1.一種密度可控的ZnO納米棒陣列的制備方法，其特征在于，由兩個階段組成，首先采用金屬有機化學氣相沉積法生長GaN 量子點，然后采用水熱法在GaN量子點表面進行 ZnO 納米棒的。
2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述GaN量子點的生長階段，包括如下步驟：
1）在藍寶石襯底上于 650 ℃生長AlN低溫成核層，再升溫至 1010 ℃， 利用脈沖原子層沉積生長PALE-AlN，通過預鋪 Al 技術使生長表面更為平坦，然后升溫至 1100 ℃下生長高溫AlN層；
2）生長完畢的整個AlN 層作為緩沖層，在此基礎上外延Al0.5GaN 層，Al0.5GaN 層的生長溫度為 990 ℃；
3）生長AlGaN模板，在Al0.5GaN 模板和 AlN 緩沖層之間插入 10 個周期的 Al0.5GaN/AlN 超晶格來消除Al0.5GaN 外延層內部的張應力，避免薄膜開裂，其中Al0.5GaN/AlN 超晶格的生長溫度為 990 ℃，每個周期中Al0.5GaN 和 AlN 的厚度分別為10和15 nm；
4）在Al0.5GaN上生長GaN 量子點，生長溫度為785 ℃，生長時間為11 s，中斷時間為18~30 s。
3.根據權利要求2所述的制備方法，其特征在于，步驟1）中，AlN低溫成核層的厚度是20nm，高溫AlN層的厚度為200 nm 。
4.根據權利要求2所述的制備方法，其特征在于，步驟1）中，三甲基鋁和 氨氣流量分別為 4.056 μmol/min 和 2500 sccm。
5.根據權利要求2所述的制備方法，其特征在于，步驟2）中，，三甲基鋁、三乙基鎵和 NH3流量分別為 5.634 μmol/min、13.966 μmol/min 和 2500 sccm， Al0.5GaN 層的厚度為500 nm。
6.根據權利要求2所述的制備方法，其特征在于，步驟3）中，每個周期，AlN 的生長過程三甲基鋁和NH3流量分別為 5.634 μmol/min 和 2500 sccm。
7.根據權利要求2所述的制備方法，其特征在于步驟4）中，三乙基鎵和NH3流量分別為32.6 μmol/min和1400 sccm。
8.根據權利要求1或2所述的制備方法，其特征在于，GaN 量子點上ZnO納米棒的生長分為 5 個步驟：
(1)將 GaN/AlGaN 量子點樣品依次放入丙酮、無水乙醇和去離子水中清洗，在每種液體浸泡的同時進行超聲處理 5 分鐘；
(2)將清洗后的樣品放入分析純氨水中浸泡 10 分鐘；
(3)分別在兩個燒杯中配置六水硝酸鋅和六亞甲基四胺溶液，兩種溶液濃度都為25mM；
(4)將 GaN 量子點樣品的生長面朝下放在反應釜中，然后分別倒入配置好的兩種溶液，立刻將反應釜放入 95℃烘箱中加熱 4 個小時；
(5)取出反應釜用冷水沖洗來快速降溫，然后取出樣品進行清洗干燥。