本發明屬于led燈制造技術領域，尤其涉及一種led蒸鍍工藝。
背景技術：
led支架是led燈珠在封裝之前的底基座，在led支架的基礎上，將芯片固定進去，焊上正負電極，再用封裝膠一次封裝成形。目前，led燈存在亮度不夠，面板透光率不高的問題。
技術實現要素：
本發明所要解決的技術問題在于提供一種提高led燈亮度、提高面板導電性和提高面板透光率的led蒸鍍工藝。
為解決上述問題，本發明所述的一種led蒸鍍工藝，包括以下步驟：
(1)選擇襯底，使用錫為鍍層將襯底進行一次蒸鍍，蒸鍍溫度為160～180℃，蒸鍍時間為2～3分鐘，錫層厚度為1～2um；
(2)向一次蒸鍍后的襯底表面涂上強化劑，然后進行烘烤，烘烤時間為45～55分鐘，烘烤溫度為75～85℃；
(3)對烘烤后的襯底進行二次蒸鍍，二次蒸鍍為真空狀態，真空度為10-4～10-5pa，二次蒸鍍溫度為480～500℃，二次蒸鍍時間為7～9分鐘，錫層厚度為9～10um；
(4)二次蒸鍍后將真空度調整為10-1～10-2pa，溫度調整為210～220℃，保持時間為10～15分鐘，使得蒸鍍后錫層的穩定性高；
(5)將步驟(4)處理過的蒸鍍襯底用風機冷卻至常溫，得到成品。
所述強化劑是錫酸鈉和氫氧化鈉，錫酸鈉與氫氧化鈉的比例為9:1或11:1。
與現有技術相比，本發明具有以下優點：本發明具有提高led燈亮度、提高面板導電性和提高面板透光率的特點，本發明提高led燈亮度，增強照明效果；本發明提高面板導電性和透光率，增強led的性能。
具體實施方式
實施例1
一種led蒸鍍工藝，包括以下步驟：(1)選擇襯底，使用錫為鍍層將襯底進行一次蒸鍍，蒸鍍溫度為160℃，蒸鍍時間為2分鐘，錫層厚度為1um；(2)向一次蒸鍍后的襯底表面涂上強化劑，然后進行烘烤，烘烤時間為45分鐘，烘烤溫度為75℃；(3)對烘烤后的襯底進行二次蒸鍍，二次蒸鍍為真空狀態，真空度為10-4pa，二次蒸鍍溫度為480℃，二次蒸鍍時間為7分鐘，錫層厚度為9um；(4)二次蒸鍍后將真空度調整為10-1pa，溫度調整為210℃，保持時間為10分鐘，使得蒸鍍后錫層的穩定性高；(5)將步驟(4)處理過的蒸鍍襯底用風機冷卻至常溫，得到成品。
強化劑是錫酸鈉和氫氧化鈉，錫酸鈉與氫氧化鈉的比例為9:1。
實驗證明，此參數下led燈亮度最高；面板導電性和透光率較高。
實施例2
一種led蒸鍍工藝，包括以下步驟：(1)選擇襯底，使用錫為鍍層將襯底進行一次蒸鍍，蒸鍍溫度為170℃，蒸鍍時間為2分鐘，錫層厚度為1um；(2)向一次蒸鍍后的襯底表面涂上強化劑，然后進行烘烤，烘烤時間為50分鐘，烘烤溫度為80℃；(3)對烘烤后的襯底進行二次蒸鍍，二次蒸鍍為真空狀態，真空度為10-4pa，二次蒸鍍溫度為490℃，二次蒸鍍時間為8分鐘，錫層厚度為10um；(4)二次蒸鍍后將真空度調整為10-2pa，溫度調整為215℃，保持時間為13分鐘，使得蒸鍍后錫層的穩定性高；(5)將步驟(4)處理過的蒸鍍襯底用風機冷卻至常溫，得到成品。
強化劑是錫酸鈉和氫氧化鈉，錫酸鈉與氫氧化鈉的比例為11:1。
實驗證明，此參數下led燈亮度最高；面板導電性和透光率最高。
因此，本實施例為本發明最佳實施例。
實施例3
一種led蒸鍍工藝，包括以下步驟：(1)選擇襯底，使用錫為鍍層將襯底進行一次蒸鍍，蒸鍍溫度為180℃，蒸鍍時間為3分鐘，錫層厚度為2um；(2)向一次蒸鍍后的襯底表面涂上強化劑，然后進行烘烤，烘烤時間為55分鐘，烘烤溫度為85℃；(3)對烘烤后的襯底進行二次蒸鍍，二次蒸鍍為真空狀態，真空度為10-5pa，二次蒸鍍溫度為500℃，二次蒸鍍時間為9分鐘，錫層厚度為10um；(4)二次蒸鍍后將真空度調整為10-2pa，溫度調整為220℃，保持時間為15分鐘，使得蒸鍍后錫層的穩定性高；(5)將步驟(4)處理過的蒸鍍襯底用風機冷卻至常溫，得到成品。
強化劑是錫酸鈉和氫氧化鈉，錫酸鈉與氫氧化鈉的比例為11:1。
實驗證明，此參數下led燈亮度較高；面板導電性和透光率最高。