螺芴衍生物,發光元件用材料,發光元件,發光設備和電子設備的制作方法
【專利摘要】本發明的目的是提供具有高Tg和寬能隙的材料。本發明提供由通式1表示的螺芴衍生物。（在該通式中，R1是氫、含1-4個碳原子的烷基或由通式2表示的基團中的任一種。R2和R3中的每一個是氫或含1-4個碳原子的烷基并且可以是相同或不同的。R4是含6-15個碳原子的芳基。R5和R6中的每一個是氫、含1-4個碳原子的烷基或含6-15個碳原子的芳基中的任一種并且可以是相同或不同的。）
【專利說明】螺芴衍生物，發光元件用材料，發光元件，發光設備和電
子設備
[0001]本申請為申請號為200680035328.0、申請日為2006年9月22日、發明名稱為“螺芴衍生物，發光元件用材料，發光元件，發光設備和電子設備”的專利申請的分案申請。
【技術領域】
[0002]本發明涉及新型材料。具體來說，本發明涉及理想用于發光元件的材料，在該發光元件中，有機化合物用于至少一個部件。此外，本發明涉及包括所述材料的發光元件，發光設備和電子設備。
【背景技術】
[0003]已經開發了使用發光元件的發光設備，該發光元件包括在一對電極之間的含有機材料的層并且當電流在該電極之間流動時發光。與現在稱作薄顯示設備的其它顯示設備相t匕，此種發光設備的優點是薄且輕。此種設備還具有高的可見度，原因在于它是自發光元件，并且具有快的響應速度。因此，已經積極地開發這種發光設備作為下一代顯示設備，并且已經部分地投入實際使用。
[0004]在電極之間提供的含有機化合物的層可以具有包括一個發光層的單層結構或包括彼此具有不同功能的層的層狀結構，然而，通常使用后一種(功能獨立型層狀結構)。作為功能獨立型層狀結構的一個實例，其中空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層和電子注入層順序地堆疊在充當陽極的電極上的結構是典型的，并且每個層是使用對每種功能特異的材料形成的。應指出，可以使用具有這些作用中兩種或更多種的層，如既發揮發光層作用又發揮電子傳輸層作用的層或具有另一種作用的層如載流子阻擋層。
[0005]用于這些功能層的材料要求是對每個層發揮的作用特異性的材料并且要求具有高的耐熱性，原因在于該材料的耐熱性本身極大地影響發光元件的耐熱性。當形成層狀結構時，還要求該材料是不會不利地影響另一個層的材料，并且已經進行研究以找到更好的材料。例如，因為常用作空穴注入材料或空穴傳輸材料的4，4’ -雙[N-(3-甲基苯基)-N-苯基氨基]聯苯(縮寫:TPD)具有67°C的低玻璃化轉變溫度(Tg)并具有低的耐熱性，已經提出了通過用萘基取代TPD中的甲基苯基以使Tg提高到96°C而形成的4，4’-雙[N- (1-萘基)-N-苯基氨基]聯苯(縮寫NPB)并且廣泛地得到使用(例如，參考文獻l.S.A.VanSlyke, C.H.Chen, and C.ff.Tang, “具有改進的穩定性的有機電致發光設備”，Appl.Phys.Lett.69 (15)，1996 年 10 月 7 日)。
[0006]然而，雖然NPB具有較高的玻璃化轉變溫度(Tg)，但是其能隙較低。因此，TH)發射紫區域的光，而NPB發射藍區域的光。換言之，NPB可以說成是通過犧牲其能隙而獲得比TPD好的Tg的材料。NPB和TH)通常用于空穴傳輸層，并且在很多情況下，與發光層相鄰地提供。在此情況下，如果鄰近提供的空穴傳輸層的能隙較小，則存在激發能將從發光材料或在該發光層中激發的主體材料轉移至空穴傳輸層的風險。當激發能從發光層轉移到相鄰層時，發光元件的發光效率發生惡化，或色純度降低。發光元件的發光效率的降低，和色純度的減少在使用該發光元件的發光設備或電子設備中分別引起功耗的提高和顯示質量的下降。因此，與發光層接觸的層令人希望地具有盡可能大的能隙。
[0007]發明公開
[0008]考慮到上述情況，本發明的目的是提供具有足夠的玻璃化轉變溫度(Tg)和足夠的帶隙的新型材料。本發明的另一個目的是提供發光元件用材料，該材料具有足夠的耐熱性和足夠的帶隙。
[0009]形成空穴傳輸層的材料希望具有盡可能高的能隙，該空穴傳輸層如上所述通常與發光層相鄰地形成。然而，已經對具有有利的空穴傳輸性能、高的玻璃化轉變溫度(Tg)，此外還有大的能隙的材料報道的不多。
[0010]因此，本發明的一個目的是提供具有足夠的空穴傳輸性能、足夠大的能隙和高的玻璃化轉變溫度(Tg)的作為形成空穴傳輸層的材料的新型材料。 [0011]此外，本發明的另一個目的是提供發光元件用材料，該材料具有作為形成空穴傳輸層的材料的足夠的空穴傳輸性能、足夠大的能隙和高的玻璃化轉變溫度(Tg)。
[0012]本發明的另一個目的是提供具有高耐熱性的發光元件。本發明的又一個目的是提供具有高的發光效率的發光元件。
[0013]本發明的另一個目的是提供具有高的耐熱性的發光設備。本發明的又一個目的是提供具有小功耗的發光設備。
[0014]本發明的目的是提供具有高的耐熱性的電子設備。本發明的又一個目的是提供具有小功耗的電子設備。本發明的又一個目的是提供具有高顯示質量的電子設備。
[0015]本發明的一個特征是由通式I表示的螺芴衍生物。(在該通式中，R1是氫、含1-4個碳原子的烷基或由通式2表示的基團中的任一種。R2和R3中的每一個是氫或含1-4個碳原子的烷基并且可以是相同或不同的。R4是含6-15個碳原子的芳基。R5和R6中的每一個是氫、含1-4個碳原子的烷基或含6-15個碳原子的芳基中的任一種并且可以是相同或不同的。)
[0016]
【權利要求】
1.由通式5表示的螺芴衍生物， 其中R13是氫、含1-4個碳原子的烷基和由通式6表示的基團中的任一種； 其中R14和R15中的每一個是氫和含1-4個碳原子的烷基中的任一種并且是相同或不同的； 其中R16是含6-15個碳原子的芳基； 其中R17是氫、含1-4個碳原子的烷基和含6-15個碳原子的芳基中的任一種；和 其中R18是含含6-15個碳原子的芳基
2.根據權利要求1的螺芴衍生物，其由通式11表示， 其中R31是氫、含1-4個碳原子的烷基和由通式12表示的基團中的任一種； 其中R32和R33中的每一個是氫和含1-4個碳原子的烷基中的任一種并且是相同或不同的； 其中R34是氫、含1-4個碳原子的烷基和含6-15個碳原子的芳基中的任一種； 其中R35是氫、含1-4個碳原子的烷基和含6-15個碳原子的芳基中的任一種；和 其中R36是氫、含1-4個碳原子的烷基和含6-15個碳原子的芳基中的任一種
3.根據權利要求2的螺芴衍生物，其由通式17表示， 其中R43是氫、含1-4個碳原子的烷基和由通式18表示的基團中的任一種；和 其中R44和R45中的每一個是氫和含1-4個碳原子的烷基中的任一種并且是相同或不同的
4.根據權利要求3的螺芴衍生物，其由通式21表示， 其中R5tl和R51中的每一個是氫和含1-4個碳原子的烷基中的任一種并且是相同或不同的
5.根據權利要求3的螺芴衍生物，其由通式24表示， 其中R56和R57中的每一個是氫或含1-4個碳原子的烷基中的任一種并且是相同或不同的
6.由結構式35表示的螺芴衍生物
7.由結構式30表示的螺芴衍生物
8.包含根據權利要求1-7中任一項的螺芴衍生物的發光元件用材料。
9.包含根據權利要求1-7中任一項的螺芴衍生物的發光元件。
10.根據權利要求9的發光兀件,其中該螺荷衍生物包含在該發光兀件的空穴傳輸層中。
11.根據權利要求9的發光元件，其中該螺芴衍生物包含在該發光元件的空穴注入層中。
12.根據權利要求9的發光元件，其中該螺芴衍生物包含在該發光元件的發光層中作為主體材料。
13.發光設備，包括: 根據權利要求9的發光元件；和 控制該發光元件發射光的控制電路。
14.電子設備，包括: 使用根據權利要求9的發光元件的顯示部分；和 控制該發光元件發射光的控制電路。
【文檔編號】C07D209/88GK103641770SQ201310493078
【公開日】2014年3月19日 申請日期:2006年9月22日 優先權日:2005年9月30日
【發明者】川上祥子, 中島晴惠 申請人:株式會社半導體能源研究所