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齒輪高頻淬內控感應器的制造方法

文檔序號:9989159閱讀:482來源:國知局
齒輪高頻淬內控感應器的制造方法
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及一種高頻淬火裝置,特別涉及一種齒輪高頻淬火的感應器。
【背景技術】
[0002]對于一種材料為42CrMo,內孔為盲孔花鍵齒、內孔徑大小為Φ 20.7mm的驅動齒,其要求內花鍵表面硬度要求為HRC58-62,有效淬硬層深度為:0.6-2.0mm,內花鍵盲孔淬火有效深度要求為24mm。該驅動齒輪的淬火質量要求較高,且由于其內孔尺寸較小,進一步增加了對感應器的設計難度,導致現有結構的高頻感應器不能達到其淬火質量要求。
【實用新型內容】
[0003]有鑒于此,本實用新型的目的是提供一種齒輪高頻淬內控感應器,以解決現有感應器無法實現對內盲孔花鍵高頻淬火的問題。
[0004]本實用新型齒輪高頻淬內控感應器,包括感應線圈,所述感應線圈的螺旋管狀感應加熱部內填充有導磁粉體,所述導磁粉內固定有冷卻水管,所述冷卻水管的管道沿縱向貫通導磁粉體。
[0005]進一步,所述感應線圈的螺旋管狀感應加熱部由橫截面為矩形的銅管制成。
[0006]進一步,所述感應線圈的螺旋管狀感應加熱部的繞砸圈數為5圈,每圈之間的間隔為1.5?2mm。
[0007]本實用新型的有益效果:
[0008]本實用新型齒輪高頻淬內控感應器,其通過在感應線圈的螺旋管狀感應加熱部內填充導磁粉體,使得感應器上的電流向外集中,從而使得齒輪內花鍵表面形成電流集膚渦流效益,表面溫度能迅速升高至淬火溫度,并且通過設置在導磁粉體內的冷卻水管能將淬火液迅速噴至內花鍵表面進行淬火,解決了現有感應器無法實現對內盲孔花鍵高頻淬火的問題。
【附圖說明】
[0009]圖1為本實用新型齒輪高頻淬內控感應器的結構示意圖。
【具體實施方式】
[0010]下面結合附圖和實施例對本實用新型作進一步描述。
[0011]如圖所示,本實施例齒輪高頻淬內控感應器,包括感應線圈1,所述感應線圈的螺旋管狀感應加熱部內填充有導磁粉體2,所述導磁粉內固定有冷卻水管3,所述冷卻水管的管道沿縱向貫通導磁粉體。
[0012]本實施例齒輪高頻淬內控感應器,其通過在感應線圈的螺旋管狀感應加熱部內填充導磁粉體,使得感應器上的電流向外集中,從而使得齒輪內花鍵表面形成電流集膚渦流效益,表面溫度能迅速升高至淬火溫度,并且通過設置在導磁粉體內的冷卻水管能將淬火液迅速噴至內花鍵表面進行淬火,解決了現有感應器無法實現對內盲孔花鍵高頻淬火的問題。
[0013]作為對本實施例的改進,所述感應線圈I的螺旋管狀感應加熱部由橫截面為矩形的銅管制成,由方形銅管制成的螺旋管狀加熱部相對于由圓形通過制成的螺旋管狀加熱部,其對花鍵表面的加熱更均勻,能極大的改善淬火的均勻性及淬火質量。
[0014]作為對本實施例的改進,所述感應線圈I的螺旋管狀感應加熱部的繞砸圈數為5圈,每圈之間的間隔為1.5?2_,其加熱均勻性好,能使材料為42CrMo,內孔為盲孔花鍵齒、內孔徑大小為Φ20.7mm的驅動齒的淬火質量達到:花鍵表面硬度在HRC58-62,有效淬硬層深度在:0.6-2.0mm,內花鍵盲孔淬火有效深度為24mm。
[0015]最后說明的是,以上實施例僅用以說明本實用新型的技術方案而非限制,盡管參照較佳實施例對本實用新型進行了詳細說明,本領域的普通技術人員應當理解,可以對本實用新型的技術方案進行修改或者等同替換,而不脫離本實用新型技術方案的宗旨和范圍,其均應涵蓋在本實用新型的權利要求范圍當中。
【主權項】
1.一種齒輪高頻淬內控感應器,其特征在于:包括感應線圈,所述感應線圈的螺旋管狀感應加熱部內填充有導磁粉體,所述導磁粉內固定有冷卻水管,所述冷卻水管的管道沿縱向貫通導磁粉體。2.根據權利要求1所述的齒輪高頻淬內控感應器,其特征在于:所述感應線圈的螺旋管狀感應加熱部由橫截面為矩形的銅管制成。3.根據權利要求2所述的齒輪高頻淬內控感應器,其特征在于:所述感應線圈的螺旋管狀感應加熱部的繞砸圈數為5圈,每圈之間的間隔為1.5?2_。
【專利摘要】本實用新型公開了一種齒輪高頻淬內控感應器,包括感應線圈,所述感應線圈的螺旋管狀感應加熱部內填充有導磁粉體,所述導磁粉內固定有冷卻水管,所述冷卻水管的管道沿縱向貫通導磁粉體。本實用新型齒輪高頻淬內控感應器,其通過在感應線圈的螺旋管狀感應加熱部內填充導磁粉體,使得感應器上的電流向外集中,從而使得齒輪內花鍵表面形成電流集膚渦流效益,表面溫度能迅速升高至淬火溫度,并且通過設置在導磁粉體內的冷卻水管能將淬火液迅速噴至內花鍵表面進行淬火,解決了現有感應器無法實現對內盲孔花鍵高頻淬火的問題。
【IPC分類】C21D9/32, C21D1/42
【公開號】CN204898017
【申請號】CN201520504934
【發明人】婁平, 婁方銀, 高世輝, 婁春燕, 黃偉
【申請人】重慶銀雁科技有限公司
【公開日】2015年12月23日
【申請日】2015年7月10日
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