技術總結
本發明實施例提供一種磁控濺射臺以及磁控濺射裝置,涉及磁控濺射工藝技術領域,能夠避免僅通過調整掩膜板與支撐該掩膜板的支撐架之間的墊片數量,導致待成膜基片與掩膜板之間距離的調整精度較低的問題。該磁控濺射臺包括掩膜板、升降機構以及待成膜基片。待成膜基片位于升降機構的承載面上,且掩膜板位于待成膜基片背離所述升降機構的一側。升降機構用于根據升降指令上升或下降,以對待成膜基片和掩膜板之間的距離進行調整。
技術研發人員:薛金祥;孫中元;周翔
受保護的技術使用者:京東方科技集團股份有限公司
文檔號碼:201710002814
技術研發日:2017.01.03
技術公布日:2017.05.31