zn＝1：1：2等。在本實施方式中，氧化物半導體層可以是例如按in：ga：zn＝1：1：1的比例包含in、ga、zn的in-ga-zn-o系半導體層。具有in-ga-zn-o系半導體層的tft具有高遷移率(與a-sitft相比超過20倍)和低漏電電流(與a-sitft相比不到百分之一)，因此適于用作驅動tft和像素tft。若使用具有in-ga-zn-o系半導體層的tft，則能大幅度削減液晶顯示裝置100的功耗。in-ga-zn-o系半導體既可以是非晶的，也可以包含結晶質部分，具有結晶性。作為結晶質in-ga-zn-o系半導體，優選c軸與層面大致垂直地取向的結晶質in-ga-zn-o系半導體。這種in-ga-zn-o系半導體的結晶結構例如公開在特開2012-134475號公報中。為了參考，在本說明書中引用特開2012-134475號公報的全部公開內容。氧化物半導體層也可以包含代替in-ga-zn-o系半導體的其它氧化物半導體。例如也可以包含zn-o系半導體(zno)、in-zn-o系半導體(izo(注冊商標))、zn-ti-o系半導體(zto)、cd-ge-o系半導體、cd-pb-o系半導體、cdo(氧化鎘)、mg-zn-o系半導體、in-sn-zn-o系半導體(例如in2o3-sno2-zno)、in-ga-sn-o系半導體等。在氧化物半導體層上設置有源極金屬層。源極金屬層包含tft的源極電極、漏極電極(均未圖示)和電連接到源極電極的信號配線(源極總線)15。信號配線15對tft供應顯示信號電壓。以覆蓋源極金屬層的方式設置有保護層16。保護層16例如由無機絕緣材料形成。在保護層16上設置有機層間絕緣層17。有機層間絕緣層17例如由具有感光性的樹脂材料形成。在有機層間絕緣層17上按順序層疊有第2電極12、電介質層13、第1電極11和取向膜18。相對基板20具有：遮光層21和彩色濾光片層22；以及以與液晶層30接觸的方式設置的取向膜28。遮光層(也稱為“黑矩陣”)21例如由具有感光性的黑色樹脂材料形成。彩色濾光片層22包含紅彩色濾光片22r、綠彩色濾光片22g和藍彩色濾光片22b。紅彩色濾光片22r、綠彩色濾光片22g和藍彩色濾光片22b例如由具有感光性的著色樹脂材料形成。由取向膜28規定的液晶分子的取向方位與由取向膜18規定的液晶分子的取向方位平行或者反向平行。在本實施方式中，取向膜28是光取向膜，主要作為規定液晶分子的取向方位的水平取向膜發揮功能。由取向膜28規定的液晶分子的預傾角也典型地設定為1°以下。另外，優選由取向膜28規定的液晶分子的預傾角也是0.1°以上且1.0°以下。在本實施方式中，以覆蓋遮光層21和彩色濾光片層22的方式設置有有機平坦化層23，在該有機平坦化層23上設置有取向膜28。有機平坦化層23例如由具有感光性的樹脂材料形成。相對基板20的構成要素由具有絕緣性的透明的基板(例如玻璃基板)20a支撐。在基板20a的與液晶層30相反的一側的表面設置有用于防止帶電的透明導電層26。透明導電層26例如被施加0v的電位。液晶層30包含介電各向異性為正的向列液晶材料，液晶層30中的液晶分子通過取向膜18和28的取向限制力大致水平地取向。如已經說明的，取向膜18在各像素px中具有所規定的初始取向軸方位不同的多個區域。以下還參照圖2(a)和圖2(b)來說明該點。圖2(a)是表示與圖1(a)中的區域r2a對應的部分的俯視圖，圖2(b)是沿著圖1(a)中的2b-2b’線的截面圖。此外，在圖2(a)和圖2(b)中，省略在圖1(a)和圖1(b)中示出的構成要素的一部分。如圖2(a)和圖2(b)所示，在各像素px中，取向膜18具有：第1區域18a，其與第1電極11的狹縫11a對應；以及第2區域18b，其與第1電極11的狹縫11a以外的部分(主要是細長電極部分11b)對應。由取向膜18的第1區域18a規定的液晶分子lc的初始取向軸方位d1與由取向膜18的第2區域18b規定的液晶分子lc的初始取向軸方位d2相互不同。在圖2(a)所示的例子中，由第1區域18a規定的初始取向軸方位d1與狹縫11a的延伸方向形成的角度(以下有時也稱為“初始取向角度”)θ1比由第2區域18b規定的初始取向軸方位d2與狹縫11a的延伸方向形成的角度θ2小。第1區域18a中的初始取向角度θ1例如為3°，第2區域18b中的初始取向角度θ2例如為15°。這樣，取向膜18具有規定相互不同的初始取向軸方位d1、d2的2種區域(第1區域18a和第2區域18b)。此外，如本實施方式那樣，在相對基板20側也設置有取向膜28的情況下，由該取向膜28規定的取向方位在與取向膜18的第1區域18a相對的區域中與由第1區域18a規定的取向方位平行或者反向平行，在與取向膜18的第2區域18b相對的區域中，與由第2區域18b規定的取向方位平行或者反向平行。即，取向膜28在與第1電極11的狹縫11a對應的區域和與狹縫11a以外的部分對應的區域中規定不同的取向方位。當對第1電極11與第2電極12之間施加電壓時，會生成與狹縫11a的延伸方向正交的方向的橫向電場(邊緣電場)。如圖3所示，液晶分子lc以其取向方向接近該橫向電場的方向的方式旋轉。此外，在圖3中示出圖1(a)中的區域r2a中的液晶分子lc的取向方向的變化。即，示出像素px的下半部分的取向方向的變化。根據圖3可知，在像素px的下半部分，在施加電壓時液晶分子lc按順時針旋轉。而在像素px的上半部分，在施加電壓時液晶分子lc按逆時針旋轉。液晶顯示裝置100能進行中止驅動。在顯示靜止圖像時等，通過進行中止驅動(例如以1hz～數hz的頻率改寫圖像數據)，能大幅度削減功耗。在一般的60hz驅動的液晶顯示裝置中，按每1個垂直掃描期間(約1/60秒)對像素供應顯示信號電壓。即，在60hz驅動中，在1秒內對像素施加60次顯示信號。而在中止驅動中，在指定的垂直掃描期間對像素供應顯示信號電壓，在其后的單個或者多個垂直掃描期間不供應顯示信號電壓。即，在中止驅動中，在1幀中設置對各像素供應顯示信號電壓的信號供應期間和對各像素不供應顯示信號電壓的中止期間。例如，驅動頻率為1hz的中止驅動可以如下執行：在1個垂直掃描期間(60hz驅動的1個垂直掃描期間：1/60秒)對像素供應顯示信號電壓后，在該垂直掃描期間之后接下來的59個垂直掃描期間(59/60秒)中不將顯示信號供應給像素而將其中止。此外，在中止驅動中，為了對像素施加所希望的顯示信號電壓，也可以在多個垂直掃描期間內供應電壓。例如也可以在最初的3個垂直掃描期間對像素供應顯示信號電壓，將其后的57個垂直掃描期間設為中止期間。根據以上說明可知，在本申請說明書中，將為了對像素供應某顯示信號而分配的期間稱為1幀。在1hz的中止驅動中，1幀包含60個垂直掃描期間，其中適當地設定信號供應期間和中止期間。此外，在上述60hz驅動的情況下，1幀與1個垂直掃描期間對應。另外，根據上述說明可以理解，在本說明書中“驅動頻率”這一用語與1幀期間(秒)的倒數對應。例如在通過中止驅動將驅動頻率設定為10hz的情況下，1幀期間是0.1秒。如上所述，在本實施方式的液晶顯示裝置100中，在各像素px中，取向膜18具有規定相互不同的初始取向軸方位d1、d2的2種區域(第1區域18a和第2區域18b)。由此，即使通過不到60hz的頻率驅動，也能不易看到由撓曲極化導致的閃爍。以下說明其原因，但在此之前說明撓曲極化及其導致的閃爍。在向列液晶中，各個液晶分子雖然具有永久偶極矩并極化，但是由于分子排列的對稱性，在平衡狀態下不會發生宏觀的極化。但是，由于電場分布的急劇變化，液晶分子在試圖使其取向方向一致而排列時會成為局部的展曲取向或者彎曲取向(即分子排列的對稱性被破壞)，發生宏觀的極化。該極化(撓曲電效應導致的極化)是撓曲極化。在專利文獻1中記載了在ffs模式的液晶顯示裝置中由于撓曲極化而在對液晶層施加正極性的電壓時與施加負極性的電壓時產生透射率的差異。根據專利文獻1，該撓曲極化是由在液晶層中生成的電場(用拱形電力線表示)的取向限制力與有源矩陣基板側的取向膜的取向限制力的沖突而產生的局部的(有源矩陣基板側的取向膜與液晶層的界面附近的)展曲取向造成的。撓曲極化的方向隨著對液晶層施加的極性的反轉而反轉，因此像素內的暗線(由于撓曲極化而產生)隨之移動，而看到閃爍。在專利文獻1中記載了將液晶材料的撓曲系數e11、e33、彈性系數k11、k33設為指定的范圍內從而能抑制上述閃爍。然而，本申請的發明人在橫向電場模式的液晶顯示裝置中應用了上述中止驅動后，發現會產生通過專利文獻1中公開的技術無法應對的閃爍。在圖4中示出在橫向電場模式的液晶顯示裝置中進行了中止驅動時的標準化亮度的時間變化。此外，在圖4中還一并示出像素電壓的波形。在圖4所示的例子中，通過中止驅動使驅動頻率成為10hz(即1幀期間為100msec)，像素電壓的極性按每100msec反轉。具體地，對第1幀(0～100msec)施加正極性的像素電壓，對第2幀(100msec～200msec)施加負極性的像素電壓，對第3幀(200msec～300msec)施加正極性的像素電壓。根據圖4可知，在極性反轉時會發生亮度下降。該亮度下降被看成閃爍。此外，在極性反轉時亮度如向下的角(つ)那樣下降，所以下面將該現象還稱為“下角響應”。本申請的發明人進行了模擬后發現：即使將液晶材料的撓曲系數e11、e33或彈性系數k11、k33設定為專利文獻1中公開的范圍內，也無法改善上述閃爍(下角響應)。下面，說明發生下角響應的原因。撓曲極化伴隨著電位差，因此施加電場時的液晶分子的旋轉量成為：與撓曲極化所致的電位差相當的量的旋轉量疊加于施加電場所致的旋轉量后的量。因此，像素內液晶分子的旋轉量產生大小差異，成為亮暗差。在此，以圖4所示的情況為例，進一步參照圖5(a)～圖5(d)來進行更具體的說明。圖5(a)和圖5(b)分別是示意性地表示比較例的液晶顯示裝置900的俯視圖和截面圖，是相當于與本實施方式的液晶顯示裝置100有關的圖2(a)和圖2(b)的圖。圖5(c)是表示施加正極性的像素電壓時(100msec時點)以及像素電壓的極性剛從正反轉為負后(106msec時點)的亮度分布(相對亮度和橫向(圖5(a)和圖5(b)的左右方向)的距離的關系)的坐標圖，圖5(d)是表示施加負極性的像素電壓時(200msec時點)以及像素電壓的極性剛從負反轉為正后(206msec時點)的亮度分布的坐標圖。圖5(a)和圖5(b)所示的比較例的液晶顯示裝置900與本實施方式的液晶顯示裝置100的不同之處在于，通過取向膜918對像素整體規定1個初始取向軸方位d3。在液晶顯示裝置900中，由取向膜918的與像素電極11的狹縫11a對應的區域918a規定的初始取向軸方位d3與由取向膜918的與狹縫11a以外的部分(主要是細長電極部分11b)對應的區域918b規定的初始取向軸方位d3相同。初始取向軸方位d3與狹縫11a的延伸方向形成的角度θ3在此為15°。在對像素電極11與共用電極12之間施加了指定的電壓時、即在施加正極性的像素電壓時和在施加負極性的像素電壓時，在有源矩陣基板10附近，液晶分子lc均成為展曲取向，由此發生撓曲極化。該撓曲極化是由于在液晶層30中生成的電場的取向限制力與有源矩陣基板10側的取向膜918的取向限制力的沖突而產生的。不過，撓曲極化的方向在像素電壓的極性為正時和為負時是不同的。即，隨著像素電壓的極性的反轉，撓曲極化的方向也反轉。另外，在像素電壓的極性剛反轉后，撓曲極化緩和(消失)。圖5(c)和圖5(d)所示的亮度分布是通過模擬得到的。作為模擬軟件，使用了shintek株式會社制lcdmaster。由撓曲極化導致的閃爍在進行低灰度級(例如256灰度級顯示的液晶顯示裝置的64灰度級：與標準化透射率為5％對應)顯示的情況下易于被看到，因此模擬時的像素電壓設為與64灰度級顯示對應的電壓(具體為1.35v：參照后述的表2)。將單元厚度(液晶層的厚度)設為3.0μm，將電介質層的厚度設為0.3μm。第1電極(像素電極)11的狹縫11a的寬度和細長電極部分11b的寬度分別設為5.0μm和3.0μm。構成液晶層30的正型液晶材料的物理性質值如下述的表1所示。此外，當使像素電壓的極性反轉時，施加正極性的電壓時的亮度(透射率)與施加負極性的電壓時的亮度(透射率)有時會產生差。通過對共用電壓(vcom)施加指定的dc電壓來調整該透射率的不對稱性。在比較例中，偏移后的共用電壓是0.017v。[表1]根據圖5(c)所示的100msec時點的亮度分布可知，在像素電壓的極性為正時，像素電極11的狹縫11a上亮，細長電極部分11b上暗。另外，根據106msec時點的亮度分布可知，當像素電壓的極性從正反轉為負時，狹縫11a上的亮度下降，并且細長電極部分11b上的亮度上升。此時，與細長電極部分11b上的亮度的上升相比，狹縫11a上的亮度的下降較大，因此，平均亮度(像素px整體的亮度)下降。另一方面，根據圖5(d)所示的200msec時點的亮度分布可知，在像素電壓的極性為負時，像素電極11的細長電極部分11b上亮，狹縫11a上暗。另外，根據206msec時點的亮度分布可知，當像素電壓的極性從負反轉為正時，細長電極部分11b上的亮度下降，并且狹縫11a上的亮度上升。此時，與狹縫11a上的亮度的上升相比，細長電極11b上的亮度的下降較大，因此，平均亮度下降。這樣，在像素電壓的極性反轉時，像素px的亮度下降，被看成閃爍。并且，當進行中止驅動時，這種閃爍會變得明顯。根據上述原因，會發生由撓曲極化導致的下角響應(閃爍)。在本實施方式的液晶顯示裝置100中，取向膜18具有第1區域18a和第2區域18b，由此，即使按不到60hz的頻率驅動，也能不易看到由撓曲極化導致的閃爍。下面，說明通過模擬對這一點進行驗證的結果。作為模擬的條件，使用了已經說明過的條件(在亮度分布的計算中使用的條件)。首先，通過模擬驗證了vt特性的初始取向角度依賴性。在圖6中，示出初始取向角度(初始取向軸方位與狹縫11a的延伸方向形成的角度)為3°、7°、11°和15°時的vt特性(像素電壓與標準化透射率的關系)。根據圖6可知，vt特性根據初始取向角度的大小而不同。具體地，初始取向角度越小(即按15°、11°、7°和3°的順序)，標準化透射率成為最大的電壓越低。此外，根據圖6所示的結果，可得到與各灰度級對應的電壓。初始取向角度為3°、7°、11°和15°時的與64灰度級顯示對應的電壓如下述的表2所示。[表2]初始取向角度3°7°11°15°64灰度級電壓1.71v1.53v1.42v1.35v接著，驗證了響應特性的初始取向角度依賴性。在圖7中，示出初始取向角度為3°、7°、11°和15°時的響應特性(時間與標準化亮度的關系)。根據圖7可知，響應特性根據初始取向角度的大小而不同。具體地，初始取向角度越小(即按15°、11°、7°和3°的順序)，像素電壓的極性反轉時的亮度的下降越小。這樣，通過減小初始取向角度能抑制極性剛反轉后的亮度下降。在本實施方式的液晶顯示裝置100中，取向膜18具有所規定的初始取向軸方位不同的多個區域(第1區域18a和第2區域18b)。因此，通過減小本來在極性反轉時亮度下降大的區域的初始取向角度，從而能有效地抑制亮度下降。因而，在本實施方式的液晶顯示裝置100中，即使按不到60hz的頻率進行驅動，也能不易看到由撓曲極化導致的閃爍(下角響應)。通過減小初始取向角度而可抑制亮度下降的機理雖然尚不明確，但認為是，若初始取向角度小，則在撓曲極化緩和時，液晶分子lc的恢復旋轉角度變大，由此，液晶分子lc的彈力變大，其結果是，恢復時間縮短，能抑制亮度下降(下角響應)。此外，在圖2(a)中例示了取向膜18的第1區域18a中的初始取向角度θ1比第2區域18b中的初始取向角度θ2小的構成。與此相反，如圖8所示，也可以是第1區域18a中的初始取向角度θ1比第2區域18b中的初始取向角度θ2大的構成。在此，說明一對偏振板的優選配置。如已說明的，一對偏振板以正交尼科耳配置。如圖9所示，優選一對偏振板中的一個偏振板的偏振軸a1大致平行于由第1區域18a規定的初始取向軸方位d1和由第2區域18b規定的初始取向軸方位d2中的、與狹縫11a的延伸方向形成的角度較大的初始取向軸方位(在圖9所示的例子中為由第2區域18b規定的初始取向軸方位d2)。通過采用圖9所示的配置，能充分地降低黑顯示狀態的亮度，能充分地提高對比度比。在圖10中示出將第1區域18a中的初始取向角度θ1設為3°、將第2區域18b中的初始取向角度θ2設為15°、將一對偏振板中的一個偏振板的偏振軸a1配置為與由第2區域18b規定的初始取向軸方位d2大致平行時的vt特性。根據圖10可知，未施加電壓時的標準化亮度大于零，當使電壓從0v增加時，標準化亮度一度減少并在取得極小值(大致為零)后上升。在通過施加電壓使第1區域18a(初始取向角度相對較小的區域)上的液晶分子lc的取向方位與偏振軸a1一致時，標準化亮度取得極小值，通過將此時的電壓(圖10所示的例子中為約1.8v)設為黑顯示電壓，從而能充分地提高對比度比。此外，第1區域18a中的初始取向角度θ1和第2區域18b中的初始取向角度θ2只要相互不同即可，不限于例示的值。不過，優選第1區域18a中的初始取向角度θ1和第2區域18b中的初始取向角度θ2中較大的角度是4°以上且15°以下，并優選較小的角度是3°以上且14°以下。下面，說明其原因。首先，偏振板的軸精度、制造工藝精度被設想為±1°左右，所以可以說優選初始取向角度θ1和θ2的下限值是3°～4°左右。在圖11中示出初始取向角度為3°、7°、11°、15°和19°時的vt特性(像素電壓與標準化透射率的關系)。此外，圖11所示的vt特性是將初始取向角度為3°時的最大透射率設為100％而進行了透射率的標準化的vt特性。根據圖11可知，角度越小，則最大透射率越高，另外，以更低的電壓取得最大透射率。例如在19°的情況下，與3°的情況相比，最大透射率低了約8％，取得最大透射率的電壓高了約0.6v。因此，從低功耗的觀點出發，優選初始取向角度θ1和θ2的上限值是14°～15°左右。在15°的情況下，與3°的情況比較時的最大透射率的下降為約8％，取得最大透射率的電壓的上升為約0.3v，對低功耗性的不良影響比較輕微。根據上述原因，優選第1區域18a中的初始取向角度θ1和第2區域18b中的初始取向角度θ2中較大的角度是4°以上且15°以下，較小的角度是3°以上且14°以下。在此，針對本發明的實施方式的液晶顯示裝置100，說明通過模擬驗證了使像素電壓的極性反轉時的亮度下降的抑制效果的結果。作為模擬的條件，使用了已經說明過的條件。(實施例1)首先，作為實施例1，說明取向膜18的第1區域18a(與狹縫11a對應的區域)中的初始取向角度θ1為3°、第2區域18b(主要與細長電極部分11b對應的區域)中的初始取向角度θ2為15°時的驗證結果。此外，共用電壓是0.000v。在圖12(a)中，示出施加正極性的像素電壓時(100msec時點)以及像素電壓的極性剛從正反轉為負后(106msec時點)的亮度分布。根據圖12(a)可知，在像素電壓的極性為正時，像素電極11的狹縫11a上(圖12(a)中的區域s)亮，細長電極部分11b上(圖12(a)中的區域e)暗。另外，當像素電壓的極性從正反轉為負時，狹縫11a上的亮度下降，并且細長電極部分11b上的亮度上升。此時，與細長電極部分11b上的亮度的上升相比，狹縫11a上的亮度的下降較大，因此平均亮度下降。不過，根據圖12(a)與圖5(c)的比較可知，平均亮度的下降量少于比較例的液晶顯示裝置900的平均亮度的下降量。在圖12(b)中，示出比較例的液晶顯示裝置900和實施例1的100msec時點的亮度分布與106msec時點的亮度分布的差。根據圖12(b)也可知，在實施例1中，與比較例的液晶顯示裝置900相比，平均亮度的下降量較少。在圖13(a)中，示出施加負極性的像素電壓時(200msec時點)以及像素電壓的極性剛從負反轉為正后(206msec時點)的亮度分布。根據圖13(a)可知，在像素電壓的極性為負時，像素電極11的細長電極部分11b上(圖13(a)中的區域e)亮，狹縫11a上(圖13(a)中的區域s)暗。另外，當像素電壓的極性從負反轉為正時，細長電極部分11b上的亮度下降，并且狹縫11a上的亮度上升。此時，與狹縫11a上的亮度的上升相比，細長電極部分11b上的亮度的下降較大，因此平均亮度下降。不過，根據圖13(a)與圖5(d)的比較可知，平均亮度的下降量少于比較例的液晶顯示裝置900的平均亮度的下降量。在圖13(b)中，示出比較例的液晶顯示裝置900和實施例1的200msec時點的亮度分布與206msec時點的亮度分布的差。根據圖13(b)也可知，實施例1與比較例的液晶顯示裝置900相比，平均亮度的下降量較少。在圖14中，示出比較例的液晶顯示裝置900和實施例1的通過模擬對進行了10hz驅動的中止驅動時的標準化亮度的時間變化進行計算的結果。在此，示出對奇數幀施加負極性的像素電壓、對偶數幀施加正極性的像素電壓的例子。根據圖14可知，在實施例1中，像素電壓的極性從負反轉為正時的亮度下降以及像素電壓的極性從正反轉為負時的亮度下降這兩者與比較例的液晶顯示裝置900中相比進一步被抑制。在圖15中，示出比較例的液晶顯示裝置900和實施例1的對進行了10hz的中止驅動時的閃爍率進行計算的結果。此外，閃爍率本來是將透射率(標準化透射率)的最大值tmax與最小值tmin之差δt(＝tmax-tmin)除以累計平均透射率tave而得到的值，但在圖15中用將比較例的閃爍率設為100％的相對值表示閃爍率。根據圖15可知，在實施例1中，與比較例的液晶顯示裝置900相比閃爍率較低，閃爍率改善了8％～19％。(實施例2)接著，作為實施例2，說明取向膜18的第1區域18a(與狹縫11a對應的區域)中的初始取向角度θ1為7°、第2區域18b(主要與細長電極部分11b對應的區域)中的初始取向角度θ2為3°時的驗證結果。此外，共用電壓是0.020v。在圖16(a)中，示出施加正極性的像素電壓時(100msec時點)以及像素電壓的極性剛從正反轉為負后(106msec時點)的亮度分布。根據圖16(a)可知，在像素電壓的極性為正時，像素電極11的狹縫11a上(圖16(a)中的區域s)亮，細長電極部分11b上(圖16(a)中的區域e)暗。另外，當像素電壓的極性從正反轉為負時，狹縫11a上的亮度下降，并且細長電極部分11b上的亮度上升。此時，與細長電極部分11b上的亮度的上升相比，狹縫11a上的亮度的下降較大，因此平均亮度下降。不過，根據圖16(a)與圖5(c)的比較可知，平均亮度的下降量少于比較例的液晶顯示裝置900的平均亮度的下降量。在圖16(b)中，示出比較例的液晶顯示裝置900和實施例2的100msec時點的亮度分布與106msec時點的亮度分布的差。根據圖16(b)也可知，在實施例2中，與比較例的液晶顯示裝置900相比，平均亮度的下降量較少。在圖17(a)中，示出施加負極性的像素電壓時(200msec時點)以及像素電壓的極性剛從負反轉為正后(206msec時點)的亮度分布。根據圖17(a)可知，在像素電壓的極性為負時，像素電極11的細長電極部分11b上(圖17(a)中的區域e)亮，狹縫11a上(圖17(a)中的區域s)暗。另外，當像素電壓的極性從負反轉為正時，細長電極部分11b上的亮度下降，并且狹縫11a上的亮度上升。此時，與狹縫11a上的亮度的上升相比，細長電極部分11b上的亮度的下降較大，因此平均亮度下降。不過，根據圖17(a)與圖5(d)的比較可知，平均亮度的下降量少于比較例的液晶顯示裝置900的平均亮度的下降量。在圖17(b)中，示出比較例的液晶顯示裝置900和實施例2的200msec時點的亮度分布與206msec時點的亮度分布的差。根據圖17(b)也可知，在實施例2中，與比較例的液晶顯示裝置900相比，平均亮度的下降量較少。在圖18中，示出比較例的液晶顯示裝置900和實施例2的通過模擬對進行了10hz驅動的中止驅動時的標準化亮度的時間變化進行計算的結果。在此，示出對奇數幀施加負極性的像素電壓、對偶數幀施加正極性的像素電壓的例子。根據圖18可知，在實施例2中，像素電壓的極性從負反轉為正時的亮度下降以及像素電壓的極性從正反轉為負時的亮度下降這兩者與比較例的液晶顯示裝置900中相比進一步被抑制。在圖19中，示出比較例的液晶顯示裝置900和實施例2的對進行了10hz的中止驅動時的閃爍率進行計算的結果。在圖19中，也用將比較例的閃爍率設為100％的相對值表示閃爍率。根據圖19可知，在實施例2中，與比較例的液晶顯示裝置900相比閃爍率較低，閃爍率改善了11％～18％。(制造方法)接著，說明本發明的實施方式的液晶顯示裝置100的制造方法。有源矩陣基板10能用公知的各種方法制作。柵極金屬層(包含tft的柵極電極和掃描配線)和源極金屬層(包含tft的源極電極、漏極電極和信號配線)例如分別由厚度為0.4μm的tin/al/tin層疊膜形成。柵極絕緣層14和電介質層13例如分別由厚度為0.2μm～0.5μm的sinx膜形成。保護層16例如由厚度為0.4μm的sinx膜形成。有機層間絕緣層17例如由厚度為2.5μm的丙烯酸系樹脂材料形成。第1電極(像素電極)11和相對電極(共用電極)12例如由厚度為0.1μm的ito膜形成。第1電極11的細長電極部分11b的寬度例如是3.0μm。另外，細長電極部分11b的間隔(狹縫11a的寬度)例如是5.0μm。相對基板20也能用公知的各種方法制作。遮光層21例如由黑色樹脂材料形成，其厚度例如是1.6μm。紅彩色濾光片22r、綠彩色濾光片22g和藍彩色濾光片22b例如分別由著色樹脂材料形成，其厚度例如為1.5μm。有機平坦化層23例如由丙烯酸系樹脂材料形成，其厚度例如為2.0μm。透明導電層26例如由厚度為20nm的ito膜形成。透明導電層26例如在液晶注入工序后通過濺射法形成。作為光取向膜的取向膜18和28例如能通過如下方式形成。首先，通過旋涂法等對有源矩陣基板10/相對基板20的表面涂敷光取向膜材料，通過進行燒制形成例如厚度為0.06μm～0.08μm的取向膜18/28。更具體地，將pvci(聚肉桂酸乙烯酯)系的光取向膜材料以固體成分濃度成為大致3.0wt％的方式混合到γ丁內酯中，調節旋轉涂布機的轉速(例如為1500rpm～2500rpm)將得到的溶液以厚度成為60nm～80nm的方式涂敷到設置于旋轉涂布機的有源矩陣基板10/相對基板20上。接下來，在加熱板上對基板進行預烘(例如以80℃進行1分鐘)和后烘(例如以180℃進行1小時)的燒制處理。其后，如圖20所示，經由具有在指定的方向上延伸的多個狹縫48s的掩模(線柵狹縫掩模)48對取向膜18/28照射偏振方向l1的直線偏振紫外線(偏振uv)，從而得到光取向膜18/28。例如在uv光源ls與取向膜18/28之間配置具有寬度為約7μm的狹縫48s的掩模48，將照射能量設定為1.5j/cm2而照射偏振uv。此時，例如按35μm/sec的速度沿著指定的方向d4掃描基板，從而能對樹脂膜整體進行光取向處理。此外，在此，使用表現出與偏振uv的偏振方向l1垂直的方向的取向限制力(用取向軸方位d1表示)的光取向膜材料。此外，在本發明的實施方式的顯示裝置100中，為了形成規定相互不同的初始取向軸方位d1和d2的2種區域(第1區域18a和第2區域18b)，對光取向膜18進行2次上述曝光工序。具體地，在取向膜18與線柵掩模48之間還配置有具有與對應于第1電極11的狹縫11a的區域對應的開口部的掩模(未圖示)的狀態下進行曝光，之后(或者之前)，在取向膜18與線柵掩模48之間配置有與對應于第1電極11的狹縫11a以外的部分的區域對應的開口部的別的掩模(未圖示)的狀態下進行曝光。各個曝光工序中的偏振uv的偏振方向l1以使第1區域18a和第2區域18b中的初始取向軸方位d1和d2成為所希望的方位的方式設定。同樣地，對光取向膜28也進行2次曝光工序。這樣，能形成作為光取向膜的取向膜18和28。此外，取向膜18和28也可以不是光取向膜。例如對取向膜18和28也可以實施作為取向處理的摩擦處理。例如能按如下方式形成實施了摩擦處理的取向膜18和28。首先，將聚酰胺酸系的取向膜材料以固體成分濃度成為大致3.0wt％的方式混合到γ丁內酯中，調節旋轉涂布機的轉速(例如為1500rpm～2500rpm)將得到的溶液以厚度成為60nm～80nm的方式涂敷到設置于旋轉涂布機的有源矩陣基板10/相對基板20上。接下來，在加熱板上對基板進行預烘(例如以80℃進行1分鐘)和后烘(例如以180℃進行1小時)的燒制處理。其后，如圖21(a)所示，使用卷繞有摩擦布42的摩擦輥43對取向膜18/28進行摩擦處理。例如將吉川化工制ya18r(材質為人造絲)用作摩擦布42，按摩擦輥43的轉速為300rpm、載臺的移動速度為25mm/min、纖維接觸量為0.6μm的條件進行摩擦處理。摩擦輥43的旋轉方向d5、摩擦方向d6以及載臺的移動方向d7的關系如圖21(a)中所示。如圖21(b)所示，摩擦布42的纖維42a是傾斜的，在圖21(a)所示的例子中，進行所謂的順向摩擦(順目ラビング)。此外，在橫向電場模式的情況下，優選取向膜18和28的錨定特性比較強。例如通過減緩載臺的移動速度能提高摩擦密度并加強錨定特性。此外，在本發明的實施方式的顯示裝置100中，為了形成規定相互不同的初始取向軸方位d1和d2的2種區域(第1區域18a和第2區域18b)，對取向膜18進行2次上述摩擦處理。例如首先按與第1區域18a的初始取向軸方位d1對應的摩擦方向d6對取向膜18的整個面進行摩擦處理。接著，在用抗蝕劑圖案保護取向膜18的第1區域18a的狀態下，按與第2區域18b的初始取向軸方位d2對應的摩擦方向d6進行摩擦處理。其后，將抗蝕劑圖案剝離。通過這樣進行2次摩擦處理，從而能對取向膜18的第1區域18a和第2區域18b賦予規定相互不同的初始取向軸方位d1和d2的取向限制力。同樣地，對取向膜28也進行2次摩擦處理。在如上所述制作了有源矩陣基板10和相對基板20后，將液晶材料密封到上述基板之間從而得到包含液晶層30的液晶面板。該工序也能用公知的各種方法來進行。以下說明具體例。首先，使用分配器對相對基板20中與1個面板對應的區域的周邊部涂敷密封材料。作為密封材料，能使用例如熱固化性樹脂。接著，進行預烘工序(例如以80℃進行5分鐘)。另外，在有源矩陣基板10上干式散布所希望的直徑(例如3.3μm)的球狀間隔物。其后，將有源矩陣基板10與相對基板20貼合，在進行了真空沖壓工序或者剛體沖壓工序后，進行后烘工序(例如以180℃進行60分鐘)。此外，一般使用大型母玻璃同時形成多個液晶面板，因此將有源矩陣基板10與相對基板20貼合后，進行切分成各液晶面板的工序。在各液晶面板中，在基板間形成有由間隔物維持間隔的空隙，而成為空單元的狀態。對該空單元注入液晶材料。液晶注入工序是通過如下方式進行的：將適量液晶材料放入注入盤，與空單元一起放置到真空腔室內，在抽真空(例如60分鐘)后，進行浸漬注入(例如60分鐘)。在從真空腔室取出被注入了液晶材料的單元后，對附著于注入口的液晶材料進行清掃。另外，對注入口涂布uv固化樹脂，通過uv照射使其固化從而將注入口密封，完成液晶面板。以上，說明了本發明的實施方式，但當然能進行其它各種改變。例如，如圖22(a)所示，也可以將第2電極(共用電極)12與源極金屬層(包含信號配線15和tft的源極電極、漏極電極)設置于同層。在該構成中，保護層16作為輔助電容的(即位于像素電極11和共用電極12之間的)電介質層發揮功能。或者，如圖22(b)所示，也可以將第2電極(共用電極)12與柵極金屬層(包含掃描配線和tft的柵極電極)設置于同層。在該構成中，柵極絕緣層14和保護層16作為輔助電容的(即位于像素電極11和共用電極12之間的)電介質層發揮功能。此外，一對偏振板各自的透射軸和吸收軸也可以相互置換。在本說明書中，“偏振軸”可以指吸收軸或透射軸中的任一者。另外，在上述說明中例示了ffs模式的液晶顯示裝置，但本發明的實施方式的液晶顯示裝置也可以是ips模式的液晶顯示裝置。工業上的可利用性本發明的實施方式廣泛應用于橫向電場模式的液晶顯示裝置。附圖標記說明10第1基板(有源矩陣基板)11第1電極(像素電極)11a狹縫11b細長電極部分11c連接部12第2電極(共用電極)13電介質層14柵極絕緣層15信號配線(源極總線)16保護層17有機層間絕緣層18取向膜18a第1區域18b第2區域20第2基板(相對基板)21遮光層(黑矩陣)22彩色濾光片層22r紅彩色濾光片22g綠彩色濾光片22b藍彩色濾光片23有機平坦化層26透明導電層28取向膜30液晶層100、200液晶顯示裝置d1、d2初始取向軸方位lc液晶分子px像素px1第1像素px2第2像素θ1、θ2初始取向角度。當前第1頁12