技術總結
本發明屬于納米材料領域，特別涉及一種密度可控的ZnO納米棒陣列的制備方法。由兩個階段組成，首先采用金屬有機化學氣相沉積法生長GaN?量子點，然后采用水熱法在GaN量子點表面進行?ZnO?納米棒的生長。本發明首次采用?GaN?量子點作為?ZnO?納米棒的種子層。通過調控GaN?量子點的?生長情況控制?ZnO?納米棒的生長。另外實現了零維結構和一維結構的結合，顯著改善了異質結界面晶體質量，提高了載流子的注入效率，從而獲得了ZnO?納米棒/GaN?量子點有源區。
技術研發人員：田玉;奇志強;朱小龍;鄭廣
受保護的技術使用者：江漢大學
文檔號碼：201611122646
技術研發日：2016.12.08
技術公布日：2017.05.31