多層配線基板和使用該多層配線基板的探針卡的制作方法
【專利摘要】本發明提供一種多層配線基板和使用該多層配線基板的探針卡，本發明的目的在于提高薄膜電阻器的針對安裝有上述薄膜電阻器的多層配線基板的熱變化的耐久性。多層配線基板包括：絕緣板，其由多個具有絕緣性的合成樹脂層構成；配線電路，其設于該絕緣板；薄膜電阻器，其以沿著上述多個合成樹脂層中的至少1個合成樹脂層埋設于該合成樹脂層內的方式形成，且被插入到上述配線電路中；以及熱伸縮抑制層，其以被埋設于與埋設、形成有該薄膜電阻器的上述合成樹脂層相鄰的上述合成樹脂層的方式形成并以在向該多層配線基板的厚度方向投影時與上述薄膜電阻器重疊的方式配置，該熱伸縮抑制層具有比上述相鄰的兩合成樹脂層的線膨脹系數小的線膨脹系數。
【專利說明】多層配線基板和使用該多層配線基板的探針卡
【技術領域】
[0001]本發明涉及安裝有薄膜電阻器的多層配線基板和使用該多層配線基板的探針卡。【背景技術】
[0002]對于半導體芯片這樣的半導體1C，在其聚集地形成于半導體晶圓上之后，在分開成各芯片之前，該半導體IC要接受電檢查。為了進行該電檢查，通常，使用與作為被檢查體的各半導體IC的電極焊盤相連接的探針卡(日文:7° α — 7'力一 K)。探針卡的各探針與被檢查體的與之對應的電極焊盤相接觸，由此，使被檢查體與用于電檢查的測試器相連接(例如，參照專利文獻I)。
[0003]在這樣的探針卡中，將多層配線基板作為探針基板，在該探針基板的一個面配置有多個探針。另外，在安裝于該探針基板即多層配線基板的配線電路上，例如以阻抗匹配這樣的電匹配為目的或者以對向各探針供給的電力進行控制為目的而安裝有電阻器(例如，參照專利文獻2)。
[0004]為了將電阻器安裝于這樣的多層配線基板，薄膜電阻器以被埋設于由成為配線基板的母材的電絕緣材料構成的合成樹脂層的方式形成。該薄膜電阻器由具有比成為配線基板的母材的上述合成樹脂層的線膨脹系數小的線膨脹系數的金屬材料構成。
[0005]因此，當在熱循環試驗下進行上述被檢查體的電檢查時，會導致這樣的結果:與上述探針卡的薄膜電阻器同粘著有該薄膜電阻器的合成樹脂層之間的線膨脹系數的差相應地在該薄膜電阻器與上述合成樹脂層之間的交界反復受到較大的應力。由這樣的溫度沖擊產生的反復應力加速上述薄膜電阻器的劣化，從而導致其破損。
[0006]專利文獻1:日本特開2010 - 151497號公報
[0007]專利文獻2:日本特開2008 - 283131號公報
【發明內容】
[0008]因此，本發明的目的在于提高薄膜電阻器的針對安裝有該薄膜電阻器的多層配線基板的熱變化的耐久性和提高應用有該多層配線基板的探針卡的針對熱變化的耐久性。
[0009]本發明提供一種多層配線基板，其中，該多層配線基板包括:絕緣板，其由多個具有絕緣性的合成樹脂層構成；配線電路，其設于該絕緣板；薄膜電阻器，其以沿著上述多個合成樹脂層中的至少I個合成樹脂層埋設于該合成樹脂層內的方式形成，且被插入到上述配線電路中；以及熱伸縮抑制層，其以被埋設于與埋設、形成有該薄膜電阻器的上述合成樹脂層相鄰的上述合成樹脂層的方式形成并以在向該多層配線基板的厚度方向投影時與上述薄膜電阻器重疊的方式配置，該熱伸縮抑制層具有比上述相鄰的兩合成樹脂層的線膨脹系數小的線膨脹系數。
[0010]另外，本發明提供一種探針卡，其包括多層配線基板和自該多層配線基板的表面突出的多個探針，其中，上述多層配線基板包括:絕緣板，其由多個具有絕緣性的合成樹脂層構成；配線電路，其設于該絕緣板；薄膜電阻器，其以沿著上述多個合成樹脂層中的至少I個合成樹脂層埋設于該合成樹脂層內的方式形成，且被插入到上述配線電路中；以及熱伸縮抑制層，其以被埋設于與埋設、形成有該薄膜電阻器的上述合成樹脂層相鄰的上述合成樹脂層的方式形成并以在向該多層配線基板的厚度方向投影時與上述薄膜電阻器重疊的方式配置，該熱伸縮抑制層具有比上述相鄰的兩合成樹脂層的線膨脹系數小的線膨脹系數。上述探針分別與上述配線電路中的與之對應的配線線路相連接。
[0011]在本發明的上述多層配線基板中，由于配置在上述合成樹脂層內的上述熱伸縮抑制層具有比相鄰的上述兩合成樹脂層的線膨脹系數小的線膨脹系數，因此能夠有效地抑制埋設有上述薄膜電阻器的上述合成樹脂層沿著該薄膜電阻器進行熱伸縮。因此能夠抑制因上述薄膜電阻器與包圍該薄膜電阻器的上述合成樹脂層之間的熱膨脹系數差而導致的上述薄膜電阻器與上述合成樹脂層之間的熱伸縮差。
[0012]因而，即使在上述多層配線基板在例如熱循環試驗下使用而因此使環境溫度如以往那樣較大地變化，如上所述，也能夠抑制因隨著該溫度變化而產生的上述合成樹脂層與上述薄膜電阻器之間的熱膨脹系數差所導致的兩者的熱伸縮差，因此能夠降低因該熱伸縮差而作用于上述薄膜電阻器的應力。其結果，能夠提高上述多層配線基板的上述薄膜電阻器的耐久性，從而提高上述多層配線基板和使用該多層配線基板的探針卡的耐久性。
[0013]為了更可靠地保護上述薄膜電阻器而不使其受到上述熱伸縮差的影響，優選的是，上述熱伸縮抑制層與上述薄膜電阻器大致平行地配置，且上述熱伸縮抑制層超出該薄膜電阻器的配置區域而向該薄膜電阻器的配置區域外側伸出。由此，能夠使在上述薄膜電阻器與包圍該薄膜電阻器的上述合成樹脂層之間的界面處作用于上述薄膜電阻器的應力更可靠地降低和分散，因此能夠提高基于上述熱收縮抑制層的對上述薄膜電阻器保護的保護效果。
[0014]上述熱伸縮抑制層能夠由金屬材料構成。從抑制噪聲和抑制阻抗變化等方面考慮，由該金屬材料構成的上述熱伸縮抑制層優選與上述配線電路電絕緣。
[0015]上述熱伸縮抑制層能夠由與用于構成上述配線電路的金屬材料相同的金屬材料形成。由此，能夠在不追加上述熱收縮抑制層的專用工藝的情況下利用上述配線電路的形成工藝來形成上述伸縮抑制層。
[0016]能夠與上述薄膜電阻器的兩端相關聯地設置與上述配線電路相連接的成對的連接電極。上述成對的連接電極分別與上述薄膜電阻器的與之對應的端部電連接和機械連接。在熱循環試驗這樣的溫度沖擊下，由于上述薄膜電阻器與包圍該薄膜電阻器的上述合成樹脂層之間的熱收縮差，較強的應力會集中于上述薄膜電阻器與上述成對的連接電極之間的連接部位。然而，利用上述成對的連接電極來覆蓋上述薄膜電阻器的相應的各端部，能夠謀求增大上述成對的連接電極與上述薄膜電阻之間的電連接部的接觸面積，因此能夠利用上述接觸面來使作用于上述薄膜電阻器的端部的應力有效地分散。由此，能夠可靠地保護該薄膜電阻器而不使其受到因上述熱伸縮差而作用于上述薄膜電阻器的應力的影響。
[0017]為了利用上述成對的連接電極來覆蓋上述薄膜電阻器的與之對應的各端部，能夠在各個上述連接電極的彼此相對的面形成用于分別接收上述薄膜電阻的與之對應的端部的臺階部。通過利用該相對的臺階部將上述成對的連接電極與上述薄膜電阻器的相應的兩端電結合和機械結合，能夠較容易地謀求增大上述薄膜電阻器與上述成對的連接電極之間的連接部的接觸面積。因而，能夠利用比較簡單的結構來更可靠地保護該薄膜電阻器而不使其受到因上述熱伸縮差而作用于上述薄膜抗體的應力的影響。
[0018]上述成對的連接電極能夠由不會如上述合成樹脂層那樣進行較大熱伸縮的配線電路支承。在該情況下，能夠用構成上述配線電路的一部分的、沿上述合成樹脂層的厚度方向在上述合成樹脂層內延伸的導電線路支承上述成對的連接電極。由此，與將上述成對的連接電極連接于沿著上述合成樹脂層在平面內延伸的配線線路來支承該連接電極的情況相比，能夠利用上述配線電路將上述成對的連接電極可靠地結合，因此能夠更牢固地支承上述成對的連接電極。
[0019]在上述多層配線板通過反復進行包括上述薄膜電阻器在內的各材料的堆積工序而形成的情況下，能夠使由金屬材料構成的上述熱伸縮抑制層發揮使供上述薄膜電阻器的材料堆積的合成樹脂層的表面平滑化的作用。
[0020]例如，存在以下依次堆積的情況，即，在第I合成樹脂層之上形成上述熱伸縮抑制層，然后，在上述第I合成樹脂層之上，以埋設上述熱伸縮抑制層的方式形成第2合成樹脂層，在該第2合成樹脂層之上形成上述薄膜電阻器，然后，在上述第2合成樹脂層之上，以埋設上述薄膜電阻器的方式形成第3合成樹脂層。在該情況下，若在形成上述第I合成樹脂層之前，在作為第I合成樹脂層的下層而形成的合成樹脂層上形成例如導通孔配線線路，則有時隨著該導通孔配線線路的形成而在上述第I合成樹脂層的表面形成較大的凹凸。
[0021]與將第2合成樹脂層直接堆積于第I合成樹脂層之上的情況相比，通過將上述熱伸縮抑制層的金屬材料堆積于上述第I合成樹脂層之上，能夠期待減輕可能在堆積材料的表面產生的上述凹凸的程度。由此，通過在減少了該凹凸的上述熱伸縮抑制層之上形成用于埋設該熱伸縮抑制層的第2合成樹脂層，能夠減少第2合成樹脂層的表面的凹凸。
[0022]如上所述，由于上述薄膜電阻器沿著上述第2合成樹脂層的表面形成，因此，上述薄膜電阻器的有效長度會很大程度上受到上述合成樹脂層面的凹凸的影響。因此，上述合成樹脂層表面越平坦，上述薄膜電阻器的有效長度越接近規定值，而上述合成樹脂層面的凹凸越大，上述薄膜電阻器的有效長度越大于規定值。由此，如上所述，通過用于抑制、減少上述合成樹脂層的用于形成上述薄膜電阻器的部分的表面的凹凸的上述熱伸縮抑制層，能夠期待抑制上述薄膜電阻器的電阻值的偏差的效果。
[0023]采用本發明，如上所述，能夠利用上述熱伸縮抑制層來抑制因隨著環境溫度的變化而產生的上述合成樹脂層與上述薄膜電阻器之間的熱膨脹系數差所導致的兩者的熱伸縮差，因此能夠降低因該熱伸縮差而作用于上述薄膜電阻器的應力。其結果，能夠提高上述多層配線基板的上述薄膜電阻器的耐久性，從而提高上述多層配線基板和使用該多層配線基板的探針卡的耐久性。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0024]圖1是概略地表示應用有本發明的探針基板的探針卡的剖視圖。
[0025]圖2是將圖1所示的探針基板的一部分放大表示的剖視圖。
[0026]圖3表示圖2所示的探針基板的制造工序，圖3的(a)表示在第I合成樹脂層之上形成熱伸縮抑制層的工序，圖3的(b)表示在覆蓋上述熱伸縮抑制層的第2合成樹脂層之上形成薄膜電阻器層的工序，圖3的(c)表示形成用于使上述薄膜電阻器層形成圖案的蝕刻掩模的形成工序，圖3的(d)表示由上述薄膜電阻器層形成具有規定的電阻值的薄膜電阻器的工序，圖3的(e)表示埋入上述薄膜電阻器的第3合成樹脂層的形成工序，圖3的(f)表示上述薄膜電阻器用的成對的連接電極的形成工序。
[0027]圖4表示本發明的其他的探針基板的制造工序，圖4的(a)表示第2熱伸縮抑制層的形成工序，圖4的(b)表示覆蓋上述第2熱伸縮抑制層的第4合成樹脂層的形成工序，圖4的(C)表示探針用的連接焊盤的形成工序。
【具體實施方式】
[0028]如圖1所示，本發明的探針卡10應用于在半導體晶圓12上形成的多個IC電路(未圖不)的電試驗。在半導體晶圓12的一個面形成有用于各IC電路的多個電極12a。半導體晶圓12以使多個電極12a朝向上方的方式可取下地保持于支承臺16之上，該支承臺16由支承于例如xyz θ機構這樣的支承機構14的真空吸盤構成。
[0029]如以往公知那樣，真空吸盤16能夠利用xyz Θ機構14在與鉛垂軸線(z軸)呈直角的水平面(xy面)上沿著X軸和I軸移動，并能夠利用xyz θ機構14沿著上述鉛垂軸線在上下方向上移動，并且，還能夠利用xyz θ機構14繞上述鉛垂軸線在上述水平面上(xy面)旋轉。由此，能夠控制半導體晶圓12相對于探針卡10的位置和姿勢。
[0030]探針卡10包括:剛性配線基板18，其是以例如玻璃環氧樹脂材料為母材而形成的，該剛性配線基板18整體上形成為圓形；以及探針基板22，其借助電連接器20固定于剛性配線基板18的下表面。剛性配線基板18的緣部載置于被設置在未圖示的測試頭的框上的環狀的卡支架24。電連接器20例如是具有彈簧針的電連接器。如以往公知那樣，電連接器20用于將剛性配線基板18的配線電路的配線線路與探針基板22的后述的配線電路的配線線路中的、與剛性配線基板18的上述配線線路相對應的配線線路互相電連接。
[0031]在圖1所示的例子中，在剛性配線基板18的上表面設有用于加強該剛性配線基板的加強構件26。另外，在剛性配線基板18的上表面上安裝有罩30，該罩30以容許被設于該上表面的多個連接器28暴露的方式覆蓋剛性配線基板18的上述上表面。各連接器28與剛性配線基板18的上述配線電路中的與之對應的上述配線線路相連接。另外，延伸至測試器32的配線線路34可拆卸地連接于各連接器28。由此，各連接器28作為與探針卡10的測試器32連接的連接端發揮作用。可以不設置加強構件26和罩30。
[0032]在圖1所示的例子中，探針基板22包括:陶瓷板36，其形成有與剛性配線基板18的上述配線電路的各配線線路相對應的配線線路(未圖示)，且陶瓷板36以使其配線線路與所對應的剛性配線基板18的配線線路互相連接的方式固定于電連接器20的下表面；以及多層配線基板38，其形成有包括與該陶瓷板的上述配線線路相對應的配線線路在內的配線電路(未圖示)，該多層配線基板38以使與陶瓷板36的上述配線線路相對應的上述配線線路同陶瓷板36的上述配線線路互相連接的方式粘著于陶瓷板36的下表面。如以往公知那樣，在多層配線基板38的下表面設有多個探針40，該多個探針40與多層配線基板38的與之對應的上述配線線路相連接且能夠與半導體晶圓12的與之對應的電極12a相連接。
[0033]多層配線基板38例如是將聚酰亞胺合成樹脂材料這樣的撓性的電絕緣材料作為母材的撓性的配線基板。在圖2中，以與表示后述的多層配線基板的制造工序的圖3相對應的方式將圖1所示的多層配線基板38的姿勢上下翻轉地示出了多層配線基板38。
[0034]在由圖2放大表示的例子中，多層配線基板38位于陶瓷板36之上，并包括絕緣板42，該絕緣板42由自該圖2來看的位于最下層的第I層42a、第2層42b、第3層42c以及位于最上層的第4層42d這四層的層疊構造體構成。各層42a?42d由以例如聚酰亞胺為主成分的撓性的絕緣合成樹脂材料構成，層42a?42d中的相鄰的層以互相粘著的方式形成。如以往公知那樣，在各合成樹脂層42a?42d之間和作為最上層的合成樹脂層42d之上，根據需要形成有用于構成多層配線基板38的配線電路的配線線路。
[0035]為了實現多層配線，能夠利用不同的組合物或者不同的合成樹脂材料來形成各合成樹脂層42a?42d。然而，為了簡化說明，以各合成樹脂層42a?42d如通常的多層配線基板那樣以相同組成的合成樹脂層形成的情況為例進行說明。
[0036]在圖2中，作為用于構成多層配線基板38的上述配線電路的配線線路，形成有沿第I合成樹脂層42a的厚度方向貫穿第I合成樹脂層42a的成對的導通孔配線線路44a。各配線線路44a在第I合成樹脂層42a的一個面與陶瓷板36的與之對應的上述配線線路相連接。
[0037]成對的配線線路44a與形成于第I合成樹脂層42a的另一個面之上的與之對應的配線線路44b相連接。成對的導通孔配線線路44a借助各配線線路44b分別與成對的連接電極44c相連接。另外，根據需要，各配線線路44a、44b能夠分別與形成于第2合成樹脂材料層42b?第4合成樹脂材料層42d這些層之間的其他配線線路相連接。
[0038]在成對的連接電極44c之間形成有被埋設于第3合成樹脂層42c的薄膜電阻器46。另外，在成對的配線線路44b之間形成有被埋設于第2合成樹脂層42b的熱伸縮抑制層48。
[0039]薄膜電阻器46通過以下方式形成:在使例如N1-Cr合金材料如后述那樣以規定的厚度堆積在第2合成樹脂層42b之上后，使該堆積材料圖案形成為表現出規定的電阻值的形狀。由N1-Cr合金材料構成的薄膜電阻器46表現出大致2ppm/°C?13ppm/°C的線膨脹系數。該薄膜電阻器46粘著、形成于第2合成樹脂層42b之上，另外，埋設薄膜電阻器46的第3的合成樹脂層42c粘著、形成于薄膜電阻器46。包圍薄膜電阻器46的上述合成樹脂層42b和42c的線膨脹系數為大約40ppm/°C的線膨脹系數。
[0040]由于該薄膜電阻器46與包圍該薄膜電阻器的合成樹脂層42b、42c之間的線膨脹差，當探針卡10的環境溫度變化時，在薄膜電阻器46與合成樹脂層42b、42c之間的界面處會對薄膜電阻器46作用較大的應力。
[0041]為了謀求降低作用于該薄膜電阻器46的應力，設有埋設于比第3合成樹脂層42c靠下層的第2合成樹脂層42b內的上述熱伸縮抑制層48。
[0042]該熱伸縮抑制層48由線膨脹系數小于包圍薄膜電阻器46的合成樹脂層42b、42c的線膨脹系數的值的材料構成。熱伸縮抑制層48由與例如構成在第I合成樹脂層42a之上形成的配線線路即配線層的金屬材料相同的材料、例如Au、Cu、Ni或者Ag這樣的金屬材料構成。
[0043]在圖示的例子中，熱伸縮抑制層48以與薄膜電阻器46隔開間隔且與該薄膜電阻器大致平行的方式沿著各合成樹脂層42a?42d配置。另外，在從與圖1的xy面平行的平面觀察時，熱伸縮抑制層48超出薄膜電阻器46的兩端而自該平面區域向外側伸出。由于第2合成樹脂層42b的一部分介于熱伸縮抑制層48與薄膜電阻器46之間，因此，熱伸縮抑制層48與薄膜電阻器46這兩者間被互相電絕緣。[0044]更詳細而言，熱伸縮抑制層48以在埋設有薄膜電阻器46的部分的附近沿著薄膜電阻器46的方式埋設和配置于第2合成樹脂層42b，且熱伸縮抑制層48粘著、形成于包圍熱伸縮抑制層48的合成樹脂層42a、42b。
[0045]在經由各配線線路44b而粘著、形成于成對的配線線路44a的成對的連接電極44c在彼此相對的內端具有用于接收薄膜電阻器46的與該連接電極44c對應的端部的臺階部50。各臺階部50在薄膜電阻器46的端緣處在該薄膜電阻的整個寬度上覆蓋薄膜電阻器46的端部，因此，與僅在薄膜電阻器46的端面與薄膜電阻器46相接觸的情況相比，各臺階部50以較大的接觸面積與薄膜電阻器46相接觸，由此能夠可靠地同薄膜電阻器46的與該連接電極44c對應的端部機械連接和電連接。
[0046]位于圖2的左側的一個連接電極44c與配置于第4合成樹脂層42d之上的探針焊盤52電連接。在該探針焊盤52上粘著有探針40。
[0047]如圖1所示，在本發明的探針卡10中，與以往技術同樣地，當各探針40與半導體晶圓12的與之對應的電極12a相連接時，各探針40經由多層配線基板38、陶瓷板36、電連接器20以及剛性配線基板18的各個相應的配線線路而與測試器32相連接。在該連接狀況下，需要的電信號自測試器32經由規定的探針40被供給到半導體晶圓12的各半導體1C，另外，應答信號自各半導體IC經由規定的探針40返回到測試器32。通過該信號的相互通信來對半導體晶圓12的各半導體IC芯片進行電檢查。
[0048]在本發明的探針卡10中，即使在熱循環下進行該電檢查而由此使多層配線基板38暴露在環境溫度的較大變化下，也能夠利用熱伸縮抑制層48來抑制包括包圍薄膜電阻器46的合成樹脂層42b、42c在內的絕緣板42的熱伸縮。因此，薄膜電阻器46與包圍該薄膜電阻器46的合成樹脂層42b、42c之間的熱伸縮差得到抑制，由此能夠降低在薄膜電阻器46與包圍該薄膜電阻器46的合成樹脂層42b、42c之間的界面處作用于薄膜電阻器46的應力。由此，能夠可靠地防止因薄膜電阻器46在上述界面處的斷裂、破壞而導致的薄膜電阻器46的破損。
[0049]另外，由于絕緣板42與埋設于該絕緣板的薄膜電阻器46和薄膜電阻器46的成對的連接電極44c之間的熱伸縮差，應力也會作用于薄膜電阻器46和成對的連接電極44c之間的連接部，但該應力被薄膜電阻器46與各連接電極44c的臺階部50之間的較大的接觸面積分散，因此能夠可靠地防止在兩者的連接部產生斷裂。
[0050]因而，與以往相比，能夠降低因絕緣板42與埋設于該絕緣板42的薄膜電阻器46之間的線膨脹系數差而作用于薄膜電阻器46的應力和防止因該線膨脹系數差而導致的應力的集中，從而能夠提高薄膜電阻器46的耐久性，因此能夠防止薄膜電阻器46的劣化并謀求提高探針卡10的耐久性。
[0051]另外，如在后述的多層配線基板38的制造工序中說明地那樣，能夠期待如下效果，即，利用熱伸縮抑制層48來抑制、減少第2合成樹脂層42b的表面的由于薄膜電阻器46的堆積而形成的凹凸，因此能夠期待熱伸縮抑制層48對薄膜電阻器46的電阻值的偏差進is抑制。
[0052]以下，按照圖3概略地說明探針卡10的制造工序。
[0053]如圖3的(a)所示，在上述陶瓷板36這樣的基臺之上涂布例如聚酰亞胺樹脂材料，通過熱固化形成第I合成樹脂層42a，之后，在該第I合成樹脂層42a的規定的位置上形成與陶瓷板36的上述配線線路相對應的導通孔54。之后，在第I合成樹脂層42a之上，利用例如鍍法來堆積配線金屬材料。
[0054]通過鍍法，上述配線金屬材料埋入導通孔54內且以大致均勻的厚度堆積于第I合成樹脂層42a之上。之后，使用光刻和蝕刻技術去除不需要的堆積材料，由此形成成對的導通孔配線線路44a和該導通孔配線線路之上的配線線路44b，另外，在成對的配線線路44b之間，與該配線線路隔開間隔的熱伸縮抑制層48粘著、形成于第I合成樹脂層42a之上。
[0055]替代上述使用了蝕刻技術的方法，也可以是，通過使用了規定的掩模的鍍法來使上述配線金屬材料選擇性地堆積于規定部位，從而形成導通孔配線線路44a、配線線路44b以及熱伸縮抑制層48。
[0056]如圖3的(b)所示，在第I合成樹脂層42a之上，與第I合成樹脂層42a的形成方式同樣地形成覆蓋配線線路44b和熱伸縮抑制層48的第2合成樹脂層42b。該第2合成樹脂層42b粘著于熱伸縮抑制層48，并與作為下層的第I合成樹脂層42a —起包圍熱伸縮抑制層48。在該第2合成樹脂層中形成有在配線線路44b之上敞開的開口 56。在形成開口56之后，在第2合成樹脂層42b之上堆積用于形成薄膜電阻器46的金屬材料46X。
[0057]如圖3的(C)所示，使用光刻技術來形成蝕刻掩模58，該蝕刻掩模58用于形成具有規定的平面形狀的薄膜電阻器46。
[0058]在使用蝕刻掩模58去除金屬材料46X的不要部分之后，如圖3的(d)所示，通過剩余的金屬材料46X而在第2合成樹脂層42b上粘著、形成表現出規定的電阻值的薄膜電阻器46。此時，由于堆積于第2合成樹脂層42b的開口 56內的金屬材料46X也被去除，因此，開口 56成為空腔。
[0059]如圖3的(e)所示，在第2合成樹脂層42b之上形成覆蓋薄膜電阻器46的第3合成樹脂層42c。在該第3合成樹脂層42c上，使用光刻和蝕刻技術形成凹所60，該凹所60用于形成成對的連接電極44c。第2合成樹脂層42b的開口 56在凹所60內敞開。另外，薄膜電阻器46的端部的邊緣在薄膜電阻器46的整個寬度上在凹所60內暴露。
[0060]之后，在第3合成樹脂層42c之上，以填埋開口 56的方式堆積用于形成連接電極44c的配線金屬材料，使用光刻技術和蝕刻技術將第3合成樹脂層42c之上的不需要的上述配線金屬材料去除，由此，如圖3的(f)所示，形成借助配線線路44b結合于導通孔配線線路44a而被支承的成對的連接電極44c。
[0061]成對的連接電極44c也可以替代上述使用了蝕刻技術的方法而以如下方法形成，即，與按照圖3的(a)說明的方法同樣地，通過使用了規定的掩模的鍍法來使用于形成成對的連接電極44c的金屬材料選擇性地堆積于規定部位。
[0062]通過上述任意一種方法，堆積于凹所60的上述配線材料均以沿著在薄膜電阻器46的凹所60暴露的端部的方式堆積，因此，在成對的連接電極44c上形成有與薄膜電阻器46的相應的端部相接觸而電連接的臺階部50。由此，成對的連接電極44c利用其臺階部50與薄膜電阻器46可靠地連接。
[0063]可以將探針40直接粘著于一個連接電極44c，但在探針卡10中，如圖2所示，進一步堆積埋設成對的連接電極44c的第4合成樹脂層42d，將探針40粘著于該合成樹脂層42d之上的探針焊盤52。
[0064]在上述探針卡10的制造工序中，如按照圖3的(a)說明地那樣，在第I合成樹脂層42a之上，通過堆積金屬材料而形成熱伸縮抑制層48，但在熱伸縮抑制層48之下形成有導通孔配線線路時，容易在第I合成樹脂層42a的堆積有熱伸縮抑制層48的金屬材料的表面產生凹凸，對此沒有圖示。
[0065]然而，與使第2合成樹脂層42b直接形成在該合成樹脂層42a之上的情況相比，在將熱伸縮抑制層48的金屬材料堆積于第I合成樹脂層42a之上的情況下，在物性上，能夠減少在上述堆積物的表面出現的凹凸。因而，與第I合成樹脂層42a之上的上述凹凸面相t匕，熱伸縮抑制層48的堆積表面的平坦度得到提高。
[0066]在埋設該平坦度提高后的熱伸縮抑制層48的第2合成樹脂層42b的表面的、至少配置有熱伸縮抑制層48的區域的平坦度得到提高。由于通過在第2合成樹脂層42b的提高了平坦度的區域堆積金屬材料而形成薄膜電阻器46，因此，即使在第I合成樹脂層42a的上述表面出現了凹凸，薄膜電阻器46的有效長度也不會因第I合成樹脂層42a的上述凹凸而較大地變動。因而，能夠抑制薄膜電阻器46的電阻值的偏差。
[0067]以上，說明了在多層配線基板38的絕緣板42內配置單個熱伸縮抑制層48的例子，但也可以在薄膜電阻器46的上下成對地配置熱伸縮抑制層。
[0068]圖4示出除了形成上述熱伸縮抑制層48之外、還安裝有第2熱伸縮抑制層62的探針卡10的制造工序的一個例子。圖4的(a)示出了在按照圖3的(f)說明的成對的連接電極44c的形成工序，在第3合成樹脂層42c之上，在成對的連接電極44c之間，第2熱伸縮抑制層62以與該連接電極互相隔開間隔的方式粘著、形成于合成樹脂層42c。
[0069]之后，如圖4的(b)所示，在第3合成樹脂層42c之上，以埋設第2熱伸縮抑制層62和成對的連接電極44c的方式形成第4合成樹脂層42d。在該第4合成樹脂層42d上形成向一個連接電極44c敞開的開口 64。
[0070]在第4合成樹脂層42d之上，與圖2同樣地，通過堆積配線金屬材料而形成經由開口 64而與一個連接電極44c相連接的探針焊盤52，在該探針焊盤之上粘著與該探針焊盤相對應的探針40，對此沒有圖示。
[0071]第2熱伸縮抑制層62形成在埋設有薄膜電阻器46的第3合成樹脂層42c之上且被埋設于與該合成樹脂層42c相接觸第4合成樹脂層42d。另外，第2熱伸縮抑制層62形成在成對的連接電極44c之間且與該連接電極電絕緣，且以與薄膜電阻器46隔開間隔的方式與該薄膜電阻器平行地延伸。
[0072]第2熱伸縮抑制層62不會伸長到超出薄膜電阻器46的區域。然而，第2熱伸縮抑制層62與埋設于與埋設有薄膜電阻器46的第3合成樹脂層42c相接觸的第2合成樹脂層42b的熱伸縮抑制層48 —起有效地抑制包圍薄膜電阻器46的第2合成樹脂層42b和第3合成樹脂層42c的熱伸縮。因而，能夠更有效地防止因薄膜電阻器46的熱沖擊而導致的上述劣化。
[0073]也可以是，不設置成對的熱伸縮抑制層48、62中的第I熱伸縮抑制層48，而是利用第2熱伸縮抑制層62來防止薄膜電阻器46的因熱沖擊而導致的上述劣化。
[0074]能夠利用非金屬或者用于構成配線電路的金屬材料來形成熱伸縮抑制層48、62。然而，如上所述，通過用于構成配線電路的金屬材料來構成熱伸縮抑制層48、62，能夠利用配線電路的形成工藝來形成熱伸縮抑制層48、62，因此能夠在不追加用于形成該熱伸縮抑制層的專用的工藝的情況下制造本發明的多層配線基板38和使用該多層配線基板38的探針卡10。
[0075]作為配線金屬材料，除了上述例子之外，還可以使用各種金屬材料，另外，作為薄膜電阻器，除了使用上述N1-Cr合金之外，還可以使用Cr-Pd合金、T1-Pd合金、氧化鉭、氮化鉭、Cr單體以及Ti單體這樣的金屬材料來適當地形成。
[0076]作為多層配線基板的各合成樹脂層，除了使用上述聚酰亞胺合成樹脂層、聚酰亞胺合成膜之外，還可以使用各種絕緣性合成樹脂材料來形成。
[0077]產業h的可利用件
[0078]本發明并不限于上述實施例，能夠在不脫離其主旨的范圍內進行各種變更。
[0079]例如，如以往公知那樣，在探針卡10中，也可以不設置電連接器20。在該情況下，能夠將探針基板22直接固定于剛性配線基板18，另外，能夠將剛性配線基板18和探針基板22的彼此相對應的上述配線線路直接連接起來。
[0080]附圖標記說明
[0081]10、探針卡；
[0082]22、探針基板；
[0083]38、多層配線基板；
[0084]40、探針；
[0085]42 (42a、42b、42c、42d)、合成樹脂層；
[0086]44a、44b、44c、配線電路(導通孔配線線路、配線線路、連接電極)；
[0087]46、薄膜電阻器；
[0088]48、62、熱伸縮抑制層；
[0089]50、連接電極的臺階部。
【權利要求】
1.一種多層配線基板，其中， 該多層配線基板包括: 絕緣板，其由多個具有絕緣性的合成樹脂層構成； 配線電路，其設于該絕緣板； 薄膜電阻器，其以沿著上述多個合成樹脂層中的至少I個合成樹脂層埋設于該合成樹脂層內的方式形成，且被插入到上述配線電路中；以及 熱伸縮抑制層，其以被埋設于與埋設、形成有該薄膜電阻器的上述合成樹脂層相鄰的上述合成樹脂層的方式形成并以在向該多層配線基板的厚度方向投影時與上述薄膜電阻器重疊的方式配置，該熱伸縮抑制層具有比上述相鄰的兩合成樹脂層的線膨脹系數小的線膨脹系數。
2.根據權利要求1所述的多層配線基板，其中， 上述熱伸縮抑制層與上述薄膜電阻器大致平行地配置，且上述熱伸縮抑制層超出該薄膜電阻器的配置區域而向該薄膜電阻器的配置區域外側伸出。
3.根據權利要求2所述的多層配線基板，其中， 上述熱伸縮抑制層由金屬材料構成，且與上述配線電路電絕緣。
4.根據權利要求3所述的多層配線基板，其中， 上述熱伸縮抑制層由與用于構成上述配線電路的金屬材料相同的金屬材料形成。
5.根據權利要求1?4中任一項所述的多層配線基板，其中， 上述薄膜電阻器的兩端分別與連接于上述配線電路的成對的連接電極電連接，該成對的連接電極覆蓋上述薄膜電阻器的與之對應的各端部。
6.根據權利要求5所述的多層配線基板，其中， 在各個上述連接電極的彼此相對的面具有用于分別接收上述薄膜電阻的與之對應的端部的臺階部，各個上述連接電極利用該相對的臺階部與上述薄膜電阻器的與之對應的兩端電結合和機械結合。
7.根據權利要求6所述的多層配線基板，其中， 上述成對的連接電極由構成上述配線電路的一部分的導電線路支承，該導電線路沿上述合成樹脂層的厚度方向在上述合成樹脂層內延伸。
8.一種探針卡，其中， 該探針卡包括權利要求1?7中任一項所述的多層配線基板和自該多層配線基板的表面突出的多個探針。
【文檔編號】G01R1/073GK103796420SQ201310473368
【公開日】2014年5月14日 申請日期:2013年10月11日 優先權日:2012年10月30日
【發明者】小田部昇, 大森利則, 菅井孝安 申請人:日本麥可羅尼克斯股份有限公司