對于在器件諸如有機發光二極管、有機光伏器件、有機光傳感器、有機晶體管和存儲器陣列器件中的應用，包含活性有機材料的電子器件正引起日益增加的關注。包含有機材料的器件提供諸如低重量、低功率消耗和柔性的益處。此外，可溶有機材料的使用允許在器件制造中利用溶液加工，例如噴墨印刷或者旋涂。典型的有機發光器件(“OLED”)制造在涂覆有透明陽極例如氧化銦錫(“ITO”)的玻璃或塑料基底上。在第一電極上方提供至少一種電致發光有機材料的膜的薄層。最后，在該電致發光有機材料層上方提供陰極。可以在陽極與電致發光層之間和/或在陰極與電致發光層之間提供電荷傳輸層、電荷注入層或電荷阻擋層。在操作中，空穴通過陽極注入器件并且電子通過陰極注入器件。空穴和電子在有機電致發光層中結合從而形成激子，然后所述激子發生輻射衰變從而產生光。在WO90/13148中，有機發光材料是共軛聚合物，例如聚(亞苯基亞乙烯基)。在US4,539,507中，有機發光材料屬于被稱為小分子材料的類別，例如三-(8-羥基喹啉)鋁(“Alq3”)。這些材料通過單重態激子的輻射衰變而電致發光(熒光)，然而自旋統計指示高達75％的激子是經歷非輻射衰變的三重態激子，即對于熒光OLED而言量子效率可以低至25％—參見例如Chem.Phys.Lett.,1993,210,61,Nature(London),2001,409,494,Synth.Met.,2002,125,55和其中的參考文獻。已認為，三重態激子(其可具有相對長壽命的三重態激發態)的存在可能因三重態-三重態相互作用或三重態-單重態相互作用而對OLED性能有害。WO2005/043640公開了在有機發光器件中將苝衍生物與有機發光材料摻混能夠引起該器件壽命的小幅增加。然而，盡管較高濃度的苝衍生物引起較大的壽命改善，但這導致發射光譜中的顯著紅移。US2007/145886公開了包含三重態猝滅材料以防止或減少三重態-三重態相互作用或者三重態-單重態相互作用的OLED。WO2012/086670和WO2012/086671公開了發光材料和某些聚合物的組合物。US2005/095456公開了具有發光層的OLED，所述發光層包含主體材料、染料或顏料以及添加劑，所述添加劑所表現出的吸收限的能級高于所述染料或顏料的吸收限的能級。發明概述在第一方面，本發明提供了包含發光材料、第一種三重態接受材料和第二種三重態接受材料的組合物，所述第二種三重態接受材料不同于所述第一種三重態接受材料。在第二方面，本發明提供了一種配制物，該配制物包含根據第一方面的組合物和至少一種溶劑。在第三方面，本發明提供了一種有機發光器件，其包含陽極、陰極以及介于陽極和陰極之間的發光層，其中所述發光層包含根據第一方面的組合物。在第四方面，本發明提供了一種形成根據第二方面的有機發光器件的方法，所述方法包括以下步驟：在陽極和陰極之一上方形成發光層，以及在該發光層上方形成所述陽極和陰極中的另一個。本文所用的“三重態接受材料”是指減少發光材料的三重態激子數目(population)的材料。可以通過準連續波激發態吸收來測量材料對發光材料的三重態激子數目的影響。附圖簡述圖1示出了根據本發明實施方案的有機發光器件；圖2是三重態猝滅的示意圖；圖3是第一種三重態-三重態湮滅機制的示意圖；圖4是第二種三重態-三重態湮滅機制的示意圖；圖5是根據本發明實施方案的組合物的能級的示意圖；和圖6是根據本發明實施方案的器件和比較器件的亮度相對于時間的坐標圖。發明詳述圖1說明了根據本發明實施方案的OLED。該OLED100包含陽極101、陰極105以及介于陽極和陰極之間的熒光發光層103。該器件承載在基底107上，例如玻璃或塑料基底。在陽極101和陰極105之間可提供一個或多個另外的層，例如空穴傳輸層、電子傳輸層、空穴阻擋層和電子阻擋層。該器件可包含多于一個發光層。另外的發光層(若存在時)可以是熒光發光材料或磷光發光材料。示例性的器件結構包括:陽極/空穴注入層/發光層/陰極陽極/空穴傳輸層/發光層/陰極陽極/空穴注入層/空穴傳輸層/發光層/陰極陽極/空穴注入層/空穴傳輸層/發光層/電子傳輸層/陰極。優選地，存在空穴傳輸層和空穴注入層中的至少一者。優選地，存在空穴注入層和空穴傳輸層兩者。熒光發光層103的合適熒光發光材料包括紅色、綠色和藍色的發光材料。藍色發光材料可具有峰值在400-490nm范圍內、任選地在420-490nm范圍內的光致發光光譜。綠色發光材料可具有峰值在大于490nm直至580nm、任選地大于490nm直至540nm的范圍內的光致發光光譜。紅色發光材料可任選地在其光致發光光譜中具有大于580nm直至630nm、任選地585-625nm的峰值。熒光發光層103包含熒光發光材料和至少兩種不同的三重態接受材料。可以將熒光發光材料和兩種不同的三重態接受材料摻混。熒光發光材料可以是發光聚合物的重復單元。在這種情形中，所述三重態接受材料中的一種或兩種可以共價結合到所述發光聚合物：作為該聚合物重復單元的側鏈基團；作為該聚合物主鏈中的重復單元；或者作為該聚合物的端基。因此，將理解的是，本文所述的“組合物”可以是含有熒光發光材料以及第一種三重態接受材料和第二種三重態接受材料的單一聚合物，或者它可以是兩種或更多種材料的混合物。在優選的實施方案中，熒光發光材料是聚合物；提供所述三重態接受材料中的第一種作為所述聚合物的重復單元；并且將第二種三重態接受材料與熒光發光聚合物混合。如果提供三重態接受材料作為發光聚合物的重復單元，則其優選以如下范圍內的量提供：至少約0.005摩爾％或至少0.01摩爾％，至多約5摩爾％，任選地至多約1摩爾％，任選地至多約0.5摩爾％。如果三重態接受材料與發光材料混合，則優選以如下范圍內的量提供所述三重態接受材料：發光組合物的0.1-10重量％，任選為發光組合物的1-5重量％。熒光發光層103可以基本上由熒光發光材料和三重態接受材料組成，或者可以包含另外的材料。在熒光發光材料為聚合物的情形中，第一種三重態接受材料和第二種三重態接受材料可以各自獨立地為熒光發光聚合物的重復單元或者可以與熒光發光聚合物混合。在操作中，空穴和電子注入器件中從而形成單重態和三重態的激子。熒光發光材料上的單重態激子可以經歷輻射衰變從而產生熒光。三重態激子可以在第一種三重態接受材料或第二種三重態接受材料上形成，或者在熒光發光材料上形成的三重態激子可以轉移到三重態接受材料并通過如下方式從發光層除去：要么通過非輻射的三重態激子猝滅，要么通過由三重態-三重態湮滅引起的延遲熒光。因此，從含有三重態接受材料的發光層發出的基本上所有光是熒光。下面依次描述三重態猝滅和三重態-三重態湮滅的機理。為了簡便起見，使用一種三重態接受材料描述和說明各種機理，然而應理解，本文所述的器件含有兩種或更多種三重態接受材料。三重態猝滅圖2說明了用于示例性OLED的第一種能量傳遞機制。為了避免任何疑問，本文的能級圖(包括圖2)未按任何比例繪制。圖2示出了提供有熒光發光材料的OLED的能量轉移，該熒光發光材料具有單重態激發態能級S1E和單重態基態能級S0E。具有能量S1E的單重態激子通過發射熒光hv而衰變，在圖2中以S1E和S0E之間的實箭頭示出。三重態-三重態激子相互作用或三重態-單重態激子相互作用可以在發光材料上產生“超激發”態。不希望受任何理論約束，認為在發光材料上形成這些高能“超激發”態可能對器件的操作壽命有害。然而，通過提供具有低于T1E的激發三重態能級T1A的化合物，三重態激子有可能因猝滅而轉移到三重態接受聚合物，圖1中的虛線所示的從T1E到S0E的輻射衰變的選項是自旋禁戒過程。可以分別從發光材料的熒光和選通低溫磷光光譜測量該發光材料的S1和T1能級。可以分別從三重態接受材料的熒光和選通低溫磷光光譜測量該三重態接受材料的S1和T1能級。可以通過如下方式測量材料的光致發光熒光光譜：向石英基底上流延該材料的膜以實現0.3-0.4的透射率值并使用Hamamatsu提供的設備C9920-02在氮氣環境中測量。本文所述的T1值可以從通過低溫磷光光譜法測量的磷光光譜的能量起點測得(A.vanDijken等人，JournaloftheAmericanChemicalSociety，2004,126，p7718)。具有適合用作給定發光材料的三重態接受材料的S1和T1能級的材料可以選自HandbookofPhotochemistry，第2版，StevenLMurov，IanCarmichael和GordonLHug以及其中的參考文獻中描述的材料，通過引用將其內容并入本文。三重態接受化合物的最低單重態激發態能級S1A高于最低單重態激發態能級S1E。這是為了基本上或完全防止單重態激子從S1E轉移到S1A。優選地，在能量上S1A比S1E高至少kT，以防止任何顯著的激子反向轉移以及來自三重態接受化合物的熒光。同樣，在能量上T1E優選比T1A高至少kT。雖然能級S1A大于S1E可能是優選的，但將理解的是，這對于為了發生三重態吸收并不是必需的。可觀察到來自三重態接受化合物的一些光發射。任選地，從熒光材料和三重態接受材料的組合物發射的光的峰值波長與從單獨熒光材料發射的光的峰值波長相同或者比其長不超過10nm。三重態-三重態湮滅圖3示出了示例性OLED的第二種能量轉移機制。根據該實施方案，由兩個三重態接受單元之間的相互作用引起的三重態-三重態湮滅(TTA)導致具有高達2×T1A能量的三重態-三重態湮滅的單重態激子，其中T1A表示三重態接受材料的三重態激發態能級。在兩個三重態接受單元中的第一個上形成的這個單重態激子的能級SnA在能量上高于S1A和S1E，因此其可以轉移到S1A，并然后轉移到S1E，由此可以作為延遲熒光發射光hv。在兩個三重態接受單元中的第二個上的三重態激子可以衰變到基態T0A。最初，在T1E處形成的三重態激子轉移到T1A。通過提供具有低于T1E的能級T1A的三重態接受化合物，可以發生激子從T1E到T1A的快速轉移。與從T1E到S0E的三重態激子的衰變速率相比，這種轉移相對快速，如圖1中的虛箭頭所示，這是一種自旋禁戒過程。T1E和T1A之間的能隙優選大于kT，以避免激子從T1A到T1E的反向轉移。同樣，S1A和S1E之間的能隙優選大于kT，以避免激子從S1E到S1A的反向轉移。將理解的是，與磷光摻雜劑不同，三重態接受材料不提供三重態發生輻射衰變以產生磷光的能量有利的路徑，且作為結果被三重態接受材料吸收的三重態激子的能量基本上不以從三重態接受聚合物的磷光發射的形式從三重態接受聚合物損失。圖4示出了示例性OLED的第三種能量轉移機制。在該情形中，位于三重態接受單元上的能量為T1A的三重態激子和位于發光聚合物上的能量為T1E的三重態激子之間發生三重態-三重態湮滅。將理解的是，這導致具有高達T1E+T1A能量的三重態-三重態湮滅的單重態激子(TTAS)。這個單重態激子的SnA能級高于S1E能級，因此它可以將其能量傳遞到S1A，并因此傳遞到S1E，以及可由此作為延遲熒光而發射光hv。在另一機制(未示出)中，可以通過兩種不同的三重態接受材料上的三重態激子之間的TTA形成TTAS。在圖2-4中，盡管可能優選的是能級S1A大于S1E，但是應當理解，這不是為發生三重態吸收所必需的。不希望受任何理論約束，認為要么通過三重態猝滅要么通過TTA來避免在OLED驅動期間形成的發光材料上形成超級激發態可以改善器件壽命。此外，通過利用三重態接受單元來產生TTA以產生穩定的延遲熒光，有可能與如下相比改善效率：與其中三重態激子猝滅的器件(如圖2中所示)相比，或者與其中不存在三重態接受材料的器件相比，其中延遲熒光的強度可在初始OLED驅動之后急劇下降。圖5示出了根據本發明實施方案的發光組合物的能級。該組合物包含具有最低單重態激發態和最低三重態激發態T1E的發光材料；具有最低單重態激發態S1A1和最低三重態激發態T1E1的第一種三重態接受材料；以及具有最低單重態激發態S1E2和最低三重態激發態T1E2的第二種三重態接受材料。下列不等式適用：S1E≤S1A1S1E≤S1A2T1E≥T1AlT1E≥T1A2可以通過準連續波(quasi-cw)激發態吸收來確定材料對發光材料上的三重態激子密度的影響，要么因三重態激子猝滅要么因TTA。將理解的是，三重態接受材料會降低發光層中的三重態激子密度(要么通過三重態激子猝滅要么通過TTA)，并且如果當三重態接受材料與發光材料組合使用時觀察到三重態激子數目相比于單獨發光材料上的實測三重態激子數目減少，存在最低三重態激發態低于發光材料的三重態接受材料。可以按以下文獻中所述進行三重態數目(population)的探測：King,S.,Rothe,C.&Monkman,A.“Tripletbuildinanddecayofisolatedpolyspirobifluorenechainsindilutesolution”J.Chem.Phys.121,10803-10808(2004),以及Rothe,C.,King,S.M.,Dias,F.&Monkman,A.P.“Tripletexcitonstateandrelatedphenomenainthebeta-phaseofpoly(9,9-dioctyl)fluorene”PhysicalReviewB70,(2004)，它們描述了在780nm進行的聚芴三重態數目的探測。本領域技術人員將理解如何基于這些材料的激發態吸收特征來調整該探測用于其它發光材料。將理解的是，三重態猝滅和TTA兩者都可以在相同器件內發生，并且延遲熒光的量將取決于諸如發光材料濃度、三重態接受材料濃度以及發光材料和三重態接受材料上的三重態激子壽命的因素。三重態猝滅材料上的三重態激子的壽命優選不超過約20ns，或不超過約10ns。優選地，該組合物包含有利于三重態猝滅的三重態接受材料，和有利于TTA的三重態接受材料。在含有如下組合物的器件的驅動期間三重態猝滅材料可能劣化：該組合物包含有利于三重態猝滅的三重態接受材料以及有利于TTA的三重態接受材料。在這種情形中，經歷TTA的三重態：猝滅的三重態的比率可以在器件驅動期間增加。結果，在器件驅動期間由于三重態猝滅而導致的效率損失可以恢復，從而抵消在器件驅動期間通常觀察到的效率下降。停留在有利于TTA的三重態接受材料上的激發態三重態的壽命任選為至少1微秒，任選為至少10微秒，任選為至少100微秒。較高的三重態激子壽命可增加TTA的可能性。三重態激子的壽命τ是其半壽命(half-life)，可通過閃爍光解以測量單分子的三重態壽命來測量該半壽命，如HandbookofPhotochemistry，第2版，StevenLMurov，IanCarmichael和GordonLHug以及其中的參考文獻所述，通過引用將其內容并入本文。從本發明的發光組合物發出的光包括如上所述的延遲熒光，以及直接由空穴和電子在發光材料上的復合而形成的單重態激子的輻射衰變所引起的熒光(“瞬時熒光”)。技術人員將知曉確定從發光組合物發射的光中存在延遲熒光的方法，這不同于瞬時熒光，例如通過在瞬時熒光之后測量來自發光組合物的光發射。在包含發光組合物的OLED的情形中，延遲熒光可要么源自TTA過程要么源自具有相對長壽命的陷阱電荷的復合。通過施加負偏壓的短尖峰，同時測量延遲熒光的強度，可以將TTA過程與陷阱電荷復合過程區分開，如以下文獻中所述：Popovic,Z.D.&Aziz,H.Delayedelectroluminescenceinsmallmoleculebasedorganiclightemittingdiodes:evidencefortriplet-tripletannihilationandrecombinationcentremediatedlightgenerationmechanism.J.Appl.Phy.98,013510-5(2005)。如果負偏壓對延遲熒光強度沒有持續的影響，則指示TTA(與由陷阱電荷的復合引起的非瞬時熒光相反，其中在偏壓去除后延遲熒光減少)。三重態接受材料所述第一種三重態接受材料和第二種三重態接受材料可以獨立地與熒光發光材料混合或者可以共價鍵合到熒光發光材料。如果熒光發光材料是聚合物，則所述第一種三重態接受材料和第二種三重態接受材料中的一者或兩者可以作為如下形式提供：發光聚合物主鏈中的重復單元；懸掛于聚合物主鏈的側基；或該聚合物的端基。所述三重態接受材料中的一者或兩者可作為與熒光發光材料混合的三重接受聚合物的組分而提供。本文所述的熒光發光聚合物和三重態接受聚合物可以是共軛的或非共軛的。本文所用的“共軛聚合物”是指聚合物主鏈中的重復單元共軛在一起。共軛聚合物的共軛長度可以沿著聚合物主鏈的整個長度延伸，或者沿主鏈的共軛可以中斷。本文所用的“非共軛聚合物”是指在聚合物主鏈中的重復單元之間基本上不存在共軛。任選地，非共軛聚合物在聚合物主鏈中基本上沒有不飽和基團。共軛的熒光發光聚合物優選是包含熒光發光重復單元以及一種或多種另外重復單元的共聚物。示例性的另外重復單元可以是如上所述的三重態接受單元或者另外的共聚重復單元。在優選的實施方案中，該熒光發光材料是聚合物；所述第一種三重態接受材料結合到所述發光聚合物；并且所述第二種三重態接受材料與所述發光聚合物混合。優選地，以如下方式提供所述第一種三重態接受材料：作為發光聚合物的端基、作為發光聚合物的側鏈基團或作為發光聚合物的重復單元。示例性的第一種三重態接受材料具有式(I)：R1和R2各自獨立地為H或取代基；R在每次出現時是取代基；n在每次出現時獨立地為0、1、2、3或4；并且R1和R2可以連接從而形成單環或多環。在優選的實施方案中，R2是可以為未取代的或取代有一個或多個取代基的芳基或雜芳基Ar，并且Ar和R1可以連接形成環。式(I)的材料優選以如下方式提供：作為發光聚合物的端基、側鏈基團或重復單元，它們通過R1、R2和式(I)芴基中的任何與聚合物共價結合。式(I)的第一種三重態接受重復單元可以具有式(Ia)或(Ib)：聚合物的示例性第一種三重態接受側基或端基具有式(Ic)或(Id)：在R2是Ar的情形中，Ar可以是未取代的或取代有一個或多個取代基R5。當存在時，取代基R5可以各自獨立地選自：烷基，任選為C1-20烷基，其中一個或多個非相鄰的C原子可以被任選取代的芳基或雜芳基、O、S、取代的N、C＝O或-COO-代替，并且一個或多個H原子可以被F代替；芳基和雜芳基，其可以是未取代的或取代有一個或多個取代基，優選為取代有一個或多個C1-20烷基的苯基；F；CN和NO2。R1可以選自如下：H；烷基，任選為C1-20烷基，其中一個或多個非相鄰的C原子可以被任選取代的芳基或雜芳基、O、S、取代的N、C＝O或-COO-代替，并且一個或多個H原子可以被F代替；以及芳基和雜芳基，其可以是未取代的或取代有一個或多個取代基，優選為取代有一個或多個C1-20烷基的苯基。優選地，R1是H或C1-40烴基。如果n是正整數，則R可以選自：烷基，任選為C1-20烷基，其中一個或多個非相鄰的C原子可以被任選取代的芳基或雜芳基、O、S、取代的N、C＝O或-COO-代替，并且一個或多個H原子可以被F代替；芳基和雜芳基，其可以是未取代的或取代有一個或多個取代基，優選為取代有一個或多個C1-20烷基的苯基；F；CN和NO2。優選地，n在每次出現時為0。優選地，式(I)的重復單元直接連接到聚合物主鏈中相鄰重復單元的芳基或雜芳基。可以選擇用于將式(I)單元連接到聚合物主鏈中的相鄰重復單元的Ar的連接位置以便控制跨所述重復單元的共軛程度。在優選的實施方案中，Ar是可以為未取代的或取代有一個或多個取代基的苯基。在式(Ia)重復單元的情形中，可以設置苯基Ar的兩個連接基團以提供苯基至鄰近重復單元的鄰位、間位或對位連接。在另一優選實施方案中，Ar是芴，其可以是未取代的或取代有一個或多個取代基。在式(Ib)重復單元的情形中，該重復單元可以通過芴單元的2、3、6和7位置中的任何兩個連接。示例性的式(I)重復單元可以選自以下單元：示例性的式(I)側基或端基包括以下單元。上述式(I)的重復單元、側基或端基的芴單元可以是未取代的或者取代有一個或多個如上所述的取代基R。在式(I)的重復單元、側基或端基中的R2為Ar的情形中，這時Ar可以被取代，例如如下所示：在R1和R2連接形成單環或多環的情形中，這時所述單環或多環可以是未取代的或取代有一個或多個取代基。當存在時，取代基可以各自獨立地選自上述的取代基R5。存在于聚合物側鏈中的式(Ic)或(Id)的基團可以直接連接到聚合物的主鏈，或者可以通過間隔基團Sp與其間隔開。示例性的間隔基團Sp包括：亞芳基，其可以是未取代的或取代有一個或多個取代基；C1-20烷基，其中該烷基的一個或多個非相鄰C原子可以被O、S、Si、C＝O或COO或未取代或取代的亞芳基或雜亞芳基替換。示例性的亞芳基是可以為未取代的或取代有一個或多個取代基的亞苯基，例如一個或多個C1-10烷基。在其側鏈中具有式(I)單元的示例性重復單元如下所示：優選地，第二種三重態接受材料與熒光發光材料混合。第二種三重態接受材料可以是多環芳族化合物。本文所用的“多環芳烴”是指兩個或更多個稠環的烴結構，其中稠環的所有原子都是sp2雜化的。任選地，該多環芳烴含有不超過4個稠合苯環。所述多環芳族化合物可以是聚合物的側基、主鏈重復單元或端基。所述多環芳族化合物可以選自蒽和芘，它們各自可以是未取代的或取代有一個或多個取代基。所述多環芳族化合物可以是聚合物的式(II)和(III)的重復單元：其中R4在每次出現時獨立地為取代基；每個a獨立地為0、1或2；每個b獨立地為0、1或2；并且每個c為0、1、2、3或4。式(II)的重復單元可以具有式(IIa)：任選地，一個a和/或至少一個b為至少1，并且每個R4獨立地選自C1-40烴基。任選地，至少一個a和/或至少一個b為至少1，并且每個R4獨立地選自C1-20烷基，其中C1-20烷基的非相鄰C原子可以被O、S、C＝O、COO或NR11替換，其中R11是取代基，例如C1-40烴基。式(II)和(III)的示例性重復單元包括以下：其中Alk選自C1-20烷基。在第一種和/或第二種三重態接受材料被提供作為發光聚合物的重復單元的情形中，所述第一種和第二種三重態接受重復單元可各自構成該聚合物的重復單元的至多10摩爾％，任選至多5摩爾％，任選至多1摩爾％。如果熒光材料與第一種和第二種三重態接受材料中的一者或兩則混合，那么該熒光發光材料同與其混合的所述或每種三重態接受材料的重量比可以在80:20至99.5:0.5的范圍內。共軛的三重態接受聚合物優選是包含三重態接受重復單元以及一種或多種其它重復單元的共聚物。熒光或三重態接受共軛聚合物的示例性的另外共聚重復單元包括：亞苯基、芴和二氫菲重復單元，它們各自可以是未取代的或取代有一個或多個取代基。所述另外共聚重復單元可以構成該聚合物的重復單元的0.5-90摩爾％、任選5-50摩爾％或5-40摩爾％。任選地，三重態接受聚合物含有通過另外單元彼此隔開的三重態接受重復單元。任選地，三重態接受聚合物含有交替的AB重復單元結構，其中A是三重態接受重復單元并且B是共聚重復單元。可以通過Suzuki聚合制備這種類型的聚合物。一種優選類別的共聚重復單元具有式(VI)：其中q在每次出現時獨立地為0、1、2、3或4，任選地為1或2；n為1、2或3；并且R3在每次出現時獨立地為取代基。當存在時，每個R3可獨立地選自于由以下構成的組:-烷基，任選地C1-20烷基，其中一個或多個非相鄰C原子可被任選取代的芳基或雜芳基、O、S、取代的N、C＝O或-COO-替換，并且一個或多個H原子可被F替換；-芳基和雜芳基基團，所述芳基和雜芳基基團可以是未取代的或取代有一個或多個取代基，優選為取代有一個或多個C1-20烷基的苯基；-芳基或雜芳基基團的直鏈或支化鏈，每個所述基團可獨立地被取代，例如式-(Ar3)r的基團，其中各Ar3獨立地為芳基或雜芳基并且r為至少2，優選為苯基的支化鏈或直鏈，每個苯基可以是未取代的或取代有一個或多個C1-20烷基；-式(Sp)m-TAU的基團，其中Sp是如上所述的間隔基團，m是0或1，并且TAU是三重態接受單元，任選地是式(I)的三重態接受單元；和-可交聯基團，例如包含雙鍵的基團如乙烯基或丙烯酸酯基團，或者苯并環丁烷基團。在R3包含芳基或雜芳基、或者芳基或雜芳基的直鏈或支化鏈的情形中，所述芳基或雜芳基或者每個芳基或雜芳基可取代有一個或多個選自以下的取代基R7:烷基，例如C1-20烷基，其中一個或多個非相鄰C原子可被O、S、取代的N、C＝O和-COO-替換，并且該烷基的一個或多個H原子可被F替換；NR92、OR9、SR9、SiR93，和氟，硝基和氰基；其中各R9獨立地選自如下：烷基，優選C1-20烷基；和芳基或雜芳基，優選苯基，任選地取代有一個或多個C1-20烷基。取代的N，當存在時，可以為-NR9-，其中R9為如上所述。優選地，各個R3(當存在時)獨立地選自C1-40烴基，并且更優選地選自：C1-20烷基；未取代的苯基；取代有一個或多個C1-20烷基的苯基；苯基的直鏈或支化鏈，其中各個苯基可以是未取代的或取代有一個或多個取代基；以及可交聯基團。如果n為1，那么示例性的式(VI)重復單元包括如下:特別優選的式(VI)重復單元具有式(VIa):式(VIa)的取代基R3與該重復單元的連接位置鄰近，這可引起式(VIa)重復單元與鄰近重復單元之間的空間位阻，從而導致式(VIa)重復單元相對于一個或兩個鄰近重復單元扭曲到平面外。當n為2或3時的示例性重復單元包括以下：優選的重復單元具有式(VIb)：式(VIb)的兩個R3基團可以在它們所結合的苯基環之間引起空間位阻，從而導致兩個苯基環相對于彼此扭曲。另一類共聚重復單元是任選取代的芴重復單元，例如式(VII)的重復單元：其中R3在每次出現時是相同的或不同的，并且是如關于式(VI)所述的取代基，并且其中兩個基團R3可以連接形成未取代或取代的環；R8為取代基；以及d是0、1、2或3。在優選的實施方案中，至少一個基團R3具有式-(Sp)m-TAU。芴重復單元的芳族碳原子可以是未取代的，或可以取代有一個或多個取代基R8。示例性取代基R8是烷基，例如C1-20烷基，其中一個或多個非相鄰C原子可以被如下替換：O、S、NH或取代的N、C＝O和-COO-，任選取代的芳基，任選取代的雜芳基，烷氧基，烷硫基(alkylthio)，氟，氰基和芳基烷基。特別優選的取代基包括C1-20烷基以及取代或未取代的芳基，例如苯基。芳基的任選取代基包括一個或多個C1-20烷基。取代的N，當存在時可以為：-NR5-，其中R5為C1-20烷基；未取代的苯基；或取代有一個或多個C1-20烷基的苯基。可通過以下方式控制式(VII)重復單元與鄰近重復單元的芳基或雜芳基的共軛程度：(a)通過3-和/或6-位置連接該重復單元以限制跨該重復單元的共軛程度，和/或(b)在鄰近于連接位置的一個或多個位置上用一個或多個取代基R8取代該重復單元以產生與鄰近的一個或多個重復單元的扭曲，例如在3-和6-位置之一或兩者上帶有C1-20烷基取代基的2,7-連接的芴。式(VII)重復單元可以為式(VIIa)的任選取代的2,7-連接的重復單元:任選地，式(VIIa)的重復單元在與2-或7-位置鄰近的位置上未被取代。通過2-和7-位置的連接以及鄰近這些連接位置不存在取代基提供了能夠跨所述重復單元提供相對高的共軛程度的重復單元。式(VII)重復單元可以是式(VIIb)的任選取代的3,6-連接的重復單元：與式(VIIa)重復單元相比，跨式(VIIb)重復單元的共軛程度可以相對低。另一種示例性的共聚重復單元具有式(VIII)：其中R3、R8和d如上文關于式(VI)和(VII)所述。R3基團中的任一個可以連接到R3基團中的任何另一個從而形成環。如此形成的環可以是未取代的或者取代有一個或多個取代基，任選為一個或多個C1-20烷基。式(VIII)的重復單元可具有式(VIIIa)或(VIIIb)：示例性的式(VIII)重復單元具有以下結構，其中芳族碳原子可各自獨立地是未取代的或取代有取代基R8，并且其中環戊基可各自獨立地為未取代的或取代有一個或多個取代基，例如一個或多個C1-20烷基：發光材料發光材料可以選自任何形式的有機熒光材料，包括但不限于小分子、樹枝狀和聚合的熒光材料。發光聚合物可以是包含發光重復單元的發光均聚物，或者它可以是包含發光重復單元和另外重復單元的共聚物，如例如WO00/55927中所公開的空穴傳輸重復單元和/或電子傳輸重復單元。各重復單元可以提供在聚合物的主鏈或側鏈中。發光聚合物可以在聚合物主鏈中含有共軛在一起的重復單元。發光聚合物可以含有芳胺重復單元，例如式(IX)的重復單元：其中Ar8和Ar9在每次出現時獨立地選自取代或未取代的芳基或雜芳基，g大于或等于1，優選為1或2，R13是H或者取代基，優選為取代基，并且c和d各自獨立地為1、2或3。當g＞1時在每次出現時可以相同或不同的R13優選地選自烷基(例如C1-20烷基)、Ar10、Ar10基團的支化鏈或直鏈、或者直接結合到式(IX)的N原子或通過間隔基團從其間隔開的可交聯單元，其中Ar10在每次出現時獨立地為任選取代的芳基或雜芳基。示例性的間隔基團是C1-20烷基、苯基和苯基-C1-20烷基。在式(IX)的重復單元中Ar8、Ar9和(如果存在時的)Ar10中的任一個可以通過直接鍵或二價連接原子或基團連接至Ar8、Ar9和Ar10中的另一個。優選的二價連接原子和基團包括O、S、取代的N、以及取代的C。Ar8、Ar9和(如果存在時的)Ar10中的任一個可以取代有一個或多個取代基。示例性的取代基是取代基R10，其中每個R10可以獨立地選自于由如下構成的組：-取代或未取代的烷基，任選為C1-20烷基，其中一個或多個非相鄰的C原子可以被任選取代的芳基或雜芳基、O、S、取代的N、C＝O或-COO-替換，并且一個或多個H原子可以被F替換；以及-直接連接到芴單元或者通過間隔基團從其間隔開的可交聯基團，例如包含雙鍵的基團如乙烯基或者丙烯酸酯基團，或者苯并環丁烷基團。優選的式(IX)重復單元具有式1-3：該聚合物可含有一個、兩個或更多個不同的式(IX)的重復單元。在一種可選的設置中，連接到兩個N原子的中心Ar9基團(例如式1中)是可以為未取代的或取代有一個或多個取代基R10的亞苯基。在另一種可選設置中，式1的中心Ar9基團是多環芳族基團，其可以是未取代的或取代有一個或多個取代基R10。示例性的多環芳族基團是萘、苝、蒽、芴、菲和二氫菲。這些多環芳基中的每一個可以取代有一個或多個取代基R10。兩個取代基R10可以連接形成取代或未取代的環。任選地，Ar8是可以為未取代的或取代有一個或多個取代基R10的苯基。任選地，連接到式(IX)重復單元的唯一N原子的Ar9基團是苯基，該苯基可以是未取代的或取代有一個或多個取代基R10。式(IXa)的R13優選為烴基，優選C1-20烷基、未取代或取代有一個或多個C1-20烷基的苯基、或苯基的支化鏈或直鏈，其中每個所述苯基是未取代的或取代有一個或多個C1-20烷基。任選地，R13是Ar10，例如苯基，或是-(Ar10)r，其中r是至少2并且其中基團-(Ar10)r形成芳族或雜芳族基團的直鏈或支化鏈，例如3,5-二苯基苯，其中各個苯基可取代有一個或多個取代基R10，例如一個或多個C1-20烷基。任選地，c、d和g各自為1，且Ar8和Ar9是由氧原子連接的苯基從而形成吩噁嗪環。胺重復單元可以提供空穴傳輸和/或發光功能。示例性的發光胺重復單元包括式(IXa)的藍色發光重復單元和式(IXb)的綠色發光重復單元：式(IXa)和(IXb)的重復單元可以是未取代的或者式(IXb)重復單元的一個或多個環可以取代有一個或多個取代基R15，優選一個或多個C1-20烷基。胺重復單元可以與一種或多種共聚重復單元一起提供在共聚物中，并且構成發光共聚物的重復單元的約0.5摩爾％直至約50摩爾％、任選地約1-25摩爾％、任選地約1-10摩爾％。熒光發光聚合物可以包含發光重復單元和一種或多種共聚重復單元，所述共聚重復單元選自三重態接受重復單元和其它共聚重復單元。示例性的三重態接受重復單元如上所述。示例性的其它共聚重復單元包括但不限于芴、亞苯基、茚并芴、菲和二氫菲重復單元，它們各自可以是未取代的或者取代有一個或多個取代基R3，優選一個或多個C1-40烴基取代基。發光聚合物的其它共聚重復單元可以包括上文關于三重態接受聚合物所述的共聚重復單元(VI)、(VII)和(VIII)中的一種或多種。這些重復單元中的每一個可以通過這些單元的任何兩個芳族碳原子與鄰近的重復單元連接。在優選的實施方案中，發光聚合物包含發光重復單元，任選式(IX)的重復單元和式(I)的第一種三重態接受基團，該第一種三重態接受基團被提供作為該發光聚合物的主鏈重復單元、側基或端基。本文中所述聚合物(包括可包含或者可不含三重態接受基團的發光聚合物或不發光的三重態接受聚合物)的通過凝膠滲透色譜法測量的聚苯乙烯當量數均分子量(Mn)可以在約1×103至1×108的范圍內，并且優選在1×104至5×106范圍內。本文所述聚合物的聚苯乙烯當量重均分子量(Mw)可以為1×103至1×108，且優選為1×104至1×107。本文所述的聚合物適宜地為非晶態聚合物。聚合物合成制備共軛的發光聚合物的優選方法包括“金屬嵌插”，其中將金屬絡合物催化劑的金屬原子嵌插在芳基或雜芳基基團與單體的離去基團之間。示例性的金屬插入方法是如例如WO00/53656中所述的Suzuki聚合，以及如例如以下文獻中所述的Yamamoto聚合：T.Yamamoto，“ElectricallyConductingAndThermallyStableπ-ConjugatedPoly(arylene)sPreparedbyOrganometallicProcesses"，ProgressinPolymerScience1993，17，1153-1205。在Yamamoto聚合的情形中，使用鎳絡合物催化劑；在Suzuki聚合的情形中，使用鈀絡合物催化劑。例如，在通過Yamamoto聚合來合成線型聚合物中，使用具有兩個反應性鹵素基團的單體。類似地，根據Suzuki聚合方法，至少一個反應性基團是硼衍生基團例如硼酸或硼酸酯，并且另一個反應性基團是鹵素。優選的鹵素為氯、溴和碘，最優選溴。因此將理解的是本申請通篇所說明的重復單元可衍生自帶有合適離去基團的單體。同樣地，可通過合適離去基團的反應使端基或側基結合到聚合物。Suzuki聚合可以用來制備區域規則的(regioregular)、嵌段和無規的共聚物。特別地，當一個反應性基團為鹵素并且另一個反應性基團為硼衍生基團時，可以制備均聚物或無規共聚物。作為替代，當第一單體的兩個反應性基團均為硼并且第二單體的兩個反應性基團均為鹵素時，可以制備嵌段或區域規則(特別是AB型)的共聚物。作為鹵化物的替代，能夠參與金屬嵌插的其它離去基團包括甲苯磺酸酯(tosylate)、甲磺酸酯(mesylate)和三氟甲磺酸酯(triflate)。電荷傳輸層和電荷阻擋層在OLED的情形中，可在陽極與一個或多個發光層之間提供空穴傳輸層。同樣地，可在陰極與一個或多個發光層之間提供電子傳輸層。類似地，可在陽極和發光層之間提供電子阻擋層，以及可在陰極和發光層之間提供空穴阻擋層。傳輸層和阻擋層可結合使用。根據其HOMO和LUMO能級，單一層可既傳輸空穴和電子之一，又阻擋空穴和電子中的另一者。可以使電荷傳輸層或電荷阻擋層交聯，特別地如果從溶液來沉積覆蓋該電荷傳輸或電荷阻擋層的層的話。用于這種交聯的可交聯基團可以是包含反應性雙鍵的可交聯基團例如乙烯基或丙烯酸酯基團，或者苯并環丁烷基團。如果存在，則位于陽極和發光層之間的空穴傳輸層的HOMO能級優選為小于或等于5.5eV，更優選為約4.8-5.5eV或5.1-5.3eV，通過循環伏安法測量。可選擇空穴傳輸層的HOMO能級以便在鄰近層(例如發光層)的0.2eV之內，任選地在0.1eV之內，以便在這些層之間提供小的空穴傳輸勢壘。如果存在，則位于發光層和陰極之間的電子傳輸層的LUMO能級優選為約2.5-3.5eV，通過循環伏安法測量。例如，可在最接近陰極的發光層與該陰極之間提供厚度在0.2-2nm范圍內的一氧化硅或二氧化硅的層或其它薄介電層。可使用循環伏安法測量HOMO和LUMO能級。空穴傳輸層可以含有均聚物或共聚物，所述均聚物或共聚物包含如上所述的式(IX)重復單元，例如包含一個或多個式(IX)的胺重復單元和一個或多個亞芳基重復單元(例如一個或多個選自式(VI)、(VII)和(VIII)的亞芳基重復單元)的共聚物。電子傳輸層可以含有包含任選取代的亞芳基重復單元的鏈(例如芴重復單元的鏈)的聚合物。如果空穴傳輸層或電子傳輸層與包含磷光材料的發光層相鄰，則該層的一種或多種材料的T1能級優選地高于相鄰發光層中的磷光發射體的T1能級。空穴注入層可由導電性有機材料或無機材料形成的導電性空穴注入層，其可提供于如圖1所示的OLED的陽極101和發光層103之間以輔助從陽極到一層或多層半導體聚合物中的空穴注入。摻雜的有機空穴注入材料的實例包括任選取代的、摻雜的聚(乙烯二氧噻吩)(PEDT)，尤其是用下列摻雜的PEDT：電荷平衡聚酸(polyacid)，如EP0901176和EP0947123中所公開的聚苯乙烯磺酸(PSS)、聚丙烯酸或氟化磺酸，例如如US5723873和US5798170中公開的聚苯胺；和任選取代的聚噻吩或聚(噻吩并噻吩)。導電性無機材料的實例包括過渡金屬氧化物，如JournalofPhysicsD：AppliedPhysics(1996)，29(11)，2750-2753中所公開的VOx、MoOx和RuOx。陰極陰極105選自于具有容許電子注入到OLED的發光層內的功函數的材料。其它因素影響陰極的選擇，例如在陰極與發光材料之間的有害相互作用的可能性。陰極可以由單一材料例如鋁層構成。作為替代，其可以包含多種導電材料如金屬，例如低功函數材料和高功函數材料的雙層，例如WO98/10621中公開的鈣和鋁。陰極可以包含單質鋇，如在WO98/57381、Appl.Phys.Lett.2002,81(4),634和WO02/84759中所公開的。陰極可在器件的有機層與一個或多個導電陰極層之間包含金屬化合物(特別是堿金屬或堿土金屬的氧化物或氟化物)的薄層(例如1-5nm)以協助電子注入，例如在WO00/48258中公開的氟化鋰；如在Appl.Phys.Lett.2001,79(5),2001中公開的氟化鋇；以及氧化鋇。為了提供電子向器件內的高效注入，陰極優選地具有小于3.5eV、更優選地小于3.2eV、最優選地小于3eV的功函數。金屬的功函數可以參見例如Michaelson，J.Appl.Phys.48(11)，4729，1977。陰極可以是不透明的或透明的。透明陰極對于有源矩陣器件是特別有利的，因為穿過此類器件中的透明陽極的發射光至少部分地被位于發光像素下方的驅動電路阻擋。透明陰極包含電子注入材料的層，該層足夠薄以致是透明的。通常，該層的橫向導電率由于其薄度(thinness)而將是低的。在該情形中，電子注入材料層與透明導電材料例如銦錫氧化物的較厚層結合使用。將理解的是，透明陰極器件不需要具有透明陽極(當然，除非需要完全透明的器件)，并且因此可以用反射材料層例如鋁層替換或補充用于底部發光器件的透明陽極。在例如GB2348316中公開了透明陰極器件的實例。包封有機光電子器件往往對水分和氧氣敏感。因此，基底優選地具有良好阻隔性用以防止水分和氧氣侵入器件內。基底通常為玻璃，但是可以使用替代性的基底，特別是在器件的柔性為期望的情形中。例如，基底可以包含一個或多個塑料層，例如交替的塑料和電介質阻擋層的基底，或者薄玻璃和塑料的疊層體。可以用包封材料(未示出)包封器件以防止水分和氧氣侵入。合適的包封材料包括玻璃片，具有合適的阻擋性質的膜，如二氧化硅、一氧化硅、氮化硅、或聚合物與介電材料的交替疊層，或氣密性容器。在透明陰極器件的情形中，可沉積透明包封層如一氧化硅或二氧化硅達到微米級的厚度，然而在一個優選的實施方案中，該層的厚度在20-300nm范圍內。用于吸收可能滲透穿過基底或包封材料的任何大氣水分和/或氧氣的吸收材料可被設置在基底和包封材料之間。配制物加工適于形成發光層的配制物可由本發明的組合物和一種或多種合適的溶劑形成。該配制物可以是組合物在一種或多種溶劑中的溶液，或者可以是在一種或多種溶劑中的分散體(一種或多種組分不溶解于所述溶劑)。優選地，該配制物是溶液。適合于溶解本發明組合物(特別是含有包含烷基取代基的聚合物的組合物)的溶劑包括用一個或多個C1-10烷基或C1-10烷氧基取代的苯，例如甲苯、二甲苯和甲基苯甲醚。特別優選的溶液沉積技術包括印刷和涂覆技術，例如旋涂和噴墨印刷。旋涂特別適合于其中發光層的圖案化為不必要的器件—例如用于照明應用或簡單的單色分段顯示器。噴墨印刷特別適合于高信息內容的顯示器，尤其是全色顯示器。可通過如下方式來噴墨印刷器件：在第一電極上方提供圖案化的層，和限定用于印刷一種顏色(單色器件的情形)或多種顏色(多色的情形，尤其是全色器件)的凹坑(well)。圖案化的層典型地是被圖案化以限定凹坑的光刻膠層，例如EP0880303中所述。作為凹坑的替代，可將墨印刷到圖案化層內限定的溝道中。具體而言，可將光刻膠圖案化以形成溝道，與凹坑不同的是，所述溝道在多個像素上方延伸并且可在溝道末端封閉或開放。其它溶液沉積技術包括浸涂、輥筒印刷和絲網印刷。實施例單體合成根據以下反應方案制備單體實施例1：階段13升的三頸圓底燒瓶配備有頂置式攪拌器、回流冷凝器、加料漏斗、氮氣入口和排氣裝置。向燒瓶中裝入在水(1000mL)中的NaOH(153g，3.8251mol)和3,6-二溴菲-9,10-二酮(50g，0.1366mol)，并加熱至85℃持續16小時，隨后冷卻至室溫。將固體KMnO4(112.2g，0.7103mol)分若干份加入到混合物中。在完成添加后，將反應混合物加熱至100℃并攪拌16小時，在此時之后使其冷卻至室溫。通過過濾分離所得固體沉淀物，并用1.5NHCl(1000mL)和水(1000mL)洗滌。在抽吸下干燥之后，用熱氯仿、然后用THF洗滌固體，從而得到通過HPLC測量純度為98.5％的6-二溴-9H-芴-9-酮(24g，52％產率)。階段21升的三頸圓底燒瓶配備有頂置式攪拌器、回流冷凝器、加料漏斗、氮氣入口和排氣裝置。在氮氣氣氛下，將芐基三苯基溴化鏻(35.38g，0.0816mol)溶解在甲苯(300mL)中，并在0℃下將NaOtBu(8.99g，0.0816mol)分批加入到該混合物中，并將懸浮液攪拌30分鐘。將溶液保持在0℃，并向混合物中加入3,6-二溴-9H-芴-9-酮(23g，0.0681mol)在甲苯(160mL)中的溶液，使所得混合物溫熱至室溫并攪拌16小時。在此時之后，將混合物再次冷卻至0℃并用冰水(200mL)猝滅。將反應物用EtOAc(500mL)稀釋，分離有機層，用水(200mL)洗滌，在硫酸鈉上干燥，并在減壓下除去揮發物。通過快速柱色譜法將粗制材料(32g)純化，隨后從乙腈中重結晶從而得到單體1，產率為19％。1H-NMR(400MHz,CDCl3):δ[ppm]7.22(dd,J＝1.84,8.36Hz,1H),7.43(d,J＝8.12Hz,1H),7.45-7.50(m,4H),7.56(d,J＝7.16Hz,2H),7.66(d,J＝8.20Hz,1H),7.72(s,1H),7.81-7.83(m,2H).發光聚合物通過如WO00/53656中所述的Suzuki聚合來制備包含式(VIIa)的芴重復單元、菲重復單元、式(IX-1)的胺重復單元和式(IX-3)的胺重復單元的藍色發光聚合物LEP1。按LEP1制備藍色發光聚合物LEP2,區別是用源于單體1的三重態接受重復單元代替0.5摩爾％的芴重復單元。三重態接受聚合物1通過如WO00/53656中所述的Suzuki聚合使以下單體聚合來制備三重態-接受聚合物1：器件形成—一般過程制備具有以下結構的藍色有機發光器件：ITO/HIL(35nm)/HTL(22nm)/LE(65nm)/陰極，其中ITO是銦錫氧化物陽極；HIL是空穴注入層；HTL是空穴傳輸層；LE是發光層；并且陰極包含與發光層接觸的金屬氟化物層以及銀層和鋁層。為了形成器件，使用紫外/臭氧清洗帶有ITO的基底。通過旋涂可獲自Plextronics公司的空穴注入材料的水性配制物形成空穴注入層。通過旋涂包含式(VIa)的亞苯基重復單元、式(IX-1)的胺重復單元和式(VIIa)的可交聯重復單元的空穴傳輸聚合物形成21nm的空穴傳輸層并且通過加熱使該聚合物交聯。通過旋涂表2中所示的聚合物混合物來形成發光層。通過蒸鍍第一層的金屬氟化物至約2nm的厚度、第二層的鋁至約100nm的厚度和第三層的銀至約100nm的厚度形成陰極。參照圖6，與其中在發光聚合物中提供三重態接受單元以及三重態接受聚合物與發光聚合物共混的器件實施例1相比，在發光聚合物中不提供三重態接受單元的比較器件1的亮度下降更快。令人驚訝的是，與僅使用一種三重態接受材料相比，使用兩種不同的三重態接受材料增加了壽命。雖然關于具體的示例性實施方案描述了本發明，然而應意識到在不偏離下列權利要求所述的本發明范圍的情況下，本文所公開的特征的各種修改、改變和/或組合對本領域技術人員而言將是明顯的。當前第1頁1 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